劉多偉,程飛,黃卡瑪
(四川大學(xué)電子信息學(xué)院,四川成都,610065)
無線技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到5G階段并且對6G的研究也在不斷進(jìn)行,這對射頻前端器件的性能有了越來越高的要求。功率放大器是所有無線系統(tǒng)中不可或缺的子系統(tǒng),其性能對整個系統(tǒng)有著重要影響。
在大功率半導(dǎo)體技術(shù)中,GaN HEMT寬禁帶半導(dǎo)體器件具有多種優(yōu)勢,包括高擊穿電壓,優(yōu)良的熱導(dǎo)率和耐高溫性能,同時具有能量轉(zhuǎn)換效率高、工作截止頻率高、壽命長、可靠性好的特點,適合設(shè)計大功率放大器。而且具有較高的輸入、輸出阻抗,易于對其進(jìn)行匹配電路的設(shè)計。
隨著越來越多的工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究人員聚焦在高效率功率放大器的研究上,不斷有性能優(yōu)良,結(jié)構(gòu)新穎的高效放大器問世。文獻(xiàn)設(shè)計了一款工作頻率為3.1GHz的單頻點功放,使用多級微帶低通網(wǎng)絡(luò)作為PA的輸出匹配電路,實現(xiàn)了對四階諧波的控制,功率附加效率(PAE)為82%,輸出功率為10W。在文獻(xiàn)中,實現(xiàn)了一種高效率逆F類功放。其利用輸入二次諧波效應(yīng)來提高效率,經(jīng)過數(shù)值分析和模型仿真,實現(xiàn)了諧波控制,在3.5GHz,Psat為39.9dBm,PAE達(dá)到76.7%。文獻(xiàn)提出了一種高效集成濾波器的F類功率放大器。采用高Q介質(zhì)諧振器(DR)濾波器作為PA的輸出匹配網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)了良好的頻率選擇性。在工作頻率內(nèi)最大PAE為70.7%,最大輸出功率大于10W。文獻(xiàn)分析并驗證了降低諧波控制網(wǎng)絡(luò)中四分之一波長短路傳輸線的特征阻抗,可使二次諧波阻抗隨頻率變化放緩,有利于拓寬PA的工作頻率。在中心頻率為2.6GHz時具有良好的漏極效率(DE)74.37%、輸出功率為40.82dBm,同時,在2.45~2.7GHz之間保持60%以上的效率,工作帶寬比傳統(tǒng)的F類PA寬。
本文用25W的GaN器件設(shè)計了一款F類高效功率放大器?;谠撈骷P?,通過負(fù)載牽引仿真系統(tǒng),得出最佳負(fù)載阻抗,設(shè)計并優(yōu)化輸出匹配電路。在工作頻率為2.45GHz時,該放大器的飽和PAE為73.1%,飽和輸出功率超過44.17dBm,功率增益為14.1dB。
本功放設(shè)計采用Cree公司生產(chǎn)的CGH40025F(GaN HEMT)大信號模型進(jìn)行仿真,此模型包含封裝寄生參數(shù)。首先,設(shè)置GaN晶體管的靜態(tài)偏置,漏源電壓Vds=28V,柵源電壓Vgs=-2.7V,靜態(tài)漏極電流Ids=150mA。在負(fù)載牽引仿真中輸入端驅(qū)動功率設(shè)為28dBm。
在F類功放設(shè)計中,在電流源面要求偶次諧波短路,奇次諧波開路。所以在負(fù)載牽引仿真系統(tǒng)中需要對諧波阻抗進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整,使輸出功率和效率最高。如圖1,可以清楚看到,在Smith圓圖上,最佳功率阻抗點與最佳效率阻抗點往往不能重合,所以在選擇基波阻抗時要權(quán)衡功率與效率阻抗點??紤]到設(shè)計目標(biāo)要求,圖中給出的功率圓為大于44dBm的阻抗區(qū)域,效率圓為大于70%的阻抗區(qū)域。
圖1 等功率圓(Pout>44dBm)和等效率圓(PAE>70%)
根據(jù)仿真結(jié)果,應(yīng)選擇功率圓與效率圓相交的阻抗區(qū)域為匹配目標(biāo),可同時滿足較高輸出功率和效率。但輸出阻抗在史密斯圓圖上靠近短路邊緣,給匹配電路的設(shè)計帶來挑戰(zhàn)。
理想F類功放電流源面只存在奇次諧波電壓和偶次諧波電流,為相互不疊加的方波電壓和半余弦電流,如圖2所示。因此理論漏極效率可達(dá)100%。
圖2 理想電壓電流波形
漏極電壓和漏極電流的計算公式可如下表示:
