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        轉(zhuǎn)向架焊接結(jié)構(gòu)件深度缺陷超聲相控陣檢測(cè)及三維可視化

        2022-01-08 04:00:16李亮亮鄭世偉單清群左玉達(dá)
        焊接 2021年9期
        關(guān)鍵詞:深度檢測(cè)模型

        李亮亮,鄭世偉,單清群,左玉達(dá)

        (1.中車(chē)青島四方機(jī)車(chē)車(chē)輛股份有限公司,山東 青島 266111;2.西南交通大學(xué),成都 614202)

        0 前言

        低碳鋼具有較好的強(qiáng)度和焊接能力,被廣泛應(yīng)用于工程結(jié)構(gòu)中[1]。在軌道列車(chē)轉(zhuǎn)向架焊接結(jié)構(gòu)件等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)制造過(guò)程及服役過(guò)程中,裂紋缺陷的存在對(duì)列車(chē)關(guān)鍵部位焊接結(jié)構(gòu)件的力學(xué)性能有著極其嚴(yán)重的影響[2],因此有必要采取有效的技術(shù)措施來(lái)檢測(cè)和分析列車(chē)關(guān)鍵部位的裂紋缺陷情況。

        缺陷的相控陣檢測(cè)相對(duì)于常規(guī)超聲檢測(cè)形成的聲束具有可聚焦、可偏轉(zhuǎn)的特點(diǎn)[3-4],被廣泛應(yīng)用于厚板工件的缺陷檢測(cè)。但目前對(duì)于不同缺陷及尺寸的精確分辨存在難度。王常璽等人[5]采用超聲相控陣技術(shù)實(shí)現(xiàn)B掃描對(duì)小于1 mm直徑橫孔的尺寸測(cè)量精度達(dá)到90%,王旭等人[6]通過(guò)設(shè)置聚焦深度,實(shí)現(xiàn)缺陷的精確定位定量,控制誤差在1 mm內(nèi)。結(jié)合相控陣檢測(cè)原理,不同的探頭參數(shù)對(duì)相控陣缺陷檢測(cè)有著極大的影響,不同的缺陷因素對(duì)相控陣聲場(chǎng)的傳播產(chǎn)生著影響,不同因素對(duì)超聲相控陣檢測(cè)效果的影響。因此,明確深度缺陷聲場(chǎng)作用對(duì)相控陣檢測(cè)效果的影響,完成低碳鋼深度缺陷超聲相控陣檢測(cè)的優(yōu)化準(zhǔn)則研究顯得尤為必要。設(shè)計(jì)焊接接頭深度缺陷超聲相控陣檢測(cè)系統(tǒng),進(jìn)行中厚板低碳鋼超聲相控陣檢測(cè),同時(shí)由于缺陷檢測(cè)的二維超聲圖像分析對(duì)操作者經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)儲(chǔ)備要求高,摻雜了人為主觀因素[7-9],有必要進(jìn)行基于相控陣的低碳鋼焊接接頭深度缺陷三維可視化研究,這對(duì)于實(shí)際相控陣檢測(cè)具有理論指導(dǎo)作用。

        1 不同缺陷的相控陣檢測(cè)

        1.1 探頭設(shè)計(jì)與試塊制備

        高速列車(chē)轉(zhuǎn)向架構(gòu)架如圖1所示。試驗(yàn)采用的設(shè)備是Phascan Ⅱ便攜式超聲相控陣檢測(cè)儀,該設(shè)備擁有32通道接收,獨(dú)立128通道發(fā)射的先進(jìn)結(jié)構(gòu)模式,可滿(mǎn)足高陣元中心頻率與陣元數(shù)目的探頭檢測(cè),為保證低碳鋼深度缺陷的檢測(cè)研究效果,選取64陣元的相控陣探頭,其探頭型號(hào)和配對(duì)的楔塊型號(hào)分別為15S64-0.6-10,SF21-NOL-H,組成的檢測(cè)系統(tǒng)具有較好的檢測(cè)水平及分辨力,相控陣檢測(cè)系統(tǒng)示意圖如圖2所示。同時(shí)經(jīng)過(guò)超聲相控陣設(shè)備的校準(zhǔn)和參數(shù)設(shè)置后,以定制的Q235缺陷試塊為檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行相控陣檢測(cè)試驗(yàn),圖3所示缺陷檢測(cè)試塊的外觀尺寸為100 mm×200 mm×32 mm,在不同位置設(shè)計(jì)制造了深度為2 mm的φ0.4 mm,φ0.5 mm,φ1 mm圓孔形缺陷與高度為2 mm的10 mm×0.4 mm,10 mm×0.5 mm,10 mm×1 mm長(zhǎng)條形缺陷。

