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        低熱膨脹聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜與銅黏結(jié)性能

        2022-10-24 01:59:28袁莉莉黃玉東孟令輝楊念群楊士勇
        材料工程 2022年10期
        關(guān)鍵詞:界面影響

        崔 超,袁莉莉,尹 亮,黃玉東,孟令輝*,楊念群,楊士勇

        (1 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 化工與化學(xué)學(xué)院,哈爾濱 150006;2 中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院,北京 100076;3 中國(guó)科學(xué)院 化學(xué)研究所,北京 100190;4 武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司,武漢 430073)

        電子元器件微型化、薄型化及高性能化的快速發(fā)展,促使柔性集成電路(IC)封裝基板向超薄型化、布線精細(xì)化及多層化等方向飛速前進(jìn)[1]。適合于微細(xì)化布線的半加成法要求化學(xué)鍍銅層與聚酰亞胺(PI)樹脂界面有強(qiáng)固的黏結(jié)作用,以避免出現(xiàn)因銅(Cu)層與PI薄膜界面處殘存的大量熱應(yīng)力,電子元器件的壽命降低等問(wèn)題[2-3]。但是,高模量、低熱膨脹PI薄膜因剛/線性分子主鏈結(jié)構(gòu)和沿薄膜平面方向的取向結(jié)構(gòu),其表面缺少活性基團(tuán)、表面自由能較低,與其他介質(zhì)的黏結(jié)性能較差,嚴(yán)重制約了其在特定領(lǐng)域中的應(yīng)用[4]。與涂覆法和熱壓法相比,通過(guò)真空濺鍍或離子注入工藝制備的無(wú)膠柔性覆銅板(FCCL)因具備高精細(xì)蝕刻精度更適宜應(yīng)用于微電子封裝領(lǐng)域,但是PI薄膜與Cu之間的黏結(jié)強(qiáng)度通常較低[5]。因此,需通過(guò)表面改性賦予PI薄膜良好的表面親合性,以提高其使用價(jià)值、擴(kuò)大其應(yīng)用領(lǐng)域。

        探索PI薄膜表面改性途徑,制備具有高黏結(jié)性、耐錫焊的高品質(zhì)FCCL對(duì)于拓寬PI薄膜的應(yīng)用價(jià)值具有重要意義。本工作采用氧氣輝光等離子體技術(shù)對(duì)低熱膨脹性含苯并噁唑基團(tuán)PI薄膜進(jìn)行表面活化,通過(guò)離子注入和連續(xù)電鍍銅工藝制備單面FCCL??刂茪怏w壓強(qiáng),系統(tǒng)研究等離子體處理功率和時(shí)間對(duì)PI薄膜表面形態(tài)結(jié)構(gòu)和組分、PI薄膜與Cu層剝離強(qiáng)度的影響,探究PI薄膜與Cu層的黏結(jié)機(jī)理,以期掌握PI薄膜表面處理的最優(yōu)工藝,獲得高黏結(jié)性FCCL。

        1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

        1.1 實(shí)驗(yàn)材料

        3,3′,4,4′-聯(lián)苯四酸二酐(BPDA)為無(wú)錫市博?;ぎa(chǎn)品有限公司提供,使用前真空干燥處理;4,4′-二氨基二苯醚(ODA)為常州市陽(yáng)光藥業(yè)有限公司,直接使用;4,4′-苯并[1,2-d;5,4-d′]二噁唑-2,6-二苯胺(BABO)為中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所自制單體,直接使用;N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)為現(xiàn)代東方(北京)科技發(fā)展有限公司提供,使用前減壓蒸餾,0.4 nm分子篩干燥。

