杜晶濤 ,佟瑞庭* ,王云峰 ,權(quán)澤芬
(1.西北工業(yè)大學(xué) 陜西省機(jī)電傳動與控制工程實驗室,陜西 西安 710072;2.上海飛機(jī)設(shè)計研究院,上海 200436)
空間環(huán)境非常惡劣,航天設(shè)備在太空運行時,其運動系統(tǒng)受到各種空間環(huán)境因素的影響,如真空、微重力和高低溫?zé)嵫h(huán)等[1],真空黏著效應(yīng)和微重力引起的空間擾動導(dǎo)致的顫振作用對空間摩擦學(xué)提出了更高要求.Tong等[2-3]研究發(fā)現(xiàn)由空間顫振環(huán)境引起的碰撞運動不容忽略,通過增加碰撞速度會使摩擦力增加.為了解決空間顫振環(huán)境引起的高摩擦,固體潤滑劑MoS2和Ag已廣泛應(yīng)用于航天器運動部件(如軸、軸承和齒輪等)用以改善潤滑性能.軟金屬銀由于具有低剪切強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性的特點,在真空中展現(xiàn)出顯著的減摩抗磨效果[4].MoS2作為二維材料,其特殊的層狀結(jié)構(gòu)使其具有優(yōu)異的機(jī)械性能[5]和摩擦學(xué)性能[6-10].由于二維材料比金屬材料具有更優(yōu)異的機(jī)械性能,當(dāng)用作固體潤滑劑時,可以明顯提高抗壓性能、潤滑性能和真空防冷焊能力[11-12].單層MoS2的楊氏模量約為270 GPa,斷裂強(qiáng)度為30 GPa[13],而結(jié)構(gòu)鋼的楊氏模量為205 GPa,斷裂強(qiáng)度僅為0.9 GPa,更高的彈性模量和斷裂強(qiáng)度可以使MoS2在斷裂前承受更高的載荷并減小摩擦[14].軟金屬和MoS2膜相結(jié)合形成的金屬基MoS2膜相較于單一成分潤滑膜,其潤滑性能、抗磨損性能及其使用壽命具有較大的提升[15].Liu等[16]、李浩等[17]和柴利強(qiáng)等[18]分別研究了MoS2/Pt復(fù)合薄膜、Pb-Ti/MoS2復(fù)合薄膜和MoS2+C+Ti薄膜的摩擦磨損性能,其結(jié)果均表明由于多組元之間的協(xié)同效應(yīng),使復(fù)合薄膜比單一組分膜的摩擦性能和耐磨壽命均有較大提高.Torres等[19]研究了Ag/MoS2自潤滑涂層的摩擦性能,由于Ag和MoS2的協(xié)同作用,Ag/MoS2涂層在300 ℃的真空中能有效潤滑并將摩擦系數(shù)降至0.25.Qin等[20]研究發(fā)現(xiàn),由于MoS2和Ag能從儲層中被擠出從而提供有效潤滑,使得PEO/Ag/MoS2復(fù)合涂層在高溫下仍能保持良好的潤滑性能.
本文中首先基于粗粒化分子動力學(xué)(Coarse-grained molecular dynamics,CGMD)方法,以空間顫振環(huán)境為應(yīng)用背景,通過引入碰撞運動模擬含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)受到的空間擾動,建立空間顫振環(huán)境碰撞滑動接觸摩擦模型,對比分析純Ag和MoS2/Ag薄膜的摩擦性能,探究初始碰撞速度和滑動速度對MoS2/Ag薄膜摩擦性能的影響.基于航天器所處空間溫度環(huán)境,研究不同溫度下MoS2/Ag薄膜的摩擦學(xué)性能.
