張之榮,吳 濤,谷 曼,徐明圓,劉敏瑩,魯翠萍,鄒春龍,朱玲俐,姚英武
(1.合肥學(xué)院 先進(jìn)制造工程學(xué)院,安徽 合肥 230601;2.中國科學(xué)院 等離子體物理研究所,安徽 合肥 230031;3.蕪湖舜富精密壓鑄科技有限公司 產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)部,安徽 蕪湖 242400)
中國聚變工程實(shí)驗(yàn)堆(China Fusion Engineering Testing Reactor,CFETR)是我國目前大力支持的新一代托卡馬克聚變裝置[1-3]。其主體結(jié)構(gòu)是基于國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆(International Thermonuclear Experimental Reactor,ITER)裝置,同時(shí)吸收消化了我國大科學(xué)裝置(Experimental Advanced Superconducting Tokamak,EAST)多年的工程設(shè)計(jì)制造及運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)[4-5]。其主要研究目的是為了彌補(bǔ)ITER和DEMO(Demonstration)裝置之間的技術(shù)差距,有針對性地開展一些關(guān)鍵技術(shù)問題研究,為我國未來商用聚變堆建設(shè)奠定工程基礎(chǔ)[6-7]。
CFETR聚變裝置主機(jī)結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,主要包括磁體系統(tǒng)、內(nèi)部部件、真空室、偏濾器、內(nèi)外冷屏、外真空杜瓦、相應(yīng)的饋線系統(tǒng)等[8-9]。其中,超導(dǎo)磁體系統(tǒng)是其中重要組成部分之一,該系統(tǒng)主要由極向場(Poloidal Field,PF)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)、環(huán)向場(Toroidal Field,TF)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)和中心螺管(Central Solenoid,CS)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)組成,具體結(jié)構(gòu)如圖1所示[10-12]。極向場超導(dǎo)磁體系統(tǒng)主要是由兩個(gè)偏濾器線圈(Divertor Coil,DC)和PF1~PF6多個(gè)線圈組成,其主要作用是控制內(nèi)真空室等離子體的形狀和位移[13-14]。對于每一個(gè)極向場超導(dǎo)磁體的主要研制過程,首先是將CICC(Cable-in-Conduit Conductors)導(dǎo)體通過雙線并繞的方式繞制成雙餅線圈(Double Pancake,DP),且在繞制過程中通過自動包繞機(jī)完成單根導(dǎo)體的絕緣處理,并利用玻璃絲氈(1.2 mm)對匝間和層間絕緣進(jìn)行適配修復(fù)填充。接著,待導(dǎo)體全部繞制完成后,對雙餅線圈進(jìn)行真空壓力浸漬(Vacuum Pressure Impregnation,VPI)絕緣固化處理,并使其通過相應(yīng)的電學(xué)性能測試。依此步驟完成所有DP線圈的制造。然后,將所有DP線圈按順序依次堆疊裝配,并完成其對地絕緣包繞和VPI固化工作,進(jìn)而形成極向場超導(dǎo)磁體(Winding Pack,WP)。最后,完成配套夾具和保護(hù)板安裝工作,CFETR極向場超導(dǎo)磁體主要制備工藝流程如圖2所示。
在物理實(shí)驗(yàn)正式運(yùn)行過程中,PF超導(dǎo)磁體在大電流、超低溫和強(qiáng)磁場的作用下,將承受超強(qiáng)且復(fù)雜的循環(huán)電磁載荷。為了確保PF磁體能夠安全穩(wěn)定的工作,按照CFETR磁體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和測試要求,所設(shè)計(jì)制造的PF線圈除了具有必備的電學(xué)性能之外,還需要滿足較高的機(jī)械疲勞性能要求。因此,有必要對其低溫機(jī)械疲勞性能進(jìn)行測試研究。
