王小琴 楊雷 李東升 楊寧 王秋霞 李田田
摘要:某型產(chǎn)品是我軍裝備較多的武器裝備。本文對該產(chǎn)品在內(nèi)場測試過程中出現(xiàn)的PF4故障展開分析,認(rèn)識故障的產(chǎn)生機(jī)理及應(yīng)采取的措施,以便更好地對該型裝備進(jìn)行維護(hù)。
關(guān)鍵詞:近炸引信;PF4;自毀定時;單結(jié)晶體管性能
Keywords:proximity fuse;PF4;self-destruct timing;single junction transistor performance
0 引言
某型產(chǎn)品近炸引信為主動電磁式,原理是利用多普勒效應(yīng)判定接近目標(biāo)的最佳距離,產(chǎn)生引爆信號,引爆戰(zhàn)斗部擊毀敵機(jī)。
在該型產(chǎn)品的日常維護(hù)測試時,前期經(jīng)常出現(xiàn)近炸引信PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格故障。本文通過對PF4項(xiàng)測試原理及故障機(jī)理的分析、國產(chǎn)單結(jié)晶體管性能的驗(yàn)證分析以及PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格對產(chǎn)品質(zhì)量及載機(jī)安全的影響分析,探討該故障的解決方案,提高維護(hù)人員對該型故障的分析、處理和排除能力,以便更好地對該型裝備進(jìn)行維護(hù)。
1 近炸引信工作原理
該型產(chǎn)品近炸引信由射頻源、射頻頭、電路板、電源組件、主線束和天線等組成。
射頻源產(chǎn)生一個頻率為f0的調(diào)頻信號,通過射頻頭將信號送至兩根發(fā)射天線發(fā)射出去,兩根接收天線接收從目標(biāo)反射回來的信號并送至射頻頭,與本振信號進(jìn)行混頻,混頻后的信號依次送至中頻(1)板、中頻(2)板(見圖1),中頻(2)板產(chǎn)生A、B兩路信號,送至邏輯(2)板,產(chǎn)生多普勒脈沖(Cc)信號。
多普勒脈沖(Cc)信號(以下簡稱Cc脈沖信號)是接近脈沖和離開脈沖的疊加信號,該信號由邏輯(2)板產(chǎn)生,如圖2所示。Cc脈沖信號為測試專用信號,可顯示彈目交會狀態(tài)下接近脈沖信號和離開脈沖的情況,直觀反映產(chǎn)品的工作狀態(tài)。
在進(jìn)行產(chǎn)品測試中,每次彈目交會時,引信計(jì)夠連續(xù)M個接近脈沖后產(chǎn)生引信解除保險(xiǎn)(PF ARM)信號。在有PF ARM信號的情況下計(jì)夠連續(xù)N個離開脈沖后,邏輯(1)板產(chǎn)生引信起爆1(PF DET1)信號、近炸引信起爆2(PF DET2)信號,如圖3所示。
2 PF4測試原理
PF4項(xiàng)是針對引信的測試項(xiàng)目,包括三項(xiàng)內(nèi)容:
1)在引信探測的頻率范圍內(nèi)和探測的頻率范圍外,檢查引信對多普勒頻率的響應(yīng);
2)引信對碰撞開關(guān)信號的響應(yīng)(只有在引信測試中進(jìn)行本項(xiàng)測試,在制導(dǎo)艙+引信中不進(jìn)行此項(xiàng)測試);
3)自毀定時測試。
在進(jìn)行PF4項(xiàng)測試時,按照上述順序?qū)θ?xiàng)內(nèi)容進(jìn)行測試,啟動PF4項(xiàng)測試的同時啟動設(shè)備計(jì)時器。在性能單上,PF4項(xiàng)測試結(jié)果以測試設(shè)備上指示燈和測試時間參數(shù)為記錄結(jié)果,是否合格的判據(jù)以測試設(shè)備上指示燈為準(zhǔn)。
