李德星，郭榮鑫，林志偉，張紹奇

(昆明理工大學建筑工程學院，云南省土木工程防災(zāi)重點實驗室，昆明 650500)

0 引 言

磷石膏(phosphogypsum, PG)是磷化工企業(yè)濕法生產(chǎn)磷酸排出的工業(yè)廢渣，每生產(chǎn)1 t磷酸約產(chǎn)生5 t的PG。目前全球PG年排放量達2.8億t，多數(shù)僅作簡單堆積填埋處理，其中含有的有害雜質(zhì)隨雨水浸入土壤和水體，污染環(huán)境[1-2]。PG的主要成分為CaSO4·2H2O(二水石膏， DH)，其含量通常在85%以上，在特定熱力學條件下DH可轉(zhuǎn)化為α半水石膏(α-HH)，是實現(xiàn)PG資源化利用的途徑之一。

1 磷石膏的理化特性

PG外觀呈灰白色粉末狀，密度約為2.05～2.45 g/cm3，晶粒尺寸約為40～200 μm，自由水含量約為20%～30%[3-4]，pH值一般為3左右，呈酸性[5-6]，晶體微觀形貌呈不規(guī)則板片狀(見圖1)。表1為部分學者所著文獻中PG化學組成，可以看出PG主要成分為硫酸鈣，同時含有磷、氟、鐵、硅、鋁、鎂及有機物等雜質(zhì)，且不同地域PG化學組成差異較大。圖2為部分學者所著文獻中PG的XRD譜，可以看出PG中的硫酸鈣是以CaSO4·2H2O的形式存在，且PG中會含有少量的SiO2和CaHPO4·2H2O等雜質(zhì)。

表1 部分學者所著文獻中PG的化學組分

圖1 PG晶體微觀形貌[14-15]

圖2 部分學者所著文獻中PG的XRD譜[6,16-17]

2 磷石膏中主要有害雜質(zhì)對石膏性能的影響

2.1 磷

難溶磷含量約為PG質(zhì)量的0.6%～1.4%[18]。彭志輝[21]研究表明，隨Ca3(PO4)2摻量增加，石膏凝結(jié)時間及強度均未出現(xiàn)明顯變化。彭家惠等[18]認為難溶磷對石膏性能沒有影響，原因是難溶磷為惰性填料，對石膏的水化進程沒有影響。

2.2 氟

PG中的氟雜質(zhì)以可溶氟和難溶氟兩種形式存在，其含量隨PG粒徑增大而增加。彭志輝[21]向NG中分別單獨摻入可溶氟(NaF)、難溶氟(CaF2、Na2SiF6)，研究氟對石膏性能的影響，證明隨NaF摻量增加，石膏凝結(jié)時間縮短，強度下降。當NaF摻量由0%增至1%，石膏凝結(jié)時間縮短62%，強度下降53%。但當CaF2和Na2SiF6摻量增加時，石膏的凝結(jié)時間及強度均無明顯改變。Singh[20]以相同的實驗方法研究證明，當NaF摻量由0.5%增至0.75%、1.0%和1.5%時，石膏凝結(jié)時間分別縮短40%、50%和60%，強度分別下降3%、23%和26%，且石膏晶體由針狀轉(zhuǎn)變?yōu)榘迤瑺?，而當CaF2摻量增大時，石膏的凝結(jié)時間及強度無明顯變化。丁萌等[10]向分析純DH摻入NaF，研究氟對石膏性能的影響，研究表明，當NaF摻量由0%增至0.5%和1.2%時，石膏凝結(jié)時間縮短27%和37%，強度下降3%和36%。上述學者研究表明，可溶氟會縮短石膏的凝結(jié)時間，降低強度，難溶氟對石膏的性能沒有影響。

2.3 其他雜質(zhì)

PG中有機物主要為乙二醇甲醚乙酸酯、異硫氰甲烷、3-甲氧基正戊烷等，呈絮狀分布于DH晶體表面，其含量隨PG粒徑增大而增加[18]。有機物會增加石膏標準稠度需水量，削弱石膏晶體間的接合，使石膏硬化體結(jié)構(gòu)疏松，強度下降[18]。PG中堿金屬鹽雜質(zhì)以碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽等可溶鹽形式存在。石膏硬化時堿金屬離子會沿著石膏硬化體孔隙遷移至表面，在制品表面析晶后引發(fā)粉化、泛霜等缺陷[24]。此外PG中還含有約2%～17%的SiO2，以石英的形式存在，呈惰性，對磷石膏性能的影響較小。但當其含量過大時，因其硬度較大，可能會對生產(chǎn)設(shè)備造成磨損[4]。

