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        表面涂覆對直流條件下盆式絕緣子電荷特性的影響

        2022-08-03 11:33:34王亞祥袁端鵬司曉闖
        河南科技 2022年14期
        關(guān)鍵詞:正電荷盆式負電荷

        高 翔 王亞祥 袁端鵬 張 佩 陳 蕊 司曉闖

        (1.河南平高電氣股份有限公司,河南 平頂山 467001;2.平高集團有限公司,河南 平頂山 467001)

        0 引言

        隨著經(jīng)濟的快速發(fā)展及用戶對電能使用要求的不斷提高,直流輸電技術(shù)在電能遠距離傳輸中的應(yīng)用也日益廣泛。與傳統(tǒng)交流輸電相比,直流輸電不僅可增加傳輸容量與傳輸距離、降低線路損耗、解決系統(tǒng)同步運行的穩(wěn)定性問題,還將可再生能源與傳統(tǒng)能源廣域互聯(lián),充分提高可再生能源的利用率[1-2]。但在盆式絕緣子結(jié)構(gòu)設(shè)計方面,與交流盆式絕緣子相比,直流盆式絕緣子表面更易產(chǎn)生電荷積聚,使原有電場分布發(fā)生畸變,降低絕緣子的沿面閃絡(luò)電壓[3-5]。

        國內(nèi)外研究表明,在直流電壓下,絕緣子表面電荷主要沿表面消散和向周圍氣體消散。因此,在保證具備足夠電氣強度的前提下,適當降低絕緣子表面的電阻率,增加電荷沿表面消散的電導(dǎo)電流密度,有利于降低絕緣部件表面電荷積聚,加速電荷的消散,降低閃絡(luò)和擊穿風險[6-7]。

        近年來,通過涂覆技術(shù)在盆式絕緣子表面涂抹環(huán)氧樹脂的方式來抑制表面電荷積聚,從而提高閃絡(luò)電壓,被眾多研究人員所證明[8-9]。

        本研究通過對表面涂覆一種含TiO2成分的環(huán)氧樹脂涂層的盆式絕緣子,在直流條件下對電荷積聚情況進行測量試驗研究,獲得表面涂覆對盆式絕緣子直流條件下的電荷特性。

        1 試驗平臺介紹

        1.1 試驗裝置結(jié)構(gòu)

        表面電荷測量試驗平臺如圖1所示,該平臺中的直流高壓發(fā)生器產(chǎn)生直流高壓,經(jīng)過保護電阻后可施加到GIS的中心電極上,整個測量系統(tǒng)都置于密封罐體中,罐體可承受氣體壓力為0.4 MPa,測量信號和控制信號均通過真空密封的航空插頭轉(zhuǎn)接。在中心電極末端安裝有被測的盆式絕緣子。表面電荷測量裝置安裝在被測盆式絕緣子后端,裝置內(nèi)充入氣壓為0.33 MPa的純凈SF6氣體,裝置外殼接地。

        圖1 表面電荷測量系統(tǒng)示意圖

        為了能夠?qū)ε枋浇^緣子的表面進行掃描測量,獲得其表面的電荷分布,本研究采用四軸三維測量機構(gòu)來操控靜電探頭。四軸三維測量機構(gòu)包含一組軸向?qū)к?、一組徑向?qū)к?、一個可360°旋轉(zhuǎn)的底座和一個探頭夾持的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)。軸向?qū)к壙蓪崿F(xiàn)測量臂沿罐體軸線方向靠近或遠離盆式絕緣子的待測表面,徑向?qū)к壙蓪崿F(xiàn)測量臂沿盆式絕緣子在徑向方向移動,旋轉(zhuǎn)底座可實現(xiàn)測量機構(gòu)在測量圓周上的旋轉(zhuǎn),而探頭夾持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)可控制探頭旋轉(zhuǎn)一定角度,從而實現(xiàn)對姿態(tài)的調(diào)整。四個軸均由伺服電機控制,控制系統(tǒng)采用華中數(shù)控HNC-08M系統(tǒng),操縱機構(gòu)的機械運動可用PLC語言進行編程控制,機械操控的定位精度為±0.1 mm。

        1.2 試驗用絕緣子

        試驗主體是直流盆式絕緣子縮比樣件,盆子結(jié)構(gòu)與絕緣材料基體保持一致,其中一種盆子表面未處理,另外一種盆子表面涂有含TiO2成分的環(huán)氧樹脂涂層(見圖2)。

        圖2 試驗用盆式絕緣子樣件

        圖2左側(cè)為涂覆含TiO2成分的環(huán)氧樹脂涂層的盆子樣件,右側(cè)為未涂覆環(huán)氧樹脂涂層的盆子樣件。盆子樣件在涂覆后,其表面電阻率較涂覆前下降3個數(shù)量級。

