黃益軍, 席赟杰
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所, 江蘇 無(wú)錫 214072)
某型號(hào)設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間供電使用后出現(xiàn)了陶封器件部分功能異常失效情況。 該器件應(yīng)用于某型號(hào)設(shè)備中, 是高速光電耦合器, 具有電壓轉(zhuǎn)換和脈沖數(shù)字信號(hào)隔離的功能, 并且被廣泛地應(yīng)用于軍工、 航天領(lǐng)域的電子產(chǎn)品中。
該器件為扁平封裝(FP: Flat Package) 的結(jié)構(gòu),雙邊引線從陶瓷芯片載體底部?jī)蓚?cè)平直地伸出。
本文針對(duì)該型FP 封裝器件在使用過(guò)程中暴露的失效模式進(jìn)行了分析、 試驗(yàn)、 復(fù)現(xiàn), 提出了兩種可以避免失效的工藝方法, 并通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的有效性, 對(duì)于避免失效模式重復(fù)發(fā)生具有重要的意義。
某型號(hào)設(shè)備在濕熱環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)運(yùn)行后出現(xiàn)設(shè)備報(bào)故, 分析發(fā)現(xiàn)一路通道無(wú)法正常發(fā)送數(shù)據(jù), 發(fā)送的均為錯(cuò)誤幀; 該通道接收到的數(shù)據(jù)為全零。 經(jīng)故障排查, 定位為光電耦合器電路故障。
對(duì)問(wèn)題板卡進(jìn)行鏡檢, 發(fā)現(xiàn)兩只光耦引腳根部存在黃色膠狀物質(zhì)、 三防漆膜不完整和黃色膠狀物質(zhì)暴露在焊點(diǎn)外部等問(wèn)題。 使用萬(wàn)用表測(cè)量被黃色膠狀物包裹的引腳之間的阻抗, 其阻值為幾十歐姆, 正常主板引腳之間為開(kāi)路狀態(tài)。 將黃色膠狀物質(zhì)去除后, 輸出信號(hào)和接收信號(hào)正常, 故障現(xiàn)象消失, 故判斷該光電耦合器故障是由于其焊點(diǎn)外部的黃色膠狀物質(zhì)導(dǎo)致。
光耦為單通道形式, 通道采用GaAlAs 紅外發(fā)光二極管與單片集成高速光探測(cè)相耦合。 其工作溫度范圍為: -55~+125 ℃, 外形尺寸為: 11.5 mm×5.2 mm×2.75 mm。 器件外形如圖1 所示。 該光耦是金屬陶瓷FP06 引線封裝結(jié)構(gòu), 但與塑封FP 封裝不同, 其引腳并未從封裝本體側(cè)面引出折彎, 而是燒結(jié)于管殼底部的焊盤并從器件底部平直地伸出。 這類引線結(jié)構(gòu)的FP 封裝在國(guó)產(chǎn)化小型陶封器件中非常常見(jiàn)。
圖1 器件外形圖
生產(chǎn)流程包括: 去金搪錫、 電子裝聯(lián)、 清洗、焊接后專驗(yàn)、 三防涂覆、 保護(hù)劑涂覆和點(diǎn)膠, 以及終檢。 生產(chǎn)流程如圖2 所示。
圖2 電子裝聯(lián)生產(chǎn)過(guò)程
2.2.1 去金搪錫
鍍金引線或焊端均應(yīng)進(jìn)行除金處理。 尤其是在高溫高濕的惡劣環(huán)境下, 如果有引線鍍金表面貼裝器件不進(jìn)行去金處理, 則會(huì)對(duì)產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性造成較大的影響。 為了保證搪錫結(jié)果的一致性,采用兩鍋法對(duì)該器件引線焊接部位進(jìn)行去金搪錫,待自然冷卻后再用浸有無(wú)水乙醇的脫脂棉擦洗搪錫部位。