        1.2 聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜的制備

        含苯并噁唑基團(tuán)嵌段共聚PI薄膜采用傳統(tǒng)兩步法制備,即首先通過(guò)縮聚反應(yīng)制備嵌段共聚PAA樹脂,再使其在120~350 ℃內(nèi)發(fā)生熱酰亞胺化反應(yīng)。其中,BABO與ODA的摩爾分?jǐn)?shù)分別為40%,60%。制備路線如圖1所示。氮?dú)猸h(huán)境中,在一個(gè)配有機(jī)械攪拌和氮?dú)獬鋈肟诘?50 mL三口瓶中加入6.8470 g(20 mmol)BABO和35 mL DMAc,攪拌30 min,再加入6.1785 g(21 mmol)BPDA及25 mL DMAc,將固含量調(diào)至18%,同時(shí)配置冰水浴使環(huán)境溫度降低至0 ℃;繼續(xù)反應(yīng)18 h,然后依次加入60 mL DMAc和6.8470 g(30 mmol)ODA,攪拌30 min,加入8.5322 g(29 mmol)BPDA及剩余28 mL DMAc,將固含量調(diào)至16.7%,繼續(xù)反應(yīng)24 h,即得金黃色黏稠PAA樹脂。用G1砂芯漏斗過(guò)濾,置于攪拌機(jī)中旋轉(zhuǎn)脫泡5~10 min,存入冰箱內(nèi)冷藏待用。將300 μm螺紋桿置于玻璃板表面,使用自動(dòng)涂膜機(jī)推動(dòng)PAA樹脂流延成濕膜;然后移置程控充氮烘箱中,真空狀態(tài)下按照如下程序以2 ℃/min的升溫速率梯度升溫:60,120,170,200,250,300,350 ℃/h。隨爐冷卻至室溫,將玻璃板取出并放入沸水中浸泡,待薄膜與基板分離后,烘干即得金黃色PI薄膜。膜厚控制為(25±1) μm。

        圖1 聚(苯并噁唑-酰亞胺)樹脂的合成Fig.1 Synthesis of poly(benzoxazole-imide) resin

        1.3 柔性覆銅板的制備

        FCCL的制備工藝如圖2所示[12]。首先對(duì)PI薄膜清洗,即將薄膜依次置于去離子水、無(wú)水乙醇中超聲清洗10 min,使用高純氮?dú)獯蹈杀∧?,放入預(yù)先清洗干凈的器皿中備用;置于等離子體清洗機(jī)中,抽真空至0.1 Pa,沖入控制流量的氧氣達(dá)到儀器指定壓強(qiáng),按照實(shí)驗(yàn)所需條件處理PI薄膜樣品。然后將PI薄膜放入真空鍍膜機(jī)中,抽真空,經(jīng)離子注入、等離子體沉積在薄膜表面生成一定比例的納米級(jí)Ni-Cr-Cu籽晶層,再經(jīng)過(guò)連續(xù)電鍍工藝將表面金屬Cu層增厚至12 μm,即獲得FCCL。

        圖2 單面柔性覆銅板的制備流程[12]Fig.2 Fabrication of single-sided flexible copper clad laminate[12]

        1.4 測(cè)試與表征

        PI薄膜的分子結(jié)構(gòu)采用傅里葉變換紅外光譜(FT-IR, Tensor 27)表征。表面形貌采用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察。測(cè)試前表面噴一層15 nm鉑金,測(cè)試電壓為10 kV,電流為10 mA。表面粗糙度采用Nanoscope Ⅴ Multimode 8原子力顯微鏡(AFM)進(jìn)行測(cè)試。選用Tapping Mode in Air-Standard模式,測(cè)試范圍為30 μm×30 μm。接觸角測(cè)試采用OCA 20光學(xué)視頻接觸角儀,所用液體分別為水、乙二醇和甲酰胺。注射體積為3 μL,注射速率為1 μL/s,在水滴于薄膜表面鋪展5 s后進(jìn)行測(cè)定。采用VG Scientific ESCALab250Xi多功能電子能譜儀(XPS)對(duì)氧等離子體處理前后PI薄膜表面的元素和化學(xué)位移變化進(jìn)行分析。激發(fā)源為AlKα X射線,功率為300 W,測(cè)試時(shí)真空為3.0×10-7Pa。電子結(jié)合能用C1s峰(284.8eV)進(jìn)行荷電校正。根據(jù)《印制板測(cè)試方法》(GB/T 4677—2002),采用電腦式剝離力試驗(yàn)機(jī)對(duì)FCCL中PI薄膜與Cu層的剝離強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)試。樣條測(cè)試尺寸為190 mm×3 mm×35 μm,樣條數(shù)量為7條,上下模具間夾持距離為50 mm,測(cè)試速率為50 mm/min。

