孫欣宇，吳錚，伍銘妍，張如昕，劉鵬龍，薛濤，李海鳴，盧斌先，焦重慶

(1.華北電力大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院，北京102206；2.廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司廣州荔灣供電局，廣州510410；3.國(guó)能云南新能源有限公司，昆明650214)

0 引言

電纜附件在生產(chǎn)和安裝過(guò)程中可能會(huì)引入缺陷，缺陷會(huì)引起電場(chǎng)分布畸變，極易引起局部放電的發(fā)生，并可能導(dǎo)致最終擊穿，使得電纜附件成為輸電線路中最容易出現(xiàn)故障的薄弱環(huán)節(jié)[1-6]。文獻(xiàn)[7]提出了一種基于紅外熱成像的終端漏油缺陷檢測(cè)方法。文獻(xiàn)[8]建立了常見的10 kV電纜接頭的三維仿真模型并對(duì)物理場(chǎng)和電場(chǎng)進(jìn)行了仿真。文獻(xiàn)[9-10]提出了電纜絕緣狀態(tài)檢測(cè)的方法。文獻(xiàn)[11]提出當(dāng)應(yīng)力錐是最佳形狀、高壓屏蔽管的厚度適當(dāng)增加且電纜絕緣和附件絕緣的電導(dǎo)率相匹配時(shí)，附件電場(chǎng)的分布最優(yōu)。文獻(xiàn)[12-13]建立了硅橡膠劣化對(duì)電氣性能的影響，為電纜中間接頭絕緣狀態(tài)的在線評(píng)估奠定了基礎(chǔ)。文獻(xiàn)[14]提出了一種考慮頻率相關(guān)介電參數(shù)的電纜接頭局部放電傳播的電磁仿真方法。文獻(xiàn)[15]基于電纜接頭外半導(dǎo)電層存在尖端突起引發(fā)絕緣故障的現(xiàn)象，探尋了此類絕緣缺陷局部放電發(fā)展變化的規(guī)律。文獻(xiàn)[16-17]研究了電纜附件中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布。文獻(xiàn)[18-19]研究了半導(dǎo)體材料對(duì)電纜附件空間電荷分布的影響。

上述研究探討了電纜或附件的本征絕緣和存在小缺陷電纜的絕緣性能。隨著配電網(wǎng)的快速發(fā)展，電力電纜得到了廣泛的應(yīng)用[20-21]。電纜附件的運(yùn)行數(shù)量急劇增加，運(yùn)行中電纜附件故障時(shí)有發(fā)生。準(zhǔn)確評(píng)價(jià)電纜附件的絕緣性能是保證電纜安全穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。目前中壓電纜附件生產(chǎn)廠家很多，但國(guó)內(nèi)外還沒有合適的電纜附件評(píng)價(jià)方法對(duì)其性能進(jìn)行合理評(píng)估。電纜附件的結(jié)構(gòu)不僅比電纜復(fù)雜，而且還存在著不同絕緣介質(zhì)的分界[22-23]。由于安裝過(guò)程復(fù)雜、安裝環(huán)境惡劣、數(shù)量大、施工工期短等原因，在電纜附件的安裝過(guò)程中經(jīng)常會(huì)在其內(nèi)部引入雜質(zhì)顆粒等人為小缺陷。我們稱這些缺陷為小缺陷擾動(dòng)。在滿足出廠絕緣性能試驗(yàn)的情況下，實(shí)際運(yùn)行的不同廠家的電纜附件，有的故障率較高，有的基本不發(fā)生故障。這說(shuō)明有些廠家附件不僅具有較好的本征絕緣性能，而且還具有較好的抗小缺陷擾動(dòng)的絕緣性能。良好的抗小缺陷擾動(dòng)能力也是其設(shè)計(jì)優(yōu)良的體現(xiàn)。本文提出了基于抗小缺陷擾動(dòng)10 kV電纜附件綜合絕緣性能評(píng)價(jià)方法，試驗(yàn)研究了不同廠家電纜附件絕緣性能并進(jìn)行排序。