綜上所述，PG中的可溶磷、可溶氟及共晶磷是影響石膏性能的主要雜質(zhì)?？扇芰住⒐簿Я讜娱L石膏的凝結(jié)時間，降低強度；可溶氟則會縮短石膏凝結(jié)時間，降低強度；有機物會增大石膏標準稠度需水量，降低強度；堿金屬鹽會在石膏表面造成泛霜及粉化等缺陷；難溶磷、難溶氟及SiO2對石膏的性能基本無影響；共晶磷含量隨PG粒徑的增大而減小，其余雜質(zhì)含量均隨PG粒徑的增大而增加。但目前PG中雜質(zhì)對石膏性能的影響一般都是通過將某一類雜質(zhì)以單摻的方式摻入NG或者分析純DH中模擬PG進行，這與PG同時含有多種雜質(zhì)的現(xiàn)狀不符。同時，目前PG中雜質(zhì)對石膏性能的影響大多僅以凝結(jié)時間和力學性能參數(shù)表示，缺乏有害雜質(zhì)對于石膏晶體微觀形貌方面的研究，難以從微觀角度解釋機理。

3 磷石膏中雜質(zhì)預處理方法

目前，PG雜質(zhì)的預處理方法包含水洗、煅燒、石灰中和、球磨以及篩分等。

3.1 水 洗

水洗是目前磷石膏資源化利用最普遍使用的預處理方法，可有效去除PG中的可溶磷、可溶氟，但對共晶磷無效。彭家惠等[25]以3倍水量清洗PG 3～4次，可溶磷、可溶氟含量分別由0.86%、0.50%降為0%，共晶磷含量無變化。曾明等[26]以3倍水量清洗PG 2～3次，可溶磷、可溶氟含量分別下降90%和68%。柏光山等[27]以3倍水量清洗PG 3～4次，可溶氟、可溶磷含量降為0%。

3.2 石灰中和

石灰中和使PG中可溶磷和可溶氟轉(zhuǎn)化為難溶鹽，從而降低可溶磷和可溶氟對石膏性能的影響，但對共晶磷無效。柏光山等[27]根據(jù)PG中可溶磷、可溶氟的含量，計算出與之反應(yīng)等量生石灰，摻入PG后，可溶磷及可溶氟含量降為0%。彭家惠等[25]以石灰中和PG后，可溶磷、可溶氟的含量分別由0.86%、0.50%降為0%，共晶磷含量無變化。巴太斌等[28]以石灰中和PG，當生石灰摻量由0%增至1%、2%、3%及6%，可溶磷含量分別下降2%、89%、96%和96%，可溶氟含量分別下降91%、94%、97%和97%。

3.3 煅 燒

煅燒法可以去除所有磷、氟雜質(zhì)，是去除共晶磷唯一有效途徑，但此工藝成本和能耗較高。彭家惠等[25]以150 ℃、200 ℃煅燒PG后，共晶磷含量未變化，以800 ℃煅燒后，可溶磷、可溶氟含量降為0%，共晶磷含量減小90%。曾明等[26]以500 ℃煅燒后，可溶磷、可溶氟含量分別下降82%和98%。

3.4 篩分與球磨

篩分法可以有針對性的去除在PG某一粒徑范圍內(nèi)富集的雜質(zhì)，球磨是可改善PG顆粒結(jié)構(gòu)的有效手段，但無法去除可溶磷、可溶氟及共晶磷雜質(zhì)。彭家惠等[25]以篩分法去除粒徑大于200 μm PG顆粒后，可溶磷含量減小43%，可溶氟含量減小26%，共晶磷含量增加23%。柏光山等[27]將PG顆粒比表面積球磨至350～400 kg/m2，可溶磷、可溶氟含量均無變化。

綜上所述，水洗及石灰中和可以去除PG中的可溶磷、可溶氟，但對共晶磷無效；篩分法可以有針對性地去除在PG某一粒徑范圍內(nèi)富集的雜質(zhì)；煅燒法可以去除所有磷、氟雜質(zhì)；球磨法無法去除可溶磷、可溶氟及共晶磷雜質(zhì)。

