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        超高壓交叉線路空間電磁環(huán)境分析

        2022-07-01 09:04:58馬明智楊昌杰
        四川電力技術(shù) 2022年3期
        關(guān)鍵詞:屏蔽線場強(qiáng)工頻

        馬明智,楊昌杰

        (甘肅電通電力工程設(shè)計(jì)咨詢有限公司,甘肅 蘭州 730050)

        0 引 言

        超高壓輸電線路產(chǎn)生的工頻電磁污染引起了社會(huì)各方面關(guān)注,公眾對(duì)電磁環(huán)境問題的關(guān)注已成為電網(wǎng)發(fā)展的主要制約因素之一。因此,超高壓輸電線路的電磁環(huán)境問題成為線路設(shè)計(jì)的重要控制因素。目前,國內(nèi)對(duì)超/特高壓輸電線路電磁環(huán)境公眾暴露限值控制標(biāo)準(zhǔn)為:工頻電場限值4 kV/m,工頻磁場限值100 μT,線下耕地、園地、牧草地、養(yǎng)殖水面等場所工頻電場限值10 kV/m[1]。隨著輸電網(wǎng)的大量建設(shè),超高壓輸電線路工程不可避免地與相對(duì)電壓等級(jí)較低的輸電線路產(chǎn)生交叉跨越,而交叉區(qū)域電磁環(huán)境問題比較復(fù)雜,其計(jì)算需要建立三維模型。相對(duì)于二維場,三維空間的電磁環(huán)境計(jì)算尚未有成熟的解析方法。目前,電磁環(huán)境的計(jì)算,主要有應(yīng)用于微分方程型數(shù)學(xué)模型的有限元法和應(yīng)用于積分方程型數(shù)學(xué)模型的逐次鏡像法、模擬電荷法、矩量法等[2-7]。

        下面采用有限元法,依托實(shí)際工程建立模型,分析超高壓交叉輸電線路下方工頻電磁場的特征,研究影響其強(qiáng)度的相序排列及交叉角等因素;采用屏蔽線降低電磁污染超標(biāo)的交叉線路場強(qiáng)強(qiáng)度,并對(duì)屏蔽線架設(shè)位置采用混沌變參數(shù)粒子群算法(chaotic particle swarm optimization algorithm with variable parameters,CPSO)進(jìn)行尋優(yōu)[3],為輸電線路設(shè)計(jì)提供指導(dǎo)依據(jù)。

        1 研究模型

        架空輸電線路空間工頻電磁場受導(dǎo)線對(duì)地高度、相間距離、分裂導(dǎo)線結(jié)構(gòu)尺寸、導(dǎo)線布置形式、架空地線以及周圍環(huán)境等諸多因素影響。電力系統(tǒng)大多采用通用設(shè)計(jì)塔型,這里以同塔雙回750 kV輸電線路與單回330 kV輸電線路交叉情況為研究對(duì)象,建立相應(yīng)模型,分析線路電磁環(huán)境特征以及導(dǎo)線不同相序排列與線路交叉角對(duì)工頻電磁環(huán)境的影響。

        交叉輸電線路空間布置及相序排列方式如圖1所示。所研究模型為:上層750 kV線路采用雙回路鼓型鐵塔,導(dǎo)線每相為6分裂排列,相鄰子導(dǎo)線分裂間距為400 mm,導(dǎo)線采用JL/G1A-400/50鋼芯鋁絞線,地線采用1×19-13.5-1270-B鍍鋅鋼絞線;下層330 kV線路采用單回路貓頭、干字型鐵塔,導(dǎo)線每相為雙分裂水平排列,分裂間距400 mm,導(dǎo)線采用JL/G1A-300/40鋼芯鋁絞線;組合相序排列方式共6種。圖1中:A1—C1表示750 kV同塔雙回線路的1回導(dǎo)線,A2—C2表示 2回導(dǎo)線,D1、D2分別為1、2回線路地線;A3—C3表示330 kV導(dǎo)線,D3為其地線。根據(jù)排列方式不同,上層750 kV可排出Ⅰ~Ⅵ六種,下層330 kV可排出1~6六種。

