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        EBSD-XPS法分析磷石膏中雜質(zhì)物相

        2022-01-12 00:19:58唐明珠王志英王云山包煒軍
        光譜學(xué)與光譜分析 2022年1期
        關(guān)鍵詞:背散射硫酸鈣物相

        唐明珠,王志英,王云山,包煒軍,楊 剛,孫 勇

        1.河北工業(yè)大學(xué)化工學(xué)院,天津 300130 2.中國(guó)科學(xué)院過程工程研究所,濕法冶金清潔生產(chǎn)技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室,北京 100190 3.寧波諾丁漢大學(xué)浙江省有機(jī)廢棄物轉(zhuǎn)化及過程強(qiáng)化技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,浙江 寧波 315100

        引 言

        我國(guó)磷礦資源儲(chǔ)量豐富,磷肥產(chǎn)量世界第一[1]。磷酸是磷肥生產(chǎn)的重要原料,磷石膏是硫酸法濕法磷酸工藝過程中產(chǎn)生的固體副產(chǎn)物,每生產(chǎn)1噸磷酸副產(chǎn)4-5噸磷石膏,由于利用率較低,磷石膏大量堆存,我國(guó)目前堆存量達(dá)5億噸[2]。磷石膏的成分為二水硫酸鈣和少量的磷、氟、硅等雜質(zhì)[3],這些雜質(zhì)對(duì)磷石膏的綜合利用具有較大影響,磷石膏除雜凈化是實(shí)現(xiàn)磷石膏綜合利用的前提[4]。目前,對(duì)磷石膏的除雜凈化已有大量的研究[5-7],但針對(duì)磷石膏中雜質(zhì)的賦存狀態(tài),以及雜質(zhì)物相與硫酸鈣物相之間的關(guān)系的研究尚不充分,磷石膏中雜質(zhì)含量較少,雜質(zhì)物相繁雜,常規(guī)的分析方法難以實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)物相的確定。目前對(duì)磷石膏中雜質(zhì)物相的分析手段比較單一,主要為XPS分析,有研究采用XPS分析磷石膏中微量含氟物相的狀態(tài)與含量,李緒等通過XPS分析膠磷礦到磷石膏過程鋁、硅、鎂、氟雜質(zhì)的變化。由于XPS通常只能分析硫酸鈣晶體表面的雜質(zhì),不能同時(shí)清晰地得到雜質(zhì)物相與硫酸鈣物相的關(guān)系,因此,有必要對(duì)該方法加以改進(jìn),才能明確雜質(zhì)物相與硫酸鈣晶體相之間的關(guān)系。

        背散射電子是被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子,背散射電子成像的襯度由樣品原子序數(shù)決定[8],通過觀察襯度的不同可以區(qū)分雜質(zhì)物相與硫酸鈣相,因此本文將EBSD與XPS結(jié)合分析磷石膏中的雜質(zhì)物相。

        首先對(duì)磷石膏進(jìn)行鑲嵌和拋磨處理;再使用掃描電子顯微鏡的背散射模式,根據(jù)背散射衍射圖像的襯度不同,區(qū)分磷石膏中的不同雜質(zhì)物相;而后使用EDS確定雜質(zhì)物相的成分;最后結(jié)合XPS對(duì)磷石膏表面雜質(zhì)的分析,確定磷石膏中雜質(zhì)物相賦存狀態(tài)。采用EBSD與XPS組合分析方法,不僅可以更加明確磷石膏中雜質(zhì)物相的賦存狀態(tài),而且還闡明了雜質(zhì)物相與硫酸鈣晶體之間的構(gòu)效關(guān)系,EBSD-XPS法為磷石膏中雜質(zhì)物相分析提供新途徑,為磷石膏凈化除雜和綜合利用提供堅(jiān)實(shí)的理論依據(jù)。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 樣品

        磷石膏樣品為貴州磷化集團(tuán)硫酸法濕法磷酸工藝產(chǎn)出的固體副產(chǎn)物,首先在50 ℃干燥箱中烘干至恒重備用。再使用環(huán)氧樹脂和固化劑對(duì)干燥后磷石膏樣品進(jìn)行鑲嵌處理,并對(duì)表面進(jìn)行拋磨處理,制備樣品用于EBSD分析。

