沈 斌, 楊海洋, 劉新蕾, 姜雷鳴
(黑龍江科技大學 安全工程學院, 哈爾濱 150022)
隨著聲表面波(SAW)器件制造水平的不斷提升,SAW器件向著體積小、靈敏度高及易集成方向發(fā)展,逐漸應用于多個領域。叉指換能器結(jié)構(gòu)是影響SAW氣體傳感器性能的重要因素,近年來,高性能叉指換能器是的研究熱點。Hartmann等[1]提出具有低損耗的單相單向換能器(SPUDT)。中國科學院聲學研究所在設計SAW傳感器時,采用SPUDT結(jié)構(gòu)用于降低插入損耗實現(xiàn)單向傳播[2]。Shuai等[3]通過有限元分析,得到雙向叉指換能器(IDT)結(jié)構(gòu)的參數(shù)對SAW器件的機電耦合性能產(chǎn)生一定的影響。Zhai等[4]利用有限元軟件,設計浮動電極單向換能器(FEUDT)結(jié)構(gòu)的SAW傳感器,通過與傳統(tǒng)的單電極換能器構(gòu)建的SAW傳感器進行了對比分析,獲得FEUDT結(jié)構(gòu)可以有效降低SAW傳感器的插入損耗。翟佳鑫等[5]通過COMSOL有限元仿真軟件設計了低損耗FEUDT結(jié)構(gòu)的諧振型和延遲線型SAW氣體傳感器。以上研究表明,雖然單向叉指換能器(UDT)結(jié)構(gòu)被越來越多的學者研究與使用。但是相較于IDT結(jié)構(gòu),UDT結(jié)構(gòu)能夠降低SAW氣體傳感器的插損尚未研究清晰,在UDT結(jié)構(gòu)中,F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)的SAW氣體傳感器使用較多,筆者通過設計特征頻率為204 MHz的FEUDT和IDT結(jié)構(gòu)模型,研究兩種結(jié)構(gòu)輸出端的插入損耗,揭示FEUDT結(jié)構(gòu)的低損耗性。
通過COMSOL有限元仿真軟件,基于固體力學和靜電學物理場[6-8],利用SAW氣體傳感器的周期性結(jié)構(gòu),選取其中一個周期單元進行二維建模[9]。其幾何參數(shù)如表1所示。其中:λ為波長;p為電極中心間距;b為電極寬度;a為電極間隙;h為電極厚度;d為壓電基底的厚度。
根據(jù)上述參數(shù)建立SAW傳感器的幾何模型,在IDT結(jié)構(gòu)中,對電極1施加終端條件,電極2施加接地條件。在FEUDT結(jié)構(gòu)中,分別對電極1和4施加終端和接地條件,對電極2和5施加以懸浮電位條件,對電極3和6施加以表面電荷密度為零的條件[10]。
根據(jù)周期性結(jié)構(gòu)條件,IDT結(jié)構(gòu)的每一個周期單元由2個電極構(gòu)成[11],而FEUDT結(jié)構(gòu)的每一個周期單元則是由6個電極構(gòu)成。IDT結(jié)構(gòu)和FEUDT結(jié)構(gòu)的示意與二維模型分別如圖1和2所示。
選取YZ-LiNbO3作為壓電基底材料,其標準傳播速度為3 488 m/s。兩類結(jié)構(gòu)的SAW氣體傳感器特征頻率預期為204 MHz。選取聲阻抗較小的Al作為叉指電極材料,其楊氏模量E為7×1010Pa,泊松比μ為0.33,密度ρ為2.7×103kg/m3。
對SAW氣體傳感器結(jié)構(gòu)施加相應的邊界條件,上表面邊界條件ГT,機械邊界條件為自由邊界條件,電邊界條件為零電荷邊界條件;下表面邊界條件ГB,機械邊界條件為固定約束邊界條件,電邊界條件為零電荷邊界條件;左右邊界條件ГL和ГR,機械和電邊界條件均為周期性邊界條件。
對模型劃分網(wǎng)絡過程中,考慮SAW主要沿介質(zhì)表面?zhèn)鞑サ奶匦?,因此,將模型的上部精細劃分,下部的進行大網(wǎng)格劃分,以減少計算量,提高仿真效率。IDT結(jié)構(gòu)與FEUDT結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格劃分如圖3所示。
模態(tài)是壓電基片的固有特性,通過模態(tài)分析,計算出SAW器件每個模態(tài)下的諧振頻率,獲得器件結(jié)構(gòu)的相關參數(shù)。通過COMSOL有限元軟件分別對IDT和FEUDT結(jié)構(gòu)進行仿真,得到SAW的對稱模態(tài)和反對稱模態(tài),如圖4和5所示。