為了準(zhǔn)確分析小缺陷引起的電場(chǎng)強(qiáng)度畸變，本文提出了電場(chǎng)強(qiáng)度精細(xì)化模型分析方法，仿真確認(rèn)小缺陷的存在與電場(chǎng)分布畸變的關(guān)系。綜合考慮生產(chǎn)和安裝過(guò)程可能出現(xiàn)的問(wèn)題，提出考慮附件抗小缺陷擾動(dòng)能力的綜合絕緣性能評(píng)價(jià)方法，并制作電纜附件小缺陷模型?；诿}沖電流法，在相同條件下提取電纜附件局放試驗(yàn)關(guān)鍵參數(shù)，應(yīng)用層次分析法評(píng)價(jià)了9種電纜附件的絕緣性能，為電纜附件的合理選型提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。

1 精細(xì)化模型仿真及分析

為了充分了解電纜附件內(nèi)電纜絕緣與附件增強(qiáng)絕緣分界面處小缺陷擾動(dòng)對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度分布影響，獲得準(zhǔn)確的信息，基于Helmholtz唯一性定理，考慮小缺陷只影響其附近區(qū)域的電場(chǎng)分布，本文提出了一種工頻準(zhǔn)靜態(tài)電場(chǎng)強(qiáng)度精細(xì)分析方法。以中間接頭附件為例，首先建立不含顆粒中間接頭整體的軸對(duì)稱分析模型。從中間接頭三維模型中以要分析雜質(zhì)顆粒為中心挖取出需精確分析的球體域，稱之為虛擬球。該區(qū)域半徑要遠(yuǎn)大于顆粒的尺寸。然后，應(yīng)用軸對(duì)稱有限元法計(jì)算不含小缺陷時(shí)電位分布，對(duì)結(jié)果進(jìn)行處理得到三維下的電位分布。再次，提取出對(duì)應(yīng)于虛擬球面上的電位計(jì)算結(jié)果，即位函數(shù)V(x,y,z)，將其進(jìn)行線性插值后，作為邊界條件施加在虛擬球的球面上。最后對(duì)精確模型進(jìn)行網(wǎng)格剖分，計(jì)算獲得小缺陷擾動(dòng)周圍的電場(chǎng)分布。

精細(xì)分析方法計(jì)算流程圖如圖1所示。

圖1 精細(xì)分析方法計(jì)算流程圖

對(duì)中間接頭電場(chǎng)分布進(jìn)行分析之前需要先驗(yàn)證方法的準(zhǔn)確性。采用一個(gè)有解析解算例驗(yàn)證精確模型數(shù)值仿真計(jì)算的準(zhǔn)確性。假設(shè)有一半徑R=3 mm的金屬小球位于一對(duì)平行板形成的均勻電場(chǎng)中，金屬小球附近的電場(chǎng)強(qiáng)度E是等效偶極子和平行極板面電荷共同作用的結(jié)果。其解析解為[24]：

E=E0[(1+2R3/r3)cosθer+(R3/r3-1)sinθeθ]

(1)

式中：E0為均勻電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度數(shù)值；r、θ為空間中某點(diǎn)的坐標(biāo)；er和eθ分別為單位矢量。

在此驗(yàn)證算例中，為對(duì)比整體模型和精確模型計(jì)算的準(zhǔn)確性，兩種模型采用相同尺寸的網(wǎng)格單元。此時(shí)，整體模型的誤差為0.382%，精確模型誤差為0.025%，精細(xì)模型分析結(jié)果準(zhǔn)確性提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。由于篇幅原因，驗(yàn)證過(guò)程未給出。

電纜中間接頭模型具有良好的軸對(duì)稱性和中心對(duì)稱性，為簡(jiǎn)化說(shuō)明，本文只選擇左半部分存在半導(dǎo)電顆粒的情況進(jìn)行計(jì)算。在安裝過(guò)程中遺留的半導(dǎo)電顆粒存在于電纜絕緣與應(yīng)力錐、附件增強(qiáng)絕緣和高壓屏蔽的交界面上，如圖2所示。分別對(duì)位于A、B、C、D、E、F、G、H處的顆粒進(jìn)行仿真計(jì)算，半導(dǎo)電顆粒為一半徑rp=0.5 mm的球體，虛擬球半徑為25 mm。

圖2 電纜絕緣表面顆粒的位置

經(jīng)仿真發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)電顆粒處于電纜絕緣與附件增強(qiáng)絕緣交界面上，即在位置B和位置F之間，相比于沒有顆粒的情況，最嚴(yán)重時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度增大近12倍。對(duì)于其他位置的顆粒，電場(chǎng)分布幾乎沒有影響。

