王碧涵,林傳龍,劉旭強(qiáng),楊文革
(北京高壓科學(xué)研究中心, 上海 201203)
盡管人們已廣泛研究了dc 到 β-Sn 相的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變及相應(yīng)的光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)變化,但是對(duì)其相變動(dòng)力學(xué)機(jī)制卻知之甚少。朗道對(duì)稱(chēng)群理論研究[19]指出,該相變是一種多步位移型相變,可以通過(guò)立方晶胞沿[100]和[010]方向的拉伸和沿[001]方向的坍塌來(lái)實(shí)現(xiàn)。雖然相變前后原子之間的拓?fù)錁?gòu)型沒(méi)有改變,但是近鄰原子間距和外層電子云的重新組排使電輸運(yùn)性能發(fā)生從半導(dǎo)體到金屬的轉(zhuǎn)變。由于缺乏診斷結(jié)構(gòu)演化的時(shí)間分辨技術(shù),此相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程尚未在實(shí)驗(yàn)中得到驗(yàn)證,尤其是其位移型特征。最近Renganathan 等[17]利用納秒時(shí)間分辨XRD 測(cè)量了Ge 在沖擊壓縮過(guò)程中的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,但主要關(guān)注沖擊壓縮過(guò)程中的熔化和再結(jié)晶以及卸載波的釋放,未探討更加精細(xì)的固-固結(jié)構(gòu)相變。Haberl 等[20]則利用較低壓縮速率(吉帕每秒)的動(dòng)態(tài)加載金剛石對(duì)頂砧(dynamic diamond anvil cell,dDAC)和毫秒時(shí)間分辨XRD 研究了 β-Sn 結(jié)構(gòu)的Ge 在卸壓過(guò)程中產(chǎn)生的亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu),而吉帕每秒的壓縮速率和毫秒的時(shí)間分辨不足以研究該壓致相變的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。
值得注意的是,dc 向 β-Sn 的相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程對(duì)于ⅣA 族元素高壓相變研究具有啟發(fā)意義。該相變普遍存在于ⅣA 族元素高壓相變序列中,Sn[21]和Si[7]也有這種轉(zhuǎn)變。Sn 的該相變發(fā)生在較低的壓強(qiáng)點(diǎn)0.9 GPa,而且需要在低溫環(huán)境實(shí)現(xiàn)。而Si 的高壓相變序列相較于Ge 更加密集,除了在11.7 GPa由dc 轉(zhuǎn)變?yōu)?β-Sn 相,緊接著在13.2 GPa 由 β-Sn 相變?yōu)镮mma相,在15.4 GPa 轉(zhuǎn)變?yōu)镻6/mmm相[3]。研究相變動(dòng)力學(xué)時(shí),要求較寬的壓縮區(qū)間來(lái)匹配特定的壓縮速率以及相應(yīng)的時(shí)間分辨結(jié)構(gòu)診斷。相較于Si 存在極化3d 電子,Ge 的高壓相變序列更加稀疏:Ge 的dc 相在12 GPa 左右轉(zhuǎn)變?yōu)?β-Sn 相后,直至75 GPa 左右才發(fā)生下一結(jié)構(gòu)相變。相較于Sn 很低的相變壓力(0.9 GPa)、Si 的密集相變序列,Ge 更便于設(shè)計(jì)合適的壓縮速率,為此本研究選擇Ge 作為研究對(duì)象,探究dc 相到 β-Sn 相的相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程。
近期本課題組通過(guò)改進(jìn)dDAC 高壓加載方式,獲得了高達(dá)幾十太帕每秒的壓縮速率,并在美國(guó)阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)光子源(APS)原位XRD 線站32ID-B 開(kāi)發(fā)了一套數(shù)十微秒時(shí)間分辨XRD 裝置,同類(lèi)型裝置已被用于研究與壓縮速率相關(guān)的Si 的亞穩(wěn)相[22],證實(shí)了該動(dòng)態(tài)壓縮時(shí)間分辨診斷裝置可以很好地研究位移型相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程。本研究將利用該裝置探究Ge 從dc 向 β-Sn 的相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程。
