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        基于綜合損耗最優(yōu)的雙有源橋式變換器調(diào)制方法*

        2022-08-06 08:35:54陳曉楠王明才鄭澤東
        電氣工程學(xué)報 2022年2期
        關(guān)鍵詞:模態(tài)優(yōu)化方法

        陳曉楠 王明才 李 馳 趙 楠 鄭澤東

        (1. 國網(wǎng)電動汽車服務(wù)有限公司 北京 100052; 2. 清華大學(xué)電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系 北京 100084)

        1 引言

        近年來,電力電子技術(shù)在高壓大功率電能場合得到充足的發(fā)展,大功率多單元級聯(lián)型變換器被廣泛應(yīng)用于儲能、機車牽引、船舶直流電力系統(tǒng)、直流輸電和直流電網(wǎng)等相關(guān)領(lǐng)域,實現(xiàn)高效的電能變換功能。

        雙有源橋變換器是多單元級聯(lián)型變換器中的重要變流部件。雙有源橋變換器的基本拓撲結(jié)構(gòu)(圖1)和工作原理于20世紀90年代被提出[1],其控制靈活,具有高頻電能變換、軟開關(guān)、電氣隔離等優(yōu)點。

        圖1 雙有源橋變換器的拓撲結(jié)構(gòu)

        雙有源橋變換器有三個調(diào)制的自由度:原邊橋臂內(nèi)移相、副邊橋臂內(nèi)移相和原副邊橋臂外移相。單移相調(diào)制只采用原副邊橋臂外移相作為控制變量,是最簡單的調(diào)制方法。采用這種調(diào)制策略,當(dāng)電壓變比和變壓器變比不匹配時,高頻電流迅速增大,軟開關(guān)工作區(qū)域變窄,變換器導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗增加。為解決這個問題,很多文獻提出了多自由度移相調(diào)制方法。文獻[2]采用了擴展移相調(diào)制,副邊不存在內(nèi)移相,通過控制原邊橋臂內(nèi)移相和原副邊橋臂外移相來完成功率的傳遞。文獻[3-5]中采用雙移相調(diào)制,原副邊存在內(nèi)移相且內(nèi)移相值相同,通過改變原副邊外移相值控制功率的傳遞。三移相調(diào)制則采用全部三個調(diào)制自由度[6-11],單移相調(diào)制、擴展移相調(diào)制和雙移相調(diào)制都是三移相調(diào)制的特殊形式。

        為了提升變換器的工作效率,不少文獻會結(jié)合調(diào)制方法對雙有源橋變換器的電流、功率情況進行分析。針對雙有源橋變換器的電流優(yōu)化,主要包括最優(yōu)電流應(yīng)力調(diào)制[8,10]、最優(yōu)電流平均值調(diào)制[11]、最優(yōu)電流RMS值調(diào)制[12]。最優(yōu)電流應(yīng)力調(diào)制將電感電流峰值降為最小,減小了器件的開關(guān)損耗與電流應(yīng)力。最優(yōu)電流平均值調(diào)制能夠保證電感電流的平均值最小,從而使IGBT器件的通態(tài)損耗降為最低。最優(yōu)電流RMS調(diào)制能夠保證電感電流的有效值最小,從而使MOSFET器件的通態(tài)損耗降為最低。這些調(diào)制方法通常僅針對雙有源橋變換器的部分損耗進行優(yōu)化,未考慮其他部分的損耗。此外,還有文獻提出了最小功率回流的調(diào)制方法[13-15]。但是回流功率的定義不具備明確的物理意義,無法直接聯(lián)系常用的無功功率概念。這種建模方法計算量大、過程復(fù)雜,隨著調(diào)制自由度的增多,通過瞬時功率積分計算回流功率的難度加大。文獻[16]從頻域上定義了統(tǒng)一的無功功率,并通過優(yōu)化調(diào)制參數(shù)對基波或是一部分無功功率進行優(yōu)化。但是雙有源橋變換器的高頻電壓和高頻電流分別呈方波和梯形波,其中含有大量的諧波分量,因此基于基波的優(yōu)化方法必然存在誤差。