        2 結(jié)果與分析

        2.1 聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜的結(jié)構(gòu)表征

        圖3 PI薄膜的FT-IR光譜Fig.3 FT-IR spectrum of PI film

        2.2 等離子體處理功率對(duì)聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響

        以氧氣為處理氣氛,控制氣體壓強(qiáng)為30 Pa,保持處理時(shí)間為5 min,通過(guò)SEM,AFM,XPS和剝離強(qiáng)度測(cè)試,研究處理功率(25,50,100,150 W和200 W)對(duì)PI薄膜表面微觀形貌、化學(xué)成分以及與Cu層黏結(jié)性能的影響,以期獲得最優(yōu)表面處理工藝參數(shù)。

        2.2.1 處理功率對(duì)聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜表面形貌的影響

        PI薄膜的微觀形貌隨處理功率的變化如圖4所示??梢钥闯?,未經(jīng)過(guò)等離子體處理的薄膜表面光滑,似玻璃平面;50 W/5 min處理后薄膜表面開始出現(xiàn)零星分布的白色小突起和溝槽,增大功率至100 W,白色突起密布于薄膜表面;繼續(xù)增大功率,白色突起消失,取而代之的是鱗片狀凸塊。這說(shuō)明,改變處理功率,等離子體對(duì)PI薄膜表面的蝕刻程度不同;當(dāng)功率超過(guò)50 W時(shí),薄膜表面粗糙度明顯提高一個(gè)層次。與SEM對(duì)應(yīng)的均方根粗糙度(Rq)如圖5所示。等離子體對(duì)結(jié)晶區(qū)和無(wú)定形區(qū)的蝕刻速率不同,當(dāng)處理功率較低時(shí),薄膜表面被蝕刻的區(qū)域明顯不同;增大處理功率會(huì)使等離子體的蝕刻速率增加,薄膜表面粗糙度增大[13]。未處理的薄膜的Rq為3.6 nm;隨著功率的增大,粗糙度由25 W的5.2 nm增長(zhǎng)至200 W的20.1 nm。

        圖4 處理功率對(duì)PI薄膜表面形貌的影響(a)未處理;(b)25 W;(c)50 W;(d)100 W;(e)150 W;(f)200 WFig.4 SEM images of polyimide film surface at various plasma processing powers(a)untreated;(b)25 W;(c)50 W;(d)100 W;(e)150 W;(f)200 W

        圖5 處理功率對(duì)PI薄膜表面粗糙度的影響Fig.5 Effect of plasma processing power on surface roughness of PI film

        2.2.2 處理功率對(duì)聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜表面浸潤(rùn)性的影響

        PI薄膜表面的浸潤(rùn)性(即表面能)對(duì)薄膜與Cu層的界面黏結(jié)性能有較大的影響。PI薄膜表面的接觸角和表面能隨處理功率的變化情況如圖6所示。未處理薄膜表面與去離子水的接觸角為76.6°,表面能為47.18 mN/m;等離子體處理后,PI薄膜的接觸角明顯減小,極性分量和表面能增大。功率增大,接觸角減小,當(dāng)功率為50 W時(shí),接觸角最小,為37.3°,而表面能最大(64.88 mN/m),說(shuō)明薄膜表面的親水性提高。但是繼續(xù)增加功率至200 W,接觸角反而迅速增大至63.9°,表面能下降至38.94 mN/m。探究原因,可能是在功率較小時(shí),等離子體蝕刻誘導(dǎo)的極性基團(tuán)隨功率的增加而保持增長(zhǎng);但是功率超過(guò)某一臨界值時(shí),極性基團(tuán)含量因表面粗糙度過(guò)大而下降[14]。這表明,經(jīng)等離子體處理后,薄膜的表面浸潤(rùn)性和反應(yīng)活性顯著提升,并且適宜的處理工藝可使薄膜表面的粗糙度和極性基團(tuán)同時(shí)大幅增加。

        圖6 處理功率對(duì)PI薄膜浸潤(rùn)性能的影響(a)接觸角;(b)表面能Fig.6 Effect of plasma processing power on the wettability of PI film(a)contact angle;(b)surface energy