        在輸電線路三維電磁環(huán)境計(jì)算中,采用有限元法,將空間網(wǎng)格剖分成許多細(xì)小四節(jié)點(diǎn)三棱錐(四面體)單元,空間場量的計(jì)算可表示為:

        (1)

        (2)

        式中:L為空間三棱錐劃分?jǐn)?shù)量;Ui為第i個(gè)三棱錐頂點(diǎn)場量;Nei為第i個(gè)三棱錐的插值基函數(shù);pi、qi、ri、si、Ve為由三棱錐頂點(diǎn)坐標(biāo)計(jì)算出的系數(shù)。

        工程用麥克斯韋方程組微分型式可表示為:

        ?·D=ρ

        (3)

        ?·B=0

        (4)

        (5)

        (6)

        引入矢量磁位,滿足

        B=?×A

        (7)

        相應(yīng)有關(guān)場量的輔助方程為

        D=εE,B=μH,J=σE

        (8)

        式(3)至式(8)中:E為電場強(qiáng)度;D為電位移;B為磁通密度;H為磁場強(qiáng)度;ρ為電荷密度;ε為介電常數(shù);μ為磁導(dǎo)率;σ為電導(dǎo)率;J為電流密度;t為時(shí)間。

        以麥克斯韋微分方程組導(dǎo)出用于有限元處理電磁問題的微分方程,計(jì)算過程能考慮任意塔形和導(dǎo)線布置,準(zhǔn)確計(jì)算空間任一點(diǎn)的電磁場強(qiáng)度數(shù)值解。

        2 交叉線路電磁感應(yīng)影響要因分析

        為考察交叉線路三維電磁環(huán)境,在圖1所示的空間模型中,以線路下方離地面1.5 m處某平面為考察區(qū)域,將目標(biāo)區(qū)域劃分成N×N的小方形域,求取每個(gè)域的電磁場加權(quán)平均值,權(quán)重系數(shù)應(yīng)反映每個(gè)小區(qū)域的重要程度。區(qū)域目標(biāo)函數(shù)F可表示為

        圖1 交叉輸電線路空間布置方式及相序排列

        (9)

        式中:Ej為第j個(gè)小方域電場強(qiáng)度或磁感應(yīng)強(qiáng)度;kj為權(quán)重系數(shù),∑kj=1,kj∈[0,1]。

        2.1 導(dǎo)線相序排列方式對(duì)工頻電磁場影響

        2.1.1 導(dǎo)線相序排列方式對(duì)工頻電場影響

        對(duì)圖1所示的交叉輸電線路相序排列方式進(jìn)行組合,根據(jù)式(9)求線下-40 m~40 m的正方形區(qū)域目標(biāo)值F,線路交叉角取90°,計(jì)算結(jié)果如表1所示。

        表1 不同相序排列方式下區(qū)域電場強(qiáng)度 單位:kV/m

        圖2繪制出了考察區(qū)域內(nèi)電場強(qiáng)度E值。

        圖2 交叉線路下方E值

        由表1及圖2可以看出,交叉輸電線路線下工頻電場受上層相序排列方式影響較大。當(dāng)上層雙回線路采取同相序排列時(shí),線下加權(quán)平均場強(qiáng)都較大(4.58~6.9 kV/m);當(dāng)上層雙回線路采取逆相序排列時(shí),線下加權(quán)平均場強(qiáng)都較小(4.01~4.88 kV/m),實(shí)際工程中可以采取上層線路逆相序排列方式。

        2.1.2 導(dǎo)線相序排列方式對(duì)工頻磁場影響

        與工頻電場相似,求解線下區(qū)域目標(biāo)值F,計(jì)算結(jié)果如表2所示。

        表2 不同相序排列方式下區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度 單位:μT

        圖3繪制出了考察區(qū)域內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度B值。

        圖3 交叉線路下方B值

        由表2及圖3可以看出,交叉輸電線路線下工頻磁場受上層相序排列方式影響較大。當(dāng)上層雙回線路采取同相序排列時(shí),線下加權(quán)平均場強(qiáng)都較大(13.82~13.91 μT);當(dāng)上層雙回線路采取逆相序排列時(shí),線下加權(quán)平均場強(qiáng)都較小(9.86~13.54 μT)。因此,在實(shí)際工程中推薦采取雙回路逆相序排列方式。