        基于以上分析,本文通過對雙有源橋變換器的電流時域解析建模,描述其開關(guān)器件帶來的損耗,結(jié)合啟發(fā)式算法和各工作模態(tài)邊界約束條件,提出了損耗最小的優(yōu)化調(diào)制策略,并通過實際算例與現(xiàn)有的基于電流的優(yōu)化調(diào)制方法進行了對比,表明了本文提出的最優(yōu)損耗調(diào)制策略算法的有效性。

        2 雙有源橋變換器的工作模態(tài)分析

        對于一個雙有源橋變換器,設(shè)開關(guān)器件編號為S1~S8,變壓器為變比為1∶1的理想變壓器,雙有源電感為L1,原副邊直流電壓分別為U1和U2,原副邊交流電壓分別為u1和u2,d為輸入輸出電壓變比。令δ0、δ1、δ2分別代表原副邊方波之間的相位差、原邊內(nèi)移相值和副邊內(nèi)移相值,如圖2所示。

        圖2 雙有源橋變換器工作波形圖

        圖3 雙有源橋變換器的工作模態(tài)

        每種模態(tài)對應(yīng)的移相值關(guān)系如下所示。

        (1) 模態(tài)1

        (2) 模態(tài)2

        (3) 模態(tài)3-1

        (4) 模態(tài)3-2

        鄉(xiāng)黨們又驚又喜,正準備拍巴掌,沒料想寶剛爹怒容滿面地站起,大聲呵斥道,你這臭婆娘,還毛主席愛你你愛他,不曉得怕丑。他還沒說完,又是巴掌又是笑,會場里攪成了一鍋粥。

        (5) 模態(tài)4

        (6) 模態(tài)5

        其中,模態(tài)4電流大且沒有傳遞功率,帶來較大損耗,因此該調(diào)制策略是要避免出現(xiàn)的。剩余4種模態(tài)下開關(guān)時刻的電流值以及積分后得到的電流有效值分別如下所示。

        (1) 模態(tài)1

        (3) 模態(tài)3-1與3-2

        (4) 模態(tài)5

        3 雙有源橋變換器最優(yōu)損耗調(diào)制方法

        3.1 雙有源橋損耗模型

        推導(dǎo)出電流的波形之后,就可以得到雙有源橋變換器的總體損耗,由導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗構(gòu)成。由于MOSFET的導(dǎo)通損耗正比于電流有效值的平方,關(guān)斷損耗正比于開關(guān)頻率??傮w損耗的模型由式(9)給出

        式中,Rds(on)是MOSFET導(dǎo)通電阻;Eoff是開關(guān)時刻S1~S8的關(guān)斷損耗能量,可以通過數(shù)據(jù)手冊,根據(jù)實際關(guān)斷電流與工作溫度,線性擬合至實際工作點。

        將電流波形代入雙有源橋變換器的損耗模型,則可以得到損耗關(guān)于三個移相比的函數(shù)。代入任意調(diào)制方法下的移相比,就可以計算出該調(diào)制方法下的雙有源橋變換器整體損耗。

        3.2 雙有源橋最優(yōu)損耗調(diào)制

        推導(dǎo)變換器的整體損耗模型之后,則可以求解以下優(yōu)化模型,得到雙有源橋變換器最優(yōu)損耗的調(diào)制方法

        根據(jù)式(5)、(6),即雙有源橋變換器的總損耗和具體選擇器件的參數(shù)、MOSFET導(dǎo)通電阻Rds(on)和開關(guān)器件關(guān)斷損耗Eoff將會影響損耗的大小。這個優(yōu)化模型的解析表達式難以求解,可以采用暴力搜索或啟發(fā)式算法如遺傳算法、粒子群算法等求解移相比。具體算法流程如圖4所示。

        圖4 雙有源橋變換器的最優(yōu)損耗調(diào)制方法算法流程

        首先確定雙有源橋變換器的工作參數(shù),然后依次從小到大選取變換器功率,在不同模態(tài)下分別用暴力搜索的方法遍歷各工作點損耗,同時利用各模態(tài)的邊界條件作為限制因素,最終求解得到的最優(yōu)移相比可以保證雙有源橋變換器在給定的工作點、電路參數(shù)和開關(guān)器件的特性下,取到最小的損耗。