從圖4和5可以看出,IDT結(jié)構(gòu)的諧振頻率fsc+與反諧振頻率fsc-分別約為202.47和205.7 MHz,F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)的fsc+與fsc-分別約為202.92和205.6 MHz。特征頻率計算公式為
(1)
式中:fsc+——諧振頻率;
fsc-——反諧振頻率。
由式(1)可求得,IDT結(jié)構(gòu)的特征頻率為204.085 MHz,F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)的特征頻率為204.26 MHz,所設計的兩類結(jié)構(gòu)的特征頻率基本一致
(2)
通過式(2)計算得,SAW氣體傳感器的有效波速vs約為3 447 m/s,與標準YZ-LiNbO3的波速3 488 m/s有所降低。其主要是由于SAW在傳播過程中,電極對聲波的傳播有一定的阻礙作用,導致其波速下降[13]。
在相同特征頻率下,分析其導納,通過研究添加頻域,在特征頻率204 MHz周圍進行掃頻,掃頻范圍為190~220 MHz。
(3)
式中:Y——導納;
V——激勵電壓;
ω——角頻率;
Q——激勵電極所帶電荷量。
根據(jù)計算激勵產(chǎn)生的電流或電荷,由式(3)求出IDT及FEUDT結(jié)構(gòu)的導納值,得到SAW氣體傳感器的頻率-導納特性曲線,如圖6所示。
圖中,foc+為高邊帶開路柵頻率;foc-為低邊帶開路柵頻率;foc+為高邊帶短路柵頻率;foc-為低邊帶短路柵頻率。
從圖6a可以看出,IDT結(jié)構(gòu)只有極小值點fsc和極大值點foc。在圖6b中,F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)存在兩個極大值點foc-和foc+,兩個極小值點foc-和foc+,F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)四個極值點的邊帶頻率各不相同,說明該結(jié)構(gòu)具有單向傳播性[10]。
插入損耗是SAW器件的一個關鍵指標,是指聲波在器件表面?zhèn)鞑ミ^程中的衰減程度[11-13]。插入損耗的表達式為
βIL=20lg|F(Uo)/F(Ui)|,
(4)
式中:βIL——插入損耗;
F(Uo)——器件輸出電壓的傅里葉變換;
F(Ui)——器件輸入電壓的傅里葉變換。
仿真時采用時域研究,將時域分析的結(jié)果轉(zhuǎn)成頻域,利用式(4),分別求出SAW傳感器兩個傳播方向上的插入損耗。IDT結(jié)構(gòu)和FEUDT結(jié)構(gòu)插入損耗的仿真結(jié)果如圖7和8所示。
從圖7和8可以看出,在特征頻率為204 MHz時,IDT結(jié)構(gòu)的SAW傳感器輸出端1與輸出端2的插入損耗十分相近,分別約為9.398和9.113 dB,說明基本沒有損耗降低。而FEUDT結(jié)構(gòu)輸出端1的插入損耗比輸出端2的大4 dB左右,有明顯降低損耗的作用。
利用COMSOL有限元仿真分析軟件,通過添加固體力學和靜電學物理場,設計了FEUDT和IDT兩種結(jié)構(gòu)模型,對比分析兩種結(jié)構(gòu)性能,得出FEUDT結(jié)構(gòu)能有效降低SAW在傳播過程中所產(chǎn)生的損耗。
(1)借助COMSOL有限元軟件,設計出特征頻率為204 MHz的IDT和FEUDT結(jié)構(gòu)模型,通過模態(tài)分析計算出兩種結(jié)構(gòu)的有效波速為3 447 m/s,比標準YZ-LiNbO3中的波速3 488 m/s略低。
(2)對比IDT和FEUDT結(jié)構(gòu)的SAW傳播特性,通過導納分析發(fā)現(xiàn),F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)四個各不相同的邊帶頻率,表明FEUDT結(jié)構(gòu)具有單向傳播性。
(3)通過插入損耗分析發(fā)現(xiàn),F(xiàn)EUDT結(jié)構(gòu)相較于IDT結(jié)構(gòu),能降低SAW氣體傳感器4 dB左右的插損。FEUDT結(jié)構(gòu)的設計優(yōu)化了傳感器本身的結(jié)構(gòu)特征,提高了SAW氣體傳感器的敏感性能。