為分析半導(dǎo)電顆粒處于電纜絕緣與附件增強(qiáng)絕緣的交界面上電場(chǎng)畸變的具體分布情況，在顆粒B和F之間增加顆粒I、J、K、L，并對(duì)仿真結(jié)果進(jìn)行提取，具體分布見圖3。坐標(biāo)系如圖2中下圖所示。

圖3表明在電纜絕緣與附件增強(qiáng)絕緣交界面上，當(dāng)半導(dǎo)電顆粒的半徑不變時(shí)，電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)隨著顆粒球心z坐標(biāo)的增大而增大。并且最大電場(chǎng)強(qiáng)度接近硅橡膠短時(shí)工頻擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度國(guó)標(biāo)規(guī)定值“不小于20 kV/mm”，位于其他地方時(shí)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)小于該值。該分析結(jié)果為含小缺陷電纜附件模型制作提供了支持。

圖3 沿z軸的電場(chǎng)強(qiáng)度模分布曲線

2 局部放電試驗(yàn)

2.1 小缺陷擾動(dòng)的試驗(yàn)?zāi)Ｐ?/h3>

基于電場(chǎng)強(qiáng)度的精細(xì)化分析，考慮附件安裝過(guò)程中可能引入的小缺陷擾動(dòng)，提出了電纜附件綜合絕緣性能的概念。電纜附件的設(shè)計(jì)和其絕緣材料及配方?jīng)Q定了附件的本征絕緣性能，而運(yùn)行過(guò)程表現(xiàn)出來(lái)的綜合絕緣性能包含了附件本征絕緣性和抗小缺陷擾動(dòng)絕緣性能。小缺陷可能是安裝過(guò)程中無(wú)意引入的。為了考察附件綜合絕緣性能，本文選擇了使用量較多的9個(gè)廠家的中間接頭和T形終端，分別編號(hào)為廠家1—廠家9，開展綜合絕緣性能評(píng)估。分別為每個(gè)廠家中壓電纜的中間接頭和T形終端都制作了有缺陷和無(wú)缺陷兩種模型。中間接頭的缺陷是一個(gè)直徑為2 mm的小鋼珠，T形終端的缺陷是一層鋁箔。根據(jù)精細(xì)化電場(chǎng)強(qiáng)度分析結(jié)果，缺陷在電纜絕緣和附件增強(qiáng)絕緣分界面對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)分布影響最大，因此兩種缺陷均安裝在電纜絕緣與附件增強(qiáng)絕緣交界面上，位于高壓屏蔽層與應(yīng)力錐中間的位置處。試驗(yàn)主要有兩個(gè)目的，一是測(cè)出各個(gè)有無(wú)缺陷電纜附件初始放電電壓；另一個(gè)是對(duì)于有無(wú)缺陷電纜附件分別在同一電壓下測(cè)量局放參數(shù)。通過(guò)對(duì)比得到不同電纜附件綜合絕緣性能的評(píng)價(jià)。

2.2 試驗(yàn)介紹

局部放電試驗(yàn)在華北電力大學(xué)高電壓與電磁兼容北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中的混響室完成，在此環(huán)境下背景噪聲可以降低到0.2 pC。局部放電試驗(yàn)采用并聯(lián)脈沖電流法，局放儀型號(hào)為TWPD-2E，2通道。對(duì)有無(wú)缺陷中間接頭和終端測(cè)試起始放電電壓。對(duì)各廠家的無(wú)缺陷中間接頭都施加25 kV電壓，并通過(guò)局放儀進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄，分別記錄每個(gè)樣品的放電量、放電次數(shù)、放電能量和平均電流。每1 s自動(dòng)記錄一次，記錄100個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)。有缺陷的中間接頭施加20 kV電壓。無(wú)缺陷和有缺陷T形終端都施加10 kV電壓，開展相同試驗(yàn)。