為了研究Ge 在高壓下從dc 相向 β-Sn 相的相變過(guò)程,分別開(kāi)展了靜態(tài)壓縮和動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)。靜態(tài)加載由金剛石對(duì)頂砧(diamond anvil cell,DAC)裝置實(shí)現(xiàn);動(dòng)態(tài)加載實(shí)驗(yàn)裝置dDAC 是在靜態(tài)加載裝置的基礎(chǔ)上,對(duì)DAC 增設(shè)了壓電陶瓷和氣膜控制器。動(dòng)態(tài)加載實(shí)驗(yàn)需要具有較高時(shí)間分辨的結(jié)構(gòu)診斷技術(shù),其XRD 數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)采集裝置與靜態(tài)加載實(shí)驗(yàn)有較大差異,主要體現(xiàn)在入射X 射線源和探測(cè)系統(tǒng)。
靜態(tài)加載測(cè)試是動(dòng)態(tài)加載測(cè)試的對(duì)比性實(shí)驗(yàn)。將硅油、紅寶石球和粉晶Ge 樣品裝入對(duì)稱(chēng)型DAC 中,其中:硅油作為傳壓介質(zhì)為樣品提供準(zhǔn)靜水壓環(huán)境[23];紅寶石球作為壓標(biāo),利用其熒光峰R1標(biāo)定壓腔內(nèi)的壓強(qiáng)[24]。靜高壓XRD 測(cè)量在上海同步輻射裝置(SSRF)15U1 線站完成,使用能量為20 keV 的單色X 射線(ΔE/E≈2×10?4),光斑由K-B 鏡聚焦至約5 μm× 5 μm(半高全寬),面陣探測(cè)器為MAR165 CCD。為了得到信噪比足夠高的衍射數(shù)據(jù),每個(gè)壓強(qiáng)點(diǎn)曝光數(shù)十秒。壓強(qiáng)步長(zhǎng)約為0.15 GPa,壓強(qiáng)范圍為9.28~14.01 GPa,共19 個(gè)壓強(qiáng)點(diǎn)。采集到的靜高壓XRD 圖像通過(guò)軟件Dioptas 積分成曲線,積分時(shí)的儀器參數(shù),如樣品到探測(cè)器的距離、旋轉(zhuǎn)角度、偏轉(zhuǎn)角度、像素點(diǎn)尺寸、中心坐標(biāo)等,通過(guò)實(shí)驗(yàn)前采集的標(biāo)樣CeO2的 XRD 譜標(biāo)定。使用GSAS 對(duì)積分后的部分?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行Rietveld 精修分析,從而得到該壓力下Ge 的晶胞參數(shù)和體積。
1.2.1 樣品和壓強(qiáng)控制
在DAC 壓腔中裝入多晶Ge、紅寶石球、Au粉,傳壓介質(zhì)同樣選用硅油。如圖1 所示,在DAC一側(cè)使用壓電陶瓷系統(tǒng),壓電陶瓷預(yù)加1 kV 電壓,使其處于伸長(zhǎng)狀態(tài),旋轉(zhuǎn)頂絲,調(diào)節(jié)壓電陶瓷的承受力;另一側(cè)使用氣膜加壓系統(tǒng),將樣品腔內(nèi)的壓強(qiáng)緩慢升至約8 GPa,在此期間,使用在線紅寶石標(biāo)壓系統(tǒng)同步監(jiān)測(cè)壓腔內(nèi)的壓強(qiáng)[24]。快速切斷壓電陶瓷的電源,壓電陶瓷迅速縮短,釋放所承受的力,在短時(shí)間內(nèi)樣品腔內(nèi)的壓強(qiáng)迅速?gòu)? GPa增加到約18 GPa。根據(jù)墊片的材料、厚度和預(yù)壓壓強(qiáng)的不同,可以實(shí)現(xiàn)幾十太帕每秒范圍內(nèi)不同的壓縮速率,本實(shí)驗(yàn)的壓縮速率k=11.2 TPa/s。逐幀分析與樣品混合在一起的金粉Au (111)晶面衍射峰的峰位變化,比對(duì)其狀態(tài)方程(equation of state,EOS),以標(biāo)定動(dòng)態(tài)加載過(guò)程中的壓強(qiáng)。Au 在動(dòng)態(tài)壓縮中的響應(yīng)靈敏,可以給出較準(zhǔn)確的標(biāo)壓數(shù)據(jù)[25]。
圖1 動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)裝置示意圖Fig. 1 Schematic diagram of experimental setup for dynamic compression
1.2.2 快速診斷系統(tǒng)及數(shù)據(jù)分析
