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        雙輥薄帶鑄軋純鋁凝固組織模擬與性能分析

        2022-01-14 06:17:24孫振軍侯志輝呂征
        中國設(shè)備工程 2022年1期
        關(guān)鍵詞:薄帶柱狀晶樣貌

        孫振軍,侯志輝,呂征

        (河北工程大學(xué)機(jī)械與裝備工程學(xué)院,河北 邯鄲 056038)

        雙輥薄帶連鑄技術(shù)是將金屬液注入兩個(gè)反向選旋轉(zhuǎn)輥間,經(jīng)冷卻、凝固、軋制成形,實(shí)現(xiàn)工藝低成本、高效率、短流程。本課題利用雙輥鑄軋機(jī)制備2mm厚純鋁薄帶,應(yīng)用急停工藝(E-Stop)獲得熔池區(qū)鋁凝固組織,分析其枝晶樣貌、取向以及演化機(jī)理。運(yùn)用CAFE模塊建立雙輥薄帶連鑄純鋁織構(gòu)演化模型,檢驗(yàn)工藝參數(shù)對純鋁凝固組織分布、演變影響。

        1 模擬原理及方法

        1.1 異質(zhì)形核模型

        式中:d(ΔT)為單位過冷度;ΔTσ為型核過冷度標(biāo)準(zhǔn)差;ΔTmax為平均形核過冷度;nmax為最大型核密度。

        1.2 KGT模型

        枝晶尖端生長受到熱力學(xué)過冷度ΔTt、溶質(zhì)中相關(guān)成分過冷度ΔTc、固液界面曲率過冷度ΔTr以及動(dòng)力學(xué)過冷度ΔTk影響。整體過冷度ΔT=ΔTc+ΔTk+ΔTr+ΔTt。對KGT模型進(jìn)行擬合、修正,得到枝晶尖端生長速度多項(xiàng)式:

        式中,a2、a3為晶粒生長系數(shù);ΔT為枝晶尖端過冷度。

        1.3 模擬參數(shù)設(shè)置

        材料為純鋁,鑄軋速度v=12m·min-1,澆注溫度=690℃,帶厚hb=2mm,純鋁與輥傳熱系數(shù)ht=2500W·m-2·℃-1。體形核率NMax=4×10121·m-3,面形核率GMax=9×10101·m-3,體形核過冷度方差=1K,面形核過冷度方差=1.5K,平均體形核過冷度=1K,平均面形核過冷度=15K。

        2 實(shí)驗(yàn)過程

        采用實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)φ265×160雙輥薄帶鑄軋機(jī)。將坩堝內(nèi)純鋁加熱融化至690℃,并保溫20min,將純鋁溶液澆注,軋制出2mm純鋁薄帶,使用E-Stop(急停)工藝獲得鑄輥熔池區(qū)純鋁凝固組織。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 宏微觀組織特性

        雙輥薄帶連鑄純鋁熔池區(qū)凝固組織樣貌如圖1a。鋁溶液與鑄輥表面接觸,兩者形成較大溫度差導(dǎo)致鑄輥表面形成激冷層區(qū),提升形核率,因此鑄輥表面形成細(xì)小、大量等軸晶。枝晶具有擇優(yōu)生長特性,即<001>取向生長,晶粒間存在競爭生長特性,與溫度梯度偏離角較大晶粒被淘汰,晶粒取向趨于一致。隨凝固進(jìn)行,等軸晶逐漸演化成柱狀晶,枝晶生長速率與枝晶尖端前沿速率有關(guān),枝晶尖端前沿冷卻越高,枝晶生長速度越快,熔體中垂直于鑄輥表面方向溫度梯度最大,因此該方向晶粒生長速度最快,促進(jìn)柱狀晶形成。柱狀晶生長至熔體芯部后停止生長。

        如圖1b,凝固組織形態(tài)與生長趨勢基本相符,從晶粒域分布、樣貌、演變來看,兩者結(jié)果情況基本吻合,驗(yàn)證CAFE模型正確性。

        圖1 結(jié)晶輥熔池區(qū)純鋁凝固組織

        3.2 澆注溫度對枝晶生長規(guī)律影響

        基于CAFE數(shù)學(xué)模型,模擬不同澆注溫度下熔池區(qū)凝固組織樣貌。如圖2,隨鋁溶液澆注溫度上升,鑄輥兩側(cè)表面等軸晶區(qū)晶粒細(xì)小,柱狀晶區(qū)所占比例降低,柱狀晶隨澆注溫度上升體積減小。澆注溫度上升會(huì)降低熔池Kiss點(diǎn)高度,減少鑄輥表面與Kiss點(diǎn)距離,使柱狀晶區(qū)生長空間降低,枝晶間距縮短,所占比例。

        圖2 不同澆注溫度晶粒組織

        4 結(jié)語

        利用雙輥薄帶鑄軋機(jī)獲得純鋁凝固組織。組織兩側(cè)表面存在大量、細(xì)小等軸晶,晶粒延<001>取向擇優(yōu)生長且數(shù)目降低,最終演化為柱狀晶。利用CAFE數(shù)學(xué)模型,模擬雙輥薄帶連鑄熔池區(qū)凝固組織樣貌,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本吻合。Kiss點(diǎn)位置影響晶粒細(xì)化,Kiss位置點(diǎn)下降,枝晶半徑減小,柱狀晶比例降低。

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