        圖1 高速列車(chē)轉(zhuǎn)向架構(gòu)架

        圖2 相控陣檢測(cè)系統(tǒng)

        圖3 缺陷尺寸

        1.2 不同缺陷類(lèi)型的相控陣檢測(cè)對(duì)比

        采用搭建的相控陣檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)定制缺陷試塊進(jìn)行相控陣檢測(cè)試驗(yàn),對(duì)不同形狀和尺寸的缺陷的檢測(cè)效果進(jìn)行分析,其中以缺陷信號(hào)的最大回波幅值比上干擾信號(hào)的平均幅值水平計(jì)算得到檢測(cè)信噪比,并用缺陷回波信號(hào)信噪比以及信號(hào)頻譜-6 dB寬度分別來(lái)表征缺陷檢測(cè)靈敏度與分辨力。

        不同的缺陷形狀對(duì)相控陣聲場(chǎng)的傳播有著較大的影響,相控陣聚焦聲束在不同類(lèi)型的缺陷處反射作用不同,具體表現(xiàn)為反射后的傳播方向、能量分布有較大的差異[10-11],為了探究探頭不同缺陷類(lèi)型對(duì)中厚板低碳鋼深度缺陷的相控陣檢測(cè)效果,分別對(duì)長(zhǎng)條狀和圓孔狀缺陷進(jìn)行檢測(cè),其中檢測(cè)對(duì)象包含不同尺寸的缺陷,探頭陣元中心頻率為15 MHz,激勵(lì)陣元數(shù)目64,聚焦深度設(shè)為30 mm,主軸孔徑設(shè)為8 mm,圖4為不同缺陷形狀的相控陣C掃描檢測(cè)結(jié)果。圖4a為長(zhǎng)條狀缺陷的相控陣C掃描圖,圖中增益設(shè)置為60 dB,對(duì)于3個(gè)尺寸的長(zhǎng)條狀缺陷具檢測(cè)出較為清晰的成像圖,圖4b為圓孔狀缺陷的相控陣C掃描圖,圖中增益設(shè)置為66 dB,只有尺寸較大的圓孔狀缺陷的檢測(cè)結(jié)果為較為清晰的成像圖。對(duì)比2組檢測(cè)結(jié)果,見(jiàn)表1。缺陷信號(hào)的信噪比分別為25.83,7.67,缺陷回波信號(hào)降落一半幅值的頻譜寬度分別為0.9 mm,1 mm,缺陷深度位置檢測(cè)誤差分別為0.3%,3.3%。對(duì)于中厚板低碳鋼的相控陣缺陷檢測(cè),相比于圓孔狀缺陷,其對(duì)于長(zhǎng)條狀缺陷的檢測(cè)靈敏度、分辨力和精準(zhǔn)度更高。

        圖4 不同缺陷類(lèi)型的相控陣C掃描檢測(cè)示意圖

        表1 不同缺陷類(lèi)型檢測(cè)靈敏度和分辨力詳細(xì)數(shù)據(jù)

        1.3 不同缺陷尺寸的相控陣檢測(cè)對(duì)比

        為探究中厚板低碳鋼不同缺陷尺寸的相控陣檢測(cè)效果,對(duì)不同尺寸長(zhǎng)條狀缺陷進(jìn)行檢測(cè),探頭陣元中心頻率為15 MHz,激勵(lì)陣元數(shù)目64,聚焦深度設(shè)為30 mm,主軸孔徑設(shè)為8 mm,圖5為不同缺陷尺寸的相控陣掃描檢測(cè)結(jié)果。圖5a為不同尺寸長(zhǎng)條狀缺陷的相控陣C掃描圖,采用上述相控陣參數(shù)得到的不同尺寸缺陷檢測(cè)結(jié)果較好,成像圖均比較清晰,圖5b~圖5d分別為不同尺寸缺陷的S掃檢測(cè)圖,其缺陷尺寸分別為10 mm×1 mm×2 mm,10 mm×0.5 mm×2 mm,10 mm×0.4 mm×2 mm,圖中增益設(shè)置均為60 dB,圖中3個(gè)S掃檢測(cè)對(duì)象分別對(duì)應(yīng)C掃圖像中3個(gè)缺陷。