快速診斷系統(tǒng)[26]包括3 個(gè)部分:將衍射X 射線轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的閃爍體(Lu2SiO5:Ce,約300 μm厚)、放大光信號(hào)的圖像增強(qiáng)器、以高幀率和短曝光時(shí)間來(lái)記錄衍射數(shù)據(jù)的高速光學(xué)照相機(jī)。在本實(shí)驗(yàn)中,XRD 的采集幀率為40 kHz,單幀曝光時(shí)間為25 μs,包含兩幀間2 μs 的存貯時(shí)間。另外,采集了樣品動(dòng)態(tài)加載前50 幀以及動(dòng)態(tài)加載結(jié)束后的20 幀,用來(lái)校準(zhǔn)儀器參數(shù),并確定動(dòng)態(tài)加載完成后的結(jié)果。本時(shí)間分辨結(jié)構(gòu)診斷實(shí)驗(yàn)在APS 的32ID-B 束線上完成。為了提高波蕩器的一次諧波X 射線能量和光通量,使用周期為1.8 cm 的波蕩器產(chǎn)生的粉光X 射線作為入射光源。如圖1 所示,X 射線的特征能量為23.7 keV(波長(zhǎng)為0.523 ?),樣品處的光通量約為9.43×1015ph/s,一次諧波的能量寬度范圍(粉光)內(nèi)的全部光通量(flux)較常規(guī)Si (111)單色器的出射光通量高4 個(gè)數(shù)量級(jí),從而滿(mǎn)足數(shù)十微秒級(jí)時(shí)間分辨率對(duì)束流強(qiáng)度的要求,保證了該時(shí)間尺度下的衍射圖譜具有較高的信噪比。入射光通過(guò)一對(duì)K-B 鏡聚焦到樣品上,光斑尺寸為20 μm × 20 μm(半高全寬)[27]。延遲發(fā)生器依次觸發(fā)X 射線快門(mén)、壓電陶瓷開(kāi)關(guān)和高速光學(xué)照相機(jī)。
粉光的非對(duì)稱(chēng)峰型和較寬的帶寬導(dǎo)致衍射峰非對(duì)稱(chēng)及寬化,為此,采用該線站為粉光衍射專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)分析程序HiSPoD 提取衍射峰位信息[27]。利用Au (111) 在不同時(shí)刻下的衍射峰位及已知的狀態(tài)方程,得到動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)中壓強(qiáng)(p)與時(shí)間(t)的關(guān)系曲線。
圖2 為靜高壓下Ge 從dc 相到 β-Sn 相的原位XRD 積分曲線,其中:紅色部分為dc 相,穩(wěn)定存在于10.30 GPa 以下;藍(lán)色部分為 β-Sn 相,穩(wěn)定存在于13.75 GPa 以上;灰色部分為dc 和 β-Sn 相兩相共存區(qū),共存壓強(qiáng)區(qū)間約為3 GPa。選取10.75 GPa 下的衍射數(shù)據(jù)進(jìn)行精修處理,從共存相中分析dc 相到 β-Sn相的晶胞參數(shù)(a、c)和晶胞體積(V),見(jiàn)表1,得到在該壓強(qiáng)點(diǎn)下兩相之間的體積坍塌比((Vdc?Vβ)/Vdc)為18.2%,與Menoni 等[28]的結(jié)論一致。從dc 相到 β-Sn 相的體積坍塌非常大,使得該相變很容易被理解為一級(jí)相變。觀察圖2 可以發(fā)現(xiàn):當(dāng)生成 β-Sn 相時(shí), β-Sn 相所有可探測(cè)的衍射峰一起出現(xiàn);當(dāng)dc 相消失時(shí),dc 相所有可探測(cè)的衍射峰一起消失;共存區(qū)間則包含了dc 相和 β-Sn 相所有可探測(cè)的衍射峰,新舊相各衍射晶面信號(hào)的出現(xiàn)不存在時(shí)間差。對(duì)于從dc 相到 β-Sn 相的相變過(guò)程,靜態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)用于研究相變平衡態(tài),無(wú)法反映相變的動(dòng)力學(xué)過(guò)程,因此所探測(cè)的衍射信息均反映特定壓強(qiáng)條件下演化完成后的結(jié)構(gòu)信息。本研究中,靜高壓下的XRD 數(shù)據(jù)作為動(dòng)態(tài)加載實(shí)驗(yàn)的參考,通過(guò)對(duì)比靜、動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)中XRD 數(shù)據(jù)演化的不同,提取相變過(guò)程中有效的動(dòng)力學(xué)信息。
圖2 靜高壓下Ge 從dc 到β-Sn 相變過(guò)程的原位單色XRD 積分曲線(圖中標(biāo)注了不同衍射峰對(duì)應(yīng)的晶面指數(shù),以及所用X 射線的波長(zhǎng)λ、晶相和所屬對(duì)稱(chēng)群)Fig. 2 In-situ monochromatic XRD integral curves of the phase transition of Ge from dc phase to β-Sn phase under static high pressure (The figure shows the crystal plane index corresponding to diffraction peaks, the wavelength ( λ) of the X-ray used, the crystal phase and the symmetry group.)
