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        一種梳狀太赫茲吸波器

        2022-07-19 09:53:26李創(chuàng)輝鄧玉賞曾繁政莫瑜章
        信息記錄材料 2022年5期
        關(guān)鍵詞:梳狀寬頻吸收率

        李創(chuàng)輝 ,鄧玉賞 ,曾繁政 ,莫瑜章

        (1賀州學(xué)院 廣西 賀州 542890)

        (2賀州市微波應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 廣西 賀州 542890)

        0 引言

        近年來,隨著太赫茲輻射、探測技術(shù)及功能器件的發(fā)展,太赫茲吸波器在通信、傳感、成像等[1]方面存在潛在的應(yīng)用價(jià)值,而傳統(tǒng)吸波器由于體積大、質(zhì)量重及不容易控制吸收特性等缺點(diǎn),難以滿足太赫茲技術(shù)應(yīng)用需要。自從landy等[2]首次利用亞波長結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)超材料吸波器后,國內(nèi)外研究人員對(duì)超材料吸波器進(jìn)行了大量研究,獲得了如工字形[3]、T形[4]、I形[5-6]等具有良好吸收特性的各種結(jié)構(gòu)吸波器,而這類吸波器吸收頻帶比較窄。為了擴(kuò)展吸收頻帶寬度,需要在鄰近吸收頻率實(shí)現(xiàn)多個(gè)諧振吸收峰,主要采用方法包括似型平鋪[7]、似型嵌套[8]、多層疊加[9]等。這些方法中,存在單元尺寸大、空間排列困難、制造困難或厚度限制等缺點(diǎn)。

        為了克服這些缺點(diǎn),本文提出了一種基于梳狀結(jié)構(gòu)圖案實(shí)現(xiàn)的寬頻太赫茲超材料吸波器,該吸波器采用金屬-介質(zhì)-金屬典型3層結(jié)構(gòu),頂層由4個(gè)結(jié)構(gòu)相同的梳狀圖案構(gòu)成。仿真結(jié)果顯示,該吸波器吸收曲線在6~10 THz頻帶范圍內(nèi)出現(xiàn)了5個(gè)強(qiáng)吸收峰,每個(gè)吸收峰吸收率均不小于98.7%,且吸收率大于97%的頻率范圍達(dá)到2 THz。同時(shí)對(duì)極化敏感性及入射角度敏感性進(jìn)行分析,所設(shè)計(jì)的吸波器具有極化無關(guān)及較寬入射角良好吸收特性。

        1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        如圖1(a)所示,所設(shè)計(jì)超材料結(jié)構(gòu)單元周期P取30 μm,中間層采用有耗介質(zhì),厚度為4.5 μm,介質(zhì)相對(duì)介電常數(shù)為3.5+0.2i,頂層和底層均采用金屬銅,其電導(dǎo)率為5.8e7,厚度均為0.15 μm,底層為全覆蓋。頂層通過圖1(b)所示梳狀結(jié)構(gòu)圖案旋轉(zhuǎn)獲得,梳狀結(jié)構(gòu)中的每個(gè)齒寬度為2 μm,相鄰兩個(gè)齒之間縫隙寬度為0.5 μm,連接各個(gè)齒的脊L長21 μm,寬為0.5 μm,梳狀結(jié)構(gòu)中間的3個(gè)齒高度均為h,其值等于6.1 μm,左右外側(cè)兩個(gè)齒高度均為h1,其值為3.9 μm。

        2 仿真分析

        根據(jù)電磁波的傳輸特性,吸波器的吸收率可表示為A(f)=1-R(f)-T(f),其中R(f)表示吸波器的反射率,其值等于T(f)|S11(f)|2,表示吸波器的透射率,其值等于|S21(f)|2。由于所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的底層厚度為0.15 μm,遠(yuǎn)大于趨膚深度,從頂層入射的電磁波透過底層的部分可以近似等于0,即T(f)=|S21(f)|2≈0,只要對(duì)單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理設(shè)計(jì),使其與大氣層匹配,反射系數(shù)S11(f)在工作頻段內(nèi)趨于零,則可以實(shí)現(xiàn)完美吸收。利用CST2019建立吸波器單元結(jié)構(gòu)模型,設(shè)置X方向和Y方向的邊界條件為unit cell,設(shè)置Z方向的邊界條件為open(add space)。電磁波從所設(shè)計(jì)單元頂層進(jìn)入并沿著Z負(fù)方向傳播,采用頻域求解器進(jìn)行求解,仿真得出超材料的S參數(shù),由S參數(shù)可以計(jì)算出超材料隨頻率變化的吸收情況。圖2給出了所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)6~10 THz頻率范圍內(nèi)TE極化波和TM極化波的仿真結(jié)果。由圖2可知,TE極化波垂直入射時(shí),在所仿真的頻段范圍內(nèi)出現(xiàn)5個(gè)吸收峰,分別位于6.8 THz、7.35 THz、7.78 THz、8.27 THz、8.58 THz處,其對(duì)應(yīng)吸收率為99.9%、99.8%、98.7%、99.8%、98.7%,且在6.66~8.66 THz頻率范圍內(nèi)吸收率大于97%。對(duì)于TM極化波,其結(jié)果與TE極化波相差很小,這是由于吸波器具有對(duì)稱性結(jié)構(gòu),同時(shí)也說明其具有極化不敏感性。