4 α-HH制備方法

α-HH是以α型半水硫酸鈣為主要物相的粉末材料，以DH為原料在一定的溫度、壓力或轉(zhuǎn)晶劑條件下處于飽和水蒸氣介質(zhì)或液態(tài)水溶液環(huán)境中制得[29]。常用制備方法有蒸壓法[30]、水熱法[31]、常壓鹽溶液法[32]及微波輻照法[17，33]等。

4.1 蒸壓法

蒸壓法是在蒸壓釜中利用飽和水蒸氣使DH溶解重結(jié)晶為α-HH晶體。周杰[34]以PG為原料，研究了不同反應(yīng)溫度及時間條件下PG中DH向半水硫酸鈣(HH)及無水硫酸鈣(AH)的轉(zhuǎn)化規(guī)律。研究表明：溫度120 ℃，10 min時，DH含量為80.1%，HH含量為10.5%，AH含量為0%；480 min時，DH含量減小至15.1%，HH含量增至最大75.5%，AH含量為0%。溫度200 ℃，10 min時，HH含量減少至最小5.1%；480 min時，DH含量減少至2.5%，AH含量增至最大79.0%。且當HH含量減少至最小5.1%時，2 d抗壓強度降低至最小1.4 MPa，當HH含量增至最大75.5%時，2 d抗壓強度升至最大9.5 MPa。證明隨反應(yīng)溫度及時間增大，DH含量逐漸減小，HH含量先增大后減小，AH含量逐漸增大，且石膏的抗壓強度隨HH含量的增加而增大。羅東燕等[30]以PG為原料，研究料漿含水率、蒸壓溫度及時間對石膏力學性能的影響。試驗證明，對石膏強度影響程度最大的是蒸壓時間，其次是料漿含水率，最后為蒸壓溫度，且當同一因素數(shù)值增大時，石膏7 d干抗壓強度均呈先升高后降低的趨勢。隨蒸壓溫度及時間增大，DH脫水速率加快，生成較多的α-HH，石膏強度提高；但溫度過高、時間過長使α-HH脫水成AH，降低石膏強度。當料漿含水率過小時，熱量不易傳遞到DH內(nèi)部，影響α-HH的發(fā)育生長；當料漿含水率過大時，石膏內(nèi)部液相增多，使石膏粉體堆積過于緊密，熱量也不易傳遞到DH內(nèi)部，造成石膏強度的下降。楊林等[35]分別以PG、NG及化學石膏(CG)為原料，130 ℃蒸壓360 min制備α-HH。試驗表明，石膏原料的溶解度對石膏力學性能及晶體微觀形貌影響很大。其中CG溶解度最大，所制α-HH晶體呈短柱狀，直徑為1～4 μm，長徑比為5～15，抗壓強度為8.6 MPa；PG溶解度居中，所制α-HH晶體呈六方棒狀或短柱狀，直徑為6～10 μm，長徑比為4～8，抗壓強度為13.8～14.6 MPa；NG溶解度最小，所制α-HH晶體呈粗六方棒狀或短柱狀，直徑為30～40 μm，長徑比為4～8，抗壓強度為31.5 MPa。原因是蒸壓過程中，DH制備α-HH為溶解再析晶的過程，二水石膏原料溶解度越大，溶解速度越快，單位時間內(nèi)產(chǎn)生的晶核越多，使晶體成長需要的新相數(shù)量不足，晶體尺寸減小，強度降低。上述學者的研究證明，蒸壓法中溫度、時間、料漿含水率以及石膏原料的溶解度等都會對石膏的強度及晶體形貌產(chǎn)生較大影響，其中隨溫度、時間及料漿含水率的增大，石膏的強度均呈先增大后減小的趨勢，同時石膏強度又與石膏中HH相的含量及晶體的長徑比密切相關(guān)，強度隨HH含量的增加及晶體長徑比的減小而增大。

