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        電磁能作用下Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織演變

        2022-06-11 13:08:14劉寶志閆春雷李守軍李艷霞邢淑清
        輕合金加工技術(shù) 2022年4期
        關(guān)鍵詞:鑄錠電磁場熔體

        劉寶志,閆春雷,黃 斌,李守軍,李艷霞,邢淑清

        (1.包頭市威豐稀土電磁材料股份有限公司,內(nèi)蒙古 包頭 014010;2.內(nèi)蒙古科技大學(xué) 材料與冶金學(xué)院(稀土學(xué)院),內(nèi)蒙古 包頭 014010)

        汽車發(fā)動機活塞在高溫、高壓的環(huán)境下工作,這對活塞的性能提出了較高的要求[1]。制備活塞通常采用Al-Si-Cu-Mg-Ni合金。Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金流動性好、密度低、強度高、耐腐蝕、耐磨、高耐熱,是航空、汽車業(yè)等領(lǐng)域不可缺少的材料[2-4]。

        晶粒細(xì)化可以基本消除偏析、縮孔、疏松,同時提高材料的強度、塑性和韌性。Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織是由初生相α-Al、共晶硅、耐熱相組成[5]。細(xì)化晶??梢愿淖儾牧系男阅芎褪褂脡勖L砑幼冑|(zhì)劑、Al-5Ti-1B中間合金可以有效減少Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織中初晶硅、共晶硅的尺寸;但向熔體添加化合物,可能會對熔體產(chǎn)生污染[6]。物理場晶粒細(xì)化技術(shù)操作方便,可以滿足金屬潔凈度要求,同時具備節(jié)能等優(yōu)點,成為近些年來研究熱點之一。脈沖電磁場作為一種新型晶粒細(xì)化方法,適用于多種金屬。由于其低頻率、低電壓等特點,具備工業(yè)化應(yīng)用價值[7]。

        活塞合金凝固時容易出現(xiàn)成分分布不均勻的情況,即合金出現(xiàn)成分偏析,損害合金的各項性能。本研究基于脈沖電磁場攜帶能量的特性,對Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金熔體施加脈沖電磁場,并分別對常規(guī)鑄造和施加電磁能鑄造生產(chǎn)的Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金鑄錠進行微觀組織觀察與成分檢測,分析電磁能對Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織、成分偏析的影響,并探究其影響機制。

        1 試驗材料及方法

        本試驗所用設(shè)備由電磁能晶粒細(xì)化裝置、3 t半連續(xù)鑄造系統(tǒng)、澆鑄盤、引錠裝置、結(jié)晶器組成,如圖1所示。試驗材料為Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金,化學(xué)成分見表1。在整個試驗過程中保持鑄造工藝參數(shù)不變。開始澆鑄后,熔體經(jīng)流槽進入澆鑄盤。電磁能晶粒細(xì)化裝置安置于主流槽正上方,電磁能發(fā)生器與鋁合金熔體表面間距小于10 mm。鑄造過程穩(wěn)定后,對熔體進行電磁能處理,處理后的熔體流入澆注口開始半連續(xù)鑄造凝固過程。

        圖1 試驗裝置示意圖Fig.1 Schematic diagram of the test device

        表1 Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 1 Chemical composition of Al-Si-Cu-Mg-Ni piston alloy (wt/%)

        鑄造參數(shù)如表2所示。電磁參數(shù)處理頻率為40 Hz,電流為40 A,占空比分別取0.2、0.3。取未施加磁場與施加不同磁場的鑄錠進行徑向切割、取樣。采用光學(xué)顯微鏡(OM)與場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)二次電子相模式觀察Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織,觀察位置為鑄錠中心部位及邊部,取樣位置如圖2所示。腐蝕劑采用Keller試劑。沿鑄錠橫斷面徑向取5點進行成分檢測,使用等離子發(fā)射光譜儀測量合金鑄錠橫斷面元素分布。

        表2 Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金鑄造工藝參數(shù)Table 2 Casting process parameters of Al-Si-Cu-Mg-Ni piston alloy

        圖2 取樣位置示意圖Fig.2 Sampling location diagram

        2 試驗結(jié)果

        2.1 電磁能對Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金凝固組織的影響

        圖3為Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金X射線衍射圖。由圖3可知,Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金由Si、α-Al、Al3CuNi、Al7Cu4Ni、Al3Ni、Al2Cu、Q-Al5Cu2Mg8Si6、Mg2Si等相組成[8]。