        2.2.3 處理功率對(duì)聚酰亞胺薄膜表面化學(xué)成分的影響

        圖7 等離子體處理功率對(duì)PI薄膜表面的C1s譜圖的影響 (a)未處理;(b)50 W/5 min;(c)100 W/5 minFig.7 C1s spectra for PI film with processing power (a)untreated;(b)50 W/5 min;(c)100 W/5 min

        表1 等離子體處理功率對(duì)PI薄膜表面的XPS分析結(jié)果的影響Table 1 C1s spectra of PI film after plasma treatment with various processing power

        2.2.4 處理功率對(duì)聚酰亞胺薄膜黏結(jié)性能的影響

        通過(guò)90°剝離測(cè)試表征PI薄膜/Cu層的黏結(jié)性能,圖8為處理功率對(duì)FCCL剝離強(qiáng)度的影響。未經(jīng)過(guò)等離子處理的PI薄膜幾乎沒有黏結(jié)性能;但經(jīng)過(guò)等離子處理后,薄膜表面粗糙度和親水極性基團(tuán)均增加,PI薄膜與Cu層具有明顯提高的黏結(jié)性能。當(dāng)處理功率為50 W、處理時(shí)間為5 min時(shí),薄膜的剝離強(qiáng)度為0.5815 N/mm,經(jīng)錫焊處理后的薄膜剝離強(qiáng)度仍有0.4925 N/mm,可與現(xiàn)有商品化FCCL的界面黏結(jié)性能相媲美。繼續(xù)增加處理功率至200 W,薄膜/Cu層的剝離強(qiáng)度降至最小值,為0.2135 N/mm,與表面能對(duì)處理功率的依賴規(guī)律一致,可能是因?yàn)镻I薄膜/Cu層的界面黏結(jié)性能與表面極性基團(tuán)含量的多寡關(guān)系較大,表面粗糙度過(guò)大時(shí)極性基團(tuán)可能淬滅而失活?;谝陨戏治鼋Y(jié)果,獲得了PI薄膜表面活化的適宜工藝:氧等離子體處理,控制氣體壓強(qiáng)為30 Pa,處理功率為50 W,時(shí)間為5 min。

        圖8 處理功率對(duì)PI薄膜/Cu層剝離強(qiáng)度的影響Fig.8 Influence of processing power on peel strength for PI/Cu samples

        2.3 等離子體處理時(shí)間對(duì)聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響

        通過(guò)50 W/5 min等離子體處理,獲得了黏結(jié)性能媲美于現(xiàn)有商業(yè)化FCCL的實(shí)驗(yàn)室制品;而較高的處理功率蝕刻速率較大,本工作嘗試探討較大處理功率下,處理時(shí)間與PI薄膜表面活化程度的關(guān)系。以氧氣為處理氣氛,控制氣體壓強(qiáng)為30 Pa,保持處理功率為100 W,分析了不同處理時(shí)間(1,5,10,15 min和20 min)對(duì)PI薄膜表面微觀形貌、化學(xué)成分和黏結(jié)性能的影響。

        2.3.1 處理時(shí)間對(duì)聚酰亞胺薄膜表面形貌的影響

        圖9為PI薄膜表面形貌隨處理時(shí)間的變化情況??梢钥闯?,100 W/1 min后薄膜表面即出現(xiàn)零星白色圓狀突起;10 min后,表面幾乎被納米級(jí)白色圓球均勻密布;繼續(xù)延長(zhǎng)處理時(shí)間,個(gè)別圓球尺寸變大;20 min后,尺寸較大的圓球增多。這說(shuō)明,等離子體處理對(duì)薄膜表面蝕刻效果明顯。如圖10所示,表面均方根粗糙度Rq由1 min處理后的6.5 nm幾乎線性增長(zhǎng)至35.7 nm。這表明,較大功率的等離子體使薄膜表面粗糙度迅速增大,為離子注入層滲入薄膜表面溝紋和微孔等非平整性結(jié)構(gòu)提供便利,兩者的機(jī)械互鎖作用能夠改善PI薄膜/Cu層界面黏合力。

