朱建華，容 萍，任 帥，郭鑫煜，高世勇*

（1.太原學(xué)院 材料與化學(xué)工程系，山西 太原 030032；2.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，黑龍江 哈爾濱 150001）

1 引 言

氧化鋅（ZnO）作為一種典型的n型半導(dǎo)體，因其具有寬帶隙（3.37 eV），大激子束縛能（60 meV）、高載流子遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、無(wú)毒及原料低廉等優(yōu)點(diǎn)，在紫外探測(cè)領(lǐng)域引起了人們的關(guān)注［1，2］。而隨著民用、工業(yè)以及軍事等領(lǐng)域?qū)μ綔y(cè)器需求的日益增長(zhǎng)，能夠探測(cè)多波段的寬光譜光電探測(cè)器逐漸成為當(dāng)今的研究熱點(diǎn)。然而，單一的ZnO材料僅能對(duì)紫外光實(shí)現(xiàn)有效探測(cè)，且其在光照下產(chǎn)生的電子空穴對(duì)復(fù)合較快，這使其探測(cè)性能降低，阻礙了ZnO基光電探測(cè)器的實(shí)際應(yīng)用［3］。

目前已報(bào)道了多種方法來(lái)抑制ZnO中光生載流子的復(fù)合，包括貴金屬修飾、元素?fù)诫s以及構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu)等。在這些方法中，構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以有效抑制電子空穴對(duì)的復(fù)合，提高其分離效率。特別是將ZnO與其它窄帶隙半導(dǎo)體耦合形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)不僅能夠提高光生載流子分離效率，而且能有效拓寬ZnO探測(cè)器的光響應(yīng)范圍，從而獲得高性能寬光譜光電探測(cè)器。目前，相關(guān)研究已有許多報(bào)道，如Zheng等人通過(guò)靜電紡絲法制備了ZnO/CdO納米線并對(duì)其探測(cè)性能進(jìn)行了研究，結(jié)果表明該探測(cè)器對(duì)波長(zhǎng)在400~800 nm內(nèi)的光具有良好的響應(yīng)［4］?；赯nO/ZnTe核殼納米棒陣列，You等人構(gòu)建了能夠在325~1 064 nm范圍內(nèi)具有寬波段響應(yīng)的光電探測(cè)器［5］。Zhang等人報(bào)道了一種ZnO/CdS異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器，其在藍(lán)光、綠光和紫外光下的響應(yīng)度分別能達(dá)到1.11×105A/W，3.83×104A/W，1.94×105A/W［6］。然而目前所報(bào)道的這些異質(zhì)結(jié)構(gòu)含有Cd或Te等有毒元素，限制了寬光譜探測(cè)器的實(shí)際應(yīng)用。因此，仍需探索一種環(huán)境友好且制備簡(jiǎn)單的異質(zhì)結(jié)構(gòu)并應(yīng)用于光電探測(cè)領(lǐng)域中。在眾多窄帶隙半導(dǎo)體中，Bi2S3不僅具有合適的帶隙（1.33 eV）、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、較強(qiáng)的可見(jiàn)光吸收能力、較高的載流子遷移率（~200 cm2·V-1·s-1）和無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)［7］，而且在室溫下通過(guò)簡(jiǎn)單的溶液法即可獲得。更重要的是，Bi2S3與ZnO之間的能帶位置可良好匹配，能夠形成Ⅱ型能帶結(jié)構(gòu)?？梢?jiàn)，將Bi2S3與ZnO耦合形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)有望獲得高性能且具有多波段響應(yīng)的寬光譜光電探測(cè)器。然而，目前關(guān)于ZnO/Bi2S3異質(zhì)結(jié)寬光譜光電探測(cè)器的研究還沒(méi)有報(bào)道。

由于一維ZnO納米棒具有大的比表面積以及高效的電子傳輸通道［8］，本文首先通過(guò)水熱反應(yīng)在FTO襯底上生長(zhǎng)了ZnO納米棒陣列。然后采用連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法在ZnO納米棒表面制備了Bi2S3量子點(diǎn)，進(jìn)而成功構(gòu)筑了ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)。并對(duì)所制備樣品的微觀形貌，晶體結(jié)構(gòu)及元素組成等進(jìn)行了分析。并以ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)作為工作電極制備了光電探測(cè)器，在紫外光（波長(zhǎng)為365 nm）和可見(jiàn)光（波長(zhǎng)為470 nm的綠光和530 nm的藍(lán)光）照射下研究了其探測(cè)性能。此外，對(duì)ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)光電探測(cè)器的探測(cè)機(jī)理也進(jìn)行了研究。

