侯明金

（深圳中瀚藍盾電源有限公司，廣東 深圳 518000）

現(xiàn)階段，為了減小開關(guān)電源設(shè)備的體積，提高電源轉(zhuǎn)換效率，電源逐步向高功率密度、低損耗、高頻化方向發(fā)展，其中，高頻化對功率器件的驅(qū)動電路提出了新要求。傳統(tǒng)硅（Si）器件柵極驅(qū)動電路中包含耗能元件，高頻工作時，驅(qū)動損耗顯著增加，已成為限制開關(guān)電源發(fā)展的關(guān)鍵因數(shù)之一。寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用，極大地促進了驅(qū)動電路技術(shù)的發(fā)展。寬禁帶器件具有導(dǎo)通電阻小、寄生參數(shù)小、工作頻率高的優(yōu)點，在減小電源體積和提高效率方面具有顯著優(yōu)勢。目前，共柵共源氮化鎵高電子遷移率晶體管（Cascode Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor,Cascode GaN HEMT）是由低壓MOS 管和高壓常通GaN 組成[1]。

1 CaN 器件驅(qū)動電路設(shè)計基本原則

Cascode 型GaN 器件是由一個常閉型低壓SiMO SFET 和常開型高壓耗盡型GaN 器件共源共柵而成。在進行高頻GaN 驅(qū)動電路設(shè)計時需要著重考慮以下三個方面的因素：

1.驅(qū)動電壓的選擇：確保功率器件完全導(dǎo)通，降低由導(dǎo)通阻抗造成的能量損耗，同時避免由于功率器件柵源極電壓過低，驅(qū)動噪聲干擾造成功率器件誤導(dǎo)通。

2.柵極驅(qū)動電路設(shè)計：柵極驅(qū)動電路及參數(shù)的合理匹配，控制開通關(guān)斷速度，避免器件開通過快造成的振鈴或者開通過慢造成的功率損耗。

3.器件布局：優(yōu)化功率器件及驅(qū)動電路布線，降低由印制電路板的寄生參數(shù)造成的影響[2]。

這里選取型號為TPH3206 的高壓型GaN 功率器件。其柵極電壓最大范圍為±18V，最低導(dǎo)通閾值典型值為2.1V。

選取驅(qū)動芯片SI8230，驅(qū)動電壓為10V。該芯片是一款大電流輸出隔離型驅(qū)動器，具有高瞬態(tài)電壓抑制（du/ck）能力，且具有死區(qū)配置電路，可根據(jù)外部配置電阻不同，設(shè)置不同的死區(qū)時間。

2 Cascode GaN HEMT 原理

GaN 是橫向器件，漏極和源極穿過AlGaN 層與下層二維電子氣（Two-Dimensional Electron Gas,2DEG）形成歐姆接觸，并形成電流通路，當 2DEG 被耗盡時，半絕緣GaN 緩沖層阻礙電流流通。GaN 器件關(guān)斷時，需在柵極和源極之間施加負壓將2DEG 耗盡。GaN 為常通器件，漏極與源極之間反向耐壓低，不適用于功率變換電路。為了解決這一問題，已有公司采用Cascode 結(jié)構(gòu)開發(fā)出了適用于高壓的GaN 器件。Transphorm 公司650V 高壓GaN 器件就采用了低壓MOS 與高壓常通GaN級聯(lián)的結(jié)構(gòu)制備GaN 器件。本文以 TP65H300G4LSG 器件為例，研究一種適用于Cascode GaN 的高頻驅(qū)動電路。

GaN 器件開關(guān)頻率可達到數(shù)十MHz，若沿用傳統(tǒng)耗能型驅(qū)動電路，會導(dǎo)致電源效率降低。因此，在高頻應(yīng)用中，GaN 驅(qū)動電路設(shè)計尤為重要，它將會直接影響器件的可靠性和穩(wěn)定性。自GaN 器件商用以來，研究者們就著手探尋低功耗、高可靠性的驅(qū)動電路。提出了常通型GaN HEMT 器件柵極諧振驅(qū)動電路，該類型器件正常情況下為常通狀態(tài)，極易造成短路故障。該振驅(qū)動電路不僅節(jié)能，還可以縮短電源啟動時間，但多諧振驅(qū)動波形為準方波，幅值波動大，而增強型GaN 器件驅(qū)動電壓范圍窄（通常最大電壓為6V），不利于諧振元件參數(shù)選取[3]。因此，GaN 器件的高頻驅(qū)動電路仍具有研究價值。

3 典型的開關(guān)電源電路

高頻信號波形生成器產(chǎn)生方波信號；固定死區(qū)模塊控制驅(qū)動波形不同時為高，并產(chǎn)生固定死區(qū)時間；電平搬移模塊提升驅(qū)動波形的電平。

