陳玉弓，陳昊，黃耀松

（蘇州大學能源學院，江蘇 蘇州 215006）

引 言

作為有高比表面積、強表面活性以及優(yōu)良光學性能的納米材料，二氧化硅納米顆粒在生物醫(yī)學、催化、半導體、光學等領域都有著廣泛的應用[1-3]?；鹧鏆庀嗪铣墒侵苽涠趸杓{米顆粒的最重要技術之一。有機硅六甲基二硅氧烷(HMDSO)因為沸點低、穩(wěn)定性好以及燃燒無污染等特點，成為制備SiO2納米顆粒的理想前體之一。然而火焰合成過程非常復雜，通常包含熱解和氧化過程，且反應發(fā)生在極短的時間內，燃燒溫度、停留時間、火焰成分、前體濃度等條件變化都會對關鍵產物(例如SiO2以及CH3基團)的形成造成影響，使合成的SiO2納米顆粒的結構尺寸及表面特性發(fā)生改變[4-5]。了解六甲基二硅氧烷的熱解過程和機理，一方面便于理解不同反應條件對熱解產物的影響，從而制備出所需要的SiO2顆粒；另一方面有利于建立六甲基二硅氧烷的反應動力學模型并為開展數值模擬奠定基礎。

目前國內外學者針對HMDSO 的熱解反應過程已經開展了理論和實驗研究。Chernyshev 等[6]在650～720℃的流動反應器內進行了HMDSO 熱解實驗，通過對產物的檢測發(fā)現HMDSO 熱解會產生二甲基硅酮等物質，并根據檢測到的產物對HMDSO熱解過程進行分析，提出了三條可能的HMDSO 初始熱解反應路徑。Alexander 等[7]則利用等離子體反應器進行了HMDSO 熱解實驗，發(fā)現產物中存在H2、CH3、CH4等小分子產物以及一些小的含硅碎片，例如(CH3)2SiH。Chrystie 等[8]研究了低壓貧氧惰性氣氛下的HMDSO 燃燒，提出了HMDSO 在H2/O2/Ar 火焰中熱分解的10 步反應機理，進一步加深了人們對HMDSO 熱解過程的理解。Almond 等[9]通過量子化學計算，研究分析了HMDSO 初始熱解過程中的反應路徑，揭示了HMDSO 初始熱解過程中最有可能發(fā)生的反應路徑為Si—C 鍵解離導致的甲基脫離。當前實驗手段只能針對少數可檢測的物質(例如碳氫化合物和SiO)從宏觀層面開展反應路徑分析和機理研究[6-8]，而很多重要熱解產物目前的實驗手段難以測量，所以需要開展理論計算，而量子化學計算雖然精度高，但其過高的計算成本限制了模擬規(guī)模和時間[10]，且量子化學計算需要對反應路徑有先驗認知[11]。所以為了充分理解HMDSO 的熱解過程及其機理，需要采用更為合適的方法開展進一步深入的研究。

分子動力學模擬(MD)相比于量子化學計算成本更低，能夠模擬更大規(guī)模的分子體系。隨著近些年來ReaxFF反應力場的不斷發(fā)展，其被用于研究更為復雜的反應體系的成鍵、斷鍵以及電荷轉移過程。ReaxFF 力場的開發(fā)使用了研究體系量子化學計算數據組成的訓練集，所以能以接近量子化學計算的精度進行大規(guī)模的體系模擬，且ReaxFF MD 方法無須對反應路徑有先驗認知，可以模擬體系內分子間相互反應的過程[12-13]。因此，基于ReaxFF 反應力場的分子動力學模擬方法能夠以較低的計算成本對復雜反應動力學過程進行研究，例如它可以用來研究物質的熱解和燃燒反應過程及機理[14-28]。目前，國內外研究人員已經開發(fā)了許多適用于C/H/O/Si體系的ReaxFF 反應力場，并成功應用于不同的研究領域[29-32]，但每個力場都有著自己的使用范圍，已報道的力場是否適用于有機硅HMDSO 熱解反應體系還有待進一步研究。本文采用ReaxFF MD 方法從分子角度進行大規(guī)模體系的化學反應動力學研究以揭示HMDSO 的熱解反應過程，首先從已報道的文獻中挑選了多個針對C/H/O/Si 體系的反應力場，分析該體系下不同力場的適用性，然后選擇最優(yōu)力場開展不同溫度和壓力下的HMDSO 多分子體系熱解模擬研究，并結合HMDSO 熱解氣相色譜實驗的產物分析，從微觀與宏觀兩個層面深入剖析HMDSO的熱解過程和機理。

