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        基于FACT技術(shù)的高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)推導(dǎo)與降階

        2022-09-23 10:35:28張孝薈湯亞芳栗少龍袁旭峰
        實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2022年6期
        關(guān)鍵詞:降階時(shí)間常數(shù)限流

        張孝薈, 湯亞芳, 栗少龍, 宋 標(biāo), 袁旭峰

        (貴州大學(xué)電氣工程學(xué)院,貴陽(yáng) 550025)

        0 引 言

        傳遞函數(shù)作為一種研究系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)的重要手段[1],在各行各業(yè)廣泛應(yīng)用。在控制系統(tǒng)中,為實(shí)現(xiàn)按照設(shè)計(jì)預(yù)期改變零、極點(diǎn)位置,達(dá)到調(diào)整系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、提高系統(tǒng)控制精度和穩(wěn)定性的目的,應(yīng)對(duì)復(fù)雜高階系統(tǒng)的傳遞函數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確解析以及適當(dāng)?shù)慕惦A處理[2]。Vandeloo等[3]提出將電路模型參數(shù)導(dǎo)入編程軟件Common Lisp中,利用稀疏矩陣進(jìn)行傳遞函數(shù)的推導(dǎo)與化簡(jiǎn)的方法。但該方法嚴(yán)重依賴電路的具體參數(shù),且所用編程語(yǔ)言過(guò)于專業(yè),不具有普適性。文獻(xiàn)[4]中利用Matlab軟件仿真運(yùn)算平臺(tái),以一個(gè)CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大器電路為研究對(duì)象,對(duì)電路中各個(gè)晶體管的熱噪聲傳遞函數(shù)進(jìn)行求解并簡(jiǎn)化,Matlab運(yùn)算結(jié)果表明該方法能有效避免對(duì)電路參數(shù)的過(guò)分依賴。

        文獻(xiàn)[5]中對(duì)直流電動(dòng)機(jī)復(fù)合定位控制系統(tǒng)CPCS及PID根軌跡、頻率特性等動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行分析,得出高階系統(tǒng)的傳遞函數(shù)總能采用降階方式化簡(jiǎn)的結(jié)論。高階系統(tǒng)的降階研究滲透在航空動(dòng)力系統(tǒng)[6-7]、交通軌道磁懸浮控制系統(tǒng)[8]、柔性直流配電系統(tǒng)[9-10]等各個(gè)行業(yè)。然而,高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)的降階處理過(guò)程往往會(huì)引起狀態(tài)變量的改變,導(dǎo)致系統(tǒng)的控制精度下降,甚至影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。

        鑒于上述技術(shù)進(jìn)展及存在的問(wèn)題,本文以柔性直流系統(tǒng)為背景,以文獻(xiàn)[11]中所提混合式直流故障限流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為研究對(duì)象,利用快速分析技術(shù)(Fast Analytical Circuit Techniques,F(xiàn)ACT)[12]對(duì)高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)進(jìn)行推導(dǎo)和化簡(jiǎn),并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。特性[12]。

        定義的傳遞函數(shù)表達(dá)式如下:

        式中:H0為s=0(電容開(kāi)路、電感短路時(shí),后續(xù)均設(shè)置s=0作為電路參考狀態(tài))狀態(tài)下的直流增益;零點(diǎn)為方程N(yùn)(s)=0的根,極點(diǎn)為方程D(s)=0的根。圖1為運(yùn)用FACT求解高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)的流程圖。