典型開關(guān)電源電路工作流程如下：高頻信號波形生成器輸出方波信號，經(jīng)過固定死區(qū)時間模塊分為兩支信號，分別記為P1、P2；其中P1用于控制下管的通斷；P2波形進入電平搬移模塊，將波形高電平搬移后用于上管的驅(qū)動；通過VH、VL波形的控制，輸出節(jié)點VSW信號頻率與PWM波形頻率一致，經(jīng)過濾波模塊產(chǎn)生直流電平VO信號。

傳統(tǒng)驅(qū)動方式會引起器件的意外開啟。當下管導(dǎo)通時，VSW電位迅速被拉到零電平，柵極電壓VH也會隨之被拉到零電平。由于柵極電壓VH滯后于VSW電壓到達零電平，使得上管器件的VGS產(chǎn)生瞬間的高電平，導(dǎo)致上管意外開啟。此時可能使上管和下管同時打開，產(chǎn)生部分損耗。針對此現(xiàn)象，本電路后續(xù)版本將進行優(yōu)化[4]。

功率器件自身的特性很大程度上決定了系統(tǒng)性能的上限。由于傳統(tǒng)功率器件具有寄生的PN 結(jié)，當驅(qū)動波形處于死區(qū)狀態(tài)時體二極管會導(dǎo)通，出現(xiàn)反向?qū)娏?，使電路功耗增加。傳統(tǒng)功率器件自身導(dǎo)通電阻和寄生電容較大，造成的導(dǎo)通損耗和輸出電容損耗也很大。傳統(tǒng)功率器件的電子遷移率以及電壓工作范圍有限，限制了傳統(tǒng)功率器件在高頻、高壓領(lǐng)域的發(fā)展[5]。

4 GaN HEMT 電源技術(shù)研究

4.1 HEMT 簡介

隨著高頻無線通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，同時滿足特殊領(lǐng)域的發(fā)展，因此對具備高速、高壓、高頻、耐高溫、耐腐蝕等特性的晶體管需求越來越迫切，從而使具備這些特性的器件即高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor HEMT）得到廣泛研究和發(fā)展。

在HEMT 器件中，由于異質(zhì)結(jié)接觸兩種半導(dǎo)體的禁帶寬度不同，電子會從寬禁帶半導(dǎo)體流向窄禁帶半導(dǎo)體中，從而在半導(dǎo)體界面的窄禁帶半導(dǎo)體一側(cè)形成量子阱。當寬禁帶半導(dǎo)體的摻雜濃度較高，異質(zhì)結(jié)間的導(dǎo)帶差較大時，會形成很高的勢壘，限制量子阱中的自由電子在垂直異質(zhì)結(jié)接觸面方向的移動，故稱這個量子阱為二維電子氣(2 Dimensional Electron Gas)。2-DEG 就是HEMT 中的溝道，由于溝道所在的窄禁帶半導(dǎo)體通常是不摻雜的，溝道中的自由移動電子遠離摻雜的寬禁帶半導(dǎo)體中電離雜質(zhì)的散射，載流子能獲得很高的電子遷移率。

4.2 GaN 基器件

第三代半導(dǎo)體材料，即禁帶寬度大于2.2eV 的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括CdS(2.42eV)、SiC(3.2eV)、ZnO(3.32eV)、GaN(3.42eV)、ZnS(3.68eV)、金剛石(5.45V)、AIN(6.20eV)等。在電子器件方面，對SiC 和GaN 的研究相對比較成熟，GaN 材料擁有電子飽和遷移率很大，并且化學性質(zhì)很穩(wěn)定，有很高的擊穿電壓以及更高的電流能力等特點。

4.3 GaN 基器件的結(jié)構(gòu)

AlGaN/GaN HEMT 基本層結(jié)構(gòu)由緩沖層、GaN 溝道層、本征AlGaN 隔離層和摻雜AlGaN 層組成。為提高器件的擊穿特性，降低柵漏電流，還可在摻雜層上再生長帽層，可由非摻雜的GaN 或AlGaN 組成。AlGaN摻雜層A1 組分一般為0.15 至0.3，摻雜濃度范圍一般為1018cm-3至2×1019cm-3。其基底材料主要有藍寶石、SiC、Si 這三種，藍寶石成本比較低，散熱性能良好，但與GaNg 界面處會有的晶格失配，影響器件性能；SiC 具有良好散熱性能和化學穩(wěn)定性，并且與GaN 有較小的晶格失配，但是成本高昂；而Side 雖然散熱等性能沒那么良好，但是其成本低廉，并且可以做到很大尺寸。目前常用的基底材料一般是藍寶石或者SiC。

4.4 GaN 和AlGaN 的極化效應(yīng)

所謂“極化現(xiàn)象”是由于III-V 族復(fù)合半導(dǎo)體中離子鍵和共價鍵同時存在，離子鍵的電子并不完全通用。在離子鍵的影響下，V 族原子吸收電子。它比III 族原子大，這使得電子與V 族原子的鍵合更強。電子云密度越高，該基團越靠近V 族原子，而電子越靠近受限離子之間的線的中心，云密度離子鍵幾乎為零。