1 研究方法

1.1 模擬方法

ReaxFF 反應力場首先由van Duin 等[11-12]基于鍵級理論開發(fā)而來，其采用從原子間距離得到的鍵級來描述當前時刻原子的連接狀態(tài)，并以鍵級為基礎計算鍵角、二面角、庫侖力、范德華力等原子間相互作用，從而來預測研究對象的結構和性質。隨著反應進行，鍵級不斷地進行迭代更新，讓ReaxFF 反應力場可以正確描述復雜體系中的化學反應過程，而且計算成本相對低廉。

目前已公布的ReaxFF 力場中有不少適用于C/H/O/Si體系，但即使研究體系元素組成相同，通過不同量子化學計算數據優(yōu)化得到的力場參數之間也會存在著較大差異，如果未經驗證貿然使用不合適的力場會產生不合理的模擬結果。本次模擬挑選了三個適用于C/H/O/Si 體系且為燃燒分類的ReaxFF 反應力場進行驗證，其中：力場A 來自Newsome 等[29]對暴露于O2和H2O 中的SiC 表面初始氧化過程的研究，其結合了先前為C/H/O 及Si/O 系統開發(fā)的ReaxFF 力場并使用了包含Si/Si、Si/O、Si/H、Si/C 的量子力學(QM)訓練集對力場進行擴展優(yōu)化；力場B來自Kulkarni等[30]對O2與SiO2表面相互作用的研究，在描述SiO2-H2O 界面ReaxFFSiO力場的基礎上進行了擴展優(yōu)化；力場C 來自Soria 等[31]對硅表面烷基層分解的研究，結合了先前為Si/H、C/H 以及Si/C/H/O 開發(fā)的ReaxFF 力場，使用了包含Si/H、Si/C、C/C、C/H 的量子力學訓練集對力場進行擴展優(yōu)化。在接下來的模擬計算中，將以A～C 來代指上述對應的力場。

在模擬前，首先對HMDSO 分子結構進行優(yōu)化，其幾何構型如圖1 所示。然后，將20 個優(yōu)化后的HMDSO 分子隨機分布于模擬盒中，構建的體系初始構型如圖2 所示，通過LAMMPS 軟件對體系進行能量最小化處理，然后在298 K、1 atm（1 atm=101325 Pa）條件下使用NPT 系綜對體系進行30 ps的壓縮與弛豫。

圖1 HMDSO分子幾何構型Fig.1 Geometry of HMDSO molecule

圖2 HMDSO分子熱解模擬體系的初始構型Fig.2 The initial structure of HMDSO pyrolysis simulation system

為了確定在不同ReaxFF力場下HMDSO分子模型的熱解溫度，在LAMMPS 軟件中使用ReaxFF MD，針對上述三種反應力場A～C 開展300～2500 K、持續(xù)500 ps的勻速升溫模擬。在合適的熱解溫度下使用各力場對HMDSO單分子以及20個分子的體系進行500 ps 的等溫熱解模擬，以研究不同力場條件下HMDSO 熱解模擬反應路徑。整個模擬過程采用NVT 系綜，時間步長設置為0.25 fs，采用Berendsen控溫，溫度阻尼系數為25 fs，每800 步進行一次輸出，鍵級截止值設置為0.3 ?（1 ?=0.1 nm），通過基于原子間距離得到的鍵級進行產物分析。為了防止等溫模擬初期由于溫度的劇烈變化導致的體系波動，在模擬開始前為體系內原子設置了目標溫度下基于高斯分布的初始隨機速度，并挑選了三組目標溫度下的等溫熱解模擬進行初始階段溫度演化分析，如圖3 所示。通過模擬前25 ps 溫度變化可以發(fā)現，賦予原子目標溫度下的隨機速度并未使溫度曲線出現劇烈振蕩，體系溫度保持在目標溫度附近波動。

