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        兼容性隱身材料的研究進(jìn)展

        2022-09-25 02:42:00石智成孫凌夫李海豹孫全喜劉澤林宋亞輝白曉東
        激光與紅外 2022年9期
        關(guān)鍵詞:隱身技術(shù)發(fā)射率反射率

        石智成,孫凌夫,李海豹,孫全喜,劉澤林,宋亞輝,白曉東

        (內(nèi)蒙金屬材料研究所,內(nèi)蒙古 包頭 014030)

        1 引 言

        隨著當(dāng)代科技的不斷發(fā)展,多兼容性、多功能性、智能性等特點已成為各產(chǎn)品、設(shè)備的一個總體發(fā)展趨勢,而近些年來,軍事科技方面的發(fā)展也是日新月異。軍事科技具有一些特定的特征,其中包括了矛與盾的對抗,破壞與防護(hù)的對抗,探測與隱身的對抗,現(xiàn)代軍事偵察手段大多用的是電磁波,其技術(shù)正在向復(fù)合化、智能化方向發(fā)展[1],這就迫使隱身技術(shù)也需隨之改變,朝著多兼容性方向發(fā)展。當(dāng)前軍事探測手段主要有可見光探測、雷達(dá)探測、紅外探測、激光探測以及磁探測,針對可見光探測發(fā)展的可見光隱身材料是最早投入到戰(zhàn)爭中的,現(xiàn)在可見光隱身材料已發(fā)展成熟,如今專門研究可見光隱身材料已非常少了,主要應(yīng)用在偽裝材料,例如迷彩服的制作。現(xiàn)如今,雷達(dá)探測、紅外探測、激光探測是軍事上應(yīng)用最多的探測手段,其效果顯著,隱身技術(shù)作為反探測手段重要的“盾”,自然也會隨著探測技術(shù)的發(fā)展而受到眾多專家、學(xué)者的關(guān)注。

        隱身技術(shù)是通過改變目標(biāo)被探測到的信息,從而降低探測系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)、識別目標(biāo)的幾率?,F(xiàn)如今,應(yīng)用最多的隱身技術(shù)是雷達(dá)隱身、紅外隱身、激光隱身技術(shù)。他們的隱身原理不盡相同,現(xiàn)今多模復(fù)合制導(dǎo)技術(shù)發(fā)展迅速,當(dāng)同一區(qū)域有不同的探測手段時,出現(xiàn)多波段監(jiān)測時,具有某一特定的隱身功能就可能失效,就會造成目標(biāo)暴露,所以發(fā)展兼容性隱身技術(shù)勢在必行。雷達(dá)隱身技術(shù)是應(yīng)用最早的隱身技術(shù),當(dāng)雷達(dá)系統(tǒng)向某一特定空間發(fā)射高頻雷達(dá)波,目標(biāo)通過該片區(qū)域時,部分的高頻雷達(dá)波將會被目標(biāo)反射回去,如果能降低目標(biāo)反射的高頻雷達(dá)波,弱到無法被雷達(dá)系統(tǒng)捕捉到就實現(xiàn)了雷達(dá)隱身。紅外隱身技術(shù)它是通過降低或改變目標(biāo)的輻射強(qiáng)度來降低目標(biāo)的可監(jiān)測性,在大型武器運(yùn)行過程中,一些大功率的設(shè)備會產(chǎn)生高溫,例如艦船發(fā)動機(jī)會造成與背景不同的輻射反差,導(dǎo)致了目標(biāo)輻射強(qiáng)度大幅增加,從而增加了暴露的可能性?,F(xiàn)今可通過降低目標(biāo)的輻射強(qiáng)度、改變目標(biāo)的輻射特性、阻礙目標(biāo)的輻射傳播途徑等方式來實現(xiàn)紅外隱身。激光隱身技術(shù)與雷達(dá)隱身技術(shù)類似,通過降低目標(biāo)的表面反射率,使得回波功率低到無法被監(jiān)測到從而實現(xiàn)激光隱身。為應(yīng)對現(xiàn)代戰(zhàn)爭的多樣性,作為反探測技術(shù)的隱身技術(shù)就得逆流而上,近些年,通過國內(nèi)外眾多學(xué)者對隱身技術(shù)的研究,發(fā)現(xiàn)兼容性隱身技術(shù)有巨大的發(fā)展?jié)摿?本文結(jié)合近些年國內(nèi)外隱身技術(shù)的發(fā)展,對兼容性隱身材料的發(fā)展進(jìn)程做出了闡述。本文主要以原理與材料為基本邏輯關(guān)系,涉及到雷達(dá)、紅外、激光等基本要素,對其相互組合的兼容技術(shù)進(jìn)行綜述。

