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        g-C3N4-MoS2的制備及其對鹽酸四環(huán)素的催化降解性能

        2022-04-09 06:19:42尚貞曉李夢紅馬艷飛
        化工環(huán)保 2022年2期
        關(guān)鍵詞:廢水用量污染物

        尚貞曉,李夢紅,馬艷飛

        (山東理工大學(xué) 資源與環(huán)境工程學(xué)院,山東 淄博 255000)

        抗生素因濫用藥物而被大量地釋放到環(huán)境中,成為一種新興污染物,嚴(yán)重地污染了環(huán)境。鹽酸四環(huán)素(TC)是一種廣泛使用的抗生素,在水生生態(tài)系統(tǒng)中不易分解[1],對人類及生態(tài)環(huán)境造成威脅,因此開發(fā)綠色高效、經(jīng)濟可行的處理方法意義重大。光催化技術(shù)在處理抗生素廢水時不易造成二次污染,同時較低的運行成本、便利的反應(yīng)條件等使其在治理環(huán)境污染方面具有較大的潛力。g-C3N4具有無毒、無二次污染、成本低等優(yōu)點[2-4],但其量子效率低,電子、空穴易復(fù)合,制約了其在環(huán)境修復(fù)中的應(yīng)用。MoS2是一種新型壓電與光催化材料,具有夾層結(jié)構(gòu)[5-7]、表面共價力和強邊緣效應(yīng),在污染物吸附和催化降解等方面應(yīng)用廣泛,但是MoS2納米片具有較低的分散性,限制了它的應(yīng)用。g-C3N4-MoS2復(fù)合材料[8-10]較匹配的導(dǎo)帶和價帶位置促進MoS2與g-C3N4間電子自發(fā)產(chǎn)生并轉(zhuǎn)移,可有效提高可見光吸收性能[11-15]。

        本研究利用MoS2和g-C3N4合成了g-C3N4-MoS2異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化材料,調(diào)控其能帶結(jié)構(gòu)、組成和形貌,以制備效能較高、綠色經(jīng)濟的催化材料,用于處理抗生素廢水,并考察了廢水濃度、催化劑用量等因素對TC降解效果的影響。

        1 實驗部分

        1.1 試劑、材料和儀器

        三聚氰胺,鉬酸鈉,硫脲,乙二醇,Na2SO4,TC,甲醇,對苯醌(BQ),叔丁醇(TBA):均為分析純。

        TC模擬廢水:實驗室配制,TC質(zhì)量濃度為10 mg/L。

        Evolution 220型紫外-可見分光光度計:美國Thermo熱電公司;Inspect F50型掃描電子顯微鏡:賽默飛世爾科技公司;CHI660E型電化學(xué)工作站:上海辰華儀器公司;UV-1901型雙光束紫外-可見分光光度計:上海奧析科學(xué)儀器有限公司;B-3200型曝氣機:寧波市鄞州邱隘天興氣泵廠。

        1.2 催化劑的制備

        1.2.1 g-C3N4的制備

        稱取15 g三聚氰胺置于坩堝中,在馬弗爐中以5 ℃/min的升溫速率升溫至550 ℃。在該溫度下保持4 h,待其自然冷卻至室溫后取出,研磨30 min,得到淡黃色g-C3N4粉末[16]。

        1.2.2 MoS2的制備

        采用溶劑熱法合成MoS2[17]。將1 mmol鉬酸鈉和5 mmol硫脲加入50 mL乙二醇中,置于超聲波清洗機內(nèi)超聲處理30 min。然后將上述溶液移入100 mL反應(yīng)釜中,于210 ℃下反應(yīng)24 h。待反應(yīng)釜溫度下降到室溫后,取出混合溶液,裝入離心管內(nèi)以8 000 r/min的轉(zhuǎn)速離心分離5 min。用去離子水和無水乙醇分別清洗2~3次,置于干燥箱中在80 ℃下干燥8 h,制得黑色 MoS2粉末。