由于含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)在航天器上應(yīng)用廣泛,所以選用含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)來說明空間顫振環(huán)境的碰撞滑動接觸問題.含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)由軸和孔組成,如圖1(a)所示,將其沿軸向剖開,孔簡化為上基體和下基體,軸簡化為圓柱體壓頭,含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)可等效為1個圓柱體壓頭在上、下基體之間做碰撞滑動運動,如圖1(b)所示.在微重力環(huán)境下,當(dāng)摩擦副受到輕微擾動時,軸會在孔內(nèi)發(fā)生無規(guī)則碰撞運動,并且由于空間微重力環(huán)境的影響,碰撞不會很快停止,即壓頭會在上、下基體之間反復(fù)碰撞反彈.由于鉸鏈機(jī)構(gòu)需要與其他組件連接,因此,壓頭與基體的碰撞會使得基體也跟著上下運動.由于軸的碰撞速度垂直于接觸面,故碰撞速度沿z方向,并且軸在運動過程中也存在旋轉(zhuǎn)速度,其瞬時速度沿著接觸點的切線方向,將軸的旋轉(zhuǎn)運動等效為壓頭沿基體表面的恒速滑動.因此根據(jù)含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)的運動方式可將其等效為圓柱體壓頭在上、下基體之間做無規(guī)則碰撞滑動運動.綜上所述,軸的運動可以認(rèn)為是滑動過程和碰撞過程的耦合運動,以恒定的滑動速度vs來表示軸的旋轉(zhuǎn)速度,以初速度v0來表示軸的擾動.
碰撞滑動接觸過程如圖2所示,在此過程中,壓頭會經(jīng)歷接觸、壓入、反彈和分離等4個階段.首先,給壓頭在z方向施加-v0的初始碰撞速度,如圖2(a)所示,壓頭沿著-z方向運動并與下基體發(fā)生接觸碰撞,壓頭壓入下基體表面,由于上、下基體連接為1個整體,整個基體受到壓頭的碰撞力作用而在z方向上下振動.當(dāng)壓頭速度為0時,碰撞力達(dá)到最大值,壓頭的壓入深度達(dá)到最大,如圖2(c)所示,緊接著壓頭開始從基體上反彈.當(dāng)壓頭與下基體分離,且壓頭回到初始位置時,壓頭與下基體的碰撞滑動接觸過程完成,如圖2(a~e)所示,至此,單次完整的碰撞過程完成.此時,在z方向施加碰撞速度v0,如圖2(e)所示,使壓頭與上基體發(fā)生碰撞滑動接觸,當(dāng)壓頭從上基體反彈并與上基體分離,且壓頭回到初始位置時,壓頭與上基體的碰撞過程完成,如圖2(e~i)所示.至此,1次完整的壓頭與上、下基體碰撞過程完成,再次施加初始碰撞速度,循環(huán)完成碰撞滑動接觸過程.當(dāng)1次碰撞過程完成時,反彈過程會使得壓頭朝反方向運動,碰撞滑動接觸過程發(fā)生在另一側(cè)的基體上,緊接著是下次的接觸、壓入、反彈與分離過程.由于碰撞過程中存在能量損失,壓頭在碰撞回彈過程中因黏著作用不能分離時,則再重新施加初始碰撞速度,以此來描述微重力環(huán)境中的無規(guī)則連續(xù)碰撞與載荷擾動情況.在整個碰撞過程中,壓頭以恒定的滑動速度vs運動.
Fig.1 The simplified model of collision sliding contacts圖1 碰撞滑動接觸模型簡化
Fig.2 The process of collision sliding contacts圖2 碰撞滑動接觸過程
為了減小計算量并保持系統(tǒng)的真實行為,采用CGMD來研究碰撞滑動接觸問題.CGMD模型如圖3所示,該模型包含3個部分:上基體、下基體和圓柱壓頭.壓頭材料為體心立方晶格(BCC)的單晶鐵(Fe),基體材料為面心立方晶格(FCC)的單晶銀(Ag),由于銀為軟金屬,其硬度較小,易發(fā)生剪切變形,而鐵的硬度相對較大,故將壓頭設(shè)置為剛體,忽略其彈性變形.
上、下基體均由分子動力學(xué)(Molecular dynamic,MD)粒子組成,為減小計算量,對壓頭進(jìn)行了粗?;幚?,在壓頭與基體接觸的部分使用MD粒子,而遠(yuǎn)離接觸的部分采用CGMD粒子.壓頭由MD、CGMD1和CGMD2三種粒子組成,將CGMD1和CGMD2粒子統(tǒng)稱為CGMD粒子.對于MD粒子,其為全原子模型,1個MD晶格就是1個真實的BCC結(jié)構(gòu)的Fe晶格;對于CGMD1粒子,為粗粒化模型,1個CGMD1晶格等效于由8個BCC結(jié)構(gòu)的Fe晶胞組成的晶格,即1個CGMD1粒子的晶格邊長等于MD晶格邊長的2倍;對于CGMD2粒子,也為粗?;P?,1個CGMD2晶格等效于由64個BCC結(jié)構(gòu)Fe晶胞組成的晶格,即1個CGMD2粒子的晶格邊長等于MD晶格邊長的4倍[2].