2.2.2 焊接
該器件屬于FP 型表面貼裝器件, 使用再流焊工藝進(jìn)行焊接。 首先, 使用定制鋼網(wǎng)在印制板上印刷焊膏; 然后, 用機(jī)器將器件貼裝至對(duì)應(yīng)位置, 調(diào)整合適的再流焊工藝參數(shù), 進(jìn)行再流焊生產(chǎn)。
2.2.3 清洗
焊接完成后, 對(duì)焊接部位100%進(jìn)行清洗。
2.2.4 專驗(yàn)
使用5 倍放大鏡對(duì)清洗后的板卡進(jìn)行檢查, 發(fā)現(xiàn)組件表面不存在殘留物。
2.2.5 三防漆涂覆
三防漆選用聚氨酯三防漆, 型號(hào)為TS01-3,為了保證涂覆質(zhì)量的一致性, 選用三防涂覆機(jī)自動(dòng)噴涂, 控制噴涂參數(shù), 三防漆干膜的厚度為30~50 μm[1]。
2.2.6 保護(hù)劑涂覆
參照QJ 3258—2005 《航天電子電產(chǎn)品硅橡膠粘固及灌封技術(shù)要求》, 點(diǎn)刷GD414 硅橡膠前, 需要在三防漆表面涂覆一層DBSF6101, 刷涂厚度為15~20 μm。
2.2.7 點(diǎn)膠
根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際情況, 加固方式是使用硅橡膠進(jìn)行粘固。 按照工藝文件要求在規(guī)定的位置進(jìn)行點(diǎn)膠處理, 在溫度為20~35 ℃、 濕度大于40%的條件下固化24 h。
2.2.8 終檢
使用5 倍放大鏡對(duì)點(diǎn)膠后的板卡進(jìn)行檢查, 發(fā)現(xiàn)組件表面不存在殘留物。
2.3.1 多余物的成分分析
如圖3 所示, 異常器件拆卸后發(fā)現(xiàn)焊料浸潤(rùn)到了引線根部, 同時(shí)還發(fā)現(xiàn)有黃色異物從器件引腳延伸至器件底部。
圖3 器件鏡檢圖
經(jīng)失效分析, 試驗(yàn)室判斷其黃色物質(zhì)中含有助焊劑成分。 再對(duì)黃色膠狀物進(jìn)行EDS 分析, 發(fā)現(xiàn)黃色異物的主要元素成分為碳和氧, 同時(shí)含有少量的錫、 鉛和硅等元素。 具體的元素含量如表1、 圖4所示。
表1 黃色膠狀物的成分表
圖4 黃色膠狀物的成分
助焊劑是焊膏中的重要組成部分, 在焊膏中一般體積占比為50%左右。 助焊劑在焊接過(guò)程中起到清除表面氧化、 傳遞熱量、 降低焊接面表面張力和防止二次氧化等作用[2]。 軍用模塊板卡電子裝聯(lián)所使用的助焊劑為中等活性松香助焊劑(RMA),主要成分為松香、 羥酸類活化劑和乙醇。 其中, 松香主要由松香酸(70%~85%) 和胡椒酸(10%~15%) 組成, 松香酸和胡椒酸均為有機(jī)酸。 采用該類助焊劑焊接產(chǎn)生的殘留物主要是聚合松香、 未參與反應(yīng)的活化劑、 松香酸鹽(高溫過(guò)程中松香與焊接面氧化層以及焊料間的反應(yīng)產(chǎn)物) 等。
產(chǎn)品所使用的三防漆為TS01-3, 屬于聚氨酯類三防漆。 TS01-3 上噴涂的保護(hù)劑DBSF6101 主要成分為乙烯基三特丁基過(guò)氧硅烷。
焊接所使用的錫膏除助焊劑外的金屬成分為錫鉛, 即Sn63Pb37。
助焊劑、 三防漆和三防保護(hù)劑是黃色膠狀物中碳、 氧元素的主要來(lái)源, 焊膏是黃色膠狀物中錫、 鉛元素的主要來(lái)源, 而硅元素主要來(lái)自于三防保護(hù)劑。
