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        Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料的合成研究

        2022-07-06 10:16:12衣姝穎王曉磊楊彩笛
        山西化工 2022年3期
        關(guān)鍵詞:復(fù)合材料結(jié)構(gòu)分析

        衣姝穎,王曉磊,楊彩笛

        (沈陽工業(yè)大學(xué)環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧 沈陽 110870)

        引言

        二維層狀過渡金屬碳化物Ti3C2Tx因其具有豐富的表面官能團(tuán)、大的比表面積和充足的表面修飾空間,使其作為一種新型的材料而越來越受到學(xué)者們的重視,在吸波材料和催化材料等諸多材料上應(yīng)用廣泛[1-6]。但由于純相的Ti3C2Tx組分材料單一,因其超高的導(dǎo)電性而使介電性能偏高,不能滿足高性能材料的要求,所以,更多研究者把目光投向一種新型的二維層狀Ti3C2Tx新型復(fù)合材料。Co 是一種常見的磁性材料,因其具有高飽和磁化強(qiáng)度、高磁導(dǎo)率、抗腐蝕、耐高溫、耐氧化等優(yōu)點(diǎn)[7],使得Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料的合成與性能研究成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。

        Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料的制備方法通常有水熱法、共還原法和原位合成法。Tang 等[8]以Co(NO3)·26H2O為鈷源,檸檬酸鈉為還原劑,在水熱條件下合成了Janus 結(jié)構(gòu)的Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料作為光電化學(xué)水氧化光電陽極,表現(xiàn)出優(yōu)異的光電催化性能和電荷遷移能力。Liu 等[9]以CoCl·26H2O 為鈷源,NaBH4作為還原劑,利用共沉淀法合成了Co 納米粒子粒徑為3.2 nm的Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料,提高了Ti3C2Tx自身的催化能力和穩(wěn)定性。Pan 等[10]以CoCl·26H2O 為鈷源,聚乙二醇為表面活性劑,NaBH4作為還原劑,利用原位合成法使Co 納米鏈均勻生長(zhǎng)在Ti3C2Tx表面,利用兩種不同的損耗機(jī)制調(diào)節(jié)了材料的阻抗匹配,合成了具有超薄的匹配厚度和良好的吸波性能的Ti3C2Tx/Co 吸波材料。

        本研究采用了一種簡(jiǎn)單的靜電自組裝法,利用CTAB 對(duì)Co 粒子進(jìn)行表面修飾,使其表面電荷變?yōu)檎姾?,與本身表面帶負(fù)電荷的Ti3C2Tx進(jìn)行靜電吸引自組裝,合成Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料,并對(duì)復(fù)合出的材料進(jìn)行表征分析和形成機(jī)理分析。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 實(shí)驗(yàn)材料

        鈦鋁碳(Ti3AlC2,分析純);37.5%鹽酸(HCl,分析純);氟化鋰(LiF,分析純);六水合氯化鈷(CoCl2·6H2O,分析純);氫氧化鈉(NaOH,分析純);乙二醇((CH2OH)2,分析純);十六烷基三甲基溴化銨(CTAB,分析純)。

        1.2 Ti3C2Tx 的制備

        將1g LiF 和40 mL 的9 moL/L HCl 置于100 mL塑料燒杯中,室溫下水浴攪拌30 min,然后將1g Ti3AlC2少量多次緩慢分散到上述溶液中,水浴恒溫?cái)嚢?4 h。將反應(yīng)完成后的產(chǎn)物離心(3 500 r/min)5 min,棄去上清液,洗滌至上清液的pH=6,將得到的溶液真空抽濾。最后將樣品放入真空干燥箱于40 ℃下干燥8 h。

        1.3 Co 的制備

        將0.47 g CoCl2·6H2O 溶于乙二醇中,再加入1 g NaOH 在65 ℃水浴下攪拌30 min,將混合均勻的溶液轉(zhuǎn)移到Teflon-lined 高壓釜中放至180 ℃烘箱中反應(yīng)10 h 后取出,自然冷卻到室溫,將最終得到的產(chǎn)物用去離子水和乙醇反復(fù)洗滌,磁力回收樣品,最后將所得的沉積物在60 ℃下真空干燥24 h,得到Co 納米粒子。

        1.4 Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料的制備

        將40 mg CTAB 在磁攪拌下充分溶解于40 mL 去離子水中,分別將20、60、180 mg 的Co 納米粒子放入CTAB 溶液中超聲30 min 后加入40 mL 1.5 g/LTi3C2Tx溶液繼續(xù)超聲半小時(shí)使其重新混合,靜置24 h 后將最終得到的產(chǎn)物用去離子水和乙醇反復(fù)洗滌,磁力回收樣品,最后將所得的沉積物在60 ℃下真空干燥24 h,得到的Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料標(biāo)記為S1、S2、S3。

        1.5 性能表征

        采用X射線衍射儀(XRD,Miniflex型,日本理學(xué)電機(jī)株式會(huì)社)對(duì)Ti3C2Tx、Co、Ti3C2Tx/Co 的物相進(jìn)行表征。采用掃描電子顯微鏡(SEM,ZEISS GeminiSEM 300型,德國(guó)Carl Zeiss 公司)對(duì)Ti3C2Tx、Co、Ti3C2Tx/Co 的形貌進(jìn)行表征。采用磁滯回線測(cè)量?jī)x(Lakeshore 7600型,美國(guó)Lakeshore 公司)對(duì)Ti3C2Tx、Co、Ti3C2Tx/Co 測(cè)量磁性。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 物相分析