3 評(píng)價(jià)模型的建立

3.1 數(shù)據(jù)規(guī)范化處理

通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以得到視在放電電荷qa、放電次數(shù)N、放電能量W、放電平均電流I以及放電起始電壓Ui。在此將這些關(guān)鍵參數(shù)稱為屬性指標(biāo)。構(gòu)造評(píng)價(jià)矩陣R，矩陣中共含有m個(gè)評(píng)價(jià)對(duì)象和n個(gè)屬性指標(biāo)，將評(píng)價(jià)矩陣R中的元素定義為rij(i=1, 2,…,m;j=1, 2,…,n)。由于各屬性指標(biāo)之間單位、數(shù)量級(jí)存在較大差別，因此需要對(duì)評(píng)價(jià)矩陣進(jìn)行規(guī)范化處理，得到無(wú)量綱指標(biāo)矩陣X= {xij}。屬性指標(biāo)分為效益型屬性指標(biāo)和成本型屬性指標(biāo)，效益型屬性指標(biāo)是指數(shù)值越大越好的指標(biāo)，成本型屬性指標(biāo)相反[25]，計(jì)算公式分別如式(2)—(3)所示。

(2)

(3)

3.2 指標(biāo)權(quán)重確定及一致性檢驗(yàn)

3.2.1 評(píng)價(jià)矩陣的建立

對(duì)于位于同一級(jí)中的各個(gè)屬性指標(biāo)，依據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)以及向該領(lǐng)域?qū)＜易稍儊?lái)確定其相對(duì)重要度，根據(jù)“1～9比較度”得到判斷矩陣，其含義如表1所示。判斷矩陣用C表示，其元素用cij表示。

表1 判斷標(biāo)度及含義

cij=1/cji

(4)

cii=1

(5)

求判斷矩陣C的最大特征值λmax及其所對(duì)應(yīng)的特征向量，對(duì)特征向量進(jìn)行歸一化處理得權(quán)重向量u，u為n×1的列向量。

3.2.2 一致性檢驗(yàn)

矩陣一致性的指標(biāo)計(jì)算公式如下：

(6)

CR=CI/RI

(7)

式中：CI為一致性指標(biāo)；CR為一致性比率；RI為平均隨機(jī)一致性指標(biāo)。當(dāng)階數(shù)n為5時(shí)，RI為1.12。一般認(rèn)為，當(dāng)CR<0.1時(shí)，判斷矩陣符合滿意一致性標(biāo)準(zhǔn)。否則，需要修正判斷矩陣。

3.3 貼近度計(jì)算得到排序結(jié)果

3.3.1 構(gòu)建權(quán)重矩陣W

由歸一化的權(quán)重向量u構(gòu)建m×n的權(quán)重矩陣W，權(quán)重矩陣W的每列元素均為u向量的元素值。將規(guī)范化后的權(quán)重矩陣乘以對(duì)應(yīng)的指標(biāo)矩陣形成加權(quán)標(biāo)準(zhǔn)化矩陣Z。

(8)

(9)

3.3.2 貼近度計(jì)算并排序

(10)

(11)

各個(gè)目標(biāo)的相對(duì)貼近度為：

(12)

相對(duì)貼近度越大越好，按此標(biāo)準(zhǔn)排序，確定對(duì)象性能優(yōu)劣排序，最終確定最優(yōu)樣品。

4 試驗(yàn)結(jié)果分析

4.1 T形終端

4.1.1 起始放電電壓

對(duì)9個(gè)廠家的T形終端起始放電電壓進(jìn)行了測(cè)量。各廠家有缺陷和無(wú)缺陷T形終端起始放電電壓比較圖如圖4所示。N代表無(wú)缺陷，Y代表有缺陷，其中廠家6沒有制作有缺陷T形頭。

從圖4中可以看出，所有廠家有缺陷T形終端比無(wú)缺陷T形終端的起始放電電壓均有所下降，有的廠家下降得較多，有的廠家下降得相對(duì)較少。這一方面說(shuō)明了基于電場(chǎng)強(qiáng)度分析選擇小缺陷的位置是合理的，另一方面說(shuō)明通過(guò)考慮附件抗小缺陷擾動(dòng)能力評(píng)價(jià)絕緣性能是合理的。特別值得關(guān)注的是廠家1無(wú)缺陷T形終端起始放電電壓為10.2 kV，在所有無(wú)缺陷樣品中有著較高的起始放電電壓，即該廠家T形終端本征絕緣性能較優(yōu)。但廠家1有缺陷T形終端起始放電電壓僅為1.7 kV，在所有有缺陷樣品中起始放電電壓最低。由此可以推斷廠家1的T形終端對(duì)于小缺陷十分敏感，微小缺陷就導(dǎo)致性能的急劇下降。