圖3 不同目標溫度下模擬初始階段的溫度演化Fig.3 Temperature evolutions in the initial stage of simulations at the target temperatures of 1800 K,2000 K and 2500 K

1.2 實驗方法

向真空管式爐中通入氬氣以排出石英管內其他氣體。隨后采用60℃恒溫水浴加熱HMDSO 溶劑，向其中通入氬氣形成載氣輸送到管式爐內，在700、800 和900℃溫度下進行三組熱解實驗，熱解產物通過收集泵泵入采樣袋進行采樣。使用氣相色譜儀火焰離子化檢測器(FID)分析熱解產物，采用外標法校準標樣氣體的種類及含量，根據出峰時間確定產物種類，與標樣氣體的峰面積之比確定產物含量。

2 結果與討論

2.1 不同力場下的HMDSO熱解升溫模擬

為了了解不同ReaxFF反應力場對HMDSO熱解模擬溫度的影響，統計了不同力場升溫模擬過程中體系HMDSO分子數隨時間的變化，如圖4所示。

圖4 不同力場在升溫模擬過程中體系HMDSO分子數隨時間的變化Fig.4 Evolution of HMDSO molecular number during the heating simulation with different force fields

圖4 中可以看到力場A 在模擬進行到300 ps 左右時觀察到了HMDSO 分子數下降，由此可以判斷此時體系發(fā)生了熱解反應，而力場B 與力場C 熱解分別發(fā)生在350 ps 和250 ps 左右，判斷出使用力場A、B、C 所對應的HMDSO 初始熱解溫度分別在1500～1600 K 之 間、1800～1900 K 之 間 以 及1400～1500 K 之間。圖5展示了不同力場條件下升溫模擬第40 ps 時體系情況，此時HMDSO 尚未發(fā)生熱解反應，通過觀察軌跡發(fā)現力場A和力場B中HMDSO分子在體系內較為分散，而力場C條件下HMDSO分子則聚攏成一團，這說明力場C 的分子間作用效果強于力場A和力場B，更傾向于將分子吸引到一起。

圖5 模擬時間為40 ps時力場A(a)、力場B(b)及力場C(c)的體系分子分布Fig.5 Molecular structures for force field A(a),force field B(b)and force field C(c)at 40 ps

2.2 不同力場下的HMDSO單分子熱解模擬

為了清晰觀察各個力場下HMDSO 熱解模擬過程以揭示其熱解路徑，對HMDSO 單分子體系進行了熱解模擬，每個力場在2500 K 溫度、NVT 系綜下開展十次平行模擬。

在十次平行模擬的數據統計中各個力場得出的反應路徑未出現因模擬次數導致的明顯差異，圖6 給出了使用力場A、B、C 時獲得的HMDSO 熱解初始反應步。在2500 K 下，HMDSO 熱解反應的第一步均為Si—C鍵斷裂導致的CH3自由基的脫離，在HMDSO 初始熱解反應中Si—C 的鍵能最低[9]，CH3解離是最有可能發(fā)生的反應路徑，并且CH3的解離反應會隨著熱解過程進行不斷地發(fā)生。當CH3游離在體系內時有概率與HMDSO 片段發(fā)生反應，奪去氫生成CH4或是反應生成C2烴類產物，這是體系內生成CH4的主要反應。當HMDSO 上氫離子被奪取后能觀察到C2H4從中直接脫離。上述反應路徑與先前的實驗結論一致[7]。

圖6 HMDSO單分子的初始熱解反應步Fig.6 Primary pyrolysis pathways for decomposition of unimolecular HMDSO

力場C 在熱解模擬初始階段中觀察到Si—O 鍵的斷裂，HMDSO 分解為二甲基硅氧烷(CH3)2SiO 和四甲基硅烷(CH3)4Si，隨后兩個片段又迅速重組到了一起(出現于185 ps)。Si—O鍵斷裂的解離能為504 kJ/mol，遠大于Si—C 鍵斷裂的能量350 kJ/mol[9]，從鍵能上看在HMDSO 熱解反應初期Si—C 鍵斷裂發(fā)生的可能性更高。由于力場C 分子間更強的吸引力，能觀察到鍵斷裂形成的不穩(wěn)定產物在很短時間內重組回HMDSO 中，這種現象在模擬過程中反復出現，直至生成例如CH4這類穩(wěn)定的熱解產物。