2 試驗(yàn)方法

2.1 ZnO納米棒的制備

首先在干凈的FTO襯底上通過(guò)磁控濺射儀制備ZnO種子層，之后將其置于管式爐在450℃退火2 h。配置濃度均為0.025 mol/L的乙酸鋅和六次甲基四胺溶液，并將其混合均勻。隨后，將該混合溶液轉(zhuǎn)移至聚四氟乙烯反應(yīng)釜中，并將上述濺射有ZnO種子層的FTO襯底傾斜放入其中，在90℃條件下保持4 h。待冷卻至室溫后依次用去離子水和乙醇清洗并自然晾干。

2.2 ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)的制備

室溫下采用連續(xù)離子層吸附反應(yīng)在ZnO納米棒上制備了Bi2S3量子點(diǎn)。首先分別配制濃度為0.01 mol/L的硝酸鉍和0.015 mol/L的硫代乙酰胺溶液，并按硝酸鉍溶液、去離子水、硫代乙酰胺溶液和去離子水的順序放置。隨后將生長(zhǎng)有ZnO納米棒的FTO襯底依次按順序浸入上述溶液中并分別保持1 min，此過(guò)程共進(jìn)行7次循環(huán)。最后將樣品置于空氣中自然晾干，得到ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)。

2.3 光電探測(cè)器的制備

通過(guò)熱封膜將生長(zhǎng)有ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)的FTO與鍍鉑的FTO電極熱壓黏結(jié)。隨后將聚硫電解液注入到兩電極的空腔內(nèi)并密封，得到ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)光電探測(cè)器。所用聚硫電解液是通過(guò)將0.04 mol的硫單質(zhì)，0.04 mol的硫化鈉和0.004 mol的氯化鉀溶于20 ml的水和甲醇混合液（體積比為3∶7）中獲得的。為了進(jìn)行對(duì)比，在相同條件下也制備了ZnO納米棒探測(cè)器。

2.4 樣品表征

利用掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Mi?croscope，SEM，Hitachi SU-70）及附帶的能譜儀（Energy Dispersive Spectrometer，EDS）研究樣品的微觀形貌和元素組成。采用Bruker D8 Ad?vance型X射線衍射儀（X-ray Diffraction，XRD）分析樣品的晶體結(jié)構(gòu)。此外，所制備樣品的光致發(fā)光光譜（Photoluminescence，PL）通過(guò)HORIBA HR Evolution拉曼光譜儀獲得。所制備探測(cè)器的光響應(yīng)譜通過(guò)光譜響應(yīng)測(cè)試儀（So?lar Cell Scan 100,Zolix)獲得。在零偏壓條件下，采用Keithley 2400型數(shù)字源表測(cè)試了所制備光電探測(cè)器在紫外和可見(jiàn)光照射下的光電探測(cè)性能。

3 結(jié)果與討論

圖1（a）為ZnO納米棒的低倍SEM圖，從圖中能夠明顯看到ZnO納米棒均勻且致密地生長(zhǎng)在整個(gè)FTO導(dǎo)電襯底上。從其高倍圖（圖1（b））中能夠看到ZnO納米棒表面光滑，且平均直徑約為80 nm。進(jìn)一步從圖1（b）的插圖中發(fā)現(xiàn)其頂端呈規(guī)則的六邊形，表明ZnO納米棒為六棱柱狀結(jié)構(gòu)。在沉積Bi2S3量子點(diǎn)后，其形貌如圖1（c）所示。從圖中看到樣品形貌仍保持著納米棒陣列結(jié)構(gòu)，但納米棒表現(xiàn)出輕微彎曲的特征，并且部分頂端互相交織在一起。此外，在圖1（d）中明顯看到ZnO納米棒表面粗糙，有許多致密均勻的點(diǎn)狀物，這說(shuō)明在ZnO納米棒表面制備了Bi2S3量子點(diǎn)，即成功獲得了ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合材料。