4.2 水熱法

水熱法過程是高溫高壓下讓DH在水溶劑中溶解重結(jié)晶為α-HH晶體。沈金水等[31]以PG為原料，乙二胺四乙酸(EDTA)為轉(zhuǎn)晶劑，采用加壓水熱法制備α-HH。研究表明，當EDTA摻量由0%增至1.0%，脫水時間由1.5 h增至4 h，晶體長徑比由13.1減小至1.1。且pH值對EDTA轉(zhuǎn)晶效果影響較大，當pH值在1～7增大時，晶體長徑比逐漸減?。划攑H值在從7增大到11時，晶體長徑逐漸增大。梁現(xiàn)紅等[36]以NG為原料，CuCl2為轉(zhuǎn)晶劑，采用加壓水熱法制備α-HH。研究表明：轉(zhuǎn)晶劑可提高NG在水中的溶解度；原料粒度會影響NG的溶解速率，隨粒度減少，溶液越容易達到過飽和狀態(tài)；水熱溫度低于100 ℃時較難生成α-HH；溶液 pH值可改變?nèi)芤弘x子質(zhì)量分數(shù)，隨著pH值升高，α-HH平均直徑逐漸減小，同時會導致外加劑失效；料漿濃度越高，晶須生長空間越小，溶液體系離子遷移速度降低。秦軍等[37]以PG為原料，采用水熱法制備α-HH。研究表明，隨反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、原料粒度和漿料濃度的增加，α-HH的長徑比先增大后減少。當反應(yīng)溫度為130～140 ℃，pH值為4，反應(yīng)時間為4 h，料漿質(zhì)量分數(shù)為5%，原料粒度為50～75 μm時，可制備長徑比為42的α-HH。

4.3 常壓鹽溶液法

常壓鹽溶液是在水熱法的基礎(chǔ)上，向水溶液中添加某些鹽介質(zhì)，增加溶液過飽和度，降低水活度，實現(xiàn)常壓低溫下DH向α-HH晶體的轉(zhuǎn)化。丁峰等[32]以PG為原料，丁二酸為轉(zhuǎn)晶劑，采用常壓鹽溶液法制備α-HH。研究表明：當pH值<7時，α-HH晶體長徑比為8～10；當pH值=7時，α-HH晶體長徑比為3～5；當pH值=8時，α-HH晶體長徑比為1～3；當pH值=9時，α-HH晶體中夾雜有大量未反應(yīng)的片狀DH。李顯波等[38]研究了常壓下不同鹽溶液中DH向α-HH的轉(zhuǎn)化規(guī)律。研究表明：在NaCl、NaNO3和MgCl2溶液中，隨溶液濃度增加，DH向α-HH轉(zhuǎn)化速率加快，結(jié)晶誘導時間和晶體生長時間縮短；而在濃度為15%、20%、25%的CaCl2溶液和15%、30%的Ca(NO3)2溶液中，反應(yīng)進行至4 h均未有α-HH產(chǎn)生，認為是鹽溶液中Ca2+的同離子效應(yīng)造成DH在CaCl2和Ca(NO3)2溶液中溶解度較低，不能形成過飽和溶液，無法形成α-HH。楊潤等[6]研究表明，向Ca(NO3)2溶液中內(nèi)摻Na2SO4可加快DH向α-HH的轉(zhuǎn)化時間，并且隨內(nèi)摻Na2SO4的增加而縮短。在濃度為55%的Ca(NO3)2溶液中，內(nèi)摻1%Na2SO4，DH向α-HH轉(zhuǎn)化時間縮短約33%；內(nèi)摻5%Na2SO4，DH向α-HH轉(zhuǎn)化時間縮短約66%；內(nèi)摻10%Na2SO4，DH向α-HH轉(zhuǎn)化時間縮短約70%。上述學者研究證明，可使用某些有機酸轉(zhuǎn)晶劑來降低α-HH晶體的長徑比。pH值會影響有機酸轉(zhuǎn)晶劑的效果，隨pH值增加，轉(zhuǎn)晶效果先增強后減弱。在水溶液中添加某些鹽介質(zhì)，會使水活度降低，增加溶液的過飽和度，可縮短DH向α-HH轉(zhuǎn)化時間，且隨鹽濃度的增加，轉(zhuǎn)化速率加快。但受同離子效應(yīng)，DH在鈣鹽中溶解度較低，無法形成過飽和溶液，阻礙α-HH的形成。復摻Na2SO4可降低由同離子帶來的DH溶解度低的問題。