        1.2.3 g-C3N4-MoS2的制備

        稱取4份1 mmol鉬酸鈉和5 mmol硫脲,分別置于4個燒杯中,再分別加入4份50 mL乙二醇。分別稱取0.2,0.4,0.6,0.8 g 的g-C3N4置于上述4個燒杯中,于超聲波清洗機內(nèi)超聲處理30 min。然后將混合溶液轉(zhuǎn)移至100 mL反應(yīng)釜中,于210 ℃下反應(yīng)24 h。重復(fù)1.2.2 中的離心分離、洗滌、干燥步驟,制得g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶1,1∶2,1∶3,1∶4)異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化劑。

        1.3 樣品表征

        采用UV-Vis DRS譜圖分析樣品的光吸收性能,掃描范圍為200~800 nm;采用SEM照片觀察樣品的形貌結(jié)構(gòu);用電化學(xué)工作站進行電化學(xué)性能測試,循環(huán)伏安(CV)曲線的電位范圍為-1.0~1.0 V,掃描速率為50 mV/s,電流-時間(I-t)曲線的測試時間為400 s,電解質(zhì)均為0.5 mol/L Na2SO4溶液。

        1.4 TC降解實驗

        取50 mL TC模擬廢水置于燒杯中,加入催化劑,將燒杯置于黑暗環(huán)境下吸附30 min。然后放入曝氣頭,在黑暗條件下開始催化降解反應(yīng),每隔15 min取樣1次,于最大吸收波長356 nm處測定吸光度,計算降解率。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 催化劑的表征

        圖1為樣品的UV-Vis DRS譜圖。由圖1可知:純g-C3N4在200~400 nm處有吸收峰;純MoS2與g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)在200~800 nm范圍內(nèi)對光的吸收均較好;g-C3N4-MoS2對光的吸收性能優(yōu)于純g-C3N4和純MoS2。

        圖1 樣品的UV-Vis DRS譜圖

        圖2為樣品的SEM照片。由圖2a可知,MoS2的形貌為比較褶皺的花狀球體,褶皺邊緣的不飽和鍵裸露。由圖2b可知,g-C3N4的形貌為薄片狀,片狀物質(zhì)邊緣又伴隨絮狀,增加了g-C3N4的比表面積。圖2c為g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3),其中花狀的MoS2生長于片狀的g-C3N4之上,形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),利于電子的產(chǎn)生與傳遞,從而提高催化活性。

        圖2 樣品的SEM照片

        2.2 g-C3N4-MoS2的CV曲線分析

        圖3為g-C3N4-MoS2在0.5 mol/L Na2SO4電解液中的CV曲線。由圖3可知:g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)比g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶4)的電流、電壓、峰面積都大;當(dāng)儀器從負電壓向正電壓進行掃描時,出現(xiàn)較微弱的氧化峰,表明氧化性較好;進行反掃時,也出現(xiàn)較微弱的還原峰,表明也具有一定的還原性。氧化還原性對應(yīng)電子得失,影響催化材料對污染物的降解性能。

        圖3 g-C3N4/MoS2的CV曲線

        2.3 催化劑的I-t曲線分析

        圖4為催化劑在0.5 mol/L的Na2SO4電解液中的I-t曲線。

        圖4 催化劑的I-t曲線

        由圖4可知,3種催化劑均可產(chǎn)生電子,電流密度由強到弱的順序為g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)>g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶4)>MoS2,說明復(fù)合催化材料性能優(yōu)于單一催化材料,g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)的產(chǎn)電子性能更優(yōu),與CV曲線結(jié)果一致。

        2.4 TC降解的影響因素

        2.4.1 催化劑m(C3N4)∶m(MoS2)

        在TC模擬廢水質(zhì)量濃度為10 mg/L、催化劑用量為25 mg的條件下,不同催化劑對TC的降解率見圖5。由圖5可知,隨著降解時間的增加,各催化劑對TC的降解率均呈上升趨勢;g-C3N4對TC的最高降解率為28%,g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶1,1∶2,1∶4)對TC的降解率均為20%~30%,降解率都較低;g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)對TC的降解率顯著提高,60 min時降解率達65%。因此,g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)對TC的降解性能最優(yōu)。