        1.2 儀器與方法

        磷石膏元素分析采用X射線熒光光譜儀(XRF,荷蘭帕納科公司),AXIOS型。磷石膏物相結(jié)構(gòu)分析,采用X射線衍射儀(XRD,荷蘭帕納科公司),管電壓40 kV,管電流40 mA,衍射角2θ為5°~90°,掃描時(shí)間5 min。磷石膏樣品形貌分析,采用掃描電子顯微鏡(SEM,日本電子株式會(huì)社),JSM-7001F型。磷石膏雜質(zhì)物相賦存狀態(tài)分析,采用礦物解離分析儀(MLA,捷克FEI電子光學(xué)公司),F(xiàn)EI MLA 250型,進(jìn)行電子背散射衍射和X射線能譜分析。磷石膏表面雜質(zhì)分析采用X射線光電子能譜(XPS,美國(guó)賽默飛公司),ESCALAB 250Xi型,激發(fā)源為單色化的AlKα源,功率為200 W,光斑大小為500 μm;使用污染碳C(1s)峰校正,分析時(shí)的基礎(chǔ)真空約為2.0×10-9mbar。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 磷石膏物性特征

        對(duì)低溫干燥后的磷石膏進(jìn)行XRF,XRD和SEM分析,以確定其主要物相與所含雜質(zhì)組分。結(jié)果如圖1(a,b)和表1所示。圖1(a)結(jié)果表明,磷石膏呈菱板狀,主要由CaSO4·2H2O組成。表1結(jié)果表明雜質(zhì)主要為P,Si,F(xiàn)和Al等,其中三種非金屬雜質(zhì)P,Si和F含量遠(yuǎn)高于其他金屬雜質(zhì)。圖1(b)為磷石膏的XRD譜圖,圖中只出現(xiàn)了CaSO4·2H2O的4個(gè)強(qiáng)峰,沒有雜質(zhì)相峰出現(xiàn),這是因?yàn)殡s質(zhì)相含量相比硫酸鈣小得多,其特征峰被硫酸鈣強(qiáng)峰所遮蔽,因此,XRD分析不能給出磷石膏中雜質(zhì)物相的賦存狀態(tài)。

        表1 磷石膏組分分析Table 1 Content of phosphogypsum

        2.2 磷石膏的EBSD-EDS分析

        磷石膏鑲嵌拋磨后,通過掃描電子顯微鏡的背散射模式,觀察磷石膏的剖面,通過EBSD形成的不同襯度區(qū)分雜質(zhì)物相。使用EDS確定物相組成。圖2為EBSD-EDS的分析結(jié)果,硅雜質(zhì)主要以(Na2,K2)SiF6[圖2(a)]和SiO2[圖2(b)]兩種物相形式賦存,圖2(b)表明SiO2雜質(zhì)為單獨(dú)賦存,(Na2,K2)SiF6則與硫酸鈣晶體相結(jié)合,分布在硫酸鈣晶體之間,并將硫酸鈣晶體粘合在一起。Ba與Fe雜質(zhì)分別以BaSO4與FeS2的形式賦存[圖2(c)],其中FeS2為磷礦中的硫鐵礦在濕法磷酸過程中沉積到磷石膏中。F雜質(zhì)以CaF2和Ca5(PO4)3F兩種物相形式賦存[圖2(d),(f)],其中Ca5(PO4)3F為未反應(yīng)的磷礦夾帶到磷石膏中,CaF2不僅與磷、硅、鋁、氟等形成的復(fù)鹽結(jié)合分布[圖2(d)],還附著在磷石膏晶體表面[9]。圖2(e)顯示,鋁雜質(zhì)以Al2O3物相形式賦存在磷石膏中。

        圖2 磷石膏電子背散射衍射分析(a),(b):硅雜質(zhì);(c):鋇和鐵雜質(zhì);(d),(f):氟雜質(zhì);(e):鋁雜質(zhì)Fig.2 EBSD analysis of phosphogypsum(a),(b):Silicon impurity;(c):Barium and iron impurities;(d),(f):Fluorine impurity;(e):Aluminum impurity

        2.3 X射線光電子能譜分析

        電子背散射衍射分析結(jié)果表明,硅、磷、氟、鋁存在混合復(fù)鹽物相。為確定該混合復(fù)鹽物相的賦存狀態(tài)和含量,選取該四種元素進(jìn)行XPS分析,在X射線照射下,內(nèi)層電子被激發(fā),以光電子的形式發(fā)出,通過測(cè)量光電子能量的變化從而分析雜質(zhì)物相的存在狀態(tài)。由于磷石膏中沒有鑭系元素存在,所以選取Si的2p軌道電子峰,且對(duì)于含硅化合物可以忽略自旋裂分的影響[10]。Al元素2s電子軌道不易出峰,選取Al元素的2p峰分析,磷石膏中沒有鋁單質(zhì)的存在,所以忽略自旋裂分的存在[11]。P雜質(zhì)選取2p峰進(jìn)行分析,磷石膏中的磷均以磷酸鹽的形式存在,自旋裂分較為接近,以不對(duì)稱峰的形式存在[12]。

