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        2.8%~3.2%Si對薄規(guī)格無取向硅鋼磁性能影響規(guī)律研究

        2022-08-18 02:52:54程國慶施立發(fā)裴英豪陸天林徐文祥占云高
        電工材料 2022年4期
        關(guān)鍵詞:硅鋼織構(gòu)磁化

        程國慶,施立發(fā),裴英豪,陸天林,徐文祥,占云高

        (馬鋼鋼鐵股份有限公司,安徽馬鞍山 243000)

        引言

        冷軋無取向硅鋼(電工鋼)作為一種十分重要的磁性材料,因其良好的加工性能和磁性能能夠極大地提升電機(jī)效率[1],在電子行業(yè)及電力系統(tǒng)方面都有極其廣泛的使用,主要用于變壓器、電動機(jī)、發(fā)電機(jī)和家用電器等,主要性能指標(biāo)是鐵損和磁感[2]。一般要求硅鋼具有低鐵損和高磁感,較低的鐵損可以使電機(jī)在工作時具有較低的能量損耗;較高的磁感應(yīng)強(qiáng)度可以增加電機(jī)的扭矩,具有減小電機(jī)體積的意義。低鐵損高磁感是冷軋無取向硅鋼制造追求的目標(biāo)[3]。影響無取向硅鋼鐵損和磁感的因素有多種,如化學(xué)成分,晶體織構(gòu)和生產(chǎn)工藝,對硅鋼成品性能的影響至關(guān)重要[4,5]。目前硅鋼市場對高牌號的需求逐漸增大,而高牌號薄規(guī)格硅鋼隨硅含量逐漸增加鐵損、磁感和低磁場下磁化性能變化情況的具體研究文獻(xiàn)較少。本試驗研究了不同Si 含量變化對薄規(guī)格無取向硅鋼的鐵損、磁感和低磁場下磁化性能影響,為高牌號產(chǎn)品性能優(yōu)化提供理論依據(jù)。

        1 試驗材料及方法

        使用真空感應(yīng)爐冶煉不同Si 含量無取向硅鋼,鑄坯取樣檢測其主要化學(xué)成分如表1所示。鑄坯經(jīng)歷了以下工序:1180 ℃鍛造,1050 ℃熱軋,860 ℃?;?,6 道次冷軋及連續(xù)退火。熱軋目標(biāo)厚度為2.2 mm,冷軋目標(biāo)厚度為0.27 mm,連續(xù)退火溫度為950 ℃,時間為30 s,用90%的N2和10%H2作為保護(hù)氣氛。

        表1 試驗鋼的化學(xué)成分設(shè)計 (質(zhì)量分?jǐn)?shù),%)

        退火、制樣后采用酒精擦拭、烘干,置于金相顯微鏡下進(jìn)行樣品組織觀察。使用XRD 觀察樣品宏觀組織,將退火后的樣品加工成30 mm×300 mm 的單片,橫縱向各12 片,采用日本磁測儀SK300 檢測磁性能,分別在磁場強(qiáng)度為1.5 T 和1.0 T 下測試磁性能。成品制成金相和織構(gòu)試樣,采用ZEΙSS-200MAT 金相顯微鏡進(jìn)行組織測試和采集,并測量平均晶粒大小。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 硅含量對退火組織影響規(guī)律

        圖1 為試驗鋼退火后的組織,硅含量超過1.7%時,硅鋼片只會一直保持α相不變,在退火時冷軋板不會發(fā)生相變,只存在再次形核和晶粒長大。雖然晶體重新長大,但重新長大后的晶體和冷軋前的晶體已經(jīng)發(fā)生了根本性的變化,二者都為等軸晶。從圖1 中可以看出不同Si 含量的硅鋼片在退火溫度950 ℃充分保溫下,晶粒均發(fā)生了比較充分的長大情況,且都為單一的鐵素體組織。

        圖1 不同硅含量硅鋼退火后金相組織

        圖2為硅鋼樣退火后平均晶粒尺寸大小,從圖2可以看出,在相同退火工藝下,樣品晶粒尺寸隨著硅含量的增加而增大,而均勻性則隨之變差,平均晶粒尺寸依次為74.2 μm、76.4 μm、78.0 μm。當(dāng)硅含量為2.82%時,晶粒尺寸最小,為74.2 μm;當(dāng)硅含量為3.23%時,晶粒尺寸最大,為78.0 μm。

        2.2 硅含量對織構(gòu)的影響規(guī)律

        圖3 為不同硅含量成品表面取向分布函數(shù)(ODF)Φ=45°截面圖,并對照Roe 系統(tǒng)中體心立方金屬的ODF 恒Φ=45°截面圖進(jìn)行分析。由圖3 可以看出,c樣品中存在較強(qiáng)的γ纖維織構(gòu),{111}<112>組分取向密度為6.0;a 樣品中的γ 纖維織構(gòu)相對較弱,有利織構(gòu)分布較為漫散。

        圖3 成品表面織構(gòu)ODF(Φ=45°)