對應(yīng)于x、y與z方向,上、下基體尺寸均為466.26 ?×57.26 ?×73.62 ?.壓頭半徑為140.287 ?,壓頭由MD、CGMD1和CGMD2三種粒子組成,其中有27 580個MD粒子、3 840個CGMD1粒子和3 815個CGMD2粒子.基體由固定層、恒溫層和牛頓層三部分組成,將基體最底部和兩側(cè)的兩層原子設(shè)置為固定層,將固定層內(nèi)側(cè)的兩層原子設(shè)置為恒溫層,其余為牛頓層.為了研究MoS2/Ag薄膜的摩擦性能,在Ag上附著單層MoS2膜.MoS2/Ag薄膜模型共計290 983個原子,單層MoS2膜的尺寸為466.26 ?×57.26 ?×6.06 ?,計算過程的時間步長為0.001 ps.對于附著和不附著單層MoS2膜的純Ag,x、y與z方向上的尺寸均為466.26 ?×57.26 ?×73.62 ?.
模擬開始時,壓頭與上、下基體的間距相等.為了使壓頭原子不受Fe-S勢能的影響,壓頭上、下端原子與MoS2膜的距離要大于Fe-S勢能的截斷半徑,然而修正的REBO勢函數(shù)的截斷半徑為10 ?[21],大于Fe-S勢能的截斷半徑,因此基于修正的REBO勢函數(shù)的截斷半徑將壓頭與MoS2膜的間隙d設(shè)為15 ?.
考慮真實空間鉸鏈機(jī)構(gòu)的運動特點,將上、下基體連接為1個整體,并在上、下基體處各連接1根彈簧,用來表征鉸鏈機(jī)構(gòu)在微重力作用下的隨動狀態(tài).彈簧的剛度系數(shù)k取決于與鉸鏈機(jī)構(gòu)連接的組件剛度,本文中將彈簧的剛度系數(shù)k設(shè)置為1 kN/m.
Fig.3 A CGMD model of the collision sliding contact圖3 碰撞滑動接觸的粗?;肿觿恿W(xué)模型
本模型中共有六種原子,分別為Fe、Ag、Mo、S、CGMD1和CGMD2粒子.Ag原子之間作用力采用鑲嵌原子法(Embedded atom method,EAM)勢來描述.壓頭Fe和Ag原子(Fe-Ag)之間采用Morse勢,F(xiàn)e-Ag之間Morse勢函數(shù)參數(shù)分別為D0=0.3724 eV、α=1.3639 ?-1和r0=2.9879 ?[2],其中D0為原子間結(jié)合能,α為材料參數(shù),r0為原子的平衡距離.由于壓頭屬于剛體,其原子之間的相互作用力對計算結(jié)果的影響較小,故假設(shè)壓頭內(nèi)部原子之間的作用力為0,壓頭的CGMD粒子與其他原子的作用力也為0.壓頭Fe原子和MoS2膜S原子的相互作用力(Fe-S)、Fe原子和Mo原子的相互作用力(Fe-Mo)、Ag原子和S原子的相互作用力(Ag-S)以及Ag原子和Mo原子的相互作用力(Ag-Mo)使用L-J(Lennard-Jones)勢函數(shù),這些L-J勢函數(shù)的參數(shù)是通過Lorentz-Berthelot (L-B)混合規(guī)則計算得到.L-B混合規(guī)則[22]的計算公式如下:
式中:εi和εj分別為原子i和j的能量參數(shù),σi和σj分別為原子i和j的距離參數(shù).由L-B混合規(guī)則計算得到L-J勢函數(shù)的參數(shù)列于表1中.
表1 各個原子間L-J勢函數(shù)參數(shù)Table 1 Parameters of Lennard-Jones (L-J)potential function between different atom
MoS2膜層內(nèi)原子之間的相互作用(S-S、Mo-Mo和Mo-S)采用修正的REBO勢函數(shù)[21]計算,其公式如下:
式中:Eb為系統(tǒng)的結(jié)合能,VR(rij)和VA(rij)分別為原子間排斥作用和吸引作用的函數(shù),rij為原子i和原子j之間的距離,bij為鍵序函數(shù),為截斷函數(shù),Q、A、α、B和β是原子間相互作用參數(shù).