4.4 微波輻照法

微波輻照是在水熱法基礎(chǔ)上，以微波輻照代替常規(guī)熱源發(fā)展起來的一種新型制備方法，因微波輻照具有整體加熱、快速加熱、均勻加熱和熱量損失小等特點，在材料制備中，此方法具有提高反應(yīng)效率和縮短反應(yīng)時間等優(yōu)點[17，39]。馮焱等[17]以微波輻照為熱源，以PG為原料，在CaCl2溶液中及丁二酸轉(zhuǎn)晶劑作用下制備α-HH。研究表明，隨丁二酸轉(zhuǎn)晶劑摻量增加(0.01%、0.02%及0.03%)，反應(yīng)90 min，DH向α-HH的轉(zhuǎn)化率分別為94%、96%及81%，呈先增大后減小趨勢。當溫度為100 ℃，丁二酸摻量為2%時，90 min可制備出長徑比為1.5的短柱狀α-HH晶體。黃卡瑪?shù)萚40]在微波輻照加熱下以十二烷基硫酸鈣為原料在乙二醇溶液中，15 min制備出長徑比為62的HH晶體，與油浴加熱方式相比，反應(yīng)時間至少縮短98%。張紹奇等[33]同樣以微波輻照為熱源，以PG為原料，在70%(質(zhì)量分數(shù))醇水溶液中制備HH晶體。研究表明，隨微波輻照溫度的升高和Na2SO4摻量增加，DH向α-HH晶體的轉(zhuǎn)化速率加快，但α-HH晶體長徑比隨Na2SO4摻量增加呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢。當溫度為100 ℃，Na2SO4摻量4%時，40 min可制備出長徑比為39的α-HH晶體。上述試驗證明，微波輻照在較短時間實現(xiàn)DH向α-HH脫水轉(zhuǎn)化，是一種值得引起大家關(guān)注的制備方法。

蒸壓法是工業(yè)上最早使用制備α-HH晶體的方法，其優(yōu)點是產(chǎn)量大、便于控制。但原料要求為塊狀，蒸壓過程石膏上下內(nèi)外受熱不均，影響產(chǎn)品品質(zhì)；蒸壓時間較長(一般為6 h之上)，能耗較高，生產(chǎn)周期較長。水熱法使DH溶解和α-HH晶體成核和生長始終在水溶液中進行，有利于轉(zhuǎn)晶劑發(fā)揮效果，制得α-HH晶體的長徑比較小。相對于蒸壓法，水熱法制得α-HH晶體缺陷較小，晶體生長完整。添加某些鹽介質(zhì)還可以降低反應(yīng)溫度，實現(xiàn)常壓低溫環(huán)境下制備α-HH晶體。但水熱法存在工藝復雜，設(shè)備要求較高，鹽介質(zhì)對設(shè)備易造成腐蝕，前期投資較大等缺點。微波輻照法以微波輻照代替常規(guī)熱源，加熱速率快，熱量損失小，加快反應(yīng)速率，縮短反應(yīng)時間。對比由外到內(nèi)的傳統(tǒng)加熱，微波整體加熱，使得溶液受熱均勻，晶體生長均勻，發(fā)育完整。但微波加快化學反應(yīng)所產(chǎn)生的特殊效應(yīng),特別是非熱效應(yīng)仍缺乏有效的研究[41]。同時微波輻照制備α-HH晶體仍處于實驗室階段，微波設(shè)備成本較高，反應(yīng)容器較小，產(chǎn)量較低，工業(yè)化仍需較長時間。

5 轉(zhuǎn)晶劑對α-HH晶體微觀形貌的調(diào)控

圖3 α-HH晶體結(jié)構(gòu)圖[15]

Mi等[44]研究了馬來酸對α-HH晶體微觀形貌的影響。研究表明，馬來酸的羧酸基團會與α-HH晶體(111)面上的Ca2+發(fā)生絡(luò)合作用，改變晶體(111)面的表面自由能，阻礙晶體(111)面的生長，且溶液pH值影響馬來酸的調(diào)控效果，pH值越大，α-HH晶體長徑比越小。原因是pH值影響馬來酸在溶液中的電離，當pH值較低時，馬來酸電離出的羧酸根離子較少，與α-HH晶體(111)面Ca2+的絡(luò)合作用較弱，阻礙晶體沿c軸方向生長的能力較弱，晶體長徑比較大；當pH值較高時，馬來酸電離出羧酸根離子增多，與α-HH晶體(111)面Ca2+的絡(luò)合作用增強，阻礙晶體沿c軸方向生長的能力增強，晶體長徑比減小。丁峰等[32]研究了丁二酸對α-HH晶體的影響。研究表明，丁二酸溶解時存在二級電離平衡。當反應(yīng)體系為酸性時，丁二酸以分子形式存在，溶液中可參加絡(luò)合反應(yīng)的羧酸離子很少，α-HH晶體的長徑比較大；當溶液為中性或弱堿性時，丁二酸電離出的羧酸離子增加，與晶體(111)面Ca2+的絡(luò)合作用增強，阻礙α-HH晶體沿c軸的生長，形成短柱狀晶體；當反應(yīng)體系為強堿性時，丁二酸幾乎全部電離，體系中羧酸離子數(shù)量急劇增加，部分DH無法脫水，阻礙α-HH晶體的形成。Feng等[45]研究了丁二酸對α-HH晶體的影響，認為丁二酸通過改變α-HH晶體的比表面能，抑制了晶體c軸方向的生長。Guan等[46]通過EDS分析證明，蘋果酸轉(zhuǎn)晶劑電離出的羧酸基團與α-HH晶體(111)面上Ca2+絡(luò)合吸附作用強于晶體(110)面，阻礙晶體c軸方向生長，降低晶體長徑比。

