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        模塊化多電平電池儲(chǔ)能系統(tǒng)相間環(huán)流研究

        2022-11-08 08:32:54朱煥杰陳滿彭鵬凌志斌
        電氣自動(dòng)化 2022年3期

        朱煥杰, 陳滿, 彭鵬, 凌志斌

        (1.南方電網(wǎng)調(diào)峰調(diào)頻發(fā)電有限公司,廣東 廣州 510630; 2.上海交通大學(xué)電力傳輸與 功率變換控制教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200240; 3.先進(jìn)儲(chǔ)能技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,廣東 廣州 510630)

        0 引 言

        模塊化多電平電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(modular multilevel converter based battery energy storage system, MMC-BESS)擁有交直流接口,近年來(lái)在新能源發(fā)電-儲(chǔ)能系統(tǒng)[1-2]、直流微電網(wǎng)[3-4]、交直流互聯(lián)和電動(dòng)車(chē)充電[5]等領(lǐng)域得到了廣泛的關(guān)注。

        MMC結(jié)構(gòu)最早成功應(yīng)用于柔性直流輸電MMC-HVDC領(lǐng)域[6-7],其相間環(huán)流在三相間形成復(fù)雜的電流-電壓耦合,導(dǎo)致環(huán)流頻率成分復(fù)雜。環(huán)流造成變流器控制性能下降、輸出電能質(zhì)量降低和損耗增加。許多學(xué)者對(duì)MMC-HVDC環(huán)流產(chǎn)生機(jī)理及其抑制策略[8-9]展開(kāi)了深入的研究。

        MMC-BESS將MMC結(jié)構(gòu)應(yīng)用于電池儲(chǔ)能,其中單級(jí)式結(jié)構(gòu)控制簡(jiǎn)單、成本低和效率高,是研究的重點(diǎn)。由于儲(chǔ)能電池的加入,其相間環(huán)流較MMC-HVDC有所不同。

        本文對(duì)MMC-BESS相間環(huán)流的產(chǎn)生機(jī)理進(jìn)行了深入的研究分析,并加以試驗(yàn)驗(yàn)證。

        1 MMC-BESS拓?fù)渑c試驗(yàn)平臺(tái)

        構(gòu)成MMC-BESS的基本單元為子模塊(sub-module,SM)。MMC-BESS有三個(gè)相簇,每個(gè)相簇分上、下兩個(gè)橋臂。每個(gè)橋臂由N個(gè)子模塊和1個(gè)橋臂電感串聯(lián)而成。典型的MMC-BESS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示。

        研究基于半橋單級(jí)MMC-BESS試驗(yàn)平臺(tái),其參數(shù)見(jiàn)表1。

        2 相間環(huán)流機(jī)理分析

        引起相間環(huán)流的原因包括子模塊直流側(cè)電壓波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致和開(kāi)關(guān)管壓降不一致三個(gè)方面。

        2.1 子模塊直流側(cè)電壓波動(dòng)

        按照?qǐng)D2定義的正方向,根據(jù)能量平衡來(lái)分析子模塊直流側(cè)電流的頻率成分。圖2中:Isub為子模塊直流側(cè)電流;Vbat為電池電壓;Io為子模塊輸出電流;Vo為子模塊輸出電壓。

        圖1 MMC-BESS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        表1 試驗(yàn)平臺(tái)系統(tǒng)參數(shù)

        圖2 子模塊輸出 電壓電流

        在一個(gè)工頻周期內(nèi),可認(rèn)為電池電壓恒定,只考慮輸出電流的直流分量和基頻分量,根據(jù)能量守恒有:

        VbatIsub(t)=Vo(t)Io(t)

        (1)

        Vo(t)=Vmcosω0t+Vo-dc

        (2)

        (3)

        根據(jù)以上三式可以推出:

        (4)

        圖3 MMC-BESS環(huán)流等效電路

        式中:Vm和Im分別為子模塊輸出的工頻電壓成分幅值和工頻電流成分幅值;φ為兩者之間的相位差;ω0為工頻角頻率;Vo-dc為子模塊輸出的直流電壓分量;Idc為MMC-BESS直流并網(wǎng)總電流。式(4)表明,單級(jí)式MMC-BESS子模塊直流側(cè)電流包括三個(gè)部分:直流分量、基頻分量和二倍頻分量。由于電池內(nèi)阻的存在,電池端口電壓也將出現(xiàn)直流分量,基頻分量和二倍頻分量。