圖4 不同廠家有無(wú)缺陷T形終端起始放電電壓對(duì)比

4.1.2 相同電壓下不同放電參數(shù)對(duì)比

計(jì)算所有數(shù)據(jù)的平均值并給出不同廠家在相同電壓下相同參數(shù)的分布圖如圖5所示，包含有缺陷和無(wú)缺陷不同廠家T形終端放電量、放電次數(shù)、放電能量和平均電流。

從圖5可以看出，在有缺陷和無(wú)缺陷T形終端都施加10 kV電壓時(shí)，有缺陷的放電參數(shù)數(shù)值大部分大于無(wú)缺陷時(shí)。因此可看出加入小缺陷會(huì)使樣品有更加劇烈的局部放電現(xiàn)象，最為明顯的是廠家1。在10 kV電壓情況下，廠家1無(wú)缺陷T形終端放電量只有0.63 pC，有缺陷放電量高達(dá)816.75 pC，放電次數(shù)高達(dá)19 515次/s?？芍獜S家1的T形終端對(duì)于小缺陷擾動(dòng)十分敏感，若在安裝過(guò)程中不慎引入小顆粒缺陷必將對(duì)性能產(chǎn)生極大的影響。

圖5 不同廠家有無(wú)缺陷T形終端實(shí)驗(yàn)結(jié)果分布圖

4.1.3 綜合絕緣性能排序

根據(jù)以上數(shù)據(jù)對(duì)T形終端進(jìn)行綜合絕緣性能排序，以無(wú)缺陷T形終端為例。各廠家無(wú)缺陷T形終端參數(shù)指標(biāo)如表2所示。

表2 無(wú)缺陷T形終端參數(shù)指標(biāo)

在表征局部放電的參數(shù)中，起始放電電壓以施加在試樣兩端的電壓值來(lái)表示局部放電起始，視在放電電荷、放電次數(shù)和放電能量是基本的表征參數(shù)，平均電流是表征放電量和放電次數(shù)的綜合效應(yīng)，判斷矩陣元素如表3所示。

表3 判斷矩陣元素

通過(guò)計(jì)算λmax=5.237 5，CI=0.593 8，CR=0.053，CR小于0.1，所以該判斷矩陣符合一致性標(biāo)準(zhǔn)。最終計(jì)算得到相對(duì)貼近度為：

P=(0.941 0, 0, 0.999 3, 0.517 6, 0.700 3, 0.512 9, 0.583 2, 0.732 9, 0.797 2)

無(wú)缺陷T形終端絕緣性能的廠家序號(hào)排序?yàn)椋?/p>

3>1>9>8>5>7>4>6>2

按照上述步驟對(duì)有缺陷T形終端進(jìn)行絕緣性能排序，結(jié)果為(廠家序號(hào))：

3>9>5>4>8>7>2>1

通過(guò)排序可知，廠家3的T形終端在有無(wú)缺陷時(shí)都表現(xiàn)出良好的性能，說(shuō)明其具有良好的本征絕緣性和抗小缺陷擾動(dòng)絕緣性。廠家1在無(wú)缺陷時(shí)性能良好，但添加小缺陷擾動(dòng)后綜合性能排到了末尾，因此可以推斷在安裝過(guò)程中不慎引入小缺陷必將導(dǎo)致其性能的嚴(yán)重下降。這一結(jié)果間接驗(yàn)證了對(duì)于同一附件，小缺陷的引入對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度分布影響的精細(xì)化分析結(jié)果的正確性。同時(shí)針對(duì)調(diào)研可知，廠家1的T形終端在實(shí)際應(yīng)用中極易發(fā)生故障，是故障率最高的一種電纜T形終端。由此可以看出考慮小缺陷影響的電纜附件綜合絕緣性能評(píng)價(jià)是很有必要的。在評(píng)價(jià)T形終端綜合絕緣性能時(shí)既要考慮其本征絕緣性，也要考慮其抗小缺陷擾動(dòng)能力，進(jìn)行綜合對(duì)比。

