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        Sr2LiSiO4F的晶格位點(diǎn)工程調(diào)控實(shí)現(xiàn)混合價(jià)態(tài)Eu2+/3+應(yīng)用于比例型溫度傳感

        2021-12-14 06:08:32王金迪尚蒙蒙
        發(fā)光學(xué)報(bào) 2021年12期

        黃 帥,王金迪,顏 雨,尚蒙蒙*

        (1.山東大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 材料液固結(jié)構(gòu)演變與加工教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東 濟(jì)南 250061;2.南昌大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,江西 南昌 330031)

        1 引 言

        近年來(lái),基于熒光強(qiáng)度比(FIR)方法的光學(xué)溫度傳感材料因其精度高、惡劣環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)和響應(yīng)速度快而備受關(guān)注[1-2]。目前報(bào)道的光學(xué)溫度傳感材料主要通過(guò)兩種合成策略獲得:?jiǎn)我换罨瘎?多位點(diǎn)占據(jù))和多活化劑摻雜策略[3]。然而,關(guān)于同一元素在單一基質(zhì)中因價(jià)態(tài)不同而具有兩個(gè)可區(qū)分發(fā)射峰的光溫度傳感材料鮮有報(bào)道[4]。

        Eu3+和Eu2+都可以充當(dāng)基質(zhì)晶格中的發(fā)光中心,所以Eu成為最常用的稀土離子活化劑[5-7]。由于Eu2+離子的4f-5d電子躍遷,Eu2+激活的發(fā)光材料通常具有較寬的激發(fā)帶、藍(lán)色至深紅色范圍內(nèi)的可調(diào)發(fā)射顏色[8-9]。作為常用紅光發(fā)射活化劑的Eu3+離子主要呈現(xiàn)由5D0-7FJ(J=0,…,4)躍遷引起的特征發(fā)射。另外,可通過(guò)調(diào)節(jié)基質(zhì)晶格和Eu3+的摻雜濃度獲得高效的紅光發(fā)射[10-11]。因此,在單相材料中通過(guò)Eu2+和Eu3+的價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)換以同時(shí)獲得Eu2+的藍(lán)綠光發(fā)射和Eu3+的紅光發(fā)射是獲得包括暖白光在內(nèi)的具有可調(diào)發(fā)光顏色熒光粉的一種有效方法。Eu2+激活的材料一般需要在還原氣氛下制備,利用還原劑將原料Eu2O3中的+3價(jià)Eu離子還原為+2價(jià)離子。但Eu3+激活的發(fā)光材料一般在空氣中燒結(jié)制備即可。因此,如何在同一實(shí)驗(yàn)條件下制備出混合Eu價(jià)態(tài)共存的發(fā)光材料成為一個(gè)值得研究的問(wèn)題[12-14]。

        Sr2LiSiO4F化合物作為發(fā)光材料的基質(zhì)已有很多報(bào)道,然而大多數(shù)報(bào)道都僅僅集中于對(duì)Eu2+發(fā)光性質(zhì)的研究[15-17]。在本文中,我們首次在Sr2LiSiO4F基質(zhì)中通過(guò)Al3+-Sr2+離子對(duì)取代Si4+-Li+離子對(duì)的晶體位點(diǎn)工程,對(duì)Eu2+占據(jù)的晶格位點(diǎn)進(jìn)行調(diào)控,將Eu2+激活的Sr2LiSiO4F轉(zhuǎn)化為Eu2+和Eu3+共存的發(fā)光材料,實(shí)現(xiàn)單相發(fā)光材料的發(fā)光調(diào)諧。此外,對(duì)Sr2.05Li0.9Si0.9Al0.1-O4F∶0.05Eu發(fā)光材料的熱穩(wěn)定性能進(jìn)行了詳細(xì)的研究,Eu2+和Eu3+發(fā)射峰的不同熱穩(wěn)定性能使其在溫度傳感器領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值。該研究對(duì)單一基質(zhì)實(shí)現(xiàn)價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)換和混合價(jià)態(tài)Eu摻雜的發(fā)光材料在溫度傳感領(lǐng)域的潛在應(yīng)用提供了參考依據(jù)。