        2 隱身技術(shù)原理

        2.1 雷達(dá)隱身原理

        對于雷達(dá)隱身,有效地減小雷達(dá)反射截面(RCS)的值,就能達(dá)到雷達(dá)隱身的效果。目前能夠有效地降低RCS值只能從改變結(jié)構(gòu)外形和改變材料特性來實現(xiàn),一般結(jié)構(gòu)外形很難改變,所以現(xiàn)階段對于雷達(dá)隱身主要從材料出發(fā)。反應(yīng)材料隱身效果的是雷達(dá)反射率,將雷達(dá)反射率轉(zhuǎn)變?yōu)榉瓷渎蔙=10 lgRP來表示隱身效果,RP為雷達(dá)反射率,R的單位為分貝(dB),其值為負(fù)數(shù),當(dāng)R值越小時,說明該材料雷達(dá)隱身效果越好,目前雷達(dá)隱身的特點是反射率低或者發(fā)射率高。

        2.2 紅外隱身原理

        紅外隱身技術(shù)是繼雷達(dá)隱身技術(shù)應(yīng)用最多的,研究紅外隱身一般都是針對3~5 μm和8~14 μm的中遠(yuǎn)紅外波段。當(dāng)目標(biāo)產(chǎn)生紅外輻射時,紅外輻射的光子能夠使活潑的金屬產(chǎn)生光電信號,紅外探測儀就會將捕捉到的光電信號轉(zhuǎn)化為電信號從而監(jiān)測、跟蹤目標(biāo)的行動軌跡,現(xiàn)今紅外探測有兩種方式,一種是點源探測,一種是成像探測。點源探測它是與目標(biāo)的距離相關(guān),當(dāng)距離越遠(yuǎn)時,目標(biāo)紅外輻射量小時,探測效果越差。成像探測是通過目標(biāo)與背景環(huán)境的紅外輻射差來探測的,它是通過降低輻射對比度,才能降低被紅外探測的可能性。以上兩種探測方法都表明了當(dāng)目標(biāo)的紅外輻射量發(fā)生改變時,就可以提高紅外隱身效果,而紅外輻射量是可以通過改變材料的性質(zhì)來實現(xiàn)的。由物理學(xué)可知,物體的紅外輻射量符合Stefan-Boltzmann 定律:

        W=σεT4

        (1)

        式中,W為目標(biāo)的輻射總量;σ為玻爾茲曼常數(shù);ε為目標(biāo)的發(fā)射率;T為目標(biāo)的溫度,由公式可以看出目標(biāo)的輻射總量與自身的發(fā)射率呈正相關(guān),與目標(biāo)溫度的4次方呈正相關(guān),想要降低目標(biāo)的目標(biāo)的輻射總量,可降低它的表面發(fā)射率和溫度。所以,中遠(yuǎn)紅外波段的隱身要求目標(biāo)具有高反射率、低發(fā)射率的特征。

        2.3 激光隱身原理

        激光作為一種主動探測儀器,當(dāng)它運(yùn)用在雷達(dá)探測上時,它具有更高的辨識能力,而且激光雷達(dá)具有體積小、質(zhì)量輕等特點。激光隱身的原理與雷達(dá)隱身原理相類似,都是通過降低目標(biāo)的反射率和激光探測儀的回波功率,吸收或透過電磁波,從而使目標(biāo)不被探測到。從微觀學(xué)上看,根據(jù)能量守恒原則,目標(biāo)在吸收電磁波的過程,吸收的光子能量會轉(zhuǎn)移成電子的動能、勢能或是分子的振動能和轉(zhuǎn)動能,所以激光隱身材料是對材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)有要求的。

        2.4 兼容隱身原理

        雷達(dá)隱身材料的吸波頻率發(fā)生在2~18 GHz,紅外隱身材料要求的紅外波段在3~5 μm和8~14 μm,紅外隱技術(shù)要求的波段是納米級的,而雷達(dá)隱身技術(shù)要求的波段是毫米或厘米級的,根據(jù)雷達(dá)、紅外對波段的要求,實現(xiàn)雷達(dá)紅外兼容的隱身材料是不可能的。而對于不透明材料來說,由Kirchhoff公式:

        ε+R=1

        (2)

        式中,ε為發(fā)射率;R為反射率;ε和R都是波長的函數(shù)。雷達(dá)波與紅外波的相差很大,所以找到雷達(dá)波R小,紅外波R大、ε小的材料是可能的。也可以分布制作出微波高吸收和紅外低反射的材料,然后將其兩者復(fù)合起來,且功能不降低的復(fù)合材料,以達(dá)到雷達(dá)紅外兼容隱身材料。

        激光隱身材料要求在1.06 μm和10.6 μm波段表現(xiàn)出低反射率的特點,對于激光紅外兼容的隱身特征在10.6 μm波段時,與他們的隱身原理是相矛盾的。針對這一問題,第一種方法是引進(jìn)非平衡轄射描述理論和動態(tài)熱轄射理論,根據(jù)材料的非平衡轄射性能我們可以研制出一種在某特定時間段同時具有低發(fā)射率和低瞬態(tài)反射率的材料;第二種方法是舍去一部分的紅外隱身波段,來獲得激光隱身功能,從而實現(xiàn)紅外激光兼容隱身技術(shù)。

        對于激光雷達(dá)兼容隱身來說,盡管他們原理有些許不同,但是他們都是要求目標(biāo)具有低反射率的特點,所以對于激光雷達(dá)兼容性隱身技術(shù)理論上是可行的。就目前來說,實現(xiàn)雷達(dá)紅外激光兼容的隱身技術(shù)是隱身研究領(lǐng)域的重點,這是因為他們內(nèi)部就存在著根本的矛盾,所以導(dǎo)致了三種兼容隱身技術(shù)的研究進(jìn)程緩慢,但三種兼容的隱身材料仍是該領(lǐng)域下階段研究的重要目標(biāo)。

        3 兼容性隱身材料

        3.1 雷達(dá)紅外兼容性隱身材料

        納米材料具有較強(qiáng)的吸波功能,由于它的表面原子比例大,且懸掛鍵比較多,所以對于射入的電磁波具有良好的吸收功能;另一方面,由于納米材料具有量子尺寸效應(yīng),此時也為射入的電磁波提供了新的通道,增強(qiáng)了納米材料的吸波功能。同時,由于紅外波遠(yuǎn)大于納米材料的尺寸,所以納米材料對紅外光具有良好的透過性,從而實現(xiàn)了紅外隱身功能,故理論上納米材料是可以實現(xiàn)雷達(dá)紅外兼容的隱身材料。近些年,由于納米材料的興起,導(dǎo)致納米隱身材料也發(fā)展迅速。Wang等人[2]通過兩步球磨法制備出了片狀的FeAl復(fù)合材料,如圖1所示,當(dāng)球磨時間在30 min時,在6.59 GHz處樣品的電磁波反射率為-13.6 dB,該樣品低于-10 dB的吸收寬帶可達(dá)到1.7 GHz,紅外發(fā)射率為0.1,在雷達(dá)紅外兼容隱身材料方面,該納米材料表現(xiàn)優(yōu)異。納米磁性纖維吸收劑擁有纖維的各向異性和尺寸的特性,所以它也具有良好的雷達(dá)紅外兼容隱身特性,現(xiàn)有一種以碳納米管吸收劑的納米材料,因為它具有中空的空間結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的導(dǎo)電性,所以它也可以實現(xiàn)雷達(dá)紅外兼容隱身功能。Zhang等人[3]通過表面氧化法制備出了由螺旋聚硅烷包裹的碳納米管復(fù)合材料(HPS/f-MWNTs),如圖2所示,它在8~14 μm處的紅外發(fā)射率為0.576。Pan等人[4]則通過碳納米管包裹聚酰胺復(fù)合物的方法制備出了兼容性隱身材料,其復(fù)合材料在9.7 GHz處的電磁發(fā)射率可達(dá)到-20.65 dB,小于-10 dB的吸收寬帶為3.2 GHz,在8~14 μm的紅外發(fā)射率為0.503,表現(xiàn)出了良好的雷達(dá)紅外兼容性能。汪心坤等人[5]通過靜電紡絲法獲得了MWCNTs/Zn0.96Co0.004O復(fù)合納米材料,該材料最低紅外發(fā)射率為0.61,在13.8 GHz在處的電磁發(fā)射率可達(dá)到-26.4 dB,小于-10 dB的吸收寬帶為4 GHz。Cheng等人[6]利用同軸靜電紡絲法制備出了纖鋅礦型Zn0.96Co0.09O納米管,在600°以上時,納米管會形成中空的結(jié)構(gòu),并且伴隨有不規(guī)則的納米粒子出現(xiàn),在9.5 GHz處的電磁發(fā)射率可達(dá)到-20.3 dB,小于-10 dB的吸收寬帶為3.6 GHz,它的平均紅外發(fā)射率可達(dá)到0.72,該材料也具有良好的雷達(dá)紅外兼容隱身功能。

