處理器和顯卡是最影響筆記本性能的硬件。但是，想讓同款處理器和顯卡充分發(fā)揮實力，還需要更好的內(nèi)存加以支持。那么，當前筆記本領(lǐng)域的內(nèi)存又是如何劃分檔次的呢？

對筆記本內(nèi)存而言，影響其性能的因素，從高到低依次為：版本、容量、頻率、時序、制程、電壓和封裝。其中，版本即DDR3、DDR4、DDR5，后綴數(shù)字越大代表越先進，第11代酷睿和銳龍5000僅支持DDR4，而最新的第12代酷睿和銳龍6000則支持最新的DDR5，不同版本的內(nèi)存條和插槽的金手指有別所以無法相互兼容。

內(nèi)存容量沒啥可說的，自然是越大越好。但是，很多輕薄本（全能本）雖然內(nèi)置標準的內(nèi)存插槽，但對安裝其上的內(nèi)存條的容量卻存在限制。比如華碩無雙系列就僅支持單根8GB容量（圖1），而絕大多數(shù)游戲本則支持單根32GB，可以組成64GB的雙通道模式。

內(nèi)存頻率是對性能影響最大的因素，D D R4 時代最高僅到42 67MH z，而D DR5時代則將頻率進一步提升至4 8 0 0MH z、5200MHz和6400MHz這三個檔位，頻率越高帶寬越高，有利于提升整體性能，特別是處理器內(nèi)集成顯卡的3D性能。

需要注意的是，筆記本內(nèi)存包括標準的內(nèi)存條（圖2）以及板載內(nèi)存顆粒兩種樣式，后者常見于輕薄本，有利于產(chǎn)品瘦身。LPDDR就是以板載內(nèi)存的形式存在，但也有部分輕薄本會選擇將DDR4顆粒直接封裝在主板上，相對罕見。

此外，DDR4內(nèi)存中還存在4Bank Group（4BG）和2Bank Group（2BG）兩種封裝形式，以8GB容量為例，4 B G 即雙面8 顆粒，擁有比2BG更高的帶寬，有利于進一步拔高系統(tǒng)性能。只是，2BG封裝內(nèi)存成本更低，已經(jīng)逐漸成為市場主流，很多O EM廠商也爭取不到更多的4BG貨源，只能采取2BG與4BG內(nèi)存混合出貨，能否買到標配4BG內(nèi)存的游戲本全靠人品。