基體在x和z方向為固定邊界條件,y方向為周期性邊界條件.在碰撞滑動接觸前,牛頓層和恒溫層的初始溫度設(shè)置為300 K,首先在NVT系綜里對整個系統(tǒng)進(jìn)行弛豫,使牛頓層和恒溫層溫度控制在300 K,之后轉(zhuǎn)入NVE系綜,當(dāng)整個系統(tǒng)達(dá)到平衡狀態(tài)后,給壓頭施加碰撞速度和滑動速度,開始碰撞滑動接觸過程.分子動力學(xué)模擬采用美國Sandia實驗室的開源軟件LAMMPS進(jìn)行,相關(guān)的計算結(jié)果通過OVITO軟件進(jìn)行可視化處理.
碰撞速度是顫振環(huán)境的重要參數(shù)之一,不同的碰撞速度會產(chǎn)生不同的壓入深度,而壓入深度會對碰撞滑動接觸過程產(chǎn)生較大的影響.選取六組初始碰撞速度v0分別為20、60、100、140、180和200 m/s用以研究碰撞作用對MoS2/Ag薄膜摩擦性能的影響,壓頭滑動速度設(shè)置為vs=40 m/s.
摩擦力是壓頭在滑動反方向上受到的作用力,對整個模擬計算過程得到的摩擦力數(shù)據(jù)取平均值作為此工況下的平均摩擦力.圖4所示為純Ag和MoS2/Ag薄膜的平均摩擦力對比圖,在引入MoS2膜之后,碰撞滑動接觸過程中的平均摩擦力顯著減小,對于純Ag表面,初始碰撞速度為140 m/s時平均摩擦力為35.29 nN,而在引入MoS2膜后平均摩擦力為9.32 nN,平均摩擦力減小了73.6%,由此可以看出MoS2/Ag薄膜在碰撞滑動接觸過程中具有優(yōu)異的減摩效果,且無論是純Ag還是MoS2/Ag薄膜,平均摩擦力均隨著初始碰撞速度的增加而增加.
Fig.4 The average friction force under different initial collision velocities for bare Ag and MoS2 films圖4 不同初始碰撞速度下純Ag和MoS2/Ag薄膜的平均摩擦力
碰撞力是壓頭對基體在z方向的作用力,壓入深度指的是壓頭壓入基體的最大深度,本模擬中設(shè)置6次碰撞過程,每次碰撞過程會對應(yīng)1個最大碰撞力和最大壓入深度,分別取這6個值的平均值作為碰撞力和壓入深度.由于基體是FCC單晶銀,因此基體的理想結(jié)構(gòu)為FCC晶格結(jié)構(gòu),壓頭與基體的碰撞會使基體原子發(fā)生相變,從而使部分原子晶體結(jié)構(gòu)失效,將這類原子定義為基體失效原子.壓頭與基體之間碰撞使得基體部分原子發(fā)生位錯滑移,產(chǎn)生位錯線.OVITO軟件位移提取算法(Dislocation extraction algorithm,DEA)用來統(tǒng)計基體在碰撞過程中產(chǎn)生的基體原子失效數(shù)目和位錯線總長度.本模擬中設(shè)置6次碰撞過程,每次碰撞過程會對應(yīng)一組失效原子數(shù)目和位錯線,分別取六組值的平均值作為失效原子數(shù)目和基體位錯線長度.
圖5對比了純Ag和MoS2/Ag薄膜在不同初始碰撞速度下的碰撞力、壓入深度、碰撞過程中基體失效的原子數(shù)目和位錯線長度.由圖5可以看出,增大初始碰撞速度,碰撞力、壓入深度、失效原子數(shù)目和位錯線長度均會增加.基于能量守恒定律,壓頭碰撞速度越大,壓頭的動能就會越大,壓頭與基體之間的碰撞更加劇烈,碰撞力就會增加,壓頭壓入基體的深度增加,使接觸面積增加,摩擦力的黏著分量增加.同時,劇烈的碰撞滑動使得表層Ag原子從基體上去除,失效原子數(shù)目增多,壓頭前方堆積的原子增多,摩擦力的犁溝分量增加,壓頭接觸的Ag原子數(shù)目增多,阻礙了滑動過程的進(jìn)行,使得碰撞滑動接觸摩擦力增大.