2.3 不同力場下的HMDSO多分子熱解模擬

使用不同力場對包含20個HMDSO 分子的體系在NVT 系綜下進行2500 K 的等溫熱解模擬。圖7為不同力場條件下體系內HMDSO 分子及主要產物數量隨時間的變化，圖8 為不同力場條件下HMDSO等溫熱解模擬結束時體系展示。

圖7 不同力場條件下主要產物隨時間的變化Fig.7 Evolution of the main products during the simulations with different force fields

三個力場的主要小分子產物均為CH3、CH4、Si/C/H 小分子片段及C2H2、C2H4等C2烴，與實驗結果相符。力場A 觀察到了更豐富的小分子產物，例如SiH4及CH2O，力場B 與力場C 則未觀察到明顯的Si/H 和C/H/O 體系反應產物，而在實驗中檢測到了C/H/O 體系產物[7-8]。Feroughi 等[4]在進行HMDSO 低壓貧氧燃燒合成SiO2顆粒以及Chrystie等[8]在低壓貧氧惰性氣氛下的HMDSO 燃燒研究中均提及SiO 組分的重要性，所以本文也對SiO 產物進行了檢測。只在力場A 下才觀察到了SiO 碎片的出現(出現于148 ps)，其持續(xù)時間基本不超過5ps，對軌跡進一步分析后發(fā)現，SiO 產生的原因是一些中間產物上的Si—C 鍵全部斷裂導致，但SiO 本身極不穩(wěn)定，會在極短時間內與體系內其他活躍的分子碎片(例如CH3、Si2H4等)重組為其他物質，力場B 與力場C 均沒有觀察到這類重要反應。

截取了模擬結束時可視化體系展示圖，可以發(fā)現力場C的HMDSO熱解片段聚合形成了整塊團簇，如圖8(c)所示。進行的等溫模擬末期并未進行退火，在持續(xù)高溫且沒有增壓的情況下出現如此劇烈的成團現象并不合理，力場C 表現出的極強的分子間相互作用表明其并不適合用于該體系的模擬。

圖8 不同力場條件下HMDSO模擬結束時體系分子分布Fig.8 Molecular structures of pyrolysis products at the end of the simulation with different force fields

綜上，力場A 模擬結果與先前的實驗和模擬研究結果較為吻合，相較于其他現有力場更適用于HMDSO熱解體系模擬。

2.4 溫度對HMDSO熱解反應的影響

根據升溫模擬得到的初始熱解溫度，使用力場A 分別在溫度1600、1800、2000、2500 K，壓力1 atm的條件下對HMDSO 分子體系進行500 ps 的NVT 系綜等溫模擬，模擬參數設置與上文相同。圖9 展示了不同溫度下體系部分主要產物隨時間的變化，圖10 展示了不同溫度下體系主要含Si 產物隨時間的變化。模擬產物主要為CH3、CH4、C2烴、H2、CH2O、小分子Si/H、C/Si/H 含Si 化合物(例如SiH4、CH4Si 等)和尚未完全裂解的分子片段，在高溫下還能觀察到CO和C2的生成。

圖9 不同溫度下部分主要產物隨時間的變化Fig.9 Evolution of some main products during the simulations with different temperatures

圖10 不同溫度下主要含Si產物隨時間的變化Fig.10 Evolution of the main Si-containing products during the simulations with different temperatures