        圖5 不同催化劑對TC的降解率

        2.4.2 TC模擬廢水質(zhì)量濃度

        在催化劑用量為25 mg的條件下,g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)對不同質(zhì)量濃度TC的降解率見圖6。由圖6可知:15 min以內(nèi),催化劑對不同質(zhì)量濃度TC的降解率都逐漸提高;30 min后,對5,15,20 mg/L的TC的降解率基本穩(wěn)定在30%左右,但對10 mg/L的TC降解率卻顯著提高,60 min時,降解率達65%。

        圖6 g-C3N4/MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)對不同質(zhì)量濃度TC的降解率

        2.4.3 催化劑用量

        在TC模擬廢水質(zhì)量濃度為10 mg/L的條件下,催化劑g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)用量對TC降解率的影響見圖7。由圖7可知:隨著g-C3N4-MoS2用量的增加,TC降解率不斷提高;60 min時,25 mg g-C3N4-MoS2對TC的降解效果較35 mg的好,TC降解率達到65%;而90 min時,用量為35 mg的g-C3N4-MoS2的TC降解率達到最高,為73%。為降低成本,取25 mg作為g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)的適宜用量。

        圖7 g-C3N4/MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)用量對TC降解率的影響

        2.5 催化機理分析

        催化反應(yīng)中通常有3種活性物種,即h+、·O-2和·OH。加入捕獲劑可進一步探究催化劑對TC的降解機理。在TC模擬廢水質(zhì)量濃度為10 mg/L、催化劑g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)用量為25 mg的條件下,加入1 mmol/L甲醇捕獲h+,1 mmol/L BQ捕獲·O2-,1 mmol/L TBA捕獲·OH。圖8為加入捕獲劑對g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)降解TC的影響。由圖8可知,加入捕獲劑后,催化劑對TC的降解率均顯著降低,說明3種活性物種均影響催化劑對TC的降解效果,其中·OH和h+起主要作用。

        圖8 加入捕獲劑對g-C3N4/MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)降解TC的影響

        圖9為TC降解機理示意,推測催化機理為:電子由g-C3N4導(dǎo)帶遷移至MoS2導(dǎo)帶,活化O2產(chǎn)生·O2-;h+由MoS2價帶傳遞至g-C3N4價帶,h+將HO或OH-氧化成·OH。因此,體系中h+、·O-22和·OH共同將TC轉(zhuǎn)變?yōu)樾》肿親2O和CO2,使TC降解。黑暗條件下,由于MoS2具有壓電效應(yīng),其壓電特性使材料極化產(chǎn)生內(nèi)建電場,進而將電子-空穴對分離,活化O2和H2O形成高活性自由基,因此無需外加光照,僅憑借機械振動即可產(chǎn)生自由基以降解污染物。

        圖9 抗生素降解機理示意

        3 結(jié)論

        a)采用水熱合成方法制備了g-C3N4-MoS2二元異質(zhì)結(jié)復(fù)合催化劑。復(fù)合催化劑性能優(yōu)于單一催化劑,其中以g-C3N4-MoS2(m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)的性能最優(yōu)。

        b)以25 mg g-C3N4-MoS(2m(C3N4)∶m(MoS2)=1∶3)作為催化劑降解50 mL質(zhì)量濃度為10 mg/L 的模擬廢水中的抗生素TC,黑暗條件下催化降解60 min,TC降解率可達65%。

        c)該體系內(nèi)影響污染物降解的主要活性物種為h+、·O2-與·OH。污染物降解機理為機械振動引發(fā)電子轉(zhuǎn)移,產(chǎn)生活性物種,h+、·O2-與·OH共同將TC轉(zhuǎn)變?yōu)樾》肿親2O和CO2。

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