        圖1 FeAl復(fù)合材料的電子顯微圖

        圖2 HPS/f-MWNTs復(fù)合材料的電子顯微圖

        導(dǎo)電高聚物它具有結(jié)構(gòu)多、復(fù)合簡單、易調(diào)控的特點,所以它在兼容性隱身材料領(lǐng)域一直是關(guān)注重點[7],導(dǎo)電高聚物它同時具有金屬和半導(dǎo)體的性質(zhì),它的原理是通過共軛π電子與高分子實現(xiàn)吸收電磁波的功能。Li等人[8]曾通過溶膠-凝膠的方法制備出了NiFe2O4/PANI復(fù)合材料,該復(fù)合材料的吸收波寬可達(dá)到4.5 GHz,在8 GHz處的反射率為-42 dB。Yang等人[9]采取原位聚合法得出了BaTiO3/PANI、BaFe12O19/PANI、(BaTiO3+BaFe12O19)/PANI復(fù)合材料,如圖3所示,這三種復(fù)合材料在雷達(dá)紅外兼容隱身方面都有不錯的效果。周亦康等人[10]是通過“摻雜-脫摻雜-再摻雜”和原位聚合法制備出了摻有樟腦黃堿的復(fù)合材料,該材料在3~5 μm、8~14 μm的紅外發(fā)射率為0.46和0.29,在13.75 GHz處的反射率為-27.43 dB,低于-10 dB的吸收寬帶為8.16 GHz,該材料也具有良好的雷達(dá)紅外兼容隱身性能。

        圖3 幾種復(fù)合材料的SEM照片

        摻雜氧化物半導(dǎo)體材料,它是由金屬氧化物與摻雜劑組成,它對于雷達(dá)波的吸收原理是介電損耗的方式,由于紅外波較長,摻雜氧化物半導(dǎo)體的光子對其具有反射不吸收的特點,且當(dāng)電磁波出現(xiàn)變化時,摻雜氧化物半導(dǎo)體內(nèi)的自由載流子會對紅外波產(chǎn)生更高的反射效果,所以摻雜氧化物半導(dǎo)體具有良好的雷達(dá)紅外隱身效果。Shu等人[11]通過化學(xué)共沉淀法制備出了Ni摻雜Zn/Al復(fù)合材料,該材料對紅外波的發(fā)射率為0.37,在13.6 GHz處的的反射率為-32.5 dB,Zhang等人[12]通過水熱法制備出了層狀的SnO2/ZnO復(fù)合材料,如圖4所示,該材料在9.2 GHz處的的反射率為-23.5 dB,低于-10 dB的吸收寬帶為3.2 GHz,在3~5 μm、8~14 μm的紅外發(fā)射率平均為0.65和0.89,該材料在雷達(dá)紅外隱身方面表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能。

        圖4 1.06 μm的SEM照片

        超材料是指在人為的條件下制作出來的復(fù)合材料,它可在特定的電磁波處具有吸收功能,Langdy[13]發(fā)明了一種三明治式的MPA復(fù)合超材料,如圖5所示,經(jīng)實驗測試,該材料對在11.15 GHz處的電磁波具有吸收功能。何路[14]利用全金屬設(shè)計了一種超材料體,該材料在8~20 GHz處的反射率小于-20 dB,在8~14 μm處的紅外發(fā)射率平均小于0.05,表現(xiàn)出了良好的雷達(dá)紅外兼容隱身性能。李君哲[15]設(shè)計出了FSS/RPP超材料,根據(jù)實驗結(jié)果顯示,該材料也同時具有雷達(dá)紅外兼容隱身功能。