PF4項(xiàng)測試過程用時情況如圖4所示,第1項(xiàng)測試用時t1,第2項(xiàng)測試用時t2,第3項(xiàng)測試用時t3。第3項(xiàng)測試時間為SD3指令啟動到觸發(fā)指令SQ1、SQ2產(chǎn)生所經(jīng)歷的時間,啟動SD3指令前首先要啟動SD指令,啟動SD指令后延時t0才啟動SD3指令,按此計(jì)算,PF4項(xiàng)測試合格時間范圍為t=t1+t2+t3+t0。由于內(nèi)場測試儀計(jì)時器精度為秒級,當(dāng)計(jì)時器計(jì)時結(jié)果t在t1+t2+t3+t0公差范圍內(nèi)時,該項(xiàng)測試合格,亮綠燈;否則為不合格,亮紅燈。
3 故障機(jī)理
對PF4參數(shù)第3項(xiàng)即自毀定時測試的原理進(jìn)行分析,自毀定時測試是在引信的某電路板上實(shí)現(xiàn)的,該電路板原理圖如圖5所示。
在每個測試階段中,要按預(yù)定順序檢查下列信號:
● 近炸引信工作1(PF ACT1)信號;
● 近炸引信解除保險(xiǎn)(PF ARM)信號;
● 近炸引信起爆1(PF DET1);
● 近炸引信起爆2(PF DET2);
● 電爆管(SQUIB)脈沖信號;
● 多普勒脈沖(Cc)信號;
● 對數(shù)放大器(LOG、AMP)信號;
● 解除保險(xiǎn)+戰(zhàn)斗部(ARMING+ WH)信號;
● 發(fā)射機(jī)電壓22V和5V(VCC2);
● 電爆管電容器(SQUIB CAP)充電測試;
● 遙測啟動(TEL ACT)信號和假報(bào)警測試等。
根據(jù)自毀定時電路工作原理,用示波器對SD3信號產(chǎn)生到單結(jié)晶體管Q8導(dǎo)通的時間差值(該時間即為產(chǎn)品的自毀定時時間)進(jìn)行監(jiān)測,時間差值在t3時,PF4測試合格;時間差值在t3范圍以外時,該項(xiàng)測試不合格。由此可以判定,PF4測試結(jié)果出現(xiàn)紅燈故障均是由單結(jié)晶體管Q8過早導(dǎo)通啟動造成。
為解決單結(jié)晶體管Q8過早導(dǎo)通問題,需要增加SD3信號產(chǎn)生到單結(jié)晶體管Q8啟動導(dǎo)通的時間。為達(dá)到該目的,采取以下措施進(jìn)行驗(yàn)證:
1)增加R4*阻值以減緩C1充電的上升時間,以此延長SD3信號產(chǎn)生到單結(jié)晶體管Q8啟動的時間。在內(nèi)場測試儀上測試時,部分故障產(chǎn)品效果不明顯。
2)PF4項(xiàng)測試進(jìn)行到第3項(xiàng)時,用示波器和電壓表對SD3信號進(jìn)行觀測,同時聆聽操縱閥和解鎖閥動作的聲音,在操縱閥和解鎖閥動作的情況下,SD3波動較大。進(jìn)一步分析認(rèn)為,SD3電壓波動是由于操縱閥和解鎖閥的工作導(dǎo)致內(nèi)場測試儀26V供電電源波動過大,而操縱閥和解鎖閥的工作是因制導(dǎo)艙識別出目標(biāo)使電子艙產(chǎn)生跟蹤指令造成的。由于SD3信號的電壓值影響電容C1充電上升時間的線性度,也影響單結(jié)晶體管Q8按分壓比例輸出的比較電壓,因此進(jìn)行以下驗(yàn)證:在自毀定時測試時,人為遮擋目標(biāo)源,模擬實(shí)現(xiàn)無目標(biāo)狀態(tài),從而杜絕操縱閥和解鎖閥動作,穩(wěn)定SD3信號的電壓值。通過遮擋目標(biāo)源,跟蹤指令消失,操縱閥和解鎖閥不工作,PF4項(xiàng)自毀定時測試不合格現(xiàn)象消失。