        圖1 為Ti3AlC2、Ti3C2Tx、Co 和Ti3C2Tx/Co 的xRD 圖譜。如圖1 所示,Ti3AlC2衍射峰的位置與PDF 卡片(JCPDS No.52-0875)吻合,Ti3AlC2經(jīng)過刻蝕后,代表Al 峰的最強(qiáng)峰(2θ≈39°)完全消失,說明Al 原子層被刻蝕完全,且(002)主峰從2θ≈9.6°向更低的角度(2θ≈6.5°)移動(dòng),說明層間距增大[16]。通過對(duì)比Ti3AlC2和Ti3C2Tx的xRD 圖,說明用鹽酸和氟化鋰成功刻蝕出了Ti3C2Tx。當(dāng)Ti3C2Tx與Co 復(fù)合后,S1~S3復(fù)合材料除了原有的Ti3C2Tx衍射峰之外,在2θ≈41.25°、44.38°、47.36°、75.88°處均出現(xiàn)金屬鈷的衍射峰(JCPDS No.05-0727),說明Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料被成功制備。3 個(gè)樣品的XRD 衍射峰呈現(xiàn)一定的規(guī)律變化,隨著Co 含量的增加,Co 的衍射峰逐漸升高,Ti3C2Tx的(002)衍射峰逐漸降低。此外,S1~S3復(fù)合材料的(002)衍射峰逐漸向左偏移,這可能是Co 球部分進(jìn)入Ti3C2Tx層間,導(dǎo)致層間距進(jìn)一步增加,隨著鈷含量的增加,進(jìn)入Ti3C2Tx層間的鈷球越多,(002)衍射峰越向左偏移。

        圖1 Ti3AlC2、Ti3C2Tx、Co 和Ti3C2Tx/Co 的XRD 圖譜

        2.2 形貌結(jié)構(gòu)分析

        圖2(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)為樣品Ti3AlC2、Ti3C2Tx側(cè)面圖、Ti3C2Tx表面放大圖、S1、S2和S3的SEM圖。如圖2(a)、(b)和(c)所示,用HCl 和LiF 作為刻蝕劑來刻蝕Ti3AlC2,樣品從三維緊密排列塊狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂休^大比表面積及層間距明顯的二維層狀結(jié)構(gòu),Ti3C2Tx由均勻排列的薄片狀結(jié)構(gòu)堆疊而成,相鄰片層的間距在50 nm~200 nm 左右,且片層的表面平整且光滑,無明顯的雜質(zhì)存在,這種結(jié)構(gòu)對(duì)Co 粒子的自組裝起到了促進(jìn)作用。與Co 粒子復(fù)合后,如圖2(d)、(e)和(f)所示,Ti3C2Tx表面附著的大量官能團(tuán)如—OH、—O 等與Co 粒子之間產(chǎn)生靜電吸引,與圖2(c)光滑的Ti3C2Tx表面對(duì)比,大量的Co 粒子牢固附著并且大量包覆在Ti3C2Tx表面,隨著Co 含量的增加,Ti3C2Tx表面逐漸粗糙,呈現(xiàn)出越來越不規(guī)則的三維堆疊結(jié)構(gòu)。

        圖2 樣品的SEM圖

        2.3 磁性分析

        圖3 為樣品S1、S2和S3的室溫磁滯回線。如圖3所示,且隨著Co 含量的增加,飽和磁化強(qiáng)度也在逐漸增大,樣品S1,其飽和磁化強(qiáng)度約為34 emu/g,樣品S2,其飽和磁化強(qiáng)度約為60 emu/g,樣品S3,其飽和磁化強(qiáng)度約為101emu/g,S3的飽和磁化強(qiáng)度最強(qiáng),但均小于Co 材料單體的飽和磁化強(qiáng)度168 emu/g。樣品飽和磁化強(qiáng)度磁性的對(duì)比結(jié)果表明,Co 粒子的添加不僅對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響,同時(shí)也對(duì)樣品的磁性能產(chǎn)生了影響,而且在一定的范圍內(nèi),Co 粒子越多越有利于提高樣品的比飽和磁化強(qiáng)度。

        圖3 樣品S1、S2 和S3 的室溫磁滯回線

        2.4 形成機(jī)理

        通過一種簡(jiǎn)單的靜電自組裝法合成Ti3C2Tx/Co,首先分別制備出Ti3C2Tx和Co 材料,選用典型的陽離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)對(duì)Co粒子進(jìn)行修飾,使其表面電荷變?yōu)檎姾?,與本身表面帶負(fù)電荷的Ti3C2Tx在靜電引力的作用下進(jìn)行自組裝,合成Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料。在自組裝過程中,大量的Co 顆粒彼此聚集在Ti3C2Tx表面,在Ti3C2Tx表面形成了多個(gè)體表面的高活性點(diǎn),而正是這些活性點(diǎn)使表面活性能低的晶體面進(jìn)一步堆積,形成多方向生長(zhǎng),這種沿多方向生長(zhǎng)的趨勢(shì),最終在Ti3C2Tx表面形成了大量不規(guī)則的隆起。

        3 結(jié)語

        近年來,一種新型的二維層狀Ti3C2Tx新型復(fù)合材料引起了科學(xué)家廣泛的研究興趣。本文采用簡(jiǎn)單的靜電自組裝法,合成Ti3C2Tx/Co 復(fù)合材料。通過XRD、SEM 和VSM 分析手段,對(duì)樣品的物相、形貌結(jié)構(gòu)和磁性進(jìn)行了表征,并對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了討論。此方法相對(duì)于傳統(tǒng)的Ti3C2Tx/Co 制備方法來說,操作簡(jiǎn)單,在高性能材料研究中具有很大的潛力。

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