表1 靜態(tài)壓縮下10.75 GPa 時(shí)Ge 的晶胞參數(shù)Table 1 Unit cell parameters of Ge under static compression at 10.75 GPa
動(dòng)態(tài)加載之前及加載完畢后Ge 的XRD 譜如圖3 所示。圖3(a)為動(dòng)態(tài)加載前Ge 的衍射圖譜,壓強(qiáng)10 GPa,結(jié)構(gòu)為dc 相,其中標(biāo)出了dc 相及標(biāo)壓樣品Au 的衍射環(huán),白色虛線標(biāo)記的弧線為Ge dc 相的(111)、(022)和(113)晶面衍射信號(hào),黃色虛線標(biāo)記的弧線為Au 的(111)和(002)晶面衍射信號(hào)。衍射環(huán)有較明顯的亮點(diǎn),這是因?yàn)樗玫亩嗑e 樣品的晶粒較大。衍射環(huán)和明亮的衍射斑點(diǎn)不是均勻?qū)ΨQ(chēng)的圓弧或圓點(diǎn),而是在衍射角度方向上(2θ 增大方向)呈拉伸狀,產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是粉光X 射線的帶寬較寬,且能譜分布不對(duì)稱(chēng),而衍射斑點(diǎn)的形狀分布與X 射線的能譜分布相對(duì)應(yīng)[27]。圖3(b)是與圖3(a)對(duì)應(yīng)的衍射環(huán)積分曲線,可見(jiàn),積分后的衍射峰也不對(duì)稱(chēng),同樣與X 射線的能譜分布相對(duì)應(yīng)。圖3(c)是動(dòng)態(tài)壓縮后20 GPa 時(shí)Ge 的衍射圖譜,顯示為 β-Sn 相。衍射圖中,黃色虛線是Au 的(111)和(002)衍射環(huán)信號(hào),白色虛線為Ge 的 β-Sn 相的(020)、(011)、(220)和(121)衍射環(huán)信號(hào)。此時(shí)衍射環(huán)信號(hào)為強(qiáng)度較均勻的圓弧,這是動(dòng)態(tài)加載后粗晶粒Ge 樣品相變出現(xiàn)的晶粒細(xì)化現(xiàn)象。在衍射角方向上衍射環(huán)仍呈拉伸狀,有一定的寬度,其原因也是粉光X 射線不是單色光,衍射環(huán)寬度及形狀分布與X 射線的能譜分布相對(duì)應(yīng)。圖3(d)是與圖3(c)對(duì)應(yīng)的衍射環(huán)積分曲線,積分后的衍射峰也不對(duì)稱(chēng),與X 射線的能譜分布相對(duì)應(yīng)??紤]到衍射峰分布比較特殊,擬合衍射峰時(shí)不能使用單一的對(duì)稱(chēng)峰型函數(shù)。為此,本研究除了采用粉光專(zhuān)用數(shù)據(jù)分析程序HiSPoD 進(jìn)行積分得到積分曲線外,還使用兩個(gè)Voigt 峰擬合每個(gè)衍射峰,最終得到準(zhǔn)確的峰位和峰面積信息。如圖3(b)和圖3(d)所示,兩個(gè)Voigt 峰可近似描述這種非對(duì)稱(chēng)峰型。
圖3 動(dòng)態(tài)壓縮前后的粉光XRD 譜((a)和(c)分別為Ge 多晶壓縮前、后的XRD 譜,對(duì)應(yīng)的晶面用虛線圓弧標(biāo)記,并用黑色字符標(biāo)出,明亮的衍射斑點(diǎn)來(lái)自樣品中的大尺寸晶粒;(b)和(d)為對(duì)應(yīng)的衍射積分圖)Fig. 3 Pink-beam XRD patterns before and after dynamic compression ((a) and (c) are the XRD patterns of Ge polycrystals before and after compression, respectively. The corresponding crystal planes are marked with dashed arcs and black labels. The bright diffraction spots come from large-sized crystal grains in the sample. (b) and (d) are the corresponding diffraction integral patterns.)