        圖1 FACT求解傳遞函數(shù)流程框圖

        1 高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)的推導(dǎo)與降階

        本文設(shè)計(jì)的基于FACT,利用時(shí)間常數(shù)表征電路特性的高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)求解過(guò)程:①根據(jù)FACT原理,首先將傳遞函數(shù)規(guī)范為低熵表達(dá)式;②將傳遞函數(shù)表達(dá)式整理為零、極點(diǎn)完美分離形式;③通過(guò)設(shè)計(jì)主導(dǎo)極點(diǎn)或偶極子[13]對(duì)高階系統(tǒng)降階,用降階后的近似低階系統(tǒng),來(lái)表征原始復(fù)雜高階系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能;④利用Matlab軟件仿真運(yùn)算取得系統(tǒng)降階前后的單位階躍響應(yīng)曲線,驗(yàn)證該技術(shù)對(duì)高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)推導(dǎo)與降階的有效性。

        1.1 快速分析技術(shù)

        利用FACT求解高階復(fù)雜系統(tǒng)的傳遞函數(shù),與傳統(tǒng)方法相比,在求解速度方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)主要特點(diǎn)如下:

        (1)利用時(shí)間常數(shù)對(duì)電路進(jìn)行表征。在特定條件下,暫時(shí)從電路中的連接端移除電阻、電感或電容元件,求得該端口的阻抗值,從而將復(fù)雜的無(wú)源電路或者有源電路分解為由一系列時(shí)間常數(shù)表征的零、極點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)[12]。

        (2)低熵表達(dá)式。系統(tǒng)的熵與其內(nèi)部紊亂程度相關(guān)聯(lián),利用FACT能夠得到高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式,可快速識(shí)別出系統(tǒng)增益、零點(diǎn)、極點(diǎn),以及零、極點(diǎn)個(gè)數(shù)。分析傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式,能夠明確串并聯(lián)電路的主導(dǎo)器件以及不同頻率狀態(tài)下的電路

        1.2 傳遞函數(shù)的推導(dǎo)

        圖2所示的混合式直流故障限流器工作原理為:故障后,保護(hù)系統(tǒng)檢測(cè)到線路故障,立即給晶閘管T1送入觸發(fā)脈沖,同時(shí)也給T2送入持續(xù)的觸發(fā)信號(hào);晶閘管T1導(dǎo)通瞬間,換相電容C1立即放電,放電電流導(dǎo)致T3斷;C1放電完畢后繼續(xù)被故障電流反向充電,一直被施加著觸發(fā)信號(hào)的晶閘管T2,當(dāng)其開(kāi)始承受正向電壓時(shí)瞬間導(dǎo)通。自此限流模塊均被投入故障回路抑制故障電流。

        圖2 混合式直流故障限流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        由上述限流原理可知:主限流支路中的R2在換相電容充電完畢后,方能完全投入故障回路抑制短路電流,故換相電容的反向充電時(shí)間越短越好。在限流過(guò)程中某個(gè)時(shí)刻,換相電容的初始電壓放電完畢,并開(kāi)始反向充電,從而進(jìn)入另一個(gè)工作狀態(tài),直到其充電完畢。為進(jìn)一步分析電容充電的暫態(tài)過(guò)程,故以換相電容兩端的電壓作為輸出響應(yīng),利用FACT求解該系統(tǒng)傳遞函數(shù)。

        如圖3所示,用串聯(lián)的電阻電感電容RS、LS、CS等效替代直流系統(tǒng)模塊化多電平變換器(Modular Multilevel Converter,MMC)[14],但該方法會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的階數(shù)升高,增加求解各階段電壓電流的詳細(xì)表達(dá)式的難度??紤]到故障后短時(shí)間內(nèi)MMC電容CS電壓下降幅度較小,為方便求解,將其等效為恒定的直流電壓源。文獻(xiàn)[15-16]中對(duì)該等效方法進(jìn)行了驗(yàn)證,認(rèn)為誤差較小,等效可行。忽略半導(dǎo)體器件通態(tài)壓降,令RS+R1=R3,LS=L3,其簡(jiǎn)化電路見(jiàn)圖4。

        圖3 電路模型

        圖4 電路模型簡(jiǎn)化圖

        依據(jù)FACT原理,可快速取得系統(tǒng)直流增益、零點(diǎn)推導(dǎo)、極點(diǎn)推導(dǎo),以及完整傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式,大幅降低高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)推導(dǎo)的復(fù)雜性,提高了求解速度。