1600 K 溫度下體系內主要反應為Si—C 鍵的斷裂導致的CH3自由基脫離，與上文HMDSO單分子初始熱解反應結論相一致。CH3由于自身較為活躍的化學性質，在體系內運動時會與其他分子進行反應與重組，CH3可能與自由基等活躍小分子結合形成更為穩(wěn)定的分子結構；也可能與HMDSO 或其片段反應生成較為穩(wěn)定的CH4或C2烴進而脫離；還有可能進行Si—C 鍵的重組回存在空位的HMDSO 熱解片段上，這些是生成熱解產物CH4及C2烴的主要反應?？梢钥闯霾煌瑴囟认麦w系內CH3數量變化基本呈現先上升后下降的趨勢，這與HMDSO 熱解過程Si—C 鍵的斷裂和CH3后續(xù)的中間反應速率變化有關，溫度越高其分子數變化幅度越明顯，在1600 K下CH3數量緩慢上升且未出現大幅下降是因為剛達到熱解溫度導致的體系內反應不活躍。除了CH3還觀察到了CH4從HMDSO 上脫離，這是由于Si—C 鍵斷裂后CH3自由基奪取H 進行重組脫離，模擬中該反應觀察到的頻率遠不及Si—C 鍵斷裂反應生成CH3，這與量子化學計算得到的CH4脫離所需克服的能壘高于CH3的脫離結論相一致[9]。在熱解反應中觀察到H 轉移的現象(1600 K 溫度下出現于53 ps)，例如脫去了一個甲基的(CH3)3SiOSi(CH3)2會從其他HMDSO 分子或片段上奪取一個H 填補在空位上形成(CH3)3SiOSi(CH3)2H。

隨著熱解溫度升高體系內觀察到了更多重要反應。高溫下HMDSO 發(fā)生了Si—O 鍵的斷裂，生成了Si(CH3)4以及(CH3)2SiO (1800 K 溫度下出現于198 ps)；觀察到了C2H2從HMDSO 熱解片段中脫離。隨著熱解反應的繼續(xù)進行，Si—O 鍵斷裂的情況逐漸增多，并且生成的分子片段有概率進行重組聚集成大型團簇，這與Chernyshev 等[6]進行的HMDSO 熱解反應的實驗結果一致。在整個模擬過程中只觀察到了Si(CH3)4的生成，體系中并沒有發(fā)現Si(CH3)3，這也與HMDSO 熱解實驗產物分析結果相一致。由此可以推斷HMDSO 熱解中Si—O 鍵斷裂反應傾向于形成更為穩(wěn)定的Si(CH3)4而非Si(CH3)3，HMDSO 熱解為Si(CH3)4和(CH3)2SiO 的反應解離能比熱解為Si(CH3)3和(CH3)3SiO 更低[9]。只在較高溫度下觀察到了SiO 的生成(2500 K 溫度下出現于148 ps)，在整個模擬過程中多次出現又很快反應消失。當熱解溫度很高時體系內分子運動極為活躍使得熱解分子片段間的重組反應難以發(fā)生，體系內觀測不到大分子團簇，相較于其他模擬溫度整體體系呈現完全碎片化的趨勢，如圖11所示。

圖11 1800 K與2500 K溫度條件模擬體系展示Fig.11 Molecular structures of pyrolysis products at 1800 K and 2500 K

2.5 壓力對HMDSO熱解反應的影響

使用NPT 系綜在溫度298 K、壓力分別設置為0.1、0.5、1、2、4 atm 的條件下對體系進行30 ps 的縮放與弛豫，弛豫結束后對應的模擬盒尺寸分別為119.2、84.3、70.4、62.4、49.3 ?，對應HMDSO 濃度0.0032、0.0090、0.0155、0.0222、0.0449 g/cm3，在1800 K的溫度下使用力場A對弛豫后的各體系進行等溫模擬。不同壓力下模擬體系總分子數隨時間變化如圖12 所示，體系勢能隨時間變化如圖13 所示，而圖14 與圖15 分別對應了不同壓力模擬主要產物以及主要含Si產物隨時間的分布情況。

圖12 不同壓力下模擬體系總分子數隨時間的變化Fig.12 Evolution of the total molecular number of the system for different pressures

圖13 不同壓力下模擬體系勢能隨時間的變化Fig.13 Evolution of potential energy during the whole simulation process with different pressures(1 cal=4.18 J)

圖14 不同壓力下部分主要產物隨時間的變化Fig.14 Evolution of some main small molecule products for different pressures

圖15 不同壓力下主要含Si產物隨時間的變化Fig.15 Evolution of the main Si-containing products during the simulations with different pressures

