文·圖/莊嘉
氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料
氮化鎵與5G基站
隨著電子產(chǎn)品進(jìn)入精細(xì)化時(shí)代,人們對(duì)于充電器在尺寸、功率等方面的需求也隨之提高,傳統(tǒng)的功率開關(guān)已經(jīng)無(wú)法滿足市場(chǎng)對(duì)于大功率、快速充、微尺寸的需求,以氮化鎵為典型代表的數(shù)字電源快充黑科技應(yīng)運(yùn)而生。
2022年4月18日,中國(guó)企業(yè)倍思發(fā)布的新品“第五代氮化鎵Pro數(shù)字電源快充充電器160瓦”,引起了消費(fèi)者和業(yè)界的廣泛關(guān)注。該款產(chǎn)品不僅是全球首款PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的160瓦多口充電器(單口實(shí)現(xiàn)最高28伏140瓦),更是全球首款數(shù)字電源充電器,象征著人類邁入了數(shù)字電源的新紀(jì)元。由此,“氮化鎵”這個(gè)專業(yè)名詞迅速?gòu)目斐浣缙迫Α?/p>
根據(jù)英國(guó)廣播公司研究部門(BBC Research)的數(shù)據(jù)顯示,“全球手機(jī)充電器市場(chǎng)規(guī)模將從2017年的181億美元增長(zhǎng)至2022年的250億美元,其中快充占27.43億美元,占比10.97%”。另?yè)?jù)中信證券研報(bào)的數(shù)據(jù)顯示,“全球氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模將從2020年的23億元增長(zhǎng)到2025年的600多億元(折合90多億美元)”。由此可見(jiàn),在數(shù)字電源時(shí)代,氮化鎵充電器即將迎來(lái)快速成長(zhǎng)期。
提到數(shù)字電源,人們不禁要問(wèn)何為“氮化鎵”?氮化鎵的分子式是“GaN”,英文全稱“Gallium Nitride”。氮化鎵是氮和鎵的化合物,它是第三代人工合成的半導(dǎo)體核心材料。就優(yōu)點(diǎn)而言,氮化鎵具備耐高溫與高壓、電阻低、易散熱、損耗小、功率大、電子遷移率高、飽和電子漂移速度快等特征。以功率大為例:基于碳化硅襯底的氮化鎵器件比硅襯底氮化鎵器件性能更好,功率更大,彰顯了氮化鎵材料的優(yōu)勢(shì)。又如,在有效縮小產(chǎn)品尺寸方面,采用氮化鎵技術(shù)的充電器外形尺寸可比傳統(tǒng)的基于硅的充電器減少30%至50%?;诖?,氮化鎵賦予了充電頭集成度和能量轉(zhuǎn)化率更高的特性,讓“一頭多充”“大功率”“小體積”的共存成為可能。
目前,氮化鎵快充充電器已經(jīng)具備了大功率、超級(jí)快充、輕巧輕便等特點(diǎn),能支持手機(jī)、平板、PC(電腦)等設(shè)備快充。毫無(wú)疑問(wèn),氮化鎵快充技術(shù)已成為電子產(chǎn)品行業(yè)的新風(fēng)口。
盡管氮化鎵快充在性能、效率、能耗、尺寸等方面較市場(chǎng)主流的充電器有顯著的量級(jí)提升,但其發(fā)展也面臨諸多問(wèn)題:一方面,氮化鎵是自然界沒(méi)有的物質(zhì),完全要靠人工合成;另一方面,氮化鎵沒(méi)有液態(tài),故不能使用單晶硅生產(chǎn)工藝的直拉法拉出單晶,而僅靠氣體反應(yīng)合成。因此,生產(chǎn)氮化鎵存在反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)、副產(chǎn)物較多、設(shè)備要求苛刻等難題,造成了其制造成本高、不利于大批量產(chǎn)的情況。
根據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布的“2021十大科技趨勢(shì)”,其中預(yù)測(cè)的第一大趨勢(shì)就是以“氮化鎵、碳化硅”為代表的第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。由此可見(jiàn),作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域存在深挖空間。
就化學(xué)原理而言,氮化鎵是迄今為止電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。因此,利用氮化鎵制作的電子器件具有高頻、高轉(zhuǎn)換效率、高擊穿電壓等特性。這就為微顯示、手機(jī)快充、氮化鎵汽車等提供了無(wú)限的可能性。
實(shí)踐層面也是如此,氮化鎵應(yīng)用版圖正在逐步擴(kuò)大。目前,作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵下游應(yīng)用切中了“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵、數(shù)據(jù)中心、軍事雷達(dá)等主要領(lǐng)域需求。長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,氮化鎵的高效電能轉(zhuǎn)換特性,能夠幫助實(shí)現(xiàn)光伏、風(fēng)電(電能生產(chǎn)),直流特高壓輸電(電能傳輸),新能源汽車、工業(yè)電源、機(jī)車牽引、消費(fèi)電源(電能使用)等領(lǐng)域的電能高效轉(zhuǎn)換,助力“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。由此可見(jiàn),氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關(guān)器件正快速發(fā)展。