        (1)直流增益。將各儲(chǔ)能元件設(shè)置為參考狀態(tài)(C1開(kāi)路、L2短路、L3短路),計(jì)算直流增益為

        (2)極點(diǎn)推導(dǎo)。與電容C1、電感L2、電感L3相關(guān)聯(lián)的時(shí)間常數(shù)τ1、τ1、τ3

        [12]分別為:

        設(shè)[12]

        計(jì)算時(shí)間常數(shù)τ12、τ13、τ23時(shí),分別看L2兩端(C1為高頻狀態(tài),L2、L3為參考狀態(tài))的驅(qū)動(dòng)電阻、L3兩端(C1為高頻狀態(tài),L2、L3為參考狀態(tài))的驅(qū)動(dòng)電阻、L3兩端的驅(qū)動(dòng)電阻(L2為高頻狀態(tài),L3、C1為參考狀態(tài)),得到:

        設(shè)[12]

        計(jì)算時(shí)間常數(shù)τ123[12]時(shí),將C1、L2設(shè)置為高頻狀態(tài)(C1短路、L2開(kāi)路),將L3設(shè)置為參考狀態(tài)(L3短路),由L3兩端的驅(qū)動(dòng)電阻得到:

        設(shè)[12]

        分母表達(dá)式D(s)[12]為

        (3)零點(diǎn)推導(dǎo)。根據(jù)上述FACT求解傳遞函數(shù)分子表達(dá)式的過(guò)程與分母求解過(guò)程基本一致,唯一不同之處是:求解過(guò)程中需將激勵(lì)源復(fù)原,輸出置為零[12]。

        具體過(guò)程,此處不再贅述。求解得到:

        則,分子N(s)[12]表達(dá)式為

        (4)完整表達(dá)式。由此可得到完整傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式[12]:

        將傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式整理為零極點(diǎn)完美分離的表達(dá)式如下:

        式中:

        1.3 降階處理

        分析系統(tǒng)傳遞函數(shù)的零、極點(diǎn),判斷其是否滿足降階條件,具體流程如圖5所示。

        圖5 系統(tǒng)降階處理以及驗(yàn)證流圖

        令式(14)中零、極點(diǎn)的第1零點(diǎn)與第2極點(diǎn)的比值為A,則:

        根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn),確定參數(shù)一個(gè)初始取值范圍:換相電容C1取值范圍5~10 μF;限流電感L2取值范圍10~30 mH;換流站系統(tǒng)等效電感L3取值范圍150~200 mH;主限流電阻R2取值范圍30~40 Ω;電阻R3其取值范圍8~12 Ω?;谠撊≈捣秶?,R2L3>>L2R3,R2C1R2R3<<R2L3<R2L2,故:

        同樣,將第2零點(diǎn)與第3極點(diǎn)的比值令為B,則:

        故系統(tǒng)傳遞函數(shù)中存在兩對(duì)偶極子,分別為wz1和wp2、wz2和wp3,采用零、極點(diǎn)相消的方法對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行降階處理[17],去除兩對(duì)偶極子,留下一個(gè)主導(dǎo)極點(diǎn)wp1,則最終將傳遞函數(shù)近似表達(dá)式如下:

        降階后的傳遞函數(shù)近似等效為一階系統(tǒng),該系統(tǒng)時(shí)間常數(shù)為

        2 實(shí)驗(yàn)分析

        2.1 降階前

        用Matlab(2017a)運(yùn)算軟件平臺(tái)中自帶的遺傳算法工具箱,根據(jù)實(shí)際工程中限流器設(shè)備各儲(chǔ)能元件常見(jiàn)的取值范圍[18],求取式(19)的最優(yōu)解。圖6(a)表明,利用遺傳算法經(jīng)過(guò)多次迭代之后,其適應(yīng)度值基本不再變化,最終得到限流器設(shè)備各元件的最佳取值:C1=10 μF,L2=10 mH,L3=150 mH,R2=40 Ω;R3=11 Ω;圖6(b)為根據(jù)上述最佳取值求解式(19)的期望分布情況。