圖1 ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的SEM圖Fig.1 SEM images of ZnO nanorods and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots

采用EDS對(duì)制備好的ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的元素組成進(jìn)行分析，結(jié)果如圖2所示。圖2（a）中可以觀察到較強(qiáng)的Zn和O元素特征峰，這來(lái)源于ZnO納米棒。對(duì)于ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)（圖2（b）），除了組成ZnO的Zn和O元素的特征峰外，還發(fā)現(xiàn)了兩個(gè)新的元素峰，即來(lái)自于Bi2S3量子點(diǎn)的Bi和S元素，這進(jìn)一步表明Bi2S3量子點(diǎn)成功附著在ZnO納米棒的表面。此外，上述EDS能譜圖中均存在來(lái)源于FTO襯底的Sn元素的特征峰。

圖2 ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的EDS能譜圖Fig.2 EDS spectra of ZnO nanorods and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots

圖3給出了ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的XRD圖譜。可以看出，在ZnO納米棒的XRD圖譜中除了來(lái)自FTO襯底的特征峰外，在2θ=36°、47°和63°處出現(xiàn)了較強(qiáng)的衍射峰，分別與纖鋅礦型ZnO（JCPDS 36-1451）的（101）、（102）和（103）晶面相對(duì)應(yīng)［9］。此外，也能觀察到ZnO的（100），（002），（110）和（112）晶面對(duì)應(yīng)的衍射峰。而在ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合后，其XRD圖譜與ZnO納米棒幾乎完全一致，并沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯的Bi2S3特征峰，這可能是因?yàn)閆nO納米棒上所吸附Bi2S3量子點(diǎn)的尺寸較?。?0］。

圖3 ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of ZnO nanorods and ZnO nanoro?ds/Bi2S3 quantum dots

在無(wú)外加偏壓條件下對(duì)基于ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)制備的光電探測(cè)器進(jìn)行了光譜響應(yīng)測(cè)試以確定其光譜探測(cè)范圍，結(jié)果如圖4所示。ZnO納米棒探測(cè)器對(duì)波長(zhǎng)為300~400 nm的紫外光顯示出很強(qiáng)的響應(yīng)，而對(duì)波長(zhǎng)大于400 nm的光幾乎沒(méi)有任何響應(yīng)。對(duì)于ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器，其在光波長(zhǎng)為300~400 nm的范圍內(nèi)同樣具有良好的響應(yīng)，而且相比于ZnO納米棒探測(cè)器的響應(yīng)強(qiáng)度明顯增強(qiáng)。同時(shí)，ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器對(duì)波長(zhǎng)為400~700 nm的可見(jiàn)光也顯示了較好的響應(yīng)，這說(shuō)明了ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)耦合形成異質(zhì)結(jié)后不僅可提高探測(cè)器的光電流，并能有效拓寬其光探測(cè)范圍。

圖4 ZnO納米棒探測(cè)器和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的光譜響應(yīng)圖譜Fig.4 Photoresponse spectra of ZnO nanorods photode?tector and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots pho?todetector

為了評(píng)估ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的紫外探測(cè)性能，模擬光源采用波長(zhǎng)為365 nm的紫外光，在零偏壓下通過(guò)開(kāi)啟/關(guān)閉紫外光（以照射紫外光10 s、關(guān)閉紫外光10 s為一個(gè)周期）測(cè)試了ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的光電流隨時(shí)間的變化，光電流響應(yīng)曲線如圖5所示。從圖中可以明顯看出，當(dāng)紫外光照射時(shí)，ZnO納米棒探測(cè)器立刻產(chǎn)生光電流并迅速上升至最大值，并且保持穩(wěn)定（光電流大小為0.075 mA）。而關(guān)閉紫外光后，ZnO納米棒探測(cè)器的光電流快速下降并恢復(fù)到靜默狀態(tài)。此外，在8個(gè)周期的循環(huán)測(cè)試中，發(fā)現(xiàn)ZnO納米棒探測(cè)器基本都保持了相同的變化規(guī)律，同時(shí)產(chǎn)生的光電流也幾乎沒(méi)有衰減，這表明該探測(cè)器對(duì)紫外光具有良好的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。相同條件下，對(duì)ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器也進(jìn)行了紫外探測(cè)性能研究，結(jié)果表明ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器對(duì)紫外光也顯示出良好的穩(wěn)定循環(huán)性。并且該探測(cè)器在紫外光照射下的穩(wěn)定光電流約為0.14 mA，相比ZnO納米棒探測(cè)器的穩(wěn)定光電流增大了約0.065 mA，這進(jìn)一步證實(shí)了Bi2S3量子點(diǎn)與ZnO納米棒復(fù)合后能夠提升其對(duì)紫外光的探測(cè)性能。