        MMC-BESS環(huán)流等效電路如圖3所示。

        圖3中:Icira、Icirb和Icirc分別為ABC三相的環(huán)流;Ua_ac、Ub_ac和Uc_ac分別為ABC三相子模塊總的等效工頻電壓;Ua_dc、Ub_dc和Uc_dc分別為ABC三相子模塊總的等效直流電壓。

        圖4 電池端電壓二倍頻波動(dòng)仿真結(jié)果

        由于電池內(nèi)阻較小,因此二倍頻電流在子模塊直流側(cè)引起的電壓二倍基頻波動(dòng)不大。以試驗(yàn)平臺(tái)12 V/33 Ah鉛酸蓄電池為例,其標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)阻8.4 mΩ,電池并聯(lián)電容容值為3 000 μF。使用Simulink電池模型進(jìn)行仿真,在峰值為10 A二倍頻交流電流作用下,子模塊輸出電壓波動(dòng)為7.28 mV,其波形如圖4所示。

        以電壓波動(dòng)7.28 mV,每相16個(gè)子模塊計(jì)算,相電壓二倍頻波動(dòng)ΔU為0.116 V,忽略回路內(nèi)阻的影響,計(jì)算相間二倍頻環(huán)流Δi。

        ΔUΔt=4LaΔi

        (5)

        (6)

        式中:La為橋臂電感,La取0.1 mH;Δt為半個(gè)二倍頻周期,取5 ms。計(jì)算得二倍頻環(huán)流的峰值1.46 A,占交流峰值的14.6%。

        2.2 驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致

        驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致包括兩個(gè)方面:相內(nèi)部控制系統(tǒng)通信延時(shí)不一致帶來(lái)的驅(qū)動(dòng)時(shí)刻不一致和三相之間驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序的不一致。

        相簇內(nèi)部驅(qū)動(dòng)信號(hào)的不一致會(huì)導(dǎo)致相簇總電壓脈動(dòng),引起相簇總電壓不一致,進(jìn)而導(dǎo)致相間環(huán)流。提高系統(tǒng)通信速率和增大橋臂電感大小,可有效減小此因素造成的相間環(huán)流大小。

        三相之間驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致的原因在于:直流功率控制由三個(gè)獨(dú)立的PI控制器進(jìn)行三相電壓參考值的計(jì)算,三個(gè)獨(dú)立控制器輸出的直流參考電壓必然不完全一致。經(jīng)調(diào)制算法轉(zhuǎn)變?yōu)樽幽K開(kāi)關(guān)信號(hào)后,必然出現(xiàn)相簇總電壓的瞬時(shí)不相等情況。

        對(duì)試驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行建模仿真,得到A相投入子模塊數(shù)量NA、B相投入子模塊數(shù)量NB及兩者之差(NA-NB)隨時(shí)間的瞬時(shí)變化情況,如圖5所示。

        圖5 A、B兩相子模塊投入數(shù)量NA、NB 及其差值(NA-NB)變化情況

        可見(jiàn),NA和NB在多數(shù)時(shí)間內(nèi)不一致,差值在-4到4之間波動(dòng)。由此造成相簇總電壓與開(kāi)關(guān)頻率相關(guān)的波動(dòng),引起相間環(huán)流。由于回路中電感對(duì)開(kāi)關(guān)頻率抑制作用強(qiáng),該環(huán)流很小。

        2.3 開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致

        開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致包括開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通壓降的不一致和開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間的不一致,其對(duì)相間環(huán)流的影響也為開(kāi)關(guān)頻率的波動(dòng)。由于開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致性原本較小,且子模塊開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致性的影響在相間可以一定程度地相互抵消,因此對(duì)相間環(huán)流的影響也很小。