        圖5 MPA的結(jié)構(gòu)示意圖

        光子晶體具有光子帶隙,該帶隙能夠抑制某些電磁波在光子晶體里傳播,從而實現(xiàn)了紅外隱身效果[16],在電磁波段時,它同時具有電磁帶隙,該帶隙可吸收某些雷達(dá)波,所以光子晶體理論上具有雷達(dá)紅外兼容隱身效果。Wang等人[17]設(shè)計出了四個異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光子晶體,該晶體在3~5 μm、8~14μm的紅外波段發(fā)射率為0.073和0.042,且該樣品具有很高的雷達(dá)波透過性。Wang等人[18]制備出了一維光子晶體,實驗結(jié)果表明,該晶體也具有良好的有雷達(dá)紅外兼容隱身功能。

        3.2 激光紅外兼容性隱身材料

        光子晶體因為它的光子禁帶可對特定的電磁波起到高反射的作用,可實現(xiàn)紅外隱身,同時他還有“光譜挖孔”效應(yīng),該特性可實現(xiàn)激光隱身,所以光子晶體它是可實現(xiàn)激光紅外兼容隱身功能。Zhao等人[19]通過DBR微腔原法,用PbTe和Na3AlF6得到了一維雙缺陷光子晶體,該材料在1~5 μm、8~14 μm的紅外波段反射率達(dá)99 %,對于1.06 μm、10.6 μm的激光透射率達(dá)96 %,故該材料具有良好激光紅外兼容隱身性能。張繼魁等人[20]等人設(shè)計了一種一維光子晶體,如圖6所示,該晶體在1.81~2.47 μm處的反射率達(dá)95.07%,在2.47~5 μm處的發(fā)射率為100 %,同時在1.06 μm、10.6 μm發(fā)射率降低到了1.21 %和1.79 %。Miao等人[21]采用在硅膠片上交替沉積Te、ZnSe和Si法制出了異相摻雜一維晶體,它在3~5 μm的平均發(fā)射率為0.0845,在8~14 μm的平均發(fā)射率為0.281,在中紅外波段的平均發(fā)射率為0.45,而在10.6 μm處的發(fā)射率為0.21,所以該材料具有良好的有激光紅外兼容隱身性能。

        圖6 光子晶體結(jié)構(gòu)圖

        在超材料方面,Chen等人[22]制備出了一種超材料,該材料在1.54 μm處的吸收率高達(dá)99.3 %,在中遠(yuǎn)紅外波段的輻射率為10 %和6 %,該材料在1.54 μm處表現(xiàn)出了激光紅外兼容隱身性能。Zhang等人[23]設(shè)計了一種以硅介質(zhì)層為間隔的吸收材料,該材料的數(shù)值模擬結(jié)果顯示:在1.06 μm、10.6 μm處的吸收率為99.916 %和99.784 %,在紅外波段處也具有很強(qiáng)的吸收功能,數(shù)值模擬的結(jié)果顯示該材料具有激光紅外兼容隱身功能。

        在有關(guān)稀土的研究上,發(fā)現(xiàn)稀土中含有不同的4f層電子數(shù),該電子對某些特定的波具有較強(qiáng)的吸收功能,依據(jù)這個特性對于摻雜某些稀土元素的材料就可實現(xiàn)激光紅外兼容隱身功能。不同的學(xué)者通過實驗研究了稀土對于隱身性能的影響,例如SmFeO3粉體,實驗結(jié)果中表名該材料在激光紅外兼容隱身方面具有一定的前景。而SmCrO3粉體,從實驗結(jié)果得知,它可作為一種激光紅外兼容隱身材料。黃巍等人[24]研制出了一種摻錫氧化銦薄膜與SiO薄膜的結(jié)合體,該材料可實現(xiàn)在0.93 μm、1.06 μm、10.6 μm處的激光紅外兼容隱身功能。邢宏龍等人[25]制作出了一種涂料材料,如圖7所示,該涂料在8~14 μm的紅外發(fā)射率達(dá)到0.688,在10.6 μm處的反射率可降低至1 %,實現(xiàn)了激光紅外兼容隱身涂料。