        圖5 不同缺陷尺寸的相控陣檢測(cè)示意圖

        對(duì)比3組檢測(cè)結(jié)果,見(jiàn)表2。信噪比分別為50.89,25.83,16.66,缺陷回波信號(hào)降落一半幅值的頻譜寬度分別為0.9 mm,1.0 mm,1.0 mm,缺陷深度位置檢測(cè)誤差均為0.3%。對(duì)于Q235低碳鋼的相控陣缺陷檢測(cè),相控陣聲場(chǎng)對(duì)尺寸較大的長(zhǎng)條狀缺陷的檢測(cè)靈敏度與分辨力較高,缺陷的尺寸對(duì)于缺陷深度位置的檢測(cè)精準(zhǔn)度并無(wú)影響。

        表2 不同缺陷尺寸檢測(cè)靈敏度和分辨力詳細(xì)數(shù)據(jù)

        2 超聲相控陣的低碳鋼深度缺陷聲場(chǎng)特性

        通過(guò)有限元軟件COMSOL模擬仿真相控陣聲場(chǎng),分析不同缺陷類(lèi)型及尺寸的聲場(chǎng)傳播規(guī)律,結(jié)合實(shí)際檢測(cè)結(jié)果,進(jìn)一步闡述低碳鋼深度缺陷的聲場(chǎng)作用機(jī)理對(duì)相控陣檢測(cè)結(jié)果的影響。

        2.1 有限元參數(shù)設(shè)置及仿真模型

        文中進(jìn)行的超聲相控陣聲場(chǎng)仿真針對(duì)的是線(xiàn)彈性聲場(chǎng),因此可通過(guò)彈性力學(xué)的聲速方程計(jì)算得到縱波聲速CL,其計(jì)算公式如下:

        (1)

        式中:E為固體介質(zhì)的楊氏彈性模量,單位為MPa;ρ為介質(zhì)密度,單位為kg/m3;σ為介質(zhì)的泊松比。Q235材料的聲波傳播速度受介質(zhì)的彈性模量(E=2×1011Pa)、介質(zhì)密度(ρ=7 850 kg/m3)與泊松比(σ=0.3)等因素的影響,通過(guò)式(1)計(jì)算可以得到Q235縱波聲速CL=5 900 m/s。

        文中采用自由四邊形網(wǎng)格對(duì)試塊模型進(jìn)行了網(wǎng)格劃分,對(duì)換能器陣元進(jìn)行了映射網(wǎng)格劃分,其最大網(wǎng)格尺寸設(shè)定為波長(zhǎng)的1/5,即λ/5,對(duì)模型的完美匹配層(PML)進(jìn)行分布層數(shù)為8的映射網(wǎng)格劃分,對(duì)換能器陣元的網(wǎng)格進(jìn)行了極細(xì)化處理,將模型底部反射面與缺陷邊界設(shè)置為硬聲場(chǎng)邊界,設(shè)置瞬態(tài)求解器的時(shí)間步為range(0,T0/10, 20),求解步長(zhǎng)設(shè)置為周期的T0/10,并采用手動(dòng)的廣義α求解方法對(duì)超聲相控陣聲場(chǎng)進(jìn)行瞬態(tài)分析。

        為簡(jiǎn)化建模過(guò)程,采用直接接觸法建立聲場(chǎng)仿真模型,即相控陣探頭直接與工件接觸,圖6為32陣元的超聲相控陣聲場(chǎng)仿真模型。模擬的試塊寬度為50mm,高度為50 mm,并在模型的頂部間隔一定距離均勻分布32個(gè)換能器陣元,對(duì)每一個(gè)陣元施加不同延時(shí)的脈沖激勵(lì)信號(hào),其聲束垂直于陣元入射,實(shí)現(xiàn)超聲相控陣的聲場(chǎng)聚焦,模型中的物理場(chǎng)包括聲結(jié)構(gòu)邊界與壓電效應(yīng)。