        圖4 為不同硅含量成品表面取向密度分布圖,從圖中可以看出,c 樣品中的γ 取向密度明顯高于b樣品和c 樣品,γ 纖維織構(gòu)作為不利織構(gòu),會直接影響到產(chǎn)品磁感。對比兩者織構(gòu)組成可以得出,a 樣品中有利織構(gòu)組分強(qiáng)度明顯處于優(yōu)勢,是成品具有較高磁感的主要因素,而c樣品中的較強(qiáng)的γ纖維織構(gòu)是其磁感較低的主要因素。

        圖4 不同硅含量成品表面取向密度分布

        2.3 硅含量對磁性能的影響規(guī)律

        表2 為不同硅含量硅鋼在950 ℃下退火后的磁性能,從表中可以看出隨著硅含量的增加,鐵損和磁感均隨之降低。鐵損依次為2.38 W/kg、2.33 W/kg、2.23 W/kg,磁感B50依次為1.665 T、1.661 T、1.658 T。圖5 為不同硅含量硅鋼在950 ℃下退火后的磁性能變化。

        圖5 不同硅含量對磁性能影響規(guī)律

        表2 不同硅含量硅鋼退火后磁性能

        2.4 硅含量對低磁場磁化性能的影響

        為研究不同硅含量對樣品低磁場下磁化能力的影響規(guī)律,選用3 個樣品加工成300 mm×30 mm愛潑斯坦方圈,不同硅含量樣品先進(jìn)行相同退火試驗,然后采用日本SK300 磁測儀檢測磁性能,樣品磁感B1(外加磁場120 A/m)分布情況如圖6 所示。由圖6 不同硅含量樣品磁化曲線表明,隨硅含量增加低磁場下的磁化能力增強(qiáng),在外加磁場100 A/m下,c 樣品磁場強(qiáng)度為0.933 T,b 樣品磁場強(qiáng)度為0.915 T,a 樣品磁場強(qiáng)度為0.882 T。表3 為不同磁場強(qiáng)度下的磁感應(yīng)強(qiáng)度。

        圖6 不同硅含量樣品磁化曲線

        表3 不同磁場強(qiáng)度下的磁感應(yīng)強(qiáng)度(單位:T)

        2.5 分析與討論

        采用硅含量分別為2.8%、3.0%和3.2%的高牌號硅鋼,研究不同硅含量對成品組織、織構(gòu)和性能的影響規(guī)律。鐵損由磁滯損耗、渦流損耗和反常損耗三部分組成,一般磁滯損耗和渦流損耗起主要作用。隨著晶粒尺寸的增大,晶界數(shù)逐漸減少,因晶界位錯等缺陷的聚集造成的磁阻較大現(xiàn)象也會隨之減少[6],同時磁化時所需矯頑力也會減弱,導(dǎo)致磁滯損耗減少。但晶粒尺寸增大,磁疇尺寸會隨之增加,渦流損耗隨之增加。因而在合適的晶粒尺寸時鐵損會出現(xiàn)最小值。平均晶粒尺寸超過臨界值時,磁滯損耗減少量大于渦流損耗增加量,整體表現(xiàn)為鐵損降低。

        磁感隨硅含量上升而下降,主要是由于影響無取向電工鋼磁感應(yīng)強(qiáng)度的主要因素是化學(xué)成分和晶體織構(gòu)。理想的晶體織構(gòu)為(100)[uvw]面織構(gòu),增大(100)和(110)面晶粒比重,可以提高磁性。王荃等[7]通過研究表明無論Si含量降低與否,隨著Mn含量的增加,各面織構(gòu)占有率變化不大;當(dāng)Si 含量提高,對磁性有利的{100}和{110}面織構(gòu)占有率明顯增多,不利的{111}面織構(gòu)含量降低,磁感會隨之增加。退火組織晶粒尺寸與成分有密切的關(guān)系,在無取向硅鋼中,Si 有促進(jìn)晶粒長大的作用,但晶粒的長大使均勻性變差不利于提高磁感。綜合原因,硅含量從2.82%~3.23%過程中,磁感出現(xiàn)減小的情況。

        而硅鋼板的低磁場特性與磁疇壁移動的難易程度有關(guān),主要與晶界、析出物、非金屬夾雜物、晶格缺陷、內(nèi)應(yīng)力等宏觀組織因素有關(guān)。晶粒尺寸大小對磁感也具有一定影響,與外加磁場大小有關(guān)。在弱磁場(如100 A/m)下,晶界對磁化難易的程度的影響占主導(dǎo)地位,晶粒越大,晶界越少,疇壁越少移動越容易,磁感也就越高;在強(qiáng)磁場(5000 A/m)下,晶體的織構(gòu)對磁化難易程度的影響占主導(dǎo)地位,晶粒越大,對磁化有利織構(gòu)越少,不利的織構(gòu)越多,磁疇移動越困難,磁感就越低。因此在強(qiáng)磁場下,隨著晶粒的粗化,磁感惡化,進(jìn)而導(dǎo)致隨硅含量提升,晶粒尺寸增加,晶界減少,低磁場下磁化能力較強(qiáng),而磁感較弱。

        3 結(jié)論

        (1)隨著硅含量從2.82%增加到3.23%,晶粒從74.2 μm增加到78.0 μm,均勻性卻隨之變差。

        (2)隨著硅含量的增加,磁滯損耗減少,渦流損耗增加,鐵損P1.5/50和磁感B50降低。

        (3)隨硅含量增加,晶界越少,低磁場下磁化能力增強(qiáng)。

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