圖1 CFETR裝置主機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖
圖2 CFETR極向場超導(dǎo)磁體主要制備工藝流程
CFETR極向場線圈目前還處于工程設(shè)計(jì)和關(guān)鍵部件預(yù)研階段,考慮到該線圈實(shí)際結(jié)構(gòu)尺寸大且制造成本非常高。為了獲得CFETR極向場線圈絕緣低溫疲勞性能,所設(shè)計(jì)的測試試樣需模擬實(shí)際工況下線圈關(guān)鍵絕緣包繞的工藝步驟,即線圈導(dǎo)體的選擇、匝間、層間和對地絕緣的包饒以及整個(gè)試樣VPI絕緣固化與實(shí)際制造工藝盡可能一致。本研究借鑒了相關(guān)聚變裝置(EAST或ITER)極向場線圈工程測試經(jīng)驗(yàn),試樣導(dǎo)體選用具有同等特性的ITER PF5,其結(jié)構(gòu)參數(shù)和絞纜方式分別如表1和圖3所示。通過模擬線圈實(shí)際制造工藝,設(shè)計(jì)并制造了一個(gè)等效線圈絕緣結(jié)構(gòu)試樣,并將該結(jié)構(gòu)稱之為“3×3試樣”,其具體截面結(jié)構(gòu)如圖4所示。匝間絕緣與對地絕緣結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示。由圖5可知,匝間絕緣是由玻璃絲帶-聚酰亞胺復(fù)合帶(GK)通過半疊包(50%重疊)的方式包繞5層,其成型厚度為2.7 mm(見圖5a);而對地絕緣則是采用玻璃絲帶-聚酰亞胺-玻璃絲帶復(fù)合帶(GKG)通過半疊包的方式包繞9層,半疊包的最后成型厚度為8 mm(見圖5b);層間絕緣是由一層厚度為0.7 mm的玻璃絲布半疊包而成。試樣匝間和對地絕緣所用玻璃絲帶和聚酰亞胺薄膜規(guī)格型號如表2所示。試樣對地和匝間絕緣復(fù)合帶小樣如圖6所示。試樣在VIP絕緣固化后試樣截面外形尺寸為192 mm×195 mm,長度為260 mm。
表1 ITER PF5超導(dǎo)纜結(jié)構(gòu)參數(shù)
參數(shù)值銅線直徑/mm2.85超導(dǎo)纜截面積/mm2370.5超導(dǎo)纜空隙率/%34.1超導(dǎo)纜直徑/mm35.3導(dǎo)體外形尺寸/mm×mm51.9×51.9
圖3 ITER PF5導(dǎo)體絞纜結(jié)構(gòu) 圖4 “3×3試樣”截面結(jié)構(gòu)示意圖
圖5 匝間絕緣與對地絕緣結(jié)構(gòu)示意圖
表2 試樣匝間和對地絕緣所用玻璃絲帶和聚酰亞胺薄膜規(guī)格型號
為了獲得絕緣試樣的低溫疲勞性能,根據(jù)CFETR具體測試要求:在其低溫疲勞測試期間,試樣表面所承受的最大壓應(yīng)力為20 MPa,最小壓應(yīng)力為2 MPa(最大壓應(yīng)力的10%),目標(biāo)疲勞循環(huán)次數(shù)為30 000次,加載頻率為4 Hz。結(jié)合試樣的外形結(jié)構(gòu)尺寸及受壓作用面積,在分析計(jì)算后得出,低溫疲勞拉伸機(jī)所施加壓力載荷的變化范圍是-73~-730 kN。另外,考慮到“3×3”短樣表面在絕緣固化后,上、下表面均會存在一定不平行度,為了使試樣在疲勞測試過程中上、下表面受力均衡,除了在試樣表面通過半疊包的方式將降落傘帶(超導(dǎo)磁體制造中常用的一種輔助材料,具有抗拉、抗壓和耐磨等特性)包繞至5 mm厚,還選用定制的不銹鋼過渡壓板。圖7顯示了試樣加載輔助不銹鋼板結(jié)構(gòu)。在低溫疲勞測試過程中,所施加的壓力載荷通過定制不銹鋼板和降落傘帶過渡層傳遞至“3×3試樣”。
圖6 試樣對地和匝間絕緣復(fù)合帶小樣