結(jié)合生產(chǎn)過(guò)程和黃色膠狀物EDS 分析結(jié)果,可以判定黃色膠狀物為助焊劑、 三防漆和焊料的混合物。
2.3.2 多余物的形成原因
國(guó)產(chǎn)化陶瓷封裝FP 結(jié)構(gòu)的引線從器件底部平直地伸出, 器件底部距PCB 板表面距離為0.1 mm,焊接過(guò)程中產(chǎn)生的助焊劑殘留因毛細(xì)作用延引腳擴(kuò)散至器件底部。 在清洗過(guò)程中, 溶液未能將助焊劑完全溶解, 僅將器件引腳表面及末端處助焊劑清除。 引腳根部及器件底部仍有助焊劑殘留。
助焊劑的殘留會(huì)導(dǎo)致三防漆在污染區(qū)域出現(xiàn)退潤(rùn)濕現(xiàn)象, 使得三防漆無(wú)法緊密地貼合在被涂覆面上, 導(dǎo)致漆膜有缺陷。 產(chǎn)品在使用過(guò)程中, 缺陷處的助焊劑殘留物會(huì)持續(xù)地吸取空氣中的水氣而膨脹, 引起漆膜分層; 漆膜分層又?jǐn)U大了三防漆的缺陷點(diǎn), 進(jìn)而加快了缺陷處吸附水氣。 在高溫高濕的環(huán)境試驗(yàn)和長(zhǎng)時(shí)間使用后, 助焊劑殘留物逐漸地變成黃色膠狀物, 并變大覆蓋到器件兩個(gè)引腳。
2.3.3 阻抗降低原因
助焊劑殘留物為固態(tài), 此時(shí)其中的有機(jī)酸鹽處在非游離態(tài), 這些離子是無(wú)法自由活動(dòng)的。 當(dāng)助焊劑殘留物在環(huán)境中吸潮形成水合物時(shí), 其中部分離子變成游離態(tài)[3]。
出現(xiàn)失效的器件兩個(gè)引腳在正常工作時(shí)會(huì)有固定的電勢(shì)差。 處在游離態(tài)的離子在定向電勢(shì)差下,沿著電勢(shì)差方向形成電遷移。 在長(zhǎng)時(shí)間加電后, 游離態(tài)離子會(huì)逐漸地增加, 最終形成低阻通道, 造成阻抗異常。
2.3.4 失效機(jī)理綜述
器件功能失效的主要原因是國(guó)產(chǎn)化陶瓷封裝FP 結(jié)構(gòu)的引線從器件底部平直伸出, 器件底部與PCB 板縫隙較小, 器件焊接后清洗不干凈, 導(dǎo)致助焊劑殘留在器件底部。 其中, 助焊劑殘留較多的地方影響三防涂覆, 漆膜不完整。 在高溫高濕的環(huán)境下隨著時(shí)間的累積, 助焊劑殘留物吸潮后形成黃色膠狀物, 長(zhǎng)時(shí)間加電下黃色膠狀物內(nèi)的離子發(fā)生遷移, 形成低阻通路, 阻抗逐漸地降低直至失效。
2.4.1 復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)
為了驗(yàn)證上節(jié)失效機(jī)理分析的正確性, 組織了異常的復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。 選用相同的封裝器件, 按2.2 節(jié)所述的生產(chǎn)工藝對(duì)試驗(yàn)器件進(jìn)行電裝、 三防。 生產(chǎn)完成后對(duì)樣品進(jìn)行環(huán)境試驗(yàn), 環(huán)境試驗(yàn)分為溫度循環(huán)試驗(yàn)和交變濕熱試驗(yàn)[4], 以模擬產(chǎn)品在真實(shí)的使用環(huán)境下的工作狀態(tài)。 在溫循和交變濕熱試驗(yàn)過(guò)程中每個(gè)周期結(jié)束通過(guò)測(cè)試點(diǎn)對(duì)器件引腳間的阻抗進(jìn)行測(cè)試, 分別在溫度循環(huán)試驗(yàn)和交變濕熱試驗(yàn)結(jié)束后進(jìn)行外觀目檢。