動(dòng)態(tài)加載XRD 譜如圖4(a)所示,它直觀地展示了dc 到 β-Sn 相轉(zhuǎn)變期間不同晶面衍射峰的衍射強(qiáng)度隨時(shí)間的演變??梢钥吹?,在該時(shí)間序列中,dc 相晶面衍射峰的消失以及 β-Sn 相晶面衍射峰的出現(xiàn)存在先后順序,這與靜態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)中的XRD 變化(圖2)完全不同,反映了一定的相變動(dòng)力學(xué)信息。圖4(a)為衍射強(qiáng)度隨時(shí)間堆疊的變化圖,藍(lán)色為背景信號(hào)強(qiáng)度,黃色為衍射信號(hào)強(qiáng)度,兩相的衍射晶面已在圖中標(biāo)出。圖4(b) 為對(duì)應(yīng)的動(dòng)態(tài)加載壓強(qiáng)與時(shí)間的關(guān)系,可見(jiàn)本實(shí)驗(yàn)的壓縮速率k=11.2 TPa/s。從圖4(a)中可以看出,隨著時(shí)間增加,dc 相各峰位向高衍射角移動(dòng),(111)晶面衍射峰在接近500 μs 時(shí)消失,然后依次是(022)和(113)晶面衍射峰。 β-Sn 相的(220)和(121)晶面衍射峰先出現(xiàn),但是由于兩個(gè)峰的峰位接近,且粉光衍射導(dǎo)致峰寬較大,因此無(wú)法將兩個(gè)衍射峰分開(kāi);隨后(020)和(011)晶面衍射峰出現(xiàn),也由于同樣的原因不能分辨開(kāi)。兩相的衍射峰消失和出現(xiàn)的時(shí)間均存在一定的差異。
圖4 動(dòng)態(tài)加載過(guò)程中Ge 的XRD 譜以及壓力隨時(shí)間的變化:(a) 動(dòng)態(tài)XRD 的時(shí)間堆疊圖,(b) 壓力與時(shí)間的關(guān)系Fig. 4 XRD patterns of Ge during dynamic compression and the relationship between pressure and time:(a) the time-stacked diagram of dynamic XRD patterns; (b) the relationship between pressure and time
為了精細(xì)化圖4 展現(xiàn)出的晶面消失及出現(xiàn)的先后順序,將動(dòng)態(tài)加載下時(shí)間分辨XRD 進(jìn)行積分,圖5(a)顯示了前60 幀中部分積分曲線,并用不同顏色的粗指示線標(biāo)出高、低壓相以及Au 的(111)和(200)晶面衍射峰的大概位置,其顏色與圖5(b)中各峰顏色對(duì)應(yīng)。按照?qǐng)D3(b)和圖3(d)所示的擬合方法,擬合每個(gè)衍射峰的面積并分別歸一,得到不同晶面衍射峰強(qiáng)度隨時(shí)間的演化關(guān)系,如圖5(b)所示。結(jié)合圖4 和圖5 可以得到:隨著壓強(qiáng)的增加,即時(shí)間的演化,dc 相的(111)晶面衍射峰強(qiáng)度在約200 μs時(shí)驟減約60%,然后持續(xù)一段時(shí)間,在約400 μs 時(shí),繼續(xù)減弱,并在約475 μs 后完全消失;dc 相的(022)晶面衍射峰強(qiáng)度在約275 μs 時(shí)開(kāi)始逐步減弱,在約825 μs 后完全消失;dc 相的(113)晶面衍射峰強(qiáng)度在約575 μs 時(shí)開(kāi)始逐步減弱,在約975 μs 后完全消失。由此可以得到結(jié)論:dc 相的(111)晶面衍射峰強(qiáng)度最先開(kāi)始減弱直至消失,接著是(022)晶面,最后是(113)晶面。在 β-Sn 相中,(220)和(121)晶面衍射峰在約500 μs 時(shí)開(kāi)始出現(xiàn),但是強(qiáng)度較弱,800 μs 以后強(qiáng)度逐漸增大,(020)和(011)晶面衍射峰在約725 μs 時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)度持續(xù)增加,即(220)和(121)晶面先出現(xiàn),(020)和(011)晶面后出現(xiàn)。