圖5 ZnO納米棒探測(cè)器和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器在開(kāi)/關(guān)紫外光下的光電流響應(yīng)特性曲線Fig.5 Time dependent photocurrent response curves of ZnO nanorods photodetector and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots photodetector under on/off UV illumination

采用波長(zhǎng)為470 nm的藍(lán)光模擬可見(jiàn)光源來(lái)研究基于ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光的探測(cè)性能，結(jié)果如圖6（a）所示。從圖中明顯看到ZnO納米棒探測(cè)器無(wú)論是在有無(wú)藍(lán)光照射下均沒(méi)有光電流出現(xiàn)，說(shuō)明其不能對(duì)藍(lán)光實(shí)現(xiàn)有效探測(cè)。當(dāng)藍(lán)光照射到ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的瞬間，其光電流快速上升并達(dá)到最大值，并基本保持恒定（光電流大小為0.09 mA）。當(dāng)關(guān)閉藍(lán)光后，光電流又迅速恢復(fù)至初始狀態(tài)。同時(shí)，ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的光電流在8個(gè)循環(huán)周期后沒(méi)有明顯的下降趨勢(shì)。

此外，使用波長(zhǎng)為530 nm的綠光照射基于ZnO納米棒和基于ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器以進(jìn)一步研究其可見(jiàn)光探測(cè)性能。從圖6（b）中可以看到ZnO納米棒探測(cè)器在綠光照射下依然保持靜默狀態(tài)，沒(méi)有光電流產(chǎn)生。而當(dāng)綠光照射在ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器上時(shí)，其光電流迅速上升至最大值。在循環(huán)測(cè)試8個(gè)周期后，ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的穩(wěn)定光電流仍約為0.07 mA，幾乎沒(méi)有衰減。這與在藍(lán)光照射下的光電響應(yīng)結(jié)果類似，可見(jiàn)ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光也顯示出了穩(wěn)定的探測(cè)能力。上述結(jié)果表明ZnO納米棒在與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合后，不僅提高了ZnO在紫外波段內(nèi)的探測(cè)性能，而且能夠成功將探測(cè)范圍從紫外拓寬到可見(jiàn)光波段，從而獲得高性能的寬光譜光電探測(cè)器。

圖6 ZnO納米棒探測(cè)器和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器在開(kāi)/關(guān)藍(lán)光和綠光下的響應(yīng)特性曲線Fig.6 Time dependent current response curves of ZnO nanorods photodetector and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots pho?todetector under on/off blue and green light illumination

響應(yīng)速度被認(rèn)為是評(píng)估探測(cè)器性能的主要參數(shù)之一，由光電流從0增加到其最大值的1-1/e所需的上升時(shí)間（τr）和光電流從最大值衰減至其1/e所需的下降時(shí)間（τd）作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)［11］。圖7（a）為ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)探測(cè)器在紫外光照射下的響應(yīng)速度，可見(jiàn)所制備探測(cè)器的上升和下降時(shí)間分別為29 ms和32 ms。此外，對(duì)該異質(zhì)結(jié)探測(cè)器在可見(jiàn)光照射下的響應(yīng)速度也進(jìn)行了分析，如圖7（b）和7（c）所示。能夠看出ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)探測(cè)器在藍(lán)光和綠光照射下的上升和下降時(shí)間均分別小于30 ms和70 ms，這表明該探測(cè)器對(duì)紫外光和可見(jiàn)光都具有快速響應(yīng)的能力。

圖7 ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器在開(kāi)/關(guān)不同光下的響應(yīng)特性曲線Fig.7 Response characteristic curves of ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots photodetector under on/off different light illu?mination

