科學導報訊 記者王小靜 2月28日，記者從中國電子科技集團公司第二研究所獲悉，該所成功研制出山西省首片碳化硅芯片。

據(jù)了解，作為新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，碳化硅在航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢。因碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點，更適合開發(fā)具有耐高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢的功率半導體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，已成為我國重點發(fā)展的戰(zhàn)略性先進半導體。

事實上，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的長晶工藝技術(shù)是其核心。如今，這一“心臟技術(shù)”只有少數(shù)發(fā)達國家掌握在手，極少數(shù)企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。自2007年，中國電科二所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術(shù)優(yōu)勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。經(jīng)過多年的不懈努力，全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣芯片量產(chǎn)。