對于離子半導(dǎo)體，當晶格變形時，正負離子核之間會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)生電場。由于基團的強離子性，這就是所謂的“壓電效應(yīng)”。氮化物III 族壓電系數(shù)遠大于其他化合物，其方向與其他化合物相反。此外，由于纖鋅礦結(jié)構(gòu)的對稱性低，III 族氮化物如果不受外力變形，也會產(chǎn)生極化效應(yīng)，稱為自發(fā)極化。AlGaN/GaN HEMT 中的極化由兩種極化組成：PPE 壓電極化和PsP 自發(fā)極化。對于GaN 和AlGaN，極化效應(yīng)與生長過程有關(guān)，生長過程的差異會導(dǎo)致Ga 面極化和N 面極化方向相反的兩種形式。MOCVD 生長的AlGaN/GaN HEMT 屬于Ga 板的極化方向，從Ga 原子到相鄰的N 原子極化方向。

5 氮化鎵高頻高效電源模塊

5.1 氮化鎵高頻高效電源模塊

本文研究的氮化鎵高頻高效電源模塊。整體電路由高頻驅(qū)動電路和功率輸出級組成。死區(qū)最小化處理電路和非重疊模塊以及電平搬移模塊共同組成了高頻驅(qū)動電路。

本模塊集成死區(qū)時間調(diào)節(jié)與非重疊模塊于一體。非重疊功能能夠嚴格控制高側(cè)功率管和低側(cè)功率管驅(qū)動信號不同時輸出高電平，這樣可以防止兩個功率器件同時開啟，能夠有效抑制大電流直通現(xiàn)象。死區(qū)時間調(diào)節(jié)功能能夠?qū)Ⅱ?qū)動波形同時為低電平的時間減小，提高整個周期內(nèi)電源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。

5.2 GaN 電源模塊的高頻驅(qū)動電路

該模塊由可調(diào)數(shù)字電容電阻延遲陣列模塊、電壓偏置生成電路與高速比較器處理模塊組成。利用納秒級別的快速比較器實現(xiàn)兆赫茲頻率的非重疊信號處理。

電路工作原理如下：偏置電壓生成電路產(chǎn)生兩路參考電平作為高速比較器的基準信號，分別記為VREF1、VREF2。PWM波經(jīng)過可調(diào)數(shù)字電容電阻陣列將上升沿和下降沿微調(diào)后，產(chǎn)生PIN信號連接到兩個比較器中。比較器COMP1將高頻方波作為正端輸入信號，電平VREF1為負端輸入信號，若方波信號高于參考電平時輸出為高電平；反之，為低電平[6]。

電路通過調(diào)節(jié)偏置電壓模塊產(chǎn)生不同的參考電平，能夠有效控制高低兩側(cè)驅(qū)動波形的非重疊效應(yīng)和死區(qū)時間。P1信號的上升沿和下降沿均向外拓展，P2信號的上升沿和下降沿均向內(nèi)收縮，但是P1的上升沿始終遲于P2的下降沿；P2的上升沿始終遲于P2的下降沿。由于VREF1比VREF2高且始終存在一個微小的壓差ΔV，因此P1和P2的波形也不會出現(xiàn)同時為高電平的現(xiàn)象，即電路波形是非重疊的；由于兩個參考電平的壓差很小，則輸出的P1和P2的死區(qū)時間也會減小。

5.3 GaN 電源模塊的功率輸出級

氮化鎵器件相較于傳統(tǒng)功率器件具有諸多優(yōu)勢。氮化鎵具有更低的導(dǎo)通電阻，更小的輸入電容，產(chǎn)生更少的導(dǎo)通損耗；氮化鎵器件的高頻特性和高壓特性優(yōu)于其他類型器件，具有更廣闊的應(yīng)用范圍；氮化鎵晶體管通過不同材料形成的二維電子氣(2DEG)來導(dǎo)電，因此不存在硅基器件的體二極管反向恢復(fù)問題；氮化鎵功率器件可以實現(xiàn)較高的壓擺率，因此可以比傳統(tǒng)器件更快地進行頻率轉(zhuǎn)換。

氮化鎵器件主要分為兩種：具有隔離柵極結(jié)構(gòu)的氮化鎵器件和具有柵極注入技術(shù)的氮化鎵器件。后者的柵極結(jié)構(gòu)具有箝位行為的優(yōu)點，可以防止柵極過沖。本文采用的氮化鎵器件是增強型NMOS 器件，易于驅(qū)動電路的搭建。

6 結(jié)語

綜上所述，基于AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)材料制造的高電子遷移率晶體管(HEMT)因其具有高的飽和漂移速度、大的導(dǎo)帶不連續(xù)性以及強的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，成為大功率、高溫、高頻應(yīng)用中具有發(fā)展?jié)摿Φ钠骷?。特別是在大功率應(yīng)用方面，GaN 基HEMT 比GaAs 基HEMT 和Si 基LDMOS 表現(xiàn)出更優(yōu)越的器件性能而成為目前國際研究熱點。