        根據(jù)等效電路理論,吸波器結(jié)構(gòu)單元可近似等效為均勻介質(zhì),其歸一化阻抗r可近似等于

        由于所設(shè)計(jì)的吸波器S21=0,于是可化簡為

        由S參數(shù)可以計(jì)算出其歸一化輸入阻抗,圖3給出了電磁波在垂直入射時(shí)TE極化波歸一化輸入阻抗的實(shí)部和虛部。通過圖3可以發(fā)現(xiàn),在6.66~8.66 THz頻段范圍內(nèi)(圖3陰影范圍)歸一化輸入阻抗r實(shí)部很接近1,且虛部接近零,表明吸波器在該頻段范圍內(nèi)與自由空間阻抗匹配良好,反射率趨于零,從而實(shí)現(xiàn)寬頻吸收。

        為了分析梳狀吸波器每個(gè)齒(齒對(duì))對(duì)吸波器吸波特性的影響,分別對(duì)每一個(gè)齒(齒對(duì))與脊構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行仿真。考慮到分析方便,定義中間的齒為c1、c1兩側(cè)的對(duì)稱性齒對(duì)依次為c2、c3,見圖1b。圖4為各齒(齒對(duì))單獨(dú)或組合時(shí)仿真結(jié)果,由圖4a可知僅有c1時(shí),在6~10 THz頻率范圍內(nèi)吸收曲線上出現(xiàn)兩個(gè)吸收峰,分別位于7.88 THz和8.68 THz處,其吸收率為94.8%和77%;僅有齒對(duì)c2單獨(dú)仿真時(shí),吸收曲線上出現(xiàn)了3個(gè)不同吸收峰,分別位于6.7 THz、7.97 THz和8.55 THz處,其吸收率為87.1%、97.9%和81.5%;而c3單獨(dú)仿真時(shí),僅在8.64 THz處出現(xiàn)一個(gè)吸收峰,其吸收率為97%。同時(shí)發(fā)現(xiàn),當(dāng)c1單獨(dú)仿真時(shí),兩個(gè)吸收峰之間,形成一個(gè)吸收率大于65%的較寬吸收頻帶,而c2單獨(dú)仿真時(shí),3個(gè)吸收峰之間形成了一個(gè)更寬的吸收頻帶,吸收率大于70%的頻帶超過2 THz,表明c2齒對(duì)吸波器的寬頻吸收具有重要的影響。盡管如此,其寬頻吸收率仍然較低,當(dāng)c1和c2同時(shí)進(jìn)行仿真時(shí),吸收曲線上出現(xiàn)了4個(gè)吸收峰,分別位于6.77 THz、7.24 THz、7.95 THz和8.49 THz處,相應(yīng)吸收率為99%、94.8%、99.3%和77.3%。通過比較發(fā)現(xiàn),在c1的影響下,c2單獨(dú)仿真時(shí)出現(xiàn)的3個(gè)吸收峰發(fā)生了微小偏移,同時(shí)在7.24 THz處出現(xiàn)了一個(gè)新的吸收峰,4個(gè)吸收峰之間,同樣形成一個(gè)較寬的吸收帶。值得注意的是,在低頻段的3個(gè)吸收峰之間,形成一個(gè)吸收率大于90%的吸收帶,頻率從6.6~8.1 THz,帶寬達(dá)到1.5 THz,見圖4(b)。當(dāng)加入第3個(gè)齒對(duì)c3時(shí),受到c3的影響,6.6~8.1 THz之間的吸收率進(jìn)一步提高,而7.95~8.49 THz之間吸收率提高更明顯,同時(shí)新增一個(gè)吸收峰,使得6~10 THz之間出現(xiàn)5個(gè)相鄰較近的強(qiáng)吸收峰,從而實(shí)現(xiàn)寬頻吸收。

        角度敏感性是吸波器的一個(gè)重要指標(biāo),反映了吸波器對(duì)斜入射波的吸收性能,圖5給出了吸波器從6~10 THz頻率范圍內(nèi)TE極化波和TM極化波在不同入射角時(shí)吸收情況,虛線處表示各吸收峰所在位置。從圖5(a)可知,對(duì)于TE波,隨著入射角度增大,7.78 THz處的吸收峰逐漸消失;6.8 THz和7.35 THz處吸收峰逐漸向低頻方向偏移,且6.8 THz處的吸收峰偏移明顯比7.35THz處更快,致使兩個(gè)吸收峰頻率間隔逐步增大,從而導(dǎo)致了兩個(gè)吸收峰之間的吸收率明顯下降;8.27 THz和8.58 THz的吸收峰逐漸向高頻方向移動(dòng),同樣造成了吸收峰之間頻率間隔增大,導(dǎo)致吸收峰之間的吸收率下降。當(dāng)入射角小于20°時(shí),吸收率下降相對(duì)比較緩慢,其吸收率保持在90%以上;隨著入射角進(jìn)一步增大,關(guān)注頻率范圍內(nèi)吸收谷迅速降。對(duì)于TM波,隨著入射角度增大,8.58 THz處的吸收峰消失,吸收率總體變化不大,僅在高頻端吸收頻帶稍有變窄。隨著入射角增大到40°,6.66~8.5 THz頻率范圍內(nèi)吸收率仍大于90%,帶寬達(dá) 1.84 THz,可見TM入射波在40 °斜入射仍有很高的吸收率。

        3 結(jié)語

        太赫茲吸波器在通訊、傳感器及成像方法具有潛在的應(yīng)用價(jià)值,本文基于梳狀結(jié)構(gòu)圖案,設(shè)計(jì)一種寬頻太赫茲吸波器,該吸波器在6~10 THz之間出現(xiàn)5個(gè)相鄰較近的強(qiáng)吸收峰,多個(gè)吸收峰形成寬頻吸收。此外該吸波器具有極化不敏感性及較寬入射角的良好吸收特性,為寬頻吸波器設(shè)計(jì)提供參考。

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