        2.2 線路交叉角對(duì)工頻電磁場影響

        利用2.1所得結(jié)果,考察工頻電場區(qū)域目標(biāo)值F最小時(shí)的相序布置方式,區(qū)域目標(biāo)值F隨角度變化情況。目標(biāo)區(qū)域函數(shù)值F隨線路交叉角變化情況如圖4所示。

        圖4 目標(biāo)區(qū)域函數(shù)值F隨線路交叉角變化情況

        由圖4可見,隨交叉角的增大,目標(biāo)區(qū)域函數(shù)值F也相應(yīng)增大。為提高輸電通道本質(zhì)安全,相關(guān)部門要求重要輸電線路交跨角不宜小于45°,其線路下方電磁環(huán)境如圖5所示。

        圖5 交叉角45°時(shí)線路下方電磁環(huán)境

        3 屏蔽措施

        由上述內(nèi)容可知,交叉線路下方電場強(qiáng)度受相序排列組合及交叉角影響,區(qū)域目標(biāo)值F最小時(shí),線下場強(qiáng)呈現(xiàn)的馬鞍面加權(quán)平均場強(qiáng)不超標(biāo),而沿下層線路方向單側(cè)場強(qiáng)超出標(biāo)準(zhǔn)要求。因此,采用在導(dǎo)線下方架設(shè)屏蔽線的方式減小地面工頻電場。對(duì)屏蔽線架設(shè)位置采用CPSO算法進(jìn)行尋優(yōu),實(shí)現(xiàn)屏蔽優(yōu)化設(shè)計(jì)。

        3.1 CPSO算法

        標(biāo)準(zhǔn)粒子群優(yōu)化算法(particle swarm optimization,PSO)的數(shù)學(xué)描述為:假設(shè)在一個(gè)d維的目標(biāo)搜索空間中,有m個(gè)代表潛在問題解的粒子組成的一個(gè)種群S={X1,X2,…,Xm},該種群中的第k個(gè)元素Xk={xk1,xk2,…,xkd},表示第k個(gè)粒子在d維空間的一個(gè)矢量點(diǎn)。用Pkd(pk1,pk2,…,pkd)記錄第k個(gè)粒子自身搜索到的最優(yōu)點(diǎn)。而在這個(gè)種群中,搜索到的最好值記為g,則Pgd=(Pg1,…,Pgd)??梢杂肰k(vk1,vk2,…,vkd)表示第k個(gè)粒子的速度。PSO算法采用式(10)實(shí)現(xiàn)。

        (10)

        式中:rand()產(chǎn)生(0,1)之間的隨機(jī)數(shù);w為慣性權(quán)重系數(shù);c1、c2為每個(gè)粒子的學(xué)習(xí)因子;t-1、t為粒子運(yùn)動(dòng)時(shí)刻。

        慣性權(quán)重系數(shù)取以時(shí)間為變量的非線性函數(shù),如式(11)所示。

        w(t)=(wmax-wmin)×tan(0.875×

        (11)

        式中:titer為最大進(jìn)化代數(shù);t為當(dāng)前進(jìn)化數(shù);K為控制因子;wmax、wmin為慣性權(quán)重區(qū)間上、下限。

        PSO算法存在易陷于局部最優(yōu)、優(yōu)化計(jì)算精度低、后期收斂慢的缺點(diǎn)。故根據(jù)混沌運(yùn)動(dòng)的隨機(jī)性、遍歷性等特點(diǎn),采用混沌控制參數(shù)變化的粒子群優(yōu)化算法進(jìn)行尋優(yōu)計(jì)算?;煦?chaos)是由確定方程得到的非確定隨機(jī)運(yùn)動(dòng)狀態(tài),具有隨機(jī)性、便利性及規(guī)律性等特點(diǎn),能在一定范圍內(nèi)不重復(fù)地遍歷所有狀態(tài)。邏輯斯諦方程是一個(gè)典型的混沌系統(tǒng),其公式為

        xn+1=μxn(1-xn)