層狀結(jié)構(gòu)二維材料由于其原子一般是通過較強(qiáng)的二維(或準(zhǔn)二維)化學(xué)鍵作用形成1個平面層,具有高面外強(qiáng)度和良好的表面化學(xué)穩(wěn)定性[23],同時較高的比表面積使其很容易吸附在接觸表面上,阻止摩擦副直接接觸,所以表面潤滑效果明顯.MoS2屬于二維材料,層內(nèi)原子之間通過較強(qiáng)的共價鍵連接,面外作用力較強(qiáng),相較于軟金屬來說,MoS2具有較高的面外剛度.對于MoS2/Ag薄膜,由于在Ag表面附著了單層MoS2膜,如圖5所示,基體的載荷承受能力提高,壓頭與基體發(fā)生碰撞時壓入深度減小,Ag表面的失效原子數(shù)目和位錯線長度均減小,MoS2膜吸收了部分碰撞能量,使得碰撞力分散在接觸區(qū)域表面的每個原子上,提高基體的承載能力[24],減小壓頭對基體的碰撞作用,有效保護(hù)基體免遭碰撞破壞.另一方面,當(dāng)壓頭從基體上完全分離時,對于純Ag表面,由于黏附力作用,壓頭上會黏附部分Ag基體原子,而對于MoS2/Ag薄膜,MoS2膜隔絕了壓頭與Ag之間的直接接觸,減小了壓頭與Ag之間的吸引力,這也從一定層面上解釋了附著MoS2膜后摩擦力減小的現(xiàn)象.
Fig.5 Contact force,indentation depth,number of failure atoms and dislocation length under different initial collision velocities for bare Ag and MoS2 films圖5 不同初始碰撞速度下純Ag和MoS2/Ag薄膜的碰撞力、壓入深度、失效原子數(shù)和位錯線長度
圖6和圖7分別為純Ag和MoS2/Ag薄膜在不同初始碰撞速度下的基體原子分布圖.其中綠色原子代表處于理想晶格結(jié)構(gòu)的原子,紅色原子代表位錯原子,灰色原子代表邊界原子或晶格結(jié)構(gòu)被破壞的失效原子.如圖6所示,在Ag表面可以觀察到Ag原子堆積在壓頭前方,且壓頭運動方向前方堆積原子為失效原子,即壓頭與基體碰撞之后使得接觸區(qū)域原子晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,由理想的FCC轉(zhuǎn)化成HCP,Ag基體內(nèi)部晶體原子發(fā)生錯排,在與壓頭接觸部位的基體下方和前方出現(xiàn)了位錯,壓頭與基體之間相互擠壓使得接觸區(qū)域的失效原子被擠壓到壓頭前方,阻礙壓頭向前移動.
在碰撞滑動接觸過程中,位錯從基體碰撞接觸區(qū)域的原子中形核生長,壓頭與基體接觸區(qū)域兩側(cè)不斷有滑移帶產(chǎn)生,且隨著壓深增大而擴(kuò)展變大.劇烈的碰撞使基體原子發(fā)生塑性變形,形成大量位錯,當(dāng)塑性變形達(dá)到一定程度時,晶格結(jié)構(gòu)被破壞,失效原子增多,壓頭前方堆積大量原子,阻礙碰撞滑動接觸過程的進(jìn)行,使得摩擦力增加.對于純Ag基體,位錯很容易運動到基體表面并釋放,造成基體表面Ag原子堆積(圖6).同時,當(dāng)初始碰撞速度較大時,Ag基體中位錯遠(yuǎn)離碰撞接觸區(qū)域的時間減少,位錯相互纏繞并發(fā)生堆積,位錯間的彈性相互作用增大位錯運動的阻力,從而提高基體材料的強(qiáng)度,起到強(qiáng)化作用[25],因此摩擦力增大.