        (a)放大400倍 (b)放大2000倍

        3.3 激光雷達(dá)兼容性隱身材料

        激光隱身與雷達(dá)隱身都是要求材料具有較強(qiáng)的吸波功能,但它們的原理是不同的,激光隱身是利用分子的共振與表面微粒微孔的結(jié)構(gòu)來吸收激光,而雷達(dá)隱身是通過電損耗和磁損耗的方式將雷達(dá)波轉(zhuǎn)化成熱能從而實現(xiàn)隱身。當(dāng)下能夠同時實現(xiàn)雷達(dá)與激光兼容的隱身技術(shù)大致分為兩種:一種是制作出某種特殊的材料,使它同時具有兩種吸收功能,在吸收某段激光波時,也具有吸收某段雷達(dá)波的功能,這種材料理論上是可行的,王自榮等[26]人制備了一種激光與毫米波復(fù)合材料,該材料對0.93 μm、1.06 μm、和1.54 μm處的激光波發(fā)射率小于0.5 %,同時在8 mm厚時,雷達(dá)波反射率達(dá)-10 dB,具有激光隱雷達(dá)兼容隱身功能。另一種方法是雙層涂敷法,上層為激光涂敷層,它對雷達(dá)波是完全可透過的,底層為雷達(dá)涂敷層,此時就可實現(xiàn)雷達(dá)激光兼容隱身效果。徐培化等人[27]采用雙層涂敷法制備了一種雷達(dá)、激光復(fù)合材料,該復(fù)合材料在1.06 μm處的激光反射率為0.13 %,在8~14 GHz處的雷達(dá)反射率小于-7.5 dB,很好地實現(xiàn)了雷達(dá)激光兼容隱身功能。

        3.4 雷達(dá)紅外激光兼容性隱身材料

        對于雷達(dá)紅外激光兼容隱身功能,由于其內(nèi)在隱身原理就存在著本質(zhì)的矛盾,所以制造出三者兼容的隱身材料較為困難,但具有多兼容性隱身功能必定是將來發(fā)展的重點。之前就有學(xué)者提出:通過復(fù)合材料然后加上煙霧功能可實現(xiàn)雷達(dá)紅外激光兼容隱身,目標(biāo)外部由煙霧包裹以達(dá)到激光隱身效果,目標(biāo)表面涂復(fù)合材料,表漆采用紅外隱身材料,底漆采用雷達(dá)隱身材料,以實現(xiàn)三者兼容隱身功能,但外部的煙霧是不可持續(xù)的,所以該方法具有明顯的缺點。而Zhang等人[28]制備出了Ge、ZnSe、和Si一維摻雜結(jié)構(gòu)的光子晶體(1-D PC),然后再與雷達(dá)吸波材料(RAM)構(gòu)成復(fù)合材料,如圖8所示,實驗結(jié)果表明:在8~14 μm處的反射率為0.895,而在10.6 μm處有一個反射谷(39.8%),即波長 CO2激光,在7.8~18 GHz處表現(xiàn)出很強(qiáng)的雷達(dá)波吸收效果,所以該材料同時具有雷達(dá)紅外激光兼容隱身功能。Pan等人[29]設(shè)計了一種特殊的光子結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在3~5 μm、8~14 μm處的發(fā)射率可達(dá)到0.25、0.33,而在10.6 μm處吸收率可達(dá)到90 %,可實現(xiàn)雷達(dá)紅外激光兼容隱身功能的功能。由前文可知,光子晶體具有獨特的特性,所以它在于雷達(dá)紅外激光兼容隱身方面具有廣闊的前景。超材料的超物理性能和人工復(fù)合制造的特點,且目前在雷達(dá)紅外兼容隱身和紅外激光兼容隱身方面都有不錯的成就,所以它在三者兼容隱身方面也具有廣闊的前景。

        圖8 PC的微觀結(jié)構(gòu)圖

        4 結(jié)論與展望

        隨著電子科技的迅速發(fā)展,單一波段難以實現(xiàn)隱身的功能,所以兼容隱身將是未來發(fā)展的重點,目前雷達(dá)紅外、激光紅外及激光雷達(dá)兼容隱身技術(shù)已取得了一些不錯的成果,但三者兼容隱身技術(shù)還尚未成熟,多波段隱身研究仍是重點關(guān)注對象。目前多波段三者兼容隱身技術(shù)在復(fù)合材料的研究上有不錯的前景,尤其是超材料復(fù)合的方向,當(dāng)然新材料的開發(fā)與制作也是關(guān)鍵,例如光子晶體的開發(fā)制作。但就目前隱身技術(shù)而言,仍還有許多不足與缺陷,例如機(jī)制原理上的不透徹性,工藝制作上的不完善性,材料成本的高價位性等,所以對于隱身材料的研究任重而道遠(yuǎn),未來隱身材料它必定會向著質(zhì)輕、料薄、智能、寬波帶、強(qiáng)吸收發(fā)展的趨勢。

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