        3 相間環(huán)流的抑制策略

        在環(huán)流機(jī)理研究的基礎(chǔ)上,可針對(duì)性地對(duì)MMC-BESS的相間環(huán)流進(jìn)行抑制。

        3.1 抑制二倍頻負(fù)序環(huán)流

        對(duì)于子模塊直流側(cè)電壓的二倍頻波動(dòng),采取與MMC-HVDC系統(tǒng)中相似的環(huán)流抑制控制器進(jìn)行抑制。

        由三相上下橋臂電流計(jì)算得到三相內(nèi)部環(huán)流,減去直流電流后得到相間環(huán)流值,通過(guò)二倍頻負(fù)序坐標(biāo)變換得到相間環(huán)流的dq軸分量,經(jīng)過(guò)前饋解耦與PI控制器,將二倍頻負(fù)序環(huán)流的d軸和q軸目標(biāo)值控制到0。相間環(huán)流抑制控制器結(jié)構(gòu)如圖6所示。圖6中:ipj、inj分別為j相上、下橋臂電流;i2fd*、i2fq*分別為2倍頻d軸和q軸電流指令值;ucir*為2倍頻環(huán)流抑制電壓指令值。

        圖6 MMC-BESS二倍頻環(huán)流抑制器結(jié)構(gòu)框圖

        3.2 抑制工頻相間環(huán)流

        上下橋臂工頻電壓波動(dòng)的相位相反,如上下橋臂因內(nèi)阻不一致等原因造成工頻電壓波動(dòng)幅值不等,將引起相間工頻環(huán)流。

        目前MMC-BESS的控制策略均基于流經(jīng)上下橋臂的工頻電流等分這一假設(shè),故無(wú)法從控制策略上對(duì)工頻環(huán)流進(jìn)行抑制,只能從保持子模塊參數(shù)一致性的角度采取措施。如設(shè)計(jì)和選型時(shí)盡量保持上下橋臂電池參數(shù)的一致性;其次,在系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行橋臂均衡控制,以維持上下橋臂處于相同的SOC狀態(tài),間接抑制工頻相間環(huán)流。

        3.3 抑制高頻相間環(huán)流

        橋臂電感可抑制驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致和開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致等因素造成的高頻相間環(huán)流。按照并網(wǎng)和短路動(dòng)作原則選取的橋臂電感值即可滿足抑制高頻相間環(huán)流的需求。

        4 相間環(huán)流的試驗(yàn)驗(yàn)證

        針對(duì)相間環(huán)流產(chǎn)生機(jī)理部分分析,在試驗(yàn)平臺(tái)上進(jìn)行相間環(huán)流的測(cè)試。

        通過(guò)電池充放電儀設(shè)定各個(gè)子模塊電池SOC相同,進(jìn)行相間環(huán)流測(cè)試,結(jié)果如圖7所示。在相電流峰值為10 A的情況下,環(huán)流且呈現(xiàn)明顯的二倍頻波動(dòng),波動(dòng)峰值為0.8 A,較2.1節(jié)的計(jì)算值小。其主要原因在于2.1節(jié)計(jì)算值忽略了電池內(nèi)阻、導(dǎo)線和接觸電阻的影響。

        再對(duì)各相子模塊電池進(jìn)行充放電,使得各相電池SOC離散分布,并對(duì)相間環(huán)流進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果如圖8所示。可見(jiàn),相間環(huán)流為二倍頻分量與基頻分量疊加,與仿真波形完全一致。

        圖7 相間環(huán)流測(cè)試結(jié)果

        圖8 電池SOC不一致時(shí)的相間環(huán)流

        5 結(jié)束語(yǔ)

        對(duì)MMC-BESS環(huán)流機(jī)理及其抑制進(jìn)行了研究,推導(dǎo)出子模塊直流電流的表達(dá)式,得到了相簇總電壓隨電流的波動(dòng)規(guī)律。分析研究表明:

        (1) 子模塊直流側(cè)電流引起的電池電壓二倍頻波動(dòng)將導(dǎo)致的相間二倍頻環(huán)流,該環(huán)流可以通過(guò)與MMC-HVDC中類(lèi)似的方法抑制。

        (2) 上下橋臂的參數(shù)不一致將造成相間工頻環(huán)流,該環(huán)流無(wú)法直接通過(guò)控制消除。

        (3) 驅(qū)動(dòng)信號(hào)不一致性和開(kāi)關(guān)器件參數(shù)不一致性對(duì)相間環(huán)流的影響小,可以忽略不計(jì)。

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