Fig.6 The atoms distribution of substrate for bare Ag under different initial collision velocities圖6 不同初始碰撞速度下的Ag基體原子分布
由圖7可以看出,對于MoS2/Ag薄膜,在Ag和MoS2薄膜界面上,位錯很難釋放,MoS2膜阻礙了位錯向表面釋放.由于MoS2膜的加入,Ag表面得到較好保護(hù),位錯形核困難,不利
Fig.7 The atoms distribution of substrate for MoS2/Ag films under different initial collision velocities圖7 不同初始碰撞速度下的MoS2/Ag薄膜原子分布
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圖5
對比圖6和圖7可知,對于MoS2/Ag薄膜,MoS2膜在碰撞之后會發(fā)生變形,但壓頭前方?jīng)]有原子堆積.相較于純Ag,MoS2膜能夠有效保護(hù)基體免遭碰撞破壞,隔絕由碰撞導(dǎo)致的失效原子在壓頭前方堆積.在摩擦過程中,壓頭與基體之間的碰撞摩擦導(dǎo)致壓頭擠壓MoS2膜,從而使得MoS2膜發(fā)生面外變形,形成褶皺,而對于二維潤滑材料,褶皺效應(yīng)是影響材料摩擦性能的主要因素[23].從圖7中可以看出,不同碰撞速度下,壓頭壓入深度不同,MoS2膜變形量不同.由于褶皺的存在,當(dāng)碰撞速度增加時,壓頭壓入深度增加,MoS2膜的彎曲變形量增加,壓頭與MoS2膜的接觸面積增大,并且褶皺主要集中于滑動的前方,壓頭向前移動時,褶皺會對壓頭產(chǎn)生運動阻力,使得壓頭滑動能量勢壘增加,因此摩擦力增大.綜上所述,在Ag表面引入MoS2膜形成MoS2/Ag薄膜能夠有效減小摩擦力.
在納米尺度下,滑動速度會影響基體表層原子變形、發(fā)熱及磨損等現(xiàn)象,進(jìn)一步對摩擦過程產(chǎn)生影響.為研究滑動速度對MoS2/Ag薄膜摩擦性能的影響,選取不同滑動速度,即20、40、60、80和100 m/s進(jìn)行分子動力學(xué)模擬,模擬過程中初始碰撞速度均為100 m/s.
不同滑動速度下MoS2/Ag薄膜的平均摩擦力如圖8所示,可以看出,增大滑動速度會使平均摩擦力增大.在較大的滑動速度下,當(dāng)壓頭壓入基體時,由于受到壓頭的擠壓、摩擦和剪切作用,碰撞接觸區(qū)域的原子發(fā)生變形,剪切區(qū)域的位錯原子缺乏足夠的時間重新排列,大量原子在剪切區(qū)堆積,使得剪切區(qū)的原子密度增大,原子間相互作用力增加,平均摩擦力增加,這與Acikgoz等[26]通過原子力顯微鏡得到的結(jié)果一致.
Fig.8 Average friction force of MoS2/Ag under different sliding velocities圖8 不同滑動速度下的MoS2/Ag薄膜平均摩擦力
碰撞滑動接觸過程中不同滑動速度對碰撞力和壓入深度的影響如圖9所示.由圖9(a)可以看出,當(dāng)滑動速度從20 m/s增至100 m/s時,碰撞力基本保持不變.從圖9(b)可以看出,滑動速度為20 m/s時,最大壓入深度為5.520 7 ?,滑動速度為100 m/s時,壓入深度為5.476 6?,壓入深度基本維持在5.5 ?左右,不隨滑動速度的變化而發(fā)生變化.不同滑動速度下碰撞力基本相同,壓頭壓入深度也基本一致,說明滑動速度對碰撞力和壓頭壓入深度幾乎沒有影響.當(dāng)壓頭初始碰撞速度相同時,碰撞動能相同,因此碰撞力和壓頭壓入基體的深度幾乎相同,壓頭與基體碰撞滑動接觸時間相同,但壓頭在基體上的滑動距離與壓頭滑動速度成正相關(guān)關(guān)系,較大的滑動速度會導(dǎo)致較長的滑動距離,使得壓頭運動前方剪切區(qū)域堆積原子增多,摩擦力增大.
高低溫是空間環(huán)境中的一大特點,由于空間環(huán)境為高真空環(huán)境,無大氣對流導(dǎo)熱,且航天器需要頻繁進(jìn)出地球陰影,易使?jié)櫥牧媳┞队跇O端溫度環(huán)境中.當(dāng)航天器面朝太陽時,其表面溫度可達(dá)473 K,而當(dāng)航天器背對太陽時,其表面溫度可達(dá)73 K[27],同時航天器頻繁入影和出影需要空間潤滑劑在大交變溫度環(huán)境中依然能夠保持良好的潤滑性能.取600 K作為高溫用以研究MoS2/Ag薄膜在高溫環(huán)境中的摩擦性能,300、100和500 K分別對應(yīng)室溫、航天器所處空間環(huán)境的低溫和高溫.