        (12)

        式中:μ為混沌控制參數(shù);xn為混沌變量,xn∈[0,1]。

        CPSO算法具體的流程描述如圖6所示。

        圖6 CPSO算法流程

        由于混沌變量的遍歷性和隨機(jī)性有助于增強(qiáng)種群的搜索能力,在算法運(yùn)行過程中,根據(jù)種群的收斂情況,動(dòng)態(tài)地減小式(12)中混沌控制參數(shù)μ,降低混沌運(yùn)動(dòng)對(duì)種群結(jié)構(gòu)的破壞,擺脫陷入局部最優(yōu)的困境。

        3.2 CPSO算法優(yōu)化屏蔽仿真實(shí)驗(yàn)

        以區(qū)域目標(biāo)函數(shù)F作為CPSO算法的適應(yīng)度函數(shù),并沿下層線路方向架設(shè)屏蔽線,屏蔽線高度lh在[0,20]區(qū)間取值,水平位置lp在[-30,30]區(qū)間取值。分別對(duì)架設(shè)單根及兩根屏蔽線的位置進(jìn)行尋優(yōu),得到適應(yīng)度函數(shù)收斂曲線,如圖7所示。由圖可見,混沌變參數(shù)粒子群優(yōu)化算法在保證算法能擺脫局部最優(yōu)的基礎(chǔ)上,明顯提高了收斂性能。

        圖7 適應(yīng)度函數(shù)收斂曲線

        對(duì)屏蔽線架設(shè)位置通過CPSO算法尋優(yōu),得到的架設(shè)位置為:單屏蔽線lh=2.32 m、lp=-8.49 m;雙屏蔽線lh1=3.12 m、lp1=7.80 m、lh2=2.32 m、lp2=-8.50 m。架設(shè)屏蔽線后,考察-40 m~40 m正方形區(qū)域內(nèi),交叉線路下方場強(qiáng)如圖8所示。

        圖8 架設(shè)屏蔽線后線路下方不同橫斷面E值

        架設(shè)屏蔽線后交叉線路下方E值如圖9所示??梢钥闯?,CPSO尋優(yōu)位置基本在畸變的馬鞍面電場峰值附近,架設(shè)單屏蔽線可以將加權(quán)場強(qiáng)均值從3.91 kV/m降至3.29 kV/m,而架設(shè)雙屏蔽線降可至2.85 kV/m,場強(qiáng)峰值位置處降低較明顯,屏蔽效果良好。

        圖9 架設(shè)屏蔽線后交叉線路下方E值

        4 結(jié) 論

        上面采用有限元法,通過一系列仿真實(shí)驗(yàn),在構(gòu)造的區(qū)域目標(biāo)函數(shù)基礎(chǔ)上,研究線路相序布置和交叉角對(duì)空間電磁環(huán)境的影響,并給出可用于工程的相序排列方式及交叉角建議:為簡化設(shè)計(jì)難度,在滿足設(shè)計(jì)要求時(shí),上層雙回路宜采用逆相序布置,交叉角可適當(dāng)減小,以降低空間電磁污染。

        采用架設(shè)屏蔽線的方式改善地面電磁環(huán)境,并引入混沌變參數(shù)粒子群算法,對(duì)屏蔽線架設(shè)位置進(jìn)行目標(biāo)尋優(yōu),尋優(yōu)過程中,動(dòng)態(tài)減小混沌控制參數(shù)值,使算法在迭代過程中逐步減弱混沌運(yùn)動(dòng),進(jìn)而在保留混沌粒子群優(yōu)化算法優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,又增添了粒子群體的多樣性,實(shí)現(xiàn)快速跳出局部最優(yōu)點(diǎn),尋找全局最優(yōu)解。通過CPSO算法對(duì)屏蔽線架設(shè)位置尋優(yōu),實(shí)現(xiàn)區(qū)域電磁環(huán)境屏蔽效果最優(yōu)。

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