        2 涂覆前表面電荷積聚情況

        2.1 不同加壓時間下的電荷積聚情況

        盆式絕緣子的環(huán)氧材料參數(shù)決定了其表面電荷積聚的特性,該盆式絕緣子的電荷積聚飽和時間大致為幾十分鐘,因此,本研究設(shè)定的加壓時間為10 min、30 min、60 min、120 min。在預(yù)試驗過程中發(fā)現(xiàn),施加直流電壓小于80 kV時,盆式絕緣子表面基本沒有電荷積聚,因此,施加的電壓幅值最低為80 kV,最終設(shè)定加壓范圍為80 kV、100 kV、125 kV、150 kV、175 kV和200 kV。

        圖3和圖4為不同加壓時間下的絕緣子表面電荷積聚情況,絕緣子的中心為坐標原點,測量得到絕緣子凹面?zhèn)鹊谋砻骐姾煞e聚,標尺中深色為正電荷密度,淺色為負電荷密度,單位為μC/m2,電荷分布形態(tài)均由點狀發(fā)展為片狀。選取具有代表性的80 kV和200 kV時的電荷積聚隨時間的變化圖。

        圖3為80 kV下不同加壓時間的電荷積聚實測圖(為了使顏色圖顯示更加明顯,電荷密度的坐標刻度不同),圖5為不同電壓下表面電荷平均密度隨時間的變化趨勢,通過兩組圖可以發(fā)現(xiàn),在80 kV下主要積聚負電荷,負電荷密度在絕緣子表面分布較為均勻,1~60 min時絕緣子表面主要積聚負電荷,無明顯的正電荷積聚區(qū)域;在120 min時出現(xiàn)小范圍正電荷集聚區(qū)域,最大值超過1μC/m2,但其他區(qū)域仍主要積聚負電荷,此時平均電荷密度為-0.03μC/m2,最大負電荷密度可達-0.5μC/m2。

        圖3 80 kV下不同時間的表面電荷積聚情況

        圖4為200 kV下不同加壓時間的電荷積聚實測圖,并結(jié)合圖5可以看出,在200 kV下,絕緣子表面主要積聚正電荷,無負電荷積聚,有明顯的正電荷積聚區(qū)域,但分布不均勻,正電荷集聚區(qū)域隨著時間變化而變化;在靠近高壓電極處的正電荷密度較高,靠近接地電極的電荷密度較低,在120 min時平均電荷密度為1.74μC/m2,最大電荷密度可達10μC/m2。

        圖4 200 kV下不同時間的表面電荷積聚情況

        2.2 不同加壓幅值下的電荷積聚情況

        由2.1可知,盆式絕緣子的表面電荷積聚在60 min時達到飽和,60 min后盆式絕緣子的表面電荷密度基本不再增加,因此,本研究繪制了在60 min時80 kV、100 kV、125 kV、150 kV、175 kV和200 kV電壓下的電荷分布圖(每張圖電荷密度坐標軸刻度不一致)。

        由圖5和圖6可以看出,處在較低電壓(80 kV、100 kV)時,絕緣子表面主要積聚負電荷,基本沒有正電荷積聚,整體分布比較均勻,靠近高壓電極處的電荷密度較大,靠近接地電極的電荷密度較?。惶幵谳^高電壓(125~200 kV)時,絕緣子表面主要積聚正電荷,并在靠近高壓電極處有明顯的正電荷積聚區(qū)域,且隨著電壓幅值的增加,正電荷積聚區(qū)域變大,并向外殼的方向擴散,在靠近高壓電極處積聚正電荷,靠近接地電極處積聚少量負電荷,在電壓達到200 kV時,整個絕緣子表面全為正電荷。

        圖5 表面電荷密度隨時間變化趨勢

        圖6 60 min時不同電壓下表面電荷分布圖

        3 涂覆后表面電荷積聚情況

        涂覆后的盆式絕緣子的電荷分布測量方法與之前的測量方法相同,對涂覆前后的測量結(jié)果和分布特性進行分析可知,電荷的分布具有隨機性和飽和性,其電荷密度與盆子的表面電導(dǎo)率和介電常數(shù)有關(guān)。因此,涂覆改性材料后的盆式絕緣子的電荷分布也會發(fā)生變化。

        圖7為涂覆環(huán)氧樹脂涂層后200 kV下的不同加壓時間的電荷積聚實測圖,其電荷的分布規(guī)律與未涂覆前基本一致,在靠近高壓電極處的正電荷密度較高,靠近接地電極處的電荷密度較低。在120 min時平均電荷密度為1.02μC/m2,最大電荷密度可達6.5μC/m2。

        4 結(jié)語

        通過圖7與圖6對比可知,200 kV時涂覆前的平均電荷密度為1.47μC/m2,最大電荷密度可達10μC/m2,而涂覆后的平均電荷密度為1.12μC/m2,最大電荷密度可達6.5μC/m2,此時平均電荷密度下降30.6%,最大電荷密度下降35%。涂覆后盆式絕緣子的平均電荷密度和最大電荷密度均下降30%以上。

        圖7 涂覆后200 kV下不同時間的表面電荷積聚情況

        通過對盆子表面進行涂覆處理來降低盆子表面的電阻率,可較大幅度地降低最大電荷密度,平均電荷密度的下降會增加沿面閃絡(luò)發(fā)展過程的難度,因此,電荷密度的下降會使沿面閃電壓提升。

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