4.2 中間接頭

4.2.1 起始放電電壓

各廠家有無(wú)缺陷中間接頭起始放電電壓比較圖如圖6所示。N代表無(wú)缺陷，Y代表有缺陷，其中廠家2和廠家7沒有制作有缺陷中間接頭。

圖6 不同廠家有無(wú)缺陷中間接頭起始放電電壓對(duì)比

從圖6能看出，除了廠家1、6和8外，其余廠家有缺陷的中間接頭起始電壓均小于無(wú)缺陷中間接頭起始電壓。對(duì)于有小缺陷但起始放電電壓更大的中間接頭，可初步認(rèn)為其具有更好的抗小缺陷能力。

4.2.2 相同電壓下不同放電參數(shù)對(duì)比

不同廠家中間接頭在相同電壓下相同參數(shù)的柱狀比較圖如圖7所示。圖7(a)—(d)分別為有缺陷和無(wú)缺陷不同廠家中間接頭放電量、放電次數(shù)、放電能量和平均電流的對(duì)比圖。

由圖7可以看出，廠家3無(wú)缺陷中間接頭并不是放電最為強(qiáng)烈的樣品，但廠家3有缺陷中間接頭的放電量為491.88 pC，放電次數(shù)高達(dá)14 721次/s，是同類樣品中局部放電最為劇烈的樣品。同時(shí)廠家3有缺陷中間接頭起始放電電壓最低，由此可以推斷廠家3中間接頭的抗小缺陷擾動(dòng)能力較差。

圖7 不同廠家有無(wú)缺陷中間接頭試驗(yàn)結(jié)果分布圖

通過(guò)層次分析法對(duì)有無(wú)缺陷中間接頭進(jìn)行性能排序，結(jié)果如下：

無(wú)缺陷中間接頭絕緣性能排序：

4>9>5>7>1>6>3>8>2

有缺陷中間接頭絕緣性能排序：

1>6>4>8>9>5>3

通過(guò)有無(wú)缺陷中間接頭性能排序可以看出，廠家8中間接頭在無(wú)缺陷試驗(yàn)中性能較差，排名末端，但廠家8有缺陷中間接頭排名中等位置。廠家8中間接頭在不慎引入小缺陷時(shí)不會(huì)受到巨大影響，具有較好的抗小缺陷擾動(dòng)能力。因此對(duì)電纜附件進(jìn)行綜合性能評(píng)價(jià)時(shí)，要做到本征絕緣性能和抗小缺陷擾動(dòng)能力雙重考慮。

5 結(jié)論

本文提出了電纜附件綜合絕緣性能的概念，給出了電場(chǎng)強(qiáng)度精細(xì)化分析方法和基于小缺陷擾動(dòng)電纜附件模型的綜合絕緣性能評(píng)價(jià)方法，綜合考慮中壓電纜附件本征絕緣性能和抗小缺陷擾動(dòng)絕緣性能對(duì)電纜附件絕緣性能給予了評(píng)價(jià)，驗(yàn)證了電場(chǎng)強(qiáng)度精細(xì)化分析方法，計(jì)算誤差為0.025%，分析了小缺陷對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度分布影響，確定了小缺陷位于附件絕緣分界面上時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度畸變最為嚴(yán)重。制作了電纜附件絕緣分界面含有小缺陷的試驗(yàn)?zāi)Ｐ?，開展了有缺陷和無(wú)缺陷電纜附件局部放電實(shí)驗(yàn)研究。

基于小缺陷擾動(dòng)電纜附件的綜合絕緣性能評(píng)價(jià)模型，應(yīng)用層次分析法試驗(yàn)研究了9個(gè)廠家中間接頭和終端附件綜合絕緣性能并進(jìn)行了排序。結(jié)果表明小缺陷的引入會(huì)對(duì)絕緣性能有很大影響，驗(yàn)證了考慮附件抗小缺陷擾動(dòng)能力的必要性。

本文所提方法在關(guān)注電纜附件本征絕緣性能的基礎(chǔ)上考慮了電纜附件運(yùn)行過(guò)程中的綜合絕緣性能，更加貼切電纜的實(shí)際運(yùn)行過(guò)程?；谛∪毕輸_動(dòng)模型的電纜附件綜合絕緣性能評(píng)價(jià)方法為電纜附件合理選型提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。