        圖3 不同占空比條件下Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金X射線衍射圖Fig.3 X-ray diffraction patterns of Al-Si-Cu-Mg-Ni piston alloy with different duty cycles

        圖4為不同占空比條件下Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金鑄錠微觀組織。未施加電磁能,Al-Si-Cu-Mg-Ni合金鑄錠中心位置金相組織中初生相α-Al平均尺寸為310 μm,邊部組織中初生相α-Al平均尺寸為200 μm。施加0.2占空比脈沖電磁場,初生相α-Al平均尺寸減小,心部位置初生相α-Al平均尺寸減小到240 μm,邊部組織中α-Al平均尺寸為170 μm。當(dāng)施加0.3占空比脈沖電磁場時,發(fā)現(xiàn)初生相α-Al平均尺寸增大。金相組織中心部初生相α-Al平均尺寸為290 μm,邊部組織中初生相α-Al平均尺寸為181 μm。試驗結(jié)果表明,脈沖電磁場的變化,會影響組織的晶粒尺寸。電磁場可以減小初生相α-Al一次枝晶臂間距、二次枝晶臂間距。

        圖4 不同占空比參數(shù)下Al-Si-Cu-Mg-Ni合金鑄錠微觀組織照片 Fig.4 Microstructure photos of Al-Si-Cu-Mg-Ni alloy ingot with different duty cycle parameters

        圖5為不同占空比參數(shù)Al-Si-Cu-Mg合金鑄錠微觀組織尺寸變化圖。未施加電磁能,心部組織中初生相α-Al一次枝晶臂間距為76 μm,二次枝晶臂間距尺寸為15.28 μm;施加0.2占空比脈沖電磁場,心部組織中初生相α-Al一次枝晶臂間距為60.4 μm,二次枝晶臂間距尺寸為13.67 μm;施加0.3占空比脈沖電磁場,心部組織中初生相α-Al一次枝晶臂間距為71.63 μm,二次枝晶臂間距尺寸為15.17 μm。 未施加電磁能,邊部組織中初生相α-Al二次枝晶臂間距尺寸為9.06 μm,一次枝晶臂間距長度為32.91 μm;施加0.2占空比脈沖電磁場,邊部組織中初生相α-Al二次枝晶臂間距尺寸減小到7.8 μm,初生相α-Al一次枝晶臂間距尺寸為22.63 μm;施加0.3占空比脈沖電磁場,邊部組織中初生相α-Al二次枝晶臂間距尺寸為8.96 μm,一次枝晶臂間距尺寸為26.98 μm。從以上數(shù)據(jù)可知,脈沖電磁場占空比的改變影響了Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金的細(xì)化效果。

        圖5 不同占空比參數(shù)Al-Si-Cu-Mg活塞合金鑄錠微觀組織尺寸變化Fig.5 Variation of microstructure size of Al-Si-Cu-Mg piston alloy ingot with different duty cycle parameters

        施加脈沖電磁場后,電磁能作用下,總自由能變化為

        ΔGtot=VΔGm+Sσ

        (1)

        式中:

        V—晶核體積;

        S—表面積;

        ΔGm—磁場中固液相吉布斯自由能增量;

        σ—為固-液界面能[8]。

        電磁能作用于合金熔體,磁場中固液相吉布斯自由能增量計算公式為

        ΔGm=ΔGv+(μ0ΔχSLH2)/2

        (2)

        激活能計算公式表示為[9]

        (3)

        將式(2)代入式(3)可得

        (4)

        電磁能計算公式為

        (5)

        磁感應(yīng)強度B為

        B=Hμ0μr

        (6)

        得到

        (7)

        ΔχSL=χS-χL…

        (8)

        式中:

        H—磁場強度;

        μr—相對磁導(dǎo)率;

        μ0—真空磁導(dǎo)率;

        w—電磁能密度;

        ΔχSL—固液相體積磁化率的變化;

        χL—液相體積磁化率;

        χS—固相的體積磁化率;

        ΔGv—單位體積吉布斯自由能差。

        液相線以上一定溫度區(qū)間有序排列原子集團的演變規(guī)律[10]:

        R(T)=

        T0≤T≤TC

        (9)

        式中:

        R(T)—T溫度下有序排列原子集團的平均半徑;

        α—幾何形狀因子,0<α≤1;

        z1—金屬熔化前的配位數(shù);

        r—原子集團中原子之間的距離;

        k—玻爾茲曼常數(shù);