2.4.2 試驗(yàn)條件
a) 溫度循環(huán)試驗(yàn)
1) 溫度: -40~70 ℃;
2) 升降溫速率: 10 ℃/min;
3) 保溫時(shí)間: 試驗(yàn)上、 下限保溫時(shí)間以熱透、冷透為原則, 保溫時(shí)間為1 h;
4) 循環(huán)次數(shù): 10 個(gè)周期循環(huán), 溫度循環(huán)試驗(yàn)條件如圖5 所示;
圖5 溫度循環(huán)試驗(yàn)條件
5) 通電測(cè)試: 在升溫的起點(diǎn)通電, 在降溫的起點(diǎn)斷電。
b) 交變濕熱試驗(yàn)
交變濕熱試驗(yàn)為10 個(gè)周期, 一個(gè)周期為24 h, 分為4 個(gè)階段, 在第五個(gè)周期和第十個(gè)周期結(jié)束前, 溫度為30 ℃、 相對(duì)濕度為95%, 通電測(cè)試功能, 交變濕熱試驗(yàn)條件如圖6 所示。
圖6 交變濕熱試驗(yàn)條件
1) 第一階段: 調(diào)節(jié)濕熱箱內(nèi)溫度為+30 ℃、相對(duì)濕度為95%, 在2 h 內(nèi), 將箱內(nèi)溫度從30 ℃升高到60 ℃;
2) 第二階段: 維持箱內(nèi)溫度為60 ℃、 相對(duì)濕度為95%, 持續(xù)6 h;
3) 第三階段: 在8 h 內(nèi), 將箱內(nèi)溫度從60 ℃降至30 ℃, 保持相對(duì)濕度在95%;
4) 第四階段: 保持箱內(nèi)溫度為30 ℃、 相對(duì)濕度為95%, 持續(xù)8 h。
2.4.3 試驗(yàn)結(jié)果
試驗(yàn)前的焊點(diǎn)外觀圖如圖7 所示, 試驗(yàn)后的焊點(diǎn)外觀圖如圖8 所示。 對(duì)比試驗(yàn)前后同一器件的同一側(cè)引腳的外觀發(fā)現(xiàn): 器件焊點(diǎn)的外觀表面有明顯的變化, 試驗(yàn)后的焊點(diǎn)表面有很明顯的黃色膠狀物出現(xiàn)。
圖7 試驗(yàn)前的焊點(diǎn)外觀圖
圖8 試驗(yàn)后的焊點(diǎn)外觀圖
試驗(yàn)樣件引腳間的阻抗測(cè)試結(jié)果如表1 所示,對(duì)比出現(xiàn)黃色膠狀物的引腳試驗(yàn)前后阻抗結(jié)果, 發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)黃色膠狀物的引腳之間的阻抗下降趨勢(shì)較為明顯。
表1 試驗(yàn)前后的阻抗測(cè)試記錄
復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)中30%的樣品出現(xiàn)了與故障產(chǎn)品相同的失效現(xiàn)象。
由此, 雙邊引線從陶瓷芯片載體底部?jī)蓚?cè)平直伸出的FP 封裝結(jié)構(gòu)器件在正常再流焊焊接工藝中的重復(fù)性失效問(wèn)題得到復(fù)現(xiàn)。
為了解決該問(wèn)題, 根據(jù)失效機(jī)理分析, 提出以下兩種解決方案。
a) 控制引線焊接的焊點(diǎn)長(zhǎng)度
首先, 在去金搪錫時(shí), 要求控制搪錫部位, 不得觸碰本體, 搪錫區(qū)域距離本體1 mm, 通過(guò)焊盤設(shè)計(jì)和鋼網(wǎng)開(kāi)口設(shè)計(jì), 使焊接完的引腳焊點(diǎn)處焊錫不接觸器件本體, 距離引腳根部0.5 mm 以上, 防止焊劑擴(kuò)散至器件底部, 如圖9 所示。
圖9 控制引線焊接的焊點(diǎn)長(zhǎng)度示意圖