當(dāng)前,我國(guó)充分意識(shí)到氮化鎵等第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的彎道超車機(jī)會(huì),遂在“十四五”規(guī)劃中將其提升至戰(zhàn)略高度。
特別值得關(guān)注的是,在5G移動(dòng)通信等射頻濾波器領(lǐng)域,氮化鎵目前滲透率較高、未來(lái)發(fā)展前景大,尤其適用于價(jià)格敏感度較低的基站建設(shè)和改造。由于氮化鎵材料的散熱特性、功率特性能夠較好滿足5G基站要求,伴隨氮化鎵器件成本的下降和工藝的成熟,氮化鎵材料有望成為基站PA(功放)主流材料。同時(shí),由于在基站領(lǐng)域,毫米波、小基站、波速成形、載波聚合等需求均需要使用氮化鎵相關(guān)器件,氮化鎵在整個(gè)基站所用半導(dǎo)體器件中的比重正不斷提升。
又如,在Micro LED領(lǐng)域,氮化鎵巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是該領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)。巨量轉(zhuǎn)移(又稱薄膜轉(zhuǎn)移),是將Micro LED器件轉(zhuǎn)移至具有特定驅(qū)動(dòng)基板上,并組裝成二位周期陣列。通俗而言,就是三步:一是從預(yù)定位置以非常高的空間精度和方向拾取微型模具(預(yù)制);二是將這些微型芯片移動(dòng)到預(yù)定位置,同時(shí)保持微型芯片的相對(duì)空間位置和方向;三是在保持新的相對(duì)位置和方向的同時(shí),有選擇地在該新位置分配微芯片。將氮化鎵應(yīng)用于巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的意義在于,能夠有效解決轉(zhuǎn)移精度要求嚴(yán)格的問(wèn)題,可以廣泛應(yīng)用于可穿戴設(shè)備及超大屏幕顯示器。
根據(jù)中國(guó)獨(dú)角獸企業(yè)“智慧芽”的數(shù)據(jù)顯示,“全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請(qǐng)16萬(wàn)余件專利,有效專利6萬(wàn)余件。其中,保護(hù)類型以發(fā)明專利為主,行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新度比較高。該領(lǐng)域中,日本、歐美技術(shù)實(shí)力較強(qiáng),中、日市場(chǎng)較熱”。由此可見(jiàn),目前主流氮化鎵生產(chǎn)廠家依舊集中在日本、歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家。這些發(fā)達(dá)國(guó)家聚焦的領(lǐng)域均是氮化鎵器件。通俗而言,氮化鎵器件即“運(yùn)用氮化鎵嵌入某一設(shè)備、線路中,組合形成電功率器件或組件”。
在日本,氮化鎵襯底是研發(fā)重點(diǎn)。氮化鎵襯底是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,具備穩(wěn)定性強(qiáng)、高熔點(diǎn)、堅(jiān)硬程度高等特質(zhì),屬于半導(dǎo)體的前沿產(chǎn)物。從用途來(lái)看,氮化鎵襯底可以用來(lái)提升外延膜的晶體質(zhì)量,制作微波功率晶體管或藍(lán)色光發(fā)光器件;降低位錯(cuò)密度,提高器件工作壽命;提高發(fā)光效率,提高器件工作電流密度。毫無(wú)疑問(wèn),日本在氮化鎵襯底技術(shù)研發(fā)方面已經(jīng)處于世界領(lǐng)先地位。
德國(guó)則更加關(guān)注諸如氮化鎵Fet等“功率元件”,以及由多個(gè)功率元器件集成的“功率模塊”(如電源轉(zhuǎn)換器)的研發(fā)。以氮化鎵Fet為例。用氮化鎵材料制成的功率器件氮化鎵Fet具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷等特性,其開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電阻小,因而能夠?qū)崿F(xiàn)電源電路效率更高、損耗更低。
此外,值得關(guān)注的是日本豐田汽車集團(tuán)已經(jīng)聯(lián)手日本名古屋大學(xué)合作開發(fā)了全球第一款“全氮化鎵汽車”,并與德國(guó)寶馬集團(tuán)開展深度合作,拓展該款汽車的投產(chǎn)空間與性能優(yōu)化。這表明了全氮化鎵汽車從實(shí)驗(yàn)到投產(chǎn)的腳步近了。
綜上,與其說(shuō)氮化鎵開啟了快充領(lǐng)域的新增長(zhǎng)點(diǎn),并將觸角延伸至5G基站、車載新能源、功率器件、數(shù)字終端等前沿領(lǐng)域,不如說(shuō)氮化鎵走在第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展的前列,成了未來(lái)科技發(fā)展的國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略材料,可謂意義非凡!