在實際電路設(shè)計中,漏極電壓波形不可能為標(biāo)準(zhǔn)的方波,而大于三次諧波的功率分量對輸出功率和效率影響不大,所以在設(shè)計諧波控制電路時只考慮二次諧波阻抗和三次諧波阻抗??紤]到晶體管的封裝寄生參數(shù),輸出匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 輸出匹配電路結(jié)構(gòu)
其中,TL2是λ/4微帶線,一方面作為直流偏置;另一方面,在A點對基波開路,且對二次諧波短路。TL3約為λ/8的開路枝節(jié),在A點與TL2同時對二次諧波短路,考慮到寄生參數(shù)的影響,添加串聯(lián)TL1微帶線,對二次諧波阻抗進(jìn)行調(diào)節(jié),使在電流面對二次諧波短路。TL5、TL6為λ/12的開路枝節(jié),所以在B點為三次諧波短路點,再經(jīng)過TL1和TL4傳輸線以實現(xiàn)在電流面對三次諧波開路。TL7、TL8、TL9組成T型節(jié)與諧波控制網(wǎng)絡(luò)結(jié)合一起對基波阻抗進(jìn)行匹配。
輸出匹配電路給出后,其基波阻抗和諧波阻抗也就確定了。所以,最好將該各阻抗值代回到源牽引仿真系統(tǒng)中,得到最佳輸入阻抗。在功率放大電路設(shè)計中,是不允許在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)加入電阻元件來提高穩(wěn)定性的。一般在輸入匹配網(wǎng)絡(luò)引入RC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)解決電路的帶內(nèi)穩(wěn)定性的同時保證較高增益,柵極偏置電阻保證低頻的穩(wěn)定性。PA電路完整的原理圖如圖4所示。圖5給出電路的小信號S參數(shù)仿真。圖6為晶體管電流源面的電壓和電流時域仿真波形。
圖4 功放電路原理圖
圖5 小信號S參數(shù)仿真
圖6 電流源面電壓和電流的仿真波形
該型號功放芯片工作時應(yīng)先導(dǎo)通柵極負(fù)壓,再打開漏極電壓。選用型號LTC1261CS8-4.5作為負(fù)壓穩(wěn)壓芯片,該芯片工作電壓為5V,可提供-4.5V電壓。然后經(jīng)過電阻分壓到-2.7V,再連接由運放芯片搭建的電壓跟隨器,為功放提供穩(wěn)定的柵極負(fù)壓。當(dāng)負(fù)壓穩(wěn)壓芯片輸出電壓在設(shè)定電壓(-4.5V)的5%范圍內(nèi)時,芯片REG引腳才會被拉低,可用作電路的保護(hù)時序,來控制連接漏極的P溝道場效應(yīng)管NTF2955的開關(guān)。而功放漏極電壓為28V,所以需要28V轉(zhuǎn)5V的DC-DC轉(zhuǎn)換電路,本文選用TI公司生產(chǎn)的TPS54331實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。圖7給出具體電路原理圖。
圖7 時序保護(hù)電路原理圖
圖8為負(fù)壓源實物圖,為減小面積,電路設(shè)計為雙面板,(a)為正面,(b)為背面。以上所設(shè)計的PA諧波平衡聯(lián)合仿真電路如圖9所示。該PA的電路基板參數(shù)設(shè)為:r=3.66,基板厚度為0.508mm,金屬厚度為0.018mm。圖10為仿真中功率附加效率、漏極效率和增益隨輸出功率的變化關(guān)系。從圖中可以看出,P1dB壓縮點的輸出功率約為43.37dBm,增益約為17.3dB,PAE約為67.1%。飽和輸出功率約為44.17dBm,增益約為14.1dB,PAE約為73.1%,DE約為76%。
圖8 時序保護(hù)電路圖
圖9 功放的EM仿真原理圖
圖10 仿真的PAE、DE和Gain隨輸出功率的變化關(guān)系
圖11為示波器測試的柵極和漏極偏置電壓波形??梢钥闯?,柵極負(fù)壓穩(wěn)定輸出-2.7V后,漏極輸出正電壓,并且緩慢上升后穩(wěn)定于28V。
圖11 柵極和漏極偏置電壓波形
本文實現(xiàn)了一種單頻F類高效功率放大器的設(shè)計。由諧波控制電路和T型節(jié)構(gòu)成功放電路的輸出匹配網(wǎng)絡(luò),通過仿真軟件對其進(jìn)行優(yōu)化和微調(diào),使晶體管基波和諧波阻抗得到了良好的匹配。并設(shè)計了負(fù)壓源,保護(hù)了功放電路的正常工作。在2.45GHz時,功放的飽和輸出功率為44.17dBm,PAE約為73.1%,DE約為76%,增益約為14.1dB。