        圖6 遺傳算法迭代優(yōu)化參數(shù)

        用Matlab求解原始高階系統(tǒng)傳遞函數(shù),主要程序如下:

        得到原始三階系統(tǒng)的傳遞函數(shù):

        零極點(diǎn)分布如圖7所示。

        圖7 零極點(diǎn)分布圖

        由圖7可知,原始三階系統(tǒng)存在兩對(duì)偶極子,每一對(duì)偶極子的作用相互抵消,只剩一個(gè)主導(dǎo)極點(diǎn)作用,該系統(tǒng)滿足降階條件,與理論推導(dǎo)相符合。

        2.2 降階后

        用Matlab對(duì)降階后的系統(tǒng)求解傳遞函數(shù),主要程序如下:

        得到降階后一階系統(tǒng)的傳遞函數(shù):

        對(duì)比式(20)和(21)分析可知,降階前后的系統(tǒng)主導(dǎo)極點(diǎn)分別為-262.2、-237.9,兩個(gè)系統(tǒng)極點(diǎn)位置比較靠近。為驗(yàn)證降階后的系統(tǒng)對(duì)原始系統(tǒng)的描述能力,在Matlab上繪制降階前后系統(tǒng)的單位階躍響應(yīng)曲線,主要程序如下:

        den3=[b3 b2 b1 1];

        num3=[a2 a1 1]*H0;

        sys3=tf(num3,den3); %原始三階系統(tǒng)建模

        den1=[b1 1];

        num1=H0;

        sys1=tf(num1,den1); %近似一階系統(tǒng)建模

        step(sys3,'r',sys1,'b'); %系統(tǒng)的單位階躍響應(yīng)曲線

        圖8表明兩條單位階躍響應(yīng)曲線趨勢(shì)基本一致,降階后的系統(tǒng)其單位階躍響應(yīng)的上升時(shí)間tr比降階前多0.89 ms,調(diào)整時(shí)間ts比降階前多1.15 ms。這是因?yàn)榻惦A后的近似系統(tǒng),其極點(diǎn)比降階之前的主導(dǎo)極點(diǎn)更靠近虛軸,在一定程度上延緩了系統(tǒng)響應(yīng)速度。

        圖8 降價(jià)前、后單位階躍響應(yīng)曲線

        3 結(jié) 語(yǔ)

        本文利用FACT對(duì)高階系統(tǒng)傳遞函數(shù)進(jìn)行詳細(xì)推導(dǎo)表明:得到傳遞函數(shù)的低熵表達(dá)式,能更直觀地識(shí)別出系統(tǒng)直流增益、零點(diǎn)、極點(diǎn);通過(guò)觀察傳遞函數(shù)表達(dá)式能夠明確串并聯(lián)電路中的主導(dǎo)元件以及電路頻率特性;對(duì)傳遞函數(shù)的零極點(diǎn)表達(dá)式進(jìn)行分析和約束,構(gòu)造降階條件,將復(fù)雜高階系統(tǒng)近似等效為簡(jiǎn)單低階系統(tǒng)。用Matlab運(yùn)算軟件對(duì)降階前后的傳遞函數(shù)作單位階躍響應(yīng)仿真運(yùn)算,結(jié)果驗(yàn)證了上述傳遞函數(shù)求解方法、系統(tǒng)降階方法的有效性、合理性。

        在工程運(yùn)用中,按照FACT原理簡(jiǎn)化求解過(guò)程、降低求解難度,進(jìn)而提高傳遞函數(shù)求解速度,該技術(shù)具有一定的普適性。

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