3)內(nèi)場測試儀26V電源監(jiān)測試驗(yàn)。首先對內(nèi)場測試儀26V電源進(jìn)行監(jiān)測,包括監(jiān)測產(chǎn)品加電前、加電后、測試引信自毀時間三個階段。經(jīng)監(jiān)測,26V電源電壓滿足電源指標(biāo)要求,可見測試時設(shè)備26V電源輸出并無異常。
4 PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格的影響性分析
4.1 對產(chǎn)品質(zhì)量的影響
PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格反映到產(chǎn)品具體的性能指標(biāo)對應(yīng)的是產(chǎn)品自毀定時測試時間不合格,產(chǎn)品正常自炸時間約為X。
自毀定時時間≈PF4實(shí)測時間-2s-n
目前PF4參數(shù)測試不合格時測得的時間一般為t4、(t4+1)、(t4+2),此時對應(yīng)的PF4參數(shù)第3項(xiàng)自毀定時時間約為t5、(t5+1)、(t5+2)。該型產(chǎn)品發(fā)射時序如圖6所示。
按該型產(chǎn)品理論設(shè)計(jì)的最遠(yuǎn)攻擊距離和最大飛行速度推算(假設(shè)載機(jī)速度為0),在發(fā)射后最長t9的時間已經(jīng)擊中目標(biāo)。而實(shí)際中載機(jī)速度并不為0,這說明對于測試PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格的產(chǎn)品,即使與自毀定時時間X相比,時間差距也相當(dāng)長。因此,自炸時間有所縮短不會影響產(chǎn)品正常跟蹤和命中目標(biāo),對產(chǎn)品本身的攻擊性能影響很有限。
4.2 對載機(jī)安全影響分析
產(chǎn)品發(fā)射時,飛行員按下發(fā)射按鈕,產(chǎn)品接收到SD指令,產(chǎn)品離梁,經(jīng)過時間t0后,安全距離SD2指令和SD3指令產(chǎn)生,產(chǎn)品操縱閥和引信自毀定時電路啟動并工作。該處的時間延遲就是為了保護(hù)載機(jī)的安全而設(shè)計(jì)。可見,SD與SD3間的時間延遲已經(jīng)確保了載機(jī)是安全的,再加上引信的自毀定時時間,即使自毀定時時間不合格,也遠(yuǎn)大于t0。因此,PF4參數(shù)第3項(xiàng)不合格對載機(jī)安全沒有影響。
5 單結(jié)晶體管提前觸發(fā)現(xiàn)象機(jī)理分析
對現(xiàn)場產(chǎn)品進(jìn)行性能測試驗(yàn)證。保險(xiǎn)和解除保險(xiǎn)邏輯板上Q8裝配進(jìn)口單結(jié)晶體管(JAN2N494A)的產(chǎn)品,引信PF4參數(shù)測試結(jié)果穩(wěn)定且合格;裝配國產(chǎn)單結(jié)晶體管(BT494A)的產(chǎn)品,引信PF4參數(shù)測試結(jié)果不穩(wěn)定且出現(xiàn)不合格現(xiàn)象。
5.1 BT494A工作原理
如圖7所示,在WE=0時,有一個微小的反向特性,使晶體管得以廣泛應(yīng)用。BT管電流電壓如圖8所示。
5.2 BT494A提前觸發(fā)現(xiàn)象機(jī)理分析
1)VBB降低引起B(yǎng)T494A提前觸發(fā)
BT494A工作原理中包含公式VP(峰點(diǎn)電壓)=ηVBB+VD,其中,VD為發(fā)射結(jié)正向壓降,常量;η為分壓比,常量;VBB為工作電壓,由外部設(shè)定,其變化時會引起VP的變化,即當(dāng)VBB降低時VP也降低,升高時VP也升高。
