張立

（西安導(dǎo)航技術(shù)研究所，陜西 西安 710068）

1 概述

隨著通信、電子對(duì)抗等設(shè)備綜合化程度的提高，以超寬帶功率放大器為核心的超寬帶發(fā)射機(jī)的開發(fā)越來越重要。相比于窄帶功放，超寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)難度大、輸出效率低、輸出功率水平低，成為當(dāng)前制約超寬帶大功率發(fā)射機(jī)應(yīng)用的因素之一。隨著當(dāng)前國際局勢(shì)的影響，通信設(shè)備在國產(chǎn)化方面的需求越來越重要，超寬帶功放模塊面臨著高功率、高效率等挑戰(zhàn)的同時(shí)，還需要解決國產(chǎn)化的問題。三代半導(dǎo)體（GaN 等材料）具有較快的電子遷移率，較高的擊穿電壓，較高的導(dǎo)熱率等特性，可以用于超寬帶大功率電路的設(shè)計(jì)[1-2]。但是GaN 功率器件在使用中也有不便之處，柵極阻抗較低，匹配的難度大。工作狀態(tài)，柵壓為負(fù)值，若上電時(shí)序處理不當(dāng)，功率管容易燒毀，所以負(fù)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)也尤為重要。

本文針對(duì)綜合射頻系統(tǒng)的超寬帶需求，通過仿真分析設(shè)計(jì)了同軸線變壓器寬帶匹配方案，并給出了大耐受度的負(fù)壓保護(hù)電路方案，最終應(yīng)用GaN 功率管，采用傳輸線巴倫和負(fù)反饋的匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)一款所有器件符合100%國產(chǎn)化要求的超寬帶功率放大器。經(jīng)過仿真分析和硬件實(shí)測(cè)，該放大器指標(biāo)滿足系統(tǒng)應(yīng)用要求。

2 放大器設(shè)計(jì)

2.1 技術(shù)要求

（1）工作頻率：30MHz～512MHz；

（2）輸入功率：40dBm±1dB；

（3）輸出功率：≥53dBm（200W）；

（4）帶內(nèi)平坦度：≤1dB；

（5）占空比：100%；

（6）效率：≥60%；

（7）ACPR：≥35dBc（回退6dB）；

（8）電源：+48V。

2.2 傳輸線巴倫

本文設(shè)計(jì)的功放頻率跨越多個(gè)倍頻程（30MHz～512MHz），對(duì)應(yīng)功率管阻抗值的波動(dòng)范圍超過十幾倍。如果使用LC 節(jié)或微帶、電容混合電路來設(shè)計(jì)電路，將需要龐大的匹配電路，工程實(shí)現(xiàn)上是不可行的。使用傳輸線變壓器（TLT，Transmission Line Transformer）實(shí)現(xiàn)阻抗變換可以解決這個(gè)問題。

TLT 是傳輸線纏繞在一定規(guī)格的磁芯上制作而成，按照不同的方式連接，改變電流的傳輸方式，可構(gòu)成不同形式的傳輸線變壓器。因?yàn)橥S線的內(nèi)外導(dǎo)體之間的耦合特性良好，導(dǎo)致同軸線型TLT 的耦合電容相對(duì)較低，能夠在寬帶范圍內(nèi)完成阻抗變換[3-4]。

本文采用的TLT 結(jié)構(gòu)如圖1 和圖2 所示。圖1 中的同軸線特性阻抗為50Ω，采用1:1 傳輸線巴倫的形式，可以支撐功放的推挽結(jié)構(gòu)，平衡端的阻抗為25Ω。圖2 中的同軸線特性阻抗為25Ω，采用4:1 傳輸線巴倫的形式，將25Ω 的阻抗變換到6.25Ω。

圖2 4:1 傳輸線巴倫

TLT 的磁芯可以減小或消除低頻的諧振尖峰，但也會(huì)使頻段高端性能惡化。由于電磁波主要是在傳輸線的介質(zhì)中傳播，所以由磁芯而引起的損耗比較小，一般的磁芯采用鎳鋅材料或者高頻鐵氧體制成。磁環(huán)的尺寸選擇主要考慮需要耐受的功率，可根據(jù)不同功率大小選擇直徑從毫米到數(shù)十毫米級(jí)別的磁環(huán)。過大的電感值將會(huì)惡化高頻指標(biāo)，所以在電路設(shè)計(jì)中需控制磁環(huán)的電感值，公式（1）是其經(jīng)驗(yàn)公式。