        圖6 超聲相控陣聲場(chǎng)仿真模型

        該模型中超聲相控陣聚焦于陣元中心的正下方,圖7為超聲相控陣延時(shí)計(jì)算示意圖。C為預(yù)設(shè)焦點(diǎn);B為陣元中心;A為第一個(gè)陣元中心;D為第n個(gè)陣元中心;N為換能器陣元總數(shù)。在Rt△BCD中,有BC2+BD2=CD2,可以得到表達(dá)式:

        圖7 超聲相控陣延時(shí)計(jì)算示意圖

        (2)

        式中:F為陣元中心到預(yù)設(shè)焦距的距離;tn為第n個(gè)陣元的延遲時(shí)間;p為陣元中心距;c為聲波速度。化簡(jiǎn)得到第n個(gè)陣元的延時(shí)tn的表達(dá)式:

        (3)

        2.2 不同缺陷類(lèi)型的相控陣聲場(chǎng)傳播規(guī)律

        文中建立長(zhǎng)條狀缺陷與圓孔狀缺陷模型仿真超聲相控陣聲場(chǎng)的發(fā)射與傳播,其中長(zhǎng)條狀缺陷尺寸為10 mm×1 mm,圓孔狀缺陷直徑為1 mm,使用局部瞬時(shí)加速度來(lái)代表模型內(nèi)部聲場(chǎng)分布云圖,圖8a為不同時(shí)刻長(zhǎng)條狀缺陷模型內(nèi)部聲場(chǎng)分布云圖,t=1.30 μs與t=3.32 μs時(shí),相控陣聲場(chǎng)均未到達(dá)缺陷處,t=6.66 μs時(shí),聲場(chǎng)與長(zhǎng)條狀缺陷相互作用,主要形成缺陷反射波,其缺陷反射方向范圍較窄,且聲場(chǎng)主要能量沿垂直于缺陷方向傳播,其余方向能量占比小,t=7.50 μs時(shí),缺陷發(fā)射回波沿豎直方向向上傳播,未與缺陷作用的聲場(chǎng)與缺陷衍射波沿豎直方向向下傳播。圖8b為不同時(shí)刻圓孔狀缺陷模型內(nèi)部聲場(chǎng)分布云圖,t=1.04 μs與t=3.80 μs時(shí),相控陣聲場(chǎng)均未到達(dá)缺陷處,t=5.80 μs時(shí),聲場(chǎng)在圓孔狀缺陷處發(fā)生反射,其缺陷反射方向范圍較寬,且各個(gè)方向反射波能量分布均勻,與長(zhǎng)條狀缺陷反射回波相比,在豎直方向上的圓孔狀缺陷反射波能量較小,t=8.32 μs時(shí),缺陷發(fā)射回波沿垂直于圓孔切線(xiàn)方向向外傳播,直接造成了在豎直方向上聲場(chǎng)的一次回波與二次回波均較小。

        圖8 不同缺陷形狀的模型內(nèi)部聲場(chǎng)云圖

        2.3 不同缺陷尺寸的相控陣聲場(chǎng)傳播規(guī)律

        建立不同寬度尺寸與長(zhǎng)度尺寸的長(zhǎng)條狀缺陷模型,對(duì)超聲相控陣聲場(chǎng)傳播進(jìn)行仿真研究,圖9為t=7.50 μs時(shí)不同尺寸缺陷模型的內(nèi)部聲場(chǎng)分布云圖。4種尺寸缺陷模型在t=7.50 μs時(shí)刻均產(chǎn)生了明顯的缺陷發(fā)射波,且發(fā)生了不同程度的衍射,形成了大小不一的聲影區(qū),缺陷長(zhǎng)度尺寸較小的模型聲影區(qū)最小,如圖9d所示,缺陷長(zhǎng)度尺寸一定時(shí),隨著缺陷寬度的減小,聲影區(qū)大小隨之提高,即S3>S2>S1,此時(shí)可將缺陷看作為障礙物,其尺寸有限但比超聲波的波長(zhǎng)大得多,入射在缺陷上的聲波幾乎全部被反射,從而在缺陷下面形成一個(gè)上寬下窄的聲影區(qū)[12],在聲波靠近缺陷邊緣時(shí),可以將邊緣看作直線(xiàn)聲源[13],所以聲影區(qū)并非是被缺陷遮擋的全部區(qū)域,不同尺寸的缺陷其聲影區(qū)大小不一。