        2 實(shí) 驗(yàn)

        2.1 樣品制備

        系列Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料采用高溫固相反應(yīng)制備。具體步驟如下:從阿拉丁試劑購(gòu)買(mǎi)原料SrCO3(分析純)、Li2CO3(分析純)、SiO2(色譜純)、Al2O3(分析純)、LiF(色譜純)、Eu2O3(99.999%),根據(jù)目標(biāo)化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)量以上原材料,并在瑪瑙研缽中與無(wú)水乙醇混合。將混合物充分研磨干燥后置于坩堝中,在600 ℃下預(yù)燒1 h,重復(fù)研磨后,將所得粉末在管式爐中900 ℃還原氣氛下(90%N2/10%H2)煅燒6 h。所得產(chǎn)物徹底研磨后,最終獲得用于進(jìn)一步分析的粉末樣品。

        2.2 樣品表征

        在具有Cu-Kα(λ=0.154 1 nm)輻射源的Bruker D8衍射儀上以40 kV、40 mA、6(°)/min的掃描速率研究了所制備樣品的相純度和晶體結(jié)構(gòu)鑒定,并在CrystalMaker Demo軟件中繪制了晶體結(jié)構(gòu)圖。在450 W氙燈作為激發(fā)源且配備溫度控制器的愛(ài)丁堡-穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀FLS1000上測(cè)量了室溫光致發(fā)光光譜、光致發(fā)光激發(fā)光譜、溫度依賴(lài)(25~300 ℃)發(fā)射光譜、時(shí)間分辨光譜。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 相和晶體結(jié)構(gòu)確認(rèn)

        Sr2LiSiO4F化合物以單斜結(jié)構(gòu)結(jié)晶,空間群為P21/m,圖1(a)顯示了其晶體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示,Sr2LiSiO4F結(jié)構(gòu)包含了兩類(lèi)十配位的Sr位點(diǎn),其中Sr(1)位點(diǎn)是由1個(gè)O(1)、4個(gè)O(2)、3個(gè)O(3)和2個(gè)F原子進(jìn)行配位;Sr(2)位點(diǎn)是由3個(gè)O(1)、4個(gè)O(2)、1個(gè)O(3)和2個(gè)F原子進(jìn)行配位。由于Sr原子與O原子的配位形式不同,所以?xún)蓚€(gè)晶體位點(diǎn)的Sr—O鍵長(zhǎng)不同。Li原子和Si原子分別占據(jù)一個(gè)扭曲的方形錐體和四面體位置。在Sr2LiSiO4F結(jié)構(gòu)中,10配位的Sr多面體分別與LiO3F2錐體和扭曲的SiO4四面體以面和頂點(diǎn)共享形式形成三維框架,在該三維結(jié)構(gòu)中SiO4基團(tuán)彼此隔離,而LiO3F2錐體通過(guò)F原子相連[15-16,18]。圖1(b)記錄了所制備Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料的XRD粉末衍射圖譜。當(dāng)x≥0.2時(shí),在2θ為25°、32°、38°左右出現(xiàn)了少量雜相衍射峰,這些衍射峰來(lái)自于SiO2與Al2O3。由于雜相含量很低,不會(huì)對(duì)樣品發(fā)光性質(zhì)產(chǎn)生影響。其他樣品的XRD衍射峰均與Sr2LiSiO4F(PDF No.83-0708)的標(biāo)準(zhǔn)卡片衍射峰吻合,表明成功制備了Sr2LiSiO4F固溶體發(fā)光材料。當(dāng)x≥0.3時(shí),雜相含量明顯增多,故在本文中不再討論。

        圖1 (a)Sr2LiSiO4F化合物的晶體結(jié)構(gòu);(b)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料的XRD衍射圖。Fig.1 (a)Crystal structure of Sr2LiSiO4F.(b)XRD patterns of Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25).