另外,為了確保試樣絕緣在降溫過程中電學(xué)性能的完整性,避免因溫差過大而導(dǎo)致絕緣損壞,要求測試過程中試樣各點(diǎn)溫差最大不超過50 K[15]。為此,結(jié)合測試過程中試樣溫控的特點(diǎn),在試樣上、下兩側(cè)不銹鋼壓板上分別布置溫度計(jì)T1和T2,具體位置如圖8所示。本測試主要降溫過程可分為兩個(gè)階段:加載前降溫過程和加載后測試過程。由于在加載測試過程中試樣采用液氮浸泡的方式冷卻,所以只需確保試樣一直浸泡在液氮中。具體是通過實(shí)時(shí)記錄布置于試樣上方的溫度計(jì)溫度,并確保其顯示值為77 K;而在加載前的降溫過程,主要通過采集布置于試樣上、下兩個(gè)溫度計(jì)數(shù)值并實(shí)時(shí)計(jì)算其溫差,當(dāng)溫差高于50 K則自動觸發(fā)警報(bào),并降低注入液氮的流量,待其溫差低于50 K后繼續(xù)進(jìn)行降溫工作。另外,為了更好地完成加載前試樣降溫工作,避免在室溫狀態(tài)下因液氮直接通入容器而出現(xiàn)溫度驟降的現(xiàn)象,實(shí)驗(yàn)前期通入冷氮?dú)夥绞竭M(jìn)行預(yù)降溫,待兩溫度計(jì)差值基本穩(wěn)定不變后再通入液氮。
圖7 試樣加載輔助不銹鋼板結(jié)構(gòu)示意圖 圖8 試樣溫度計(jì)分布位置圖
在試樣絕緣經(jīng)歷低溫疲勞性能測試后,為了驗(yàn)證其絕緣電學(xué)性能仍具備完整性,一般對疲勞測試后的試樣進(jìn)行相關(guān)電學(xué)性能測試,具體指試樣匝間絕緣直流電阻測試。其中,試樣導(dǎo)體電極排序分布如圖9所示。直流耐壓測試電壓水平不低于5.7 kV,直流電阻不低于500 MΩ[15]。按照匝間絕緣直流測試要求,共測試5次,具體高壓電極和接地極分布情況如表3所示。匝間絕緣直流電阻測試電壓曲線如圖10所示。其中,測試電壓從10 kV/min左右速率開始直到升至最高值,而后再保壓1 min后降壓。
本測試所使用的低溫疲勞拉伸系統(tǒng)主體結(jié)構(gòu)如圖11所示。該系統(tǒng)主要包括主機(jī)加載模塊、設(shè)備冷卻模塊、測試控制模塊、液壓總控模塊和低溫控制模塊等。其中,測試主機(jī)所允許的最大施加拉/壓為為2 000 kN,且最高加載頻率不高于4 Hz。在尺寸允許的范圍內(nèi),測試樣件可垂直或水平放置于容器內(nèi),利用上、下夾具完成其安裝固定和載荷的施加。另外,該低溫疲勞拉伸系統(tǒng)所配備的液壓總控模塊由3組獨(dú)立液壓泵組構(gòu)成,并配備了全自動風(fēng)冷系統(tǒng),保障了系統(tǒng)持續(xù)安全穩(wěn)定運(yùn)行。
表3 匝間絕緣直流電阻測試電極位置匯總表
序號高壓極接地極4C1B1、B2、C25C3B2、B3、C2
圖9 絕緣試樣PF5導(dǎo)體電極排序分布圖 圖10 匝間絕緣直流電阻測試電壓曲線圖
圖11 低溫疲勞測試裝置結(jié)構(gòu)示意圖
(1)使用降落傘帶通過半疊包方式對試樣表面進(jìn)行包繞,直至單邊壁厚增加0.5 cm左右;
(2)依次安裝下不銹鋼壓板、測試樣件和上不銹鋼壓板,試樣安裝現(xiàn)場如圖12所示;
(3)在指定的位置粘貼上、下溫度計(jì),并檢查溫度計(jì)與溫度監(jiān)視器連接是否有效;
(4)關(guān)閉測試容器門,通過預(yù)留在測試容器內(nèi)壁的不銹鋼管往測試容器底部通入冷氮?dú)?,完成?×3”短樣及整個(gè)測試裝置的預(yù)冷工作,避免出現(xiàn)驟冷現(xiàn)象;
(5)待上、下溫度計(jì)差值基本穩(wěn)定后,關(guān)閉冷氮?dú)馔ǖ溃驕y試容器底部通入液氮,直至上溫度計(jì)顯示77 K,試樣處于完全被液氮浸泡狀態(tài)即可;
(6)浸泡20 min,確保試樣完全冷卻;
(7)實(shí)驗(yàn)開始:設(shè)置疲勞主機(jī)最大和最小壓力載荷分別為-730 kN和-73 kN;
(8)疲勞主機(jī)以1 000 N/s速度對試樣緩慢施加壓應(yīng)力載荷,直至壓力值達(dá)到-730 kN停止加載;
(9)疲勞主機(jī)以2 000 N/s速度開始卸載,當(dāng)主機(jī)壓力載荷卸載到-73 kN時(shí)停止卸載;
(10)按照步驟(8)、(9)完成加載和卸載往復(fù)3次;
(11)設(shè)置低溫疲勞加載頻率為4 Hz,并正式開始低溫疲勞測試,測試過程中采集兩溫度計(jì)實(shí)時(shí)溫度,正式疲勞測試現(xiàn)場如圖13所示;
(12)當(dāng)疲勞加載次數(shù)達(dá)到目標(biāo)循環(huán)30 000次時(shí),停止加載,停止記錄相關(guān)數(shù)據(jù),關(guān)閉相應(yīng)設(shè)備,排放測試容器中的液氮,待樣件48 min回溫后取出試樣;