        該優(yōu)化調(diào)制策略的構(gòu)建考慮了不同的器件特性和電路參數(shù),因此適用于所有雙有源橋變換器的情況。同時,由于優(yōu)化目標(biāo)直接為雙有源橋變換器的整體損耗,而非高頻電流等中間變量,因此可以確保最小損耗。

        實際使用時,可以通過對輸出電壓進行積分得到電路的功率指令值,結(jié)合當(dāng)前電路的輸入電壓與輸出電壓,即可得到當(dāng)前工作點信息,通過查表方法可以得到當(dāng)前工作點下的最優(yōu)的δ0、δ1、δ2,如圖5所示。

        圖5 控制與最優(yōu)損耗調(diào)制圖

        4 雙有源橋變換器最優(yōu)損耗調(diào)制實例

        假設(shè)雙有源橋變換器的所有開關(guān)管采用來自Cree的SiC MOSFET C2M0080120D,在d=0.8,開關(guān)頻率50 kHz的情況下,最優(yōu)損耗調(diào)制下的移相比求解如圖6所示。此時雙有源橋變換器的整體損耗主要由導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗組成,如圖6在輕載部分的鋸齒是因為此時最優(yōu)損耗調(diào)制情況存在于情況2和3的邊界附近。

        圖6 d=0.8,50 kHz下的內(nèi)外移相比示意圖

        若在同樣的參數(shù)下,降低開關(guān)頻率到15 kHz,最優(yōu)損耗調(diào)制下的移相比如圖7所示。此時雙有源橋變換器的損耗基本為MOSFET開關(guān)管的導(dǎo)通損耗,所以可以近似認為雙有源橋變換器最優(yōu)損耗等于最小的MOSFET導(dǎo)通損耗,即對應(yīng)最優(yōu)電流RMS值調(diào)制的情況。因此,最優(yōu)損耗調(diào)制得到的移相比也與最優(yōu)電流RMS調(diào)制的結(jié)果幾乎一致。說明最優(yōu)電流RMS調(diào)制僅為最優(yōu)損耗調(diào)制的一個特例,即假設(shè)雙有源橋變換器的整體損耗基本為MOSFET導(dǎo)通損耗構(gòu)成。

        圖7 d=0.8,15 kHz下的內(nèi)外移相比示意圖

        當(dāng)原副邊電壓匹配時,即d=1,在開關(guān)頻率50 kHz的情況下,最優(yōu)損耗調(diào)制的移相比如圖8所示。與其他調(diào)制方法顯著的不同之處在于,最優(yōu)的內(nèi)移相比不為零。通過采用非零的內(nèi)移相比,原副邊各有一個橋臂的開關(guān)管會承受更小(近似為原先一半)的關(guān)斷電流,進一步降低DAB變壓器的總損耗。不同于單移相調(diào)制下,原邊的兩個橋臂的開關(guān)管都需要承受最大的關(guān)斷損耗,此時有一個橋臂的開關(guān)管承受近似原先一半的關(guān)斷損耗,副邊同理。此時的調(diào)制類似于梯形調(diào)制,最優(yōu)損耗調(diào)制能通過梯形調(diào)制減小關(guān)斷損耗,取得更高的效率。

        圖8 d=1,50 kHz下的內(nèi)外移相比示意圖

        圖9a對比了最優(yōu)調(diào)制策略和現(xiàn)有的幾種電流優(yōu)化調(diào)制策略下的效率,此時d=0.8,開關(guān)頻率為50 kHz??梢钥吹酱蠹s在有功功率小于33%的低功率區(qū),所有的調(diào)制方式顯示了一樣的效率,因為在兩端電壓不匹配且功率較小的時候,可以通過構(gòu)造三角形電流波形實現(xiàn),此時四種調(diào)制策略均為效率最優(yōu)。隨著功率增加,上述調(diào)制方法無法滿足有功功率的需求,在圖9a中約P=0.33處,幾種最優(yōu)調(diào)制方式進入不同的工作模式,使用不同的移相比。對比幾條效率曲線,本文提出的最優(yōu)損耗調(diào)制,始終能取得最高的效率(即最小的損耗)。隨著有功功率逐漸增加到100%,幾種調(diào)制方法的效率又趨于一致,因為隨著負載增加,移相比的調(diào)整自由度逐漸減小,幾種調(diào)制方式的移相比逐漸收斂到唯一可行的移相比。圖9b中,在電壓匹配時,即d=1時,最優(yōu)損耗調(diào)制方法在全功率段取得了更高的效率。其他的最優(yōu)調(diào)制方法在電壓匹配時均采取最為簡單的單移相調(diào)制,此時內(nèi)移相δ1和δ2均為零,盡管此時可以實現(xiàn)ZVS軟開通,關(guān)斷損耗卻并非最小。