圖5 (a) 動(dòng)高壓下Ge 從dc 到β-Sn 相變過(guò)程的原位粉光XRD 積分曲線,(b) 動(dòng)態(tài)加載過(guò)程中Ge 的dc 相和 β-Sn 相的不同晶面衍射峰歸一化強(qiáng)度隨時(shí)間的變化Fig. 5 (a) In-situ pink-beam XRD integral curve of the Ge phase transition from dc phase to β-Sn phase under dynamic compression; (b) the normalized intensity of the diffraction peaks of Ge in the dc phase and β-Sn phase during dynamic compression changes with time
從dc 到 β-Sn 相的相變過(guò)程中,晶胞體積塌縮了約18%,容易被理解為一級(jí)相變,但是從對(duì)稱(chēng)群角度分析,dc 到 β-Sn 相的相變是由多步位移組成的,具備鐵彈性相變特征[19],可能表現(xiàn)為立方晶胞沿[100]和[010]方向的拉伸以及沿[001]方向的壓縮。本研究中的動(dòng)態(tài)加載實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)充分地展現(xiàn)了dc 到β-Sn 相這一位移型相變特征,兩相相變時(shí)晶面消失和出現(xiàn)存在先后順序,然而具體的原子位移路徑需要進(jìn)一步的理論計(jì)算分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
搭建了一套壓縮速率高達(dá)幾十太帕每秒動(dòng)態(tài)壓縮、微秒時(shí)間分辨結(jié)構(gòu)診斷的dDAC-粉光XRD 技術(shù),并開(kāi)發(fā)了對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)分析方法。動(dòng)態(tài)壓縮裝置為復(fù)合型dDAC,結(jié)合了氣膜和壓電陶瓷兩種加載方法。該時(shí)間分辨XRD 診斷裝置利用了APS 粉光高通量XRD 技術(shù),結(jié)合閃爍體、圖像信號(hào)增強(qiáng)器和高重頻光學(xué)相機(jī),實(shí)現(xiàn)了數(shù)十微秒時(shí)間分辨的XRD 結(jié)構(gòu)診斷?;谠撗b置,開(kāi)展了半導(dǎo)體Ge 的動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn),壓縮速率為11.2 TPa/s,結(jié)構(gòu)診斷時(shí)間分辨為25 μs,探討了Ge 由dc 結(jié)構(gòu)向 β-Sn 結(jié)構(gòu)的相變動(dòng)力學(xué)過(guò)程。結(jié)果表明,相變時(shí)低、高壓相晶面消失和出現(xiàn)存在一定的先后順序,展現(xiàn)出位移型相變的特征,說(shuō)明該相變不是單純的一級(jí)相變,結(jié)合靜態(tài)加載XRD 實(shí)驗(yàn),獲得了相變平衡態(tài)下的結(jié)構(gòu)變化行為。通過(guò)對(duì)比動(dòng)、靜態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),證實(shí)了本研究發(fā)展的dDAC-粉光XRD 技術(shù)具備研究相變動(dòng)力學(xué)的能力。
本研究的動(dòng)態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)在APS 32ID-B 線站完成,靜態(tài)壓縮實(shí)驗(yàn)在上海光源(SSRF)15U1線站上完成,感謝SSRF 15U1 線站科學(xué)家張麗麗博士和楊科博士的幫助!