(13)完成試樣匝間絕緣電學(xué)性能完整性測試;
(14)完成測試數(shù)據(jù)整理和分析討論。
圖12 試樣安裝現(xiàn)場圖 圖13 正式疲勞測試現(xiàn)場圖
疲勞測試過程中試樣上、下兩測點(diǎn)溫度曲線如圖14所示。從圖14中可以看出,整個(gè)降溫過程主要由兩部分組成:前期降溫階段(300~77 K)和正式測試階段(浸泡式77 K)。前期降溫耗時(shí)共計(jì)12 000 s左右,平均降溫速率約67 K/h,且任一時(shí)刻試樣上、下測點(diǎn)溫差△T(T1~T2)均不超過50 K,完全滿足測試要求。另外,從前期降溫曲線中可以看出,試樣整體曲線并非一直處于光滑過渡狀態(tài)。其中存在幾處較大波動點(diǎn),其主要原因是測試現(xiàn)場沒有超大型的液氮罐,無法持續(xù)提供液氮冷源。為此,本次選用了多個(gè)自增壓液氮罐,每罐液氮容量為250~300 L。由圖14可見,曲線波動點(diǎn)均出現(xiàn)于液氮罐更換期間,且波動點(diǎn)上、下兩點(diǎn)溫差也沒有超過50 K,滿足降溫測試要求,由此可認(rèn)為次波動溫差對試樣絕緣的電學(xué)性能完整性無影響。
77 K低溫下試樣疲勞測試部分加載曲線如圖15所示。其中,施加最大壓力載荷為-730 kN,最小壓力載荷為-73 kN,加載頻率為4 Hz。所加載的正弦曲線較為光滑,說明在測試過程中該低溫疲勞拉伸機(jī)能夠提供穩(wěn)定的循環(huán)載荷曲線。最后,順利獲得了絕緣試樣30 000次低溫疲勞性能。
圖14 實(shí)驗(yàn)過程中試樣上、下降溫和溫差曲線圖 圖15 絕緣試樣77 K下疲勞測試部分加載曲線
該結(jié)果說明所設(shè)計(jì)的絕緣試樣結(jié)構(gòu)能夠滿足CFETR設(shè)計(jì)要求,具體包括絕緣材料和導(dǎo)體的選擇、絕緣的包繞工藝方案以及絕緣真空壓力浸漬方法等。尤其是在試樣外形結(jié)構(gòu)尺寸嚴(yán)格受限的情況下,所設(shè)計(jì)的絕緣結(jié)構(gòu)(匝間絕緣:GK復(fù)合帶半疊包繞5層;對地絕緣:GKG復(fù)合帶半疊包繞9層)在滿足電學(xué)性能要求的同時(shí)仍具有足夠的低溫疲勞性能。這也進(jìn)一步驗(yàn)證了試樣結(jié)構(gòu)方案的可行性。
在77 K低溫疲勞性能測試后,為了驗(yàn)證試樣絕緣電學(xué)性能仍具備完整性,完成其匝間絕緣直流測試。匯總了試樣匝間絕緣電學(xué)性能測試結(jié)果如圖16所示。結(jié)果表明,試樣各匝間絕緣直流電流均在0.001~0.005 mA之間,其中,當(dāng)導(dǎo)體B2接高壓電極,導(dǎo)體A2、B1、B3、C2接地時(shí),其產(chǎn)生的最大直流電流接近0.005 mA。其他匝間絕緣最大直流電流均小于0.002 mA,其主要原因可能是絕緣試樣中心導(dǎo)體B2處在環(huán)氧樹脂固化過程存在局部固化不充分的現(xiàn)象。通過測試結(jié)果可知,所有匝間絕緣直流電阻均遠(yuǎn)大于設(shè)計(jì)要求的500 MΩ,均完全滿足電學(xué)性能測試要求,即絕緣試樣在經(jīng)歷了低溫疲勞后依然具有良好的電學(xué)性能。該結(jié)果將對CFETR PF線圈結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造和安全運(yùn)行具有重要的參考價(jià)值。
圖16 低溫疲勞測試后試樣匝間絕緣直流測試
本文針對CFETR極向場線圈絕緣結(jié)構(gòu)進(jìn)行了低溫疲勞性能實(shí)驗(yàn)研究,分析了極向場磁體絕緣結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)了低溫疲勞測試夾具和絕緣試樣低溫疲勞性能測試方案,進(jìn)行了低溫疲勞性能測試和試樣匝間絕緣電學(xué)性能直流電阻測試。結(jié)果表明:絕緣試樣能夠承受77 K溫度下30 000次疲勞載荷(-73~-730 kN,4 Hz);所有匝間絕緣直流電阻均大于500 MΩ,完全滿足磁體絕緣設(shè)計(jì)要求。研究結(jié)果將對未來CFETR極向場線圈的安全運(yùn)行具有重要參考價(jià)值。