其中，ωmin表示最小角頻率，R 表示中心頻點(diǎn)的輸入阻抗。

2.3 電路設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)的功放工作電壓為+48V，為GaN HEMT晶體管，單管輸出大于100W，雙管推挽合成后，輸出功率大于200W，平衡式架構(gòu)具有較高的穩(wěn)定性及可靠性[5]。

匹配方案如圖3 所示，輸入阻抗采用兩級(jí)匹配方式，第一級(jí)采用1 個(gè)同軸TLT（巴倫），將入的單端信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)椴罘中盘?hào)，進(jìn)行不平衡- 平衡轉(zhuǎn)換。第二級(jí)采用4:1 的TLT，將50Ω 阻抗變換到12.5Ω，其單端對(duì)地阻抗為6.25Ω，與晶體管單管阻抗6.125Ω 相近，可以利用微帶線進(jìn)行調(diào)節(jié)使其阻抗匹配。使用負(fù)反饋電路改善平坦度，輸出阻抗匹配原理與輸入阻抗匹配一致。

圖3 電路原理框圖

2.4 仿真分析

使用ADS 軟件進(jìn)行兩級(jí)巴倫匹配的仿真分析和匹配電路的參數(shù)設(shè)計(jì)，仿真原理圖如圖4 所示。

圖4 兩級(jí)TLT 仿真原理圖

巴倫端口增益關(guān)系如圖5 所示，端口相位關(guān)系如圖6 所示，在30MHz～512MHz 頻帶內(nèi)，經(jīng)兩級(jí)巴倫匹配后，端口1 到端口2 和端口3 的增益幅度相等，相位差為180°，插入損耗較小，端口阻抗匹配良好。

圖5 端口增益仿真結(jié)果

圖6 端口相位仿真結(jié)果

2.5 負(fù)壓保護(hù)設(shè)計(jì)

正常工作裝填的GaN 放大器的柵極為負(fù)電壓，若為零或正電將會(huì)燒毀功率管，所以負(fù)壓保護(hù)電路尤為重要。圖7 為負(fù)壓保護(hù)的原理圖，U1 和U2 為兩個(gè)DC/DC器件，輸出電壓分別為-10V 和+5V，U3(光耦)、D1（二極管）、R1（電阻）等元器件組成負(fù)壓檢測(cè)電路，此電路在柵極為負(fù)壓時(shí)，U3(光耦)輸出電平為高。U4 是“與門”器件，在發(fā)射開關(guān)和光耦輸出都為正時(shí)，輸出電平Vd 為高，Q2（MOS 管）導(dǎo)通，漏極電路正常，其他的情況下，Q1 為關(guān)閉狀態(tài)，漏極電壓為零可以有效保護(hù)GaN 放大器[3]。

圖7 負(fù)壓保護(hù)原理圖

2.6 實(shí)物加工測(cè)試

為了適用大功率要求，選用直徑較粗的同軸線巴倫，磁芯也選用了耐受功率更強(qiáng)的、飽和磁通量更高的型號(hào)。實(shí)物如圖8 所示，測(cè)試時(shí)采用某平臺(tái)驅(qū)動(dòng)模塊推動(dòng)。

圖8 超寬帶放大器實(shí)物圖

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)如表1 所示，在30MHz～512MHz 頻段內(nèi)，功放輸出功率均高于53dBm,漏極效率優(yōu)于60%，滿足模塊設(shè)計(jì)要求。

表1 測(cè)試結(jié)果

ACPR 測(cè)試結(jié)果如圖9 和圖10 所示，在功放輸入功率回退6dB 的情況下，MSK 調(diào)制信號(hào)，ACPR 指標(biāo)由于39dBc，滿足指標(biāo)要求。

圖9 30MHz 的ACPR 測(cè)試結(jié)果

圖10 512MHz 的ACPR 測(cè)試結(jié)果

3 結(jié)論

本文基于全國產(chǎn)器件，給出了一款30MHz～512MHz超寬帶200W 功率放大器的實(shí)現(xiàn)方式。采用同軸巴倫結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)超寬帶匹配，討論了巴倫匹配的實(shí)現(xiàn)方法及優(yōu)勢(shì)，測(cè)試結(jié)果顯示，在30MHz～512Hz 頻段內(nèi)，放大器最小輸出功率大于200W，漏極效率大于60%，且平坦度優(yōu)于1dB，滿足指標(biāo)要求。