        前述EBSD分析表明,磷石膏中的硅雜質(zhì)主要以SiO2和少量(Na2,K2)SiF6的形式賦存,對(duì)硅元素的XPS曲線進(jìn)行分峰處理,擬合得到4個(gè)特征峰如圖3所示。103.3 eV的特征峰為主峰,確定其為SiO2的特征峰,見圖3(a);104.3和104.6 eV兩個(gè)特征峰較為接近,呈類似相態(tài),通過對(duì)NIST標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合能位置確定,分別對(duì)應(yīng)Na2SiF6和K2SiF6的特征峰;特征峰102.36 eV為復(fù)鹽中硅相賦存的特征峰,通過查詢峰位其對(duì)應(yīng)物相為CaSiO3[13]。

        氟元素的XPS曲線分峰為5個(gè)特征峰[如圖3(b)所示],其中686.0,686.6和684.6 eV三個(gè)特征峰分別對(duì)應(yīng)EBSD分析得出的物相Na2SiF6,K2SiF6和Ca5(PO4)3F/CaF2;685.4和687.8 eV兩個(gè)特征峰則分別為MgF2和AlF3[14]。

        鋁元素XPS曲線分峰為4個(gè)特征峰[如圖3(c)所示],其中75.6 eV為最強(qiáng)峰,與Al2O3對(duì)應(yīng);F元素的分析表明Al雜質(zhì)與F雜質(zhì)結(jié)合,76.9 eV特征峰對(duì)應(yīng)為AlF3雜質(zhì),與氟元素結(jié)果吻合;濕法磷酸過程為磷酸和硫酸體系,74.9和74.4 eV兩個(gè)特征峰分別對(duì)應(yīng)為Al2(SO4)3和AlPO4。

        圖3 硅(a),氟(b),鋁(c),磷(d)的XPS分析Fig.3 XPS analysis of Si (a),F(xiàn) (b),Al (c),P (d)

        磷元素組成的物相繁雜,結(jié)合鋁元素的XPS結(jié)果[如圖3(c)所示],可確定磷相雜質(zhì)有AlPO4相與134.6 eV特征峰對(duì)應(yīng),氟元素結(jié)果表明磷石膏中含有Ca5(PO4)3F;此外,結(jié)合濕法磷酸過程,可以確定磷石膏中還有Ca3(PO4)2,CaHPO4,Ca(H2PO4)2物相;此四種含磷物相的峰位極為接近,對(duì)應(yīng)133.4~134 eV的特征峰。

        3 結(jié) 論

        采用電子背散射衍射與X射線光電子能譜相結(jié)合的分析方法,確定了磷石膏中雜質(zhì)的物相及相互關(guān)系,結(jié)論如下:

        (1)電子背散射(EBSD)分析表明,磷石膏中雜質(zhì)聚集存在的物相有硫酸鋇、硫化鐵、二氧化硅、氟硅酸鈉、氟硅酸鉀、氟磷酸鈣、氟化鈣、三氧化二鋁,其中硫酸鋇、硫化鐵和二氧化硅不與二水硫酸鈣晶體相結(jié)合而單獨(dú)賦存;氟硅酸鈉和氟硅酸鉀的物相彼此混合分布,且與二水硫酸鈣晶體緊密結(jié)合,氟化鈣不僅與磷、硅、鋁、氟等形成的復(fù)鹽結(jié)合分布,還附著在磷石膏晶體表面。

        (2)X射線光電子能譜(XPS)分析表明,磷、硅、鋁、氟混合分布的雜質(zhì)物相主要包括硅酸鈣、氟化鋁、氟化鎂、硫酸鋁、磷酸鋁、以及其他磷酸鹽雜質(zhì)。

        (3)電子背散射與X射線光電子能譜(EBSD-XPS)組合分析方法既能確定磷石膏中雜質(zhì)物相,又能給出雜質(zhì)物相與二水硫酸鈣晶體之間的構(gòu)效關(guān)系。既為磷石膏雜質(zhì)物相分析提供新途徑,也為磷石膏除雜凈化及其綜合利用提供堅(jiān)實(shí)的理論依據(jù)。

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