        C0—熔點處被激活原子的相對濃度;

        Tm—熔點;

        T0—過冷熔體中臨界形核溫度;

        TC—熔體從液態(tài)到氣態(tài)轉(zhuǎn)變過程中發(fā)生第一次原子集團失穩(wěn)的溫度。

        電磁場攜帶的能量可以降低激活能,激活能的變化,會影響原子集團的平均半徑,激活能減小,原子集團尺寸減小,熔體中原子集團數(shù)目增加,使形核過程中形核率提高[11]。

        2.2 電磁能對Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金耐熱相的影響

        圖6為不同占空比參數(shù)下Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織,合金微觀組織包括六種耐熱相,其中δ-Al3CuNi為亮色,Q-Al5Cu2Mg8Si6為黑色,θ-Al2Cu為網(wǎng)狀, ε-Al3Ni為塊狀?;钊辖鹬心蜔嵯嗟臄?shù)量、形狀、尺寸會影響合金的力學(xué)性能[12-13]。未施加電磁能,耐熱相尺寸較大,聚集程度高。當(dāng)施加0.2占空比脈沖電磁場后,耐熱相ε-Al3Ni的形態(tài)發(fā)生變化、由長條狀轉(zhuǎn)變?yōu)榱?,耐熱相?Al3CuNi數(shù)目增多,耐熱相Q-Al5Cu2Mg8Si6的分布狀態(tài)發(fā)生改變,分布更加均勻,同時數(shù)目增多。當(dāng)施加0.3占空比脈沖電磁場后,耐熱相尺寸更加細(xì)小,白色的Q-Al5Cu2Mg8Si數(shù)目增多,Q-Al5Cu2Mg8Si6所占的面積增大。電磁能作用下,耐熱相形態(tài)、分布、尺寸的改變,有利于提高材料的力學(xué)性能。施加0.2占空比脈沖電磁場時,微觀組織中耐熱相尺寸變得最細(xì)小,δ-Al3CuNi數(shù)目最多,同時Q-Al5Cu2Mg8Si6所占的面積最大。從以上數(shù)據(jù)可知,電磁能不僅可以細(xì)化初生相,在液相線溫度上施加脈沖電磁場,耐熱相的尺寸、分布也發(fā)生變化。

        圖6 不同占空比參數(shù)下Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金微觀組織中耐熱相變化Fig.6 Variation of heat-resistant phase size in the microstructure of Al-Si-Cu-Mg-Ni piston alloy with different duty cycle parameters

        2.3 電磁能對Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金宏觀偏析的影響

        在鑄錠橫斷面沿徑向打5點, 利用等離子發(fā)射光譜儀測量Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金中溶質(zhì)元素Si 和Cu、Mg在鑄錠橫斷面上的分布情況。圖7為Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金鑄錠橫斷面元素相對偏析程度。

        如圖7所示,占空比為0.2,溶質(zhì)元素Si、Cu及Mg的成分偏析現(xiàn)象得到改善[14]。

        圖7 Al-Si-Cu-Mg合金-Ni活塞合金鑄錠橫斷面元素相對偏析程度分布情況Fig.7 Relative segregation distribution of elements of Al-Si-Cu-Mg-Ni piston alloy ingots in the cross-section

        鑄錠(橫斷面上)的局部元素相對偏析程度用Δw表示[15]:

        (9)

        式中:

        wi—各個位置所測定的元素質(zhì)量分?jǐn)?shù);

        w0—檢測元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的平均值。

        通過改變電磁參數(shù),合金宏觀偏析被改善。電磁能作用下,熔體的溶質(zhì)元素分布更加均勻。

        3 結(jié) 論

        1)電磁能作用下,Al-Si-Cu-Mg-Ni活塞合金凝固組織中初生相α-Al平均尺寸、一次枝晶臂間距、二次枝晶臂間距減小。耐熱相尺寸減小,數(shù)目增多,分布狀態(tài)發(fā)生改變。

        2)施加占空比為0.2脈沖電磁場,熔體的溫度場與流場發(fā)生改變,溶質(zhì)元素分配更加均勻,溶質(zhì)元素Si、Cu、Mg的成分偏析現(xiàn)象得到改善。

        3)電磁場降低激活能,熔體中有序排列原子集團數(shù)目增加是形核過程中形核率提高的主要原因之一。

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