        圖9 不同調(diào)制下的效率對比

        在PLECS中對電壓不匹配(d=0.8)的情況進行仿真,選擇開關(guān)器件C2M0080120D,開關(guān)頻率50 kHz。對比了P=0.5情況下的最優(yōu)損耗調(diào)制和最優(yōu)電流有效值的效率,如圖10所示。從圖10可以看出,采用了最優(yōu)損耗調(diào)制的雙有源橋變換器效率為99.1%,采用了最優(yōu)電流有效值調(diào)制的雙有源橋變換器效率為98.9%,基本與理論計算一致,驗證了理論的正確性。

        綜上可以看出以下幾點。

        (1) 當(dāng)原副邊電壓不匹配時,在輕載區(qū)最優(yōu)損耗調(diào)制與最優(yōu)電流應(yīng)力、最優(yōu)電流平均值和最優(yōu)電流RMS值調(diào)制是一樣的。因為在傳輸功率較低時,可以控制高頻電流在半個周期內(nèi)回到零,實現(xiàn)了所有開關(guān)管的零電壓開通和關(guān)斷。

        圖10 最優(yōu)損耗調(diào)制方法與最優(yōu)RMS調(diào)制 方法的仿真效率對比

        (2) 在中載區(qū),最優(yōu)損耗調(diào)制仍然采用近似三角波調(diào)制,以實現(xiàn)小電流關(guān)斷,這有利于降低關(guān)斷損耗;在重載區(qū),最優(yōu)損耗調(diào)制會存在較小的副邊內(nèi)移相比,以降低副邊的關(guān)斷電流。然而,最優(yōu)電流應(yīng)力調(diào)制則載進入中載區(qū)之后,退化為擴展移相調(diào)制,即副邊的內(nèi)移相角恒為零,這說明了最優(yōu)電流應(yīng)力調(diào)制只優(yōu)化了原邊開關(guān)管的關(guān)斷損耗,并沒有考慮副邊的關(guān)斷損耗。最優(yōu)損耗調(diào)制完整地考慮了DAB變換器的全部損耗,在全功率范圍充分利用了三個移相比,實現(xiàn)整體損耗最小。

        (3) 當(dāng)原副邊電壓匹配時,最優(yōu)損耗調(diào)制引入了非零的內(nèi)移相比,進一步降低了開關(guān)管的關(guān)斷損耗。

        (4) 當(dāng)雙有源橋變換器的導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗占比相近時,現(xiàn)有的電流優(yōu)化調(diào)制方法均無法得到最小的變換器損耗,這是因為它們只優(yōu)化了其中一部分的損耗。最優(yōu)損耗調(diào)制則可以應(yīng)對這種情況。

        5 結(jié)論

        本文提出了一種最優(yōu)損耗調(diào)制策略,主要分析過程與創(chuàng)新點如下。

        (1) 本文對雙有源橋變換器的工作模態(tài)進行了分析,明確了各模態(tài)的工作特性與邊界條件,在此基礎(chǔ)上構(gòu)造最優(yōu)損耗調(diào)制方法,通過建立目標(biāo)函數(shù)并結(jié)合邊界條件求解,可以得到使變換器總損耗(通態(tài)損耗與開關(guān)損耗之和)最低的最優(yōu)調(diào)制參數(shù)δ0、δ1、δ2。

        (2) 通過對實例進行分析,同時對比了現(xiàn)有的電流優(yōu)化調(diào)制方法,驗證了本文提出的最優(yōu)損耗調(diào)制策略的可行性與正確性。

        (3) 相比于目前的電流優(yōu)化調(diào)制方法,本文提出的調(diào)制策略能確保在給定電路參數(shù)和工作點時,尋找到最佳的移相比,使得總損耗最低,是一種更為通用、損耗最小的調(diào)制方法。

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