        圖9 處理時(shí)間對(duì)PI薄膜表面形貌的影響(a)未處理;(b)1 min;(c)5 min;(d)10 min;(e)15 min;(f)20 minFig.9 SEM images of PI film surface at various plasma processing time(a)untreated;(b)1 min;(c)5 min;(d)10 min;(e)15 min;(f)20 min

        圖10 處理時(shí)間對(duì)PI薄膜表面粗糙度的影響Fig.10 Effect of plasma processing time on surface roughness of PI film

        2.3.2 處理時(shí)間對(duì)聚酰亞胺薄膜表面浸潤(rùn)性的影響

        保持氣體壓強(qiáng)和處理功率不變,處理時(shí)間對(duì)PI薄膜表面的接觸角和表面能的影響如圖11所示。等離子體處理1 min后,PI薄膜與去離子水的接觸角明顯減小,但與乙二醇的接觸角略微增大,表面能降低。這說(shuō)明處理時(shí)間較短時(shí),等離子體處理對(duì)薄膜起到類似表面清潔的作用。延長(zhǎng)處理時(shí)間,薄膜與兩種液體的接觸角均減小,當(dāng)時(shí)間為10 min時(shí)接觸角降至最低值,分別為23.8°和8.8°,而表面能最大(67.44 mN/m),表明薄膜表面的親水浸潤(rùn)性得到了明顯的改善。繼續(xù)增加處理時(shí)間,接觸角和表面能的改變均不明顯。此外,100 W/10 min處理后PI薄膜的極性分量增大140%,表面能最大,比50 W/5 min處理后高2.56 mN/m。表面能的提高既可能與表面粗糙度(23.4 nm)有關(guān),也可能與等離子體活性粒子轟擊薄膜表面誘發(fā)的親水極性基團(tuán)含量相關(guān)。

        圖11 處理時(shí)間對(duì)PI薄膜浸潤(rùn)性能的影響(a)接觸角;(b)表面能Fig.11 Effect of plasma processing time on the wettability of PI film(a)contact angle;(b)surface energy

        2.3.3 處理時(shí)間對(duì)聚酰亞胺薄膜表面化學(xué)成分的影響

        圖12 等離子體處理時(shí)間對(duì)PI薄膜表面的C1s譜圖的影響(a)100 W/10 min;(b)100 W/15 minFig.12 XPS results of C1s spectra for PI film upon plasma processing with various time(a)100 W/10 min;(b)100 W/15 min

        表2 等離子體處理時(shí)間對(duì)PI薄膜表面的XPS分析結(jié)果的影響Table 2 C1s spectra of PI film after plasma treatment with various processing time

        2.3.4 處理時(shí)間對(duì)聚酰亞胺薄膜黏結(jié)性能的影響

        圖13為處理時(shí)間對(duì)PI薄膜/Cu層界面剝離強(qiáng)度的影響??梢钥闯?,經(jīng)等離子處理后,薄膜表面粗糙度和親水極性基團(tuán)均大幅增加,PI薄膜與Cu層具有明顯提高的抗剝離性能,且隨處理時(shí)間的增加,界面黏結(jié)強(qiáng)度先增大再減小。當(dāng)處理功率為100 W、處理時(shí)間為10 min時(shí),薄膜的剝離強(qiáng)度達(dá)到最大值,為0.8145 N/mm,經(jīng)錫焊處理后的剝離強(qiáng)度為0.6025 N/mm,比現(xiàn)有商品化FCCL提高了60%,也比50 W/5 min處理后的界面強(qiáng)度高40%。這可能是因?yàn)镻I薄膜/Cu層的界面黏結(jié)性能與表面極性基團(tuán)含量、薄膜表面粗糙程度有關(guān),100 W/10 min處理后薄膜表面的粗糙度和含氧活性基團(tuán)的含量均比50 W/5 min處理后的多?;谝陨戏治?,本研究獲得了PI薄膜表面活化的最優(yōu)工藝:氧等離子體處理,控制氣體壓強(qiáng)為30 Pa,處理功率為100 W,時(shí)間為10 min;同時(shí),成功制備了具有高黏結(jié)性、耐錫焊的FCCL。

        圖13 處理時(shí)間對(duì)PI薄膜/Cu層剝離強(qiáng)度的影響Fig.13 Influence of processing time on peel strength for PI/Cu samples