體系勢能最初都經歷了一段上升期，這是由于吸熱反應導致的。除了0.1 atm 外，其他條件下體系經過中間反應階段后勢能趨于漸近值，這意味著體系內化學反應劇烈程度不斷下降，同時伴隨著穩(wěn)定的最終產物的生成，而0.1 atm 條件下勢能保持緩慢上升，在模擬結束時體系勢能最高。圖14中能觀察到在0.1 atm 條件下體系內CH3自由基數量不斷上升，而其他壓力下CH3都呈現先上升后減小的趨勢。通過對產物和軌跡的分析發(fā)現0.1 atm 下由于體系內較低的分子濃度，使得HMDSO 經過初始熱解階段后分子間發(fā)生后續(xù)反應的概率變低，其體系分子總數和種類相比于高壓條件更少，但有更多包括CH3在內的活躍分子在體系內運動，而在高壓時CH3被快速地消耗并且有更多穩(wěn)定的反應產物生成，據此可以推測在低壓條件下HMDSO 熱解產物表面會因不完全熱解接枝聚合更多的自由基。體系內團簇的形成也與壓力密切相關，在0.1 atm 下并未觀察到明顯的聚合成團現象，含Si 產物基本上是HMDSO 熱解斷裂形成的片段。隨著模擬壓力增加開始形成團簇，且壓力越大體系分子越密集，形成的團簇尺寸也越大，圖16展示的不同壓力條件下模擬體系圖能很直觀地看出壓力對于體系成團的影響。

圖16 不同壓力條件下模擬體系分子分布Fig.16 Molecular structures of pyrolysis products at different pressures

模擬結果表明壓力對于HMDSO 熱解的影響主要體現在中間反應程度上。壓力越大體系越擁擠，分子間發(fā)生反應的可能性就越大，不穩(wěn)定的中間體會被快速消耗形成更多穩(wěn)定的熱解產物，體系內成團現象也會更加劇烈。

2.6 氣相色譜實驗

為了檢測HMDSO 熱解產物以驗證模擬結果的準確性，開展了氣相色譜實驗。氣相色譜儀預設了包括烷烴、烯烴、乙炔等在內的部分常見且不超過五個碳的烴類，如表1 所示。圖17 為不同溫度下HMDSO熱解氣相色譜圖。

圖17 溫度為700℃、800℃、900℃時HMDSO熱解色譜圖Fig.17 Chromatography of pyrolysis at 700℃,800℃,900℃

表1 氣相色譜儀預設化合物名及結構Table 1 The chemical name and structure of the preset compound in the gas chromatograph

熱解溫度700℃時檢測出15 種熱解產物，產物種類相比800℃與900℃時更豐富，但是烴類總含量只占產物的不到0.5%，且結構穩(wěn)定的CH4、C2烴等熱解最終產物與在高溫下會發(fā)生裂解的高碳烴類在總產物中的含量占比相差不大，HMDSO 在此溫度下尚未完全熱解。熱解溫度800℃時產物中檢測出的烴類產物種類急劇減少，CH4含量提升最多成為主要烴類產物，C2H4含量小幅提升，C2H6含量變化不大，峰4～15 對應的產物含量下降或未檢測出，900℃時的熱解產物與800℃時差別不大。總體來說隨著溫度升高，HMDSO 熱解生成的烴類產物種類明顯減少，大部分為CH4和C2烴，表2 給出了不同溫度下ReaxFF MD 模擬中主要烴類產物占比，其產物種類和趨勢與實驗結果基本一致，實驗中統計烴類產物含量占比時用作載氣的惰性氣體也參與了統計，所以實驗烴類產物含量占比普遍比模擬結果低。值得注意的是在2500 K模擬時CH4在產物中的含量占比相較于1800 K 和2000 K 時有所降低。這種現象主要由于等溫熱解模擬研究時并未采用升溫模擬策略，使得熱解溫度很高時部分勢壘相對較高的反應能在模擬前中期發(fā)生，且高溫下產物趨于碎片化，體系總產物數量劇增，而實驗過程經歷了升溫過程和退火過程，這會導致高溫時模擬產物占比與實驗產生較大差異。

表2 不同溫度下ReaxFF MD模擬部分主要烴類產物占總產物分子數的比例Table 2 The percentages of some major hydrocarbons in the total products obtained by ReaxFF MD simulation at different temperatures