一般來(lái)說(shuō)，PL光譜的峰越強(qiáng)，意味著電子和空穴的復(fù)合率越高，即光生電子-空穴的分離效率越低［12］。為了分析構(gòu)建異質(zhì)結(jié)對(duì)ZnO光生載流子分離的影響，在室溫下測(cè)試了ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合前后的PL光譜，結(jié)果如圖8所示。從圖中能夠明顯看到ZnO納米棒在380 nm左右出現(xiàn)了較尖銳的紫外發(fā)光峰，這是由于ZnO帶邊自由電子與空穴之間復(fù)合產(chǎn)生的［13］。在可見(jiàn)光區(qū)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)ZnO納米棒的發(fā)光峰，說(shuō)明制備的ZnO納米棒的結(jié)晶質(zhì)量較高［14］。與ZnO納米棒相比，ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)在約380 nm的紫外發(fā)射峰的強(qiáng)度遠(yuǎn)低于ZnO納米棒，這說(shuō)明ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合形成異質(zhì)結(jié)后能有效減少電子空穴對(duì)的復(fù)合，進(jìn)而提升其光生載流子分離效率。

圖8 ZnO納米棒和ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的光致發(fā)光譜Fig.8 PL spectra of ZnO nanorods and ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots

基于以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果，對(duì)ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的探測(cè)機(jī)理進(jìn)行了分析，其示意圖如圖9所示。因ZnO的導(dǎo)帶和價(jià)帶位置均高于Bi2S3，兩者可形成Ⅱ型能帶結(jié)構(gòu)［15］。由于照射在ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)上的紫外光的光子能量較大，因此ZnO和Bi2S3均能吸收相應(yīng)光子的能量，進(jìn)而將各自價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，并在價(jià)帶上留下同等數(shù)量的空穴，即產(chǎn)生光生電子空穴對(duì)。Bi2S3導(dǎo)帶上的電子會(huì)遷移到ZnO，而ZnO價(jià)帶中的空穴會(huì)遷移到Bi2S3的價(jià)帶，從而使ZnO中的光生載流子得到有效分離。

當(dāng)可見(jiàn)光照射時(shí)，ZnO對(duì)其沒(méi)有光響應(yīng)，幾乎不產(chǎn)生光電流，這主要是因?yàn)閆nO的禁帶寬度大于照射在其表面的光子能量，因而無(wú)法產(chǎn)生光生載流子。而對(duì)于窄帶隙Bi2S3，其能夠吸收大于其禁帶寬度的光子，使其價(jià)帶上的電子躍遷至導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對(duì)。在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，位于Bi2S3導(dǎo)帶上的電子會(huì)轉(zhuǎn)移至ZnO的導(dǎo)帶上，進(jìn)而促進(jìn)了光生載流子的分離。光生電子通過(guò)外電路到達(dá)對(duì)電極后與Sn2-反應(yīng)生成S2-和Sn-12-。相應(yīng)的，留在Bi2S3價(jià)帶上的空穴將與電解液中的S2-反應(yīng)生成S單質(zhì)，進(jìn)而與Sn-12-反應(yīng)生成Sn2-［16］。S2-和Sn2-被反復(fù)消耗并不斷再生，這種往復(fù)循環(huán)使電路中產(chǎn)生穩(wěn)定持續(xù)的光電流。因此，ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合后不僅有效增強(qiáng)ZnO的紫外探測(cè)性能，并且能夠?qū)梢?jiàn)光實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的探測(cè)。

圖9 ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器的探測(cè)機(jī)理圖Fig.9 Detecting mechanism of ZnO nanorods/Bi2S3 quantum dots photodetector

4 結(jié) 論

本文中采用水熱法在FTO襯底上制備了ZnO納米棒陣列，并在室溫下通過(guò)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)在ZnO納米棒上生長(zhǎng)了Bi2S3量子點(diǎn)，成功構(gòu)建了ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)。PL光譜表明ZnO納米棒與Bi2S3量子點(diǎn)復(fù)合后能有效抑制電子空穴對(duì)的復(fù)合，促進(jìn)了光生載流子的分離。此外，制備了基于ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)的光電探測(cè)器，并在零偏壓下研究了其探測(cè)性能。結(jié)果表明，相比于ZnO納米棒探測(cè)器，ZnO納米棒/Bi2S3量子點(diǎn)探測(cè)器不僅在紫外光照射下的光電流增加了約0.065 mA，而