        3.2 發(fā)光性能

        圖2(a)展示了當(dāng)x=0.00和x=0.05時(shí)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu材料的激發(fā)和發(fā)射光譜。在537 nm監(jiān)測(cè)下,x=0.00與0.05樣品的激發(fā)光譜顯示出最大值在340 nm處的250~450 nm范圍的寬帶,這歸因于Eu2+離子的4f7-4f65d1躍遷;320 nm激發(fā)下,PL光譜顯示了400~700 nm范圍的對(duì)稱(chēng)寬帶,其對(duì)應(yīng)于Eu2+離子的典型4f65d1-4f7躍遷,這一光譜性質(zhì)與之前報(bào)道的相同[19]。然而,x=0.05樣品的發(fā)射譜除了位于400~700 nm的寬帶發(fā)射,還呈現(xiàn)出位于589,612,700 nm處的線狀發(fā)射峰。與x=0.00樣品相同,400~700 nm的寬帶發(fā)射是由Eu2+離子的4f7-4f65d1躍遷產(chǎn)生的,而新增的589,620,700 nm處的線狀發(fā)射則是由Eu3+的5D0-7FJ(J=0~4)躍遷產(chǎn)生的[20-21]。以Eu2+離子的最大發(fā)射峰值537 nm為監(jiān)測(cè)波長(zhǎng),x=0.05樣品的激發(fā)光譜與x=0.00樣品的激發(fā)譜是相同的;但以Eu3+位于620 nm的特征發(fā)射為監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)時(shí),Sr1.95+xLi1-x-Si1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.05)樣品同時(shí)顯示了由O2--Eu3+的電荷轉(zhuǎn)移帶(CTB)引起的250~350 nm范圍的激發(fā)寬帶、Eu2+離子f-d躍遷引起的350~400 nm的激發(fā)帶以及由Eu3+離子4f-4f躍遷產(chǎn)生的350~500 nm范圍的弱吸收峰[19]。以上光譜結(jié)果表明,Al3+-Sr2+取代Si4+-Li+離子對(duì)后,Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu晶格中原有的Eu2+離子部分轉(zhuǎn)化成Eu3+,且Eu2+離子與Eu3+離子間存在著能量傳遞。這一結(jié)果將通過(guò)Eu2+在Sr2LiSiO4F化合物中的局域配位環(huán)境進(jìn)行分析。

        Sr2LiSiO4F化合物具有兩類(lèi)配位數(shù)相同的Sr2+位點(diǎn),依據(jù)電荷平衡和半徑相似原則(Sr2+:r=0.126 nm;Eu2+:r=0.125 nm),可判斷Eu摻雜時(shí)將占據(jù)晶體結(jié)構(gòu)中的Sr2+位點(diǎn)[15]。如圖2(b)所示,在Sr2LiSiO4F化合物中Sr多面體和SiO4扭曲的四面體是以頂點(diǎn)共享的。在Sr1.95+x-Li1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)材料中,利用Al3+-Sr2+離子對(duì)取代基質(zhì)晶格中的Si4+-Li+離子對(duì)時(shí),中心陽(yáng)離子對(duì)配位陰離子的吸引力可通過(guò)離子電勢(shì)(φ)粗略估算[22-23]:

        φ=Z/r,

        (1)