2.7 熱解反應網絡

通過觀察ReaxFF MD 模擬軌跡以及產物分析，結合氣相色譜實驗數據，給出了HMDSO 熱解的主要反應路徑，如圖18所示。從圖中反應網絡可以看出，HMDSO初始熱解路徑包括CH3的解離、CH4的解離、Si—O 鍵斷裂分解為(CH3)2SiO 和Si(CH3)4，以及與其他物質結合形成更大的分子結構。在這些反應路徑后面，大部分的反應是通過CH3、CH4等碳氫化合物從HMDSO 上斷鍵脫離或是與之重組實現，這些反應貫穿了整個HMDSO 熱解反應網絡，是熱解產物CH3、CH4以及C2烴的主要來源，因為這些反應的能壘相對較低，反應更容易進行。HMDSO 還有可能發(fā)生Si—O 鍵斷裂，從而分解為C/H/Si 分子碎片及C/H/Si/O 分子碎片，裂解出的碎片處于不穩(wěn)定狀態(tài)，會與其他碎片結合形成大的分子，在模擬中觀察到的分子團簇也是由此產成。需要注意的是，重組反應不僅會發(fā)生在產物碎片之間，HMDSO 分子或更大結構的分子也會與這些碎片進行重組，這些現象也可以在圖18 中觀察到。HMDSO 熱解反應的主要產物除了上述的小分子碳氫化合物、裂解出的分子碎片和形成的分子團簇外，在反應后期還會生成SiH4、SiH2等硅氫化合物以及CH4Si等碳硅氫化合物，CH2O脫離后也會以比較穩(wěn)定的狀態(tài)存在于反應體系內。

圖18 HMDSO主要熱解反應路徑Fig.18 Overview diagram of HMDSO pyrolysis

3 結 論

本文采用ReaxFF MD 方法對比了不同ReaxFF反應力場對HMDSO 熱解分子動力學模擬過程的影響，觀察不同力場下HMDSO 分子熱解路徑，將不同力場進行HMDSO 熱解模擬得到的產物分布和模擬軌跡與先前的實驗與模擬結果進行對比，可以得出現有力場中Newsome 等[29]針對C/H/O/Si體系開發(fā)的ReaxFF 反應力場適用于HMDSO 熱解模擬。選定力場后進行了HMDSO 熱解模擬，分析了主要產物在不同溫度以及不同壓力條件下的形成及演變規(guī)律，并進行了HMDSO 熱解氣相色譜實驗，揭示了HMDSO 的熱解反應路徑和機理。結果發(fā)現，溫度對于HMDSO 的熱解反應有著重要影響，當溫度達到HMDSO 熱解條件時，其初始熱解反應為Si—C 鍵斷裂導致的CH3脫離。隨著溫度升高熱解反應加劇，觀察到H 轉移、CH4脫離、Si—O 鍵斷裂以及分子間重組的一系列反應，熱解的主要產物為CH3、CH4、C2烴、H2、SiH4、CH2O、HMDSO初始熱解片段以及一些大分子團簇。當熱解溫度進一步上升時，發(fā)現HMDSO 會因反應過于劇烈而出現熱解產物完全碎片化的現象，分子片段在此溫度下不會聚集成大型分子團簇。SiO 作為HMDSO 高溫熱解下的中間產物，由于其很不穩(wěn)定，在體系內生成之后會很快參與反應消失，除此之外，產物中還會出現少量CO、C2、Si/H 以及C/Si/H 組成的小分子物質。壓力對HMDSO 熱解反應的影響主要體現在體系濃度變化導致的中間反應程度改變。當體系壓力增加時，分子間相互碰撞的可能性變高導致中間反應更為劇烈，產物種類增多并且分子間重組成團更為明顯，反之亦然。產物分析發(fā)現體系內CH3數量先上升后下降，其原因是Si—C 鍵斷裂反應勢壘較低導致其在熱解初期大量生成，但是CH3本身不夠穩(wěn)定，會與其他的分子結合而不斷消耗，因此反應后期數量會逐漸下降，體系內CH3的數量變化與HMDSO 初始熱解反應與中間反應劇烈程度相關。