        圖9 不同缺陷尺寸的模型內(nèi)部聲場(chǎng)云圖

        2.4 聲場(chǎng)作用機(jī)理對(duì)相控陣檢測(cè)結(jié)果的影響

        由聲場(chǎng)仿真結(jié)果可知,試塊中的2種缺陷上表面均與聲場(chǎng)入射方向垂直,因此聲場(chǎng)與2種缺陷發(fā)生作用后的傳播方向一樣,其能量分布區(qū)域及比例差異不大,于是缺陷的上表面尺寸成為了影響接收的回波信號(hào)幅值強(qiáng)弱的主要因素,而缺陷的寬度尺寸影響著聲場(chǎng)與缺陷的衍射作用。顯然,圓孔狀缺陷的表面尺寸相比于長(zhǎng)條狀缺陷小得多,其相控陣聲波與圓孔狀缺陷上表面的反射作用較小。圖10中心陣元組件電壓波形圖。圖10a為不同缺陷形狀模型中經(jīng)過(guò)中心陣元組件的電壓波形圖,長(zhǎng)條狀缺陷模型的缺陷回波信號(hào)與底面回波信號(hào)高于圓孔狀缺陷,同樣說(shuō)明了長(zhǎng)條狀缺陷對(duì)于相控陣聲場(chǎng)在豎直方向上的反射作用更強(qiáng),換能器接收的缺陷回波與底面回波信號(hào)更強(qiáng)。同時(shí)不同寬度的缺陷模型其底面回波信號(hào)有著細(xì)微的差別,如圖10b所示。結(jié)合實(shí)際檢測(cè)的效果,中厚板低碳鋼深度缺陷的聲場(chǎng)作用對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生著影響,長(zhǎng)條狀缺陷對(duì)于相控陣聲場(chǎng)在豎直方向上的反射作用更強(qiáng),聲影區(qū)隨缺陷寬度尺寸減小而增大,同時(shí)在缺陷處的反射較為集中的相控陣聲場(chǎng)具有更高的檢測(cè)靈敏度與分辨力。

        圖10 中心陣元組件電壓波形圖

        3 基于OpenGL的缺陷三維可視化

        為獲得中厚板低碳鋼深度缺陷的直觀成像效果,文中探討基于三維數(shù)據(jù)庫(kù)OpenGL的三維顯示算法過(guò)程,并對(duì)中厚板低碳鋼相控陣檢測(cè)數(shù)據(jù)的三維顯示結(jié)果進(jìn)行分析驗(yàn)證。Qt OpenGL是開(kāi)放三維圖形庫(kù)中的一種,功能強(qiáng)大,可以實(shí)現(xiàn)建模、變換、光照和材質(zhì)設(shè)置、紋理映射顯示列表等功能,包含很多渲染函數(shù)[14-15]。文中通過(guò)工具庫(kù)GLUT(OpenGL utility toolkit)處理OpenGL程序,采用子類(lèi)化Qt的QGL Widget控件實(shí)現(xiàn)窗體空間可視化,在此基礎(chǔ)之上,通過(guò)多普勒三維顯示實(shí)現(xiàn)缺陷的三維可視化。首先初始化OpenGL引擎;隨后進(jìn)行場(chǎng)景繪制,實(shí)現(xiàn)場(chǎng)景的柵格化,定義其窗口的寬高;建立了可視化環(huán)境之后,接下來(lái)數(shù)據(jù)進(jìn)行繪制,在環(huán)境中實(shí)現(xiàn)缺陷的可視化,其中數(shù)據(jù)繪制函數(shù)包含矩陣標(biāo)準(zhǔn)化、幾何變換及投影繪制等部分,實(shí)現(xiàn)缺陷數(shù)據(jù)完整的三維視圖的顯示;最后對(duì)建立的三維模型進(jìn)行交互層設(shè)置,這里采用鼠標(biāo)追蹤球的方法(鼠標(biāo)響應(yīng)/移動(dòng)/滾輪事件)實(shí)現(xiàn)缺陷三維場(chǎng)景的交互功能,整體算法流程如圖11所示。