依據(jù)圖5描繪BT494A從充電到導(dǎo)通的電壓和時間變化圖,如圖9所示,正常26V電壓下觸發(fā)電壓為VP1,此時發(fā)射極充電時間為t1,當(dāng)VBB下降時(受外界干擾時,電路中R2電阻和充電電容C1沒有改變,充電曲線不變),觸發(fā)電壓相應(yīng)下降為VP1,若該電壓達(dá)到t1時發(fā)射極電壓,則BT管觸發(fā)。從圖9中可見,當(dāng)VBB降低后,觸發(fā)時間縮短。
VP2顯示了器件分壓比較高的情況。可以看出當(dāng)分壓比較高時不會出現(xiàn)提前觸發(fā)的現(xiàn)象。
2)η和提前觸發(fā)的關(guān)系
BT494A工作原理中有公式VP=ηVBB+VD,當(dāng)公式中其他條件不變,η越低的產(chǎn)品其VP越低。即如圖5中R2電阻和充電電容C1不改變,η越低的產(chǎn)品越易觸發(fā),觸發(fā)時間越短。
3)結(jié)論
提前觸發(fā)是因外界電壓的瞬時干擾所引起,各批次產(chǎn)品η的高低對這種干擾的反應(yīng)不同。
6 單結(jié)晶體管BT494A篩選方法
為了篩選出分壓比參數(shù)滿足要求的單結(jié)晶體管,制定如下篩選方法:
1)選擇一枚產(chǎn)品,將其分解,將電路板上的電阻R4*和單結(jié)晶體管Q8拆下,用導(dǎo)線將拆下元器件的焊盤連接并做好標(biāo)記,組裝成試驗(yàn)前艙產(chǎn)品;
2)將試驗(yàn)前艙放置于內(nèi)場測試儀裝夾臺,將R4*引線串接至可調(diào)直流電阻器,直流電阻器可調(diào)范圍為0~999kΩ,步進(jìn)為1Ω。將Q8引線與被篩選的單結(jié)晶體管連接,連接時注意引線極性的一致性;
3)用內(nèi)場測試儀對試驗(yàn)前艙進(jìn)行PF4項(xiàng)測試,測試至第3項(xiàng)即自毀定時測試時,用紙遮擋目標(biāo)源,記錄PF4測試時間,若PF4測試時間不等于t,調(diào)節(jié)直流電阻器。調(diào)節(jié)方法為:增大直流電阻器阻值可增加PF4測試時間,減小直流電阻器阻值可降低PF4測試時間。調(diào)節(jié)好直流電阻器后,再次進(jìn)行PF4項(xiàng)測試,直至PF4測試時間為t,記錄直流電阻器阻值;
4)在上述條件下,對試驗(yàn)前艙進(jìn)行PF4測試,測試5遍,在進(jìn)行到第3項(xiàng)即自毀定時測試時,聆聽操縱閥和解鎖閥聲響,確認(rèn)在閥動作的前提下5遍測試結(jié)果顯示的時間均大于等于t,則認(rèn)為該單結(jié)晶體管滿足要求;若5遍測試結(jié)果顯示的時間中有一次小于t,則認(rèn)為該單結(jié)晶體管不滿足要求。
C1電壓以Δ值為步進(jìn)值升壓。在SD3波動的條件下,假設(shè)SD3波動1V(實(shí)際波動小于100mV),那么單結(jié)晶體管分出比例電壓Vp造成的差值為0.72V,而C1的電壓差值為0.75V。也就是說,在SD3以1V幅值波動的條件下,即使提前觸發(fā)也不會提前2s。因此在(t+2)s的條件下,提前時間不會達(dá)到t。
7 結(jié)論
PF4參數(shù)第3項(xiàng)測試不合格,故障原因是操縱閥和解鎖閥動作造成SD3電壓變化,引起單結(jié)晶體管BT494A的參數(shù)波動,造成引信的電路板抗干擾能力減弱,導(dǎo)致自毀定時時間測試不合格。
經(jīng)分析認(rèn)為,調(diào)整電路板電阻R2和R4*(在允許范圍內(nèi))不會影響產(chǎn)品的功能性能和戰(zhàn)技指標(biāo)。針對該P(yáng)F4問題可采取以下措施:更換滿足要求的單結(jié)晶體管并調(diào)整電阻R2和R4*,使自毀定時時間滿足要求。
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