        2.4 聚(苯并噁唑-酰亞胺)薄膜與銅黏結(jié)機(jī)理探討

        為了探究PI薄膜/Cu層界面高黏結(jié)性的原因,通過(guò)SEM和XPS分析了FCCL的界面、剝離后薄膜和Cu層表面的微觀形貌和化學(xué)成分組成。將通過(guò)未改性、50 W/5 min和100 W/10 min等離子體改性的PI薄膜制備的FCCL分別命名為FCCL-1,F(xiàn)CCL-2和FCCL-3。

        圖14 FCCL剖面形貌(a)未處理;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 minFig.14 Cross-sectional SEM images of FCCL using plasma-treated PI film(a)untreated;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 min

        圖15 FCCL剝離后PI薄膜(1)和Cu層(2)表面微觀形貌(a)未處理;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 minFig.15 SEM images of PI film(1) and Cu surface (2) after the peel test of FCCL(a)untreated;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 min

        Zhuang等[15]指出聚苯并噁唑(PBO)與Cu在兩者界面處存在特殊的相互作用,結(jié)合能為397.4eV的Cu-N基團(tuán)來(lái)自PBO/Cu界面的相互作用。為了探究FCCL中強(qiáng)界面黏合力是否與Cu-N基團(tuán)有關(guān),對(duì)N1s譜圖進(jìn)行分峰擬合,其結(jié)果如圖16所示??梢钥闯?,PI/Cu界面確實(shí)出現(xiàn)Cu-N基團(tuán),證實(shí)噁唑基團(tuán)可能與銅形成Cu-唑絡(luò)合物,且隨著等離子體處理程度的加深,Cu-N基團(tuán)含量從50 W/5 min處理時(shí)的1.48%增加至100 W/10 min時(shí)的5.34%。

        圖16 FCCL剝離后PI薄膜的N1s的分峰擬合譜圖(a)未處理;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 minFig.16 XPS results of N1s spectra for PI film surface after the peel test of FCCL(a)untreated;(b)50 W/5 min;(c)100 W/10 min

        基于以上分析,PI薄膜經(jīng)等離子處理后與Cu層具有高黏結(jié)性能,其原因主要有:1)等離子體對(duì)薄膜表面蝕刻,使其比表面積增加,即粗糙度增大,以便與金屬層形成機(jī)械互鎖作用;2)增大薄膜表面自由能,提高材料表面浸潤(rùn)性能;3)活性粒子轟擊薄膜表面形成親水含氧活性基團(tuán),與Ni-Cr-Cu籽晶層化學(xué)鍵合形成金屬絡(luò)合物或金屬氧化物;4)噁唑基團(tuán)與Cu之間存在相互作用,可能形成Cu-唑絡(luò)合物。

        3 結(jié)論

        (1)氧等離子體活化對(duì)改善PI薄膜黏結(jié)性能有重要影響。BCPI薄膜表面的粗糙度隨處理功率的增加、處理時(shí)間的延長(zhǎng)而增大;表面浸潤(rùn)性和BCPI薄膜/Cu層界面剝離性能在50 W/5 min和100 W/10 min處理后分別達(dá)到最大值,且含氧活性基團(tuán)均增多;100 W/10 min處理后薄膜表面的粗糙度、含氧活性基團(tuán)、浸潤(rùn)性及與Cu層界面的剝離性能均大于50 W/5 min處理后的薄膜。

        (2)由100 W/10 min改性后薄膜制備的FCCL 90°剝離破壞模式為黏結(jié)失效,而由未改性薄膜制備的FCCL 90°剝離破壞模式為內(nèi)聚力型剝落,由50 W/5 min改性后薄膜制備的FCCL 90°剝離破壞模式介于兩者之間。

        (3)表面粗糙度增大、含氧活性基團(tuán)增多、噁唑基團(tuán)與Cu形成Cu-唑絡(luò)合物,三種因素協(xié)同作用,使FCCL具有高黏結(jié)性和耐錫焊性,其界面剝離強(qiáng)度比現(xiàn)有商品化FCCL提高了40%~60%。

        (4)本研究可用于高頻柔性電路板中,滿足電子領(lǐng)域高速高頻傳輸?shù)男枨蟆?/p>

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