        圖11 相控陣檢測(cè)缺陷的三維顯示算法流程圖

        在三維顯示的實(shí)現(xiàn)過(guò)程中,幾何數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為頂點(diǎn)并處理為片元送入幀緩存,這種方式計(jì)算機(jī)更容易將圖像繪制得到。函數(shù)Paint GL()經(jīng)過(guò)矩陣操作、幾何變換和投影變換實(shí)現(xiàn)缺陷數(shù)據(jù)的三維變換,將相鄰的前后臺(tái)位平面幀存依次繪制在三維空間內(nèi),完成空間缺陷數(shù)據(jù)的三維顯示,OpenGL中圖形變換是通過(guò)矩陣操作實(shí)現(xiàn)的,同時(shí)由于繪制的圖像是一個(gè)一個(gè)像素點(diǎn)構(gòu)成的,且在投影變化時(shí)會(huì)失去深度信息,因此在繪制圖像之前或之后要清除顏色與深度的緩存,缺陷數(shù)據(jù)的三維繪制方法如下:

        glClear(GL_COLOR_BUFFER_BIT|

        GL_DEPTH_BUFFER_BIT);//清除顏色深度緩存

        glLoadIdentity();//單位矩陣設(shè)置

        glTranslatef(0.0f, 0.0f, d->zTra);//模型變換沿z軸移動(dòng)

        glRotatef(d->xRot, 1.0f, 0.0f, 0.0f);//模型變換沿x軸旋轉(zhuǎn)

        glRotatef(d->yRot, 0.0f, 1.0f, 0.0f);//模型變換沿y軸旋轉(zhuǎn)

        glRotatef(d->zRot, 0.0f, 0.0f, 1.0f);//模型變換沿z軸旋轉(zhuǎn)

        GLdouble _x1, _x2;//double型參數(shù)

        GLdouble _y0 =-d->m_fHeight;

        for(int i=0; i<2; i++)

        {

        d->drawlShapeWeld(true, _y0, &_x1, &_x2);//位平面連接處

        d->drawFrame(true, _y0, _x1, _x2);//圖像繪制

        d->drawlShapeWeld(false, _y0, &_x1, &_x2);

        d->drawFrame(false, _y0, _x1, _x2);

        _y0+= d->m_fHeight;

        }

        基于上述缺陷三維顯示過(guò)程,分析驗(yàn)證不同缺陷的三維可視化效果,圖12a為長(zhǎng)條狀缺陷的三維顯示圖,缺陷數(shù)據(jù)的相控陣陣元激發(fā)數(shù)為64,陣元中心激勵(lì)頻率15 MHz,聚焦深度為30 mm,以8陣元分組激發(fā)時(shí),可以較為清晰看到幾何結(jié)構(gòu)中3個(gè)不同位置的長(zhǎng)條狀缺陷,且缺陷邊界受無(wú)雜波信號(hào)的干擾較小。圖12b為圓孔狀缺陷的三維顯示圖,缺陷數(shù)據(jù)的相控陣陣元激發(fā)數(shù)為32,陣元中心激勵(lì)頻率5 MHz,聚焦深度為30 mm,以8陣元分組激發(fā)時(shí),可以較為清晰看到幾何結(jié)構(gòu)中三個(gè)不同位置的圓孔狀缺陷,且缺陷三維顯示結(jié)果相對(duì)完整,并未出現(xiàn)缺陷未顯示的情況,同時(shí)相控陣檢測(cè)效果越好,三維顯示結(jié)果越可靠。

        圖12 不同缺陷的三維顯示效果

        4 結(jié)論

        (1)長(zhǎng)條狀缺陷對(duì)于相控陣聲場(chǎng)在豎直方向上的反射作用更強(qiáng),聲影區(qū)隨缺陷寬度尺寸減小而增大,換能器接收到的底面回波電壓信號(hào)隨之降低,同時(shí)在缺陷處的反射較為集中的相控陣聲場(chǎng)具有更高的檢測(cè)靈敏度與分辨力,這對(duì)于中厚板內(nèi)部缺陷的超聲相控陣檢測(cè)具有實(shí)際指導(dǎo)意義。

        (2)實(shí)現(xiàn)了中厚板低碳鋼基于OpenGL的缺陷三維可視化,三維顯示效果清晰直觀,其相控陣檢測(cè)效果越好,三維顯示結(jié)果越可靠。

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