楊林等[7]研究了“Al2(SO4)3+明膠”復合轉(zhuǎn)晶劑對α-HH晶體的影響。結(jié)果表明，Al3+選擇性吸附在α-HH晶體的(110)面，明膠中的多元羧酸陰離子選擇性吸附在晶體(111)晶面，共同形成網(wǎng)絡(luò)狀薄膜，阻礙了晶體c軸方向生長，使晶體各晶面生長速度趨于一致，形成短六方柱狀晶體。林敏[42]研究表明，當溶液中加入多種轉(zhuǎn)晶劑時，應(yīng)考慮不同轉(zhuǎn)晶劑中陰離子和陽離子的協(xié)同作用，通常陰離子的作用強于陽離子。陽離子被吸附在晶體(110)面，而多元羧酸鹽的陰離子可被選擇吸附到晶體 (111)晶面上形成網(wǎng)絡(luò)狀吸附層，降低了晶體在c軸方向上的生長，最終形成短柱狀晶體。岳文海等[49]研究表明，當使用“Al2(SO4)3+檸檬酸鈉”時，檸檬酸鈉電離出的羧酸根離子具有較強的吸附性，一端與(111)面上的Ca2+絡(luò)合，另一端與Al3+連接，最終在(110)面形成有機大分子吸附金屬離子構(gòu)成的網(wǎng)狀“緩沖薄膜”，阻止了晶體c軸方向的生長，形成短柱狀晶體。

綜上所述，轉(zhuǎn)晶劑對α-HH晶體形貌的調(diào)控是通過摻入離子選擇吸附在晶體不同晶面，阻礙或加速不同晶面的生長速度進行的。無機鹽類轉(zhuǎn)晶劑的陽離子通常會被吸附到晶體(110)和(010)面，阻礙晶體側(cè)面的生長，加速晶體c軸方向的生長，形成大長徑比的α-HH晶體。有機酸類轉(zhuǎn)晶劑的羧酸基團則可與晶體(111)晶面上Ca2+發(fā)生絡(luò)合作用，吸附在該晶面，阻礙晶體沿c軸方向的生長，形成小長徑比α-HH晶體。與單一轉(zhuǎn)晶劑相比，復合轉(zhuǎn)晶劑可以通過陰離子及陽離子的協(xié)同調(diào)控作用獲得晶體微觀形貌比較理想的α-HH晶體。

6 結(jié)語及展望

(1)PG中的可溶磷、共晶磷及可溶氟雜質(zhì)是影響其資源化利用的主要障礙。目前文獻報道多是以雜質(zhì)單摻的方法，從宏觀角度研究有害雜質(zhì)對石膏凝結(jié)時間及力學性能的影響。與PG中多種有害雜質(zhì)共存的狀態(tài)不符，無法真實反映PG有害雜質(zhì)對石膏性能的影響。另外，有害雜質(zhì)對于石膏晶體微觀形貌方面的影響研究較少，難以從微觀角度解釋其作用機理。建議開展多種有害雜質(zhì)耦合作用對石膏晶體微觀形貌方面的影響研究。

(2)微波輻照具有加熱速率快、熱量損失小及綠色環(huán)保等優(yōu)點，但加對微波加熱過程中，但受熱材料各物質(zhì)介電特性影響其溫度場分布，進而影響受體中溫度場分布。目前微波輻照過程方法研究多聚焦于其熱效應(yīng)，而對于其非熱效應(yīng)的研究較少，建議開展微波輻照非熱效應(yīng)的研究。

(3)目前學者們關(guān)于轉(zhuǎn)晶劑作用機理研究主要集中在轉(zhuǎn)晶劑不同離子在晶體表面的吸附作用，而對轉(zhuǎn)晶劑合成環(huán)境的研究很少，建議開展復合轉(zhuǎn)晶劑離子和轉(zhuǎn)晶劑合成環(huán)境對α-HH晶體微觀形貌影響規(guī)律及機理的研究。