Fig.9 Comparison of contact force and indentation depth under different sliding velocities圖9 不同滑動速度下的碰撞力及壓入深度對比圖
由圖10可以看出,在100、150、300、400和500 K溫度環(huán)境下,摩擦力雖然略有變化波動,但基本維持在7.47 nN左右,而當(dāng)溫度為600 K時,摩擦力急劇增大至9.975 nN,這說明在100~500 K溫度范圍內(nèi),空間溫度對MoS2/Ag薄膜的摩擦性能影響很小,MoS2/Ag薄膜在此溫度范圍內(nèi)均具有較好的減摩效果,這與Meng等[28]的研究結(jié)果一致.由圖11可以看出,當(dāng)環(huán)境溫度為600 K時,MoS2膜出現(xiàn)了破裂,壓頭和基體之間直接接觸,摩擦性能降低,這與文獻(xiàn)[24,28]的研究結(jié)果一致.單層MoS2膜破裂后發(fā)生重疊,這意味著MoS2膜的抗壓作用降低,對基體的保護(hù)作用隨之下降,使其摩擦性能降低.圖12為壓頭與基體碰撞過程中的溫度分布圖,其中1 234.93 K為金屬Ag的熔點.由圖12(a)可以看出,壓頭壓入基體時,接觸區(qū)域摩擦生熱產(chǎn)生高溫,局部高溫使得基體的Ag部分發(fā)生熔化,MoS2膜與熔化的Ag之間產(chǎn)生較大的黏著作用力,同時,接觸區(qū)域局部高溫破壞了單層MoS2膜的結(jié)構(gòu),使得壓頭在分離階段直接撕裂MoS2膜,如圖12(b)所示.
Fig.10 Average friction forces of MoS2/Ag film under different temperature圖10 不同溫度下MoS2/Ag薄膜的平均摩擦力
a.相較于純Ag,MoS2/Ag薄膜表現(xiàn)出更為優(yōu)異的摩擦性能,由于在Ag上附著了MoS2膜,摩擦力有較大的降低.MoS2膜的高比表面積和面外強(qiáng)度使得MoS2膜吸收了部分碰撞能量,提高了基體的載荷承載能力,減小了壓頭對基體的碰撞作用,從而賦予MoS2/Ag薄膜優(yōu)異的摩擦學(xué)性能.
Fig.11 The shape of MoS2 film at 600 K圖11 溫度600 K時MoS2膜狀態(tài)
Fig.12 Temperature distribution during collision separation of MoS2/Ag film圖12 碰撞分離過程中MoS2/Ag薄膜的溫度分布圖
b.初始碰撞速度對純Ag和MoS2/Ag薄膜摩擦性能均有較大影響,摩擦力均隨著初始碰撞速度的增大而增大,較高的初始碰撞速度會引發(fā)更為劇烈的碰撞,初始碰撞速度的增大致使壓頭壓入深度增加、壓頭接觸的基體原子數(shù)增多、實際接觸面積增加以及碰撞滑動摩擦力增加.
c.MoS2/Ag薄膜的摩擦力隨著滑動速度的增加而增加,在較大的滑動速度下,剪切區(qū)的位錯原子沒有足夠的時間重新排列,大量原子堆積在剪切區(qū),增大了剪切區(qū)的原子密度,加劇了原子間的相互擠壓和摩擦,進(jìn)而增大摩擦力.
d.MoS2/Ag薄膜在100~500 K溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好的摩擦性能,當(dāng)環(huán)境溫度為600 K時,MoS2膜在碰撞過程中由于接觸區(qū)域局部溫度過高而使其結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,出現(xiàn)破裂,導(dǎo)致摩擦性能降低.
e.MoS2/Ag薄膜具有良好的減摩性能,在實際的空間機(jī)構(gòu)設(shè)計中可以考慮將MoS2/Ag薄膜引入到含間隙鉸鏈機(jī)構(gòu)的摩擦副中,通過磁控濺射技術(shù)在空間機(jī)構(gòu)摩擦件表面先濺射Ag薄膜,再濺射MoS2薄膜,形成MoS2/Ag薄膜,改善空間機(jī)構(gòu)的摩擦性能.