b) 引腳成型抬高器件本體
該類器件結(jié)構(gòu)的典型特征是引線從陶瓷芯片載體底部?jī)蓚?cè)平直地伸出, 為了抬高器件本體, 需要定制專用工裝, 將引線伸出殼體部分打彎成型[5]。器件抬高的高度控制在0.5~1 mm, 這樣一來(lái), 清洗溶劑便可以輕易地進(jìn)入器件底部清除助焊劑等多余物。 同時(shí), 通過(guò)顯微鏡可以方便地看出底部有無(wú)異物殘留, 如圖10 所示。
圖10 引腳成型抬高器件本體示意圖
為了驗(yàn)證改進(jìn)措施的有效性, 按照上述兩個(gè)改進(jìn)方案進(jìn)行了有效試驗(yàn)驗(yàn)證工作。 兩種方案各制作10 個(gè)樣本進(jìn)行驗(yàn)證, 試驗(yàn)流程同2.4.2 節(jié)。 改善后試驗(yàn)前后的外觀圖如圖11-12 所示, 驗(yàn)證結(jié)果為:20 個(gè)樣本的環(huán)境試驗(yàn)前后焊點(diǎn)表面的外觀均無(wú)異常, 沒(méi)有黃色多余物出現(xiàn); 同樣阻抗測(cè)試均為斷路, 無(wú)阻抗下降現(xiàn)象。 兩個(gè)改進(jìn)方案的有效性得到了試驗(yàn)驗(yàn)證。
圖11 控制引線焊接前后對(duì)照?qǐng)D
圖12 引腳成型抬高器件前后對(duì)照?qǐng)D
通過(guò)以上試驗(yàn)發(fā)現(xiàn), 雙邊引線從陶瓷芯片載體底部?jī)蓚?cè)平直伸出的FP 封裝結(jié)構(gòu)器件, 因其結(jié)構(gòu)原因, 器件離板高度較低, 以常規(guī)SMT 焊接工藝進(jìn)行焊接, 助焊劑會(huì)流到器件底部; 受清洗工藝的局限性影響, 助焊劑殘留在器件底部; 在高溫高濕的環(huán)境下, 助焊劑析出與三防漆形成黃色膠狀物,吸收空氣中的水分, 為黃色膠狀物中的離子提供自由活動(dòng)的載體, 長(zhǎng)時(shí)間加電后發(fā)生離子遷移, 形成低阻通道, 進(jìn)而導(dǎo)致阻抗異常, 觸發(fā)故障現(xiàn)象。 試驗(yàn)結(jié)果與原因分析一致。 通過(guò)改善器件引線的成型方式和優(yōu)化器件版圖設(shè)計(jì)、 焊接工藝這兩種改進(jìn)措施對(duì)器件處理后, 環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)前后器件引線焊接表面形貌無(wú)變化, 試驗(yàn)結(jié)果同理論分析一致。
本文對(duì)某型設(shè)備報(bào)故的現(xiàn)象進(jìn)行了分析, 找到了故障的原因, 對(duì)故障進(jìn)行了復(fù)現(xiàn), 提出了改進(jìn)措施, 并對(duì)改進(jìn)措施的有效性進(jìn)行了試驗(yàn)驗(yàn)證。 同時(shí), 通過(guò)分析發(fā)現(xiàn), 對(duì)于雙邊引線從陶瓷芯片載體底部?jī)蓚?cè)平直伸出的FP 封裝結(jié)構(gòu)器件而言, 由于器件本身結(jié)構(gòu)問(wèn)題, 使用常規(guī)的SMT 生產(chǎn)工藝, 會(huì)出現(xiàn)助焊劑殘留在器件底部無(wú)法清洗干凈, 在使用中會(huì)析出形成一個(gè)類似低阻通道的載體,出現(xiàn)功能故障的問(wèn)題, 對(duì)此可根據(jù)產(chǎn)品的特點(diǎn)采取改善器件引線的成型方式和優(yōu)化器件版圖設(shè)計(jì)、 焊接工藝這兩種改進(jìn)措施進(jìn)行解決。