        其中Z為離子的電荷數(shù),r為離子半徑(pm)。經(jīng)計(jì)算可得φ(Sr2+)=0.017,φ(Li+)=0.013,φ(Si4+)=0.10,φ(Al3+)=0.056。其中,φ(Sr2+)>φ(Li+),φ(Al3+)<φ(Si4+)。因此,與Si4+-O2-相比,Al3+-O2-的吸引力變得更弱,Al—O的鍵長(zhǎng)變長(zhǎng);而與Li+-O2-相比,Sr2+-O2-的吸引力變強(qiáng),Sr—O的鍵長(zhǎng)變短,Al3+-Sr2+對(duì)Si4+-Li+的取代壓縮了Sr2+位點(diǎn)。由于Eu2+離子的半徑大于Eu3+,在壓縮后的Sr2+位點(diǎn)中,為了保持結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,即使在還原氣氛下,Eu3+仍然難以還原為Eu2+,所以在Sr1.95+xLi1-xSi1-x-AlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)材料中實(shí)現(xiàn)了Eu2+和Eu3+并存[22,24]。如圖2(c)所示,在320 nm激發(fā)下,Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)的發(fā)射光譜中同時(shí)呈現(xiàn)出Eu2+的綠光發(fā)射帶和Eu3+的紅光發(fā)射峰;并且隨著x值的增加,Eu3+的發(fā)光逐漸增強(qiáng)。值得注意的是,Eu2+的發(fā)光強(qiáng)度呈現(xiàn)出不規(guī)律的變化,這是因?yàn)镾r多面體的壓縮使得Eu3+的還原過(guò)程變得困難,Eu2+的發(fā)光會(huì)減少,但壓縮導(dǎo)致的多面體畸變的增加同時(shí)會(huì)影響Eu2+的發(fā)光,所以Eu2+的發(fā)光變化較為復(fù)雜。由于Eu2+和Eu3+共存,在320 nm激發(fā)下,Sr1.95+x-Li1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)樣品的CIE坐標(biāo)隨著x值的增加有規(guī)律地從(0.309 8,0.489 8)轉(zhuǎn)移到(0.490 1,0.417 6)(由綠光區(qū)向橙紅光區(qū)偏移),如圖2(d)所示。插圖顯示了每個(gè)樣品在300 nm紫外燈照射下的相應(yīng)發(fā)光照片,隨著x值的增加逐漸從綠光發(fā)射轉(zhuǎn)變?yōu)槌燃t光發(fā)射。

        圖2 (a)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.00,0.05)發(fā)光材料的激發(fā)和發(fā)射光譜;(b)Eu離子局域結(jié)構(gòu)變化示意圖;(c)不同取代濃度Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料的發(fā)射光譜;(d)不同x值樣品的CIE坐標(biāo)及發(fā)光照片。Fig.2 (a)PLE and PL spectra of Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.00,0.05).(b)Schematic diagram of local structure change of Eu ions.(c)PL spectra of Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25).(d)CIE coordinates and luminescent photos of samples with different x values.

        為了進(jìn)一步探究Eu2+和Eu3+在Sr1.95+xLi1-x-Si1-xAlxO4F∶0.05Eu發(fā)光材料中的光致發(fā)光機(jī)理,分別測(cè)試了Eu2+(525 nm)和Eu3+(620 nm)的衰減曲線,如圖3(a)、(b)所示。對(duì)于Eu2+、Eu3+的發(fā)光衰減曲線均符合二次函數(shù)擬合,經(jīng)計(jì)算Eu2+在Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu中的平均熒光壽命值分別為0.85 μs(x=0.05)、0.85 μs(x=0.10)、0.82 μs(x=0.15)、0.81 μs(x=0.20)和0.79 μs(x=0.25);對(duì)于Eu3+,其平均壽命值分別為3.15 μs(x=0.05)、3.23 μs(x=0.10)、3.306 μs(x=0.15)、3.307 μs(x=0.20)和3.45 μs(x=0.25)??梢缘贸鲭S著x值的增加,Eu2+的熒光壽命呈縮短趨勢(shì),Eu3+的熒光壽命逐漸增加。時(shí)間分辨光譜可以更加直觀地顯示Eu2+與Eu3+的發(fā)光,如圖3(c)所示。顯然,在較短延遲時(shí)間(t=10 μs和20 μs)下,Sr1.95+xLi1-x-Si1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.15)樣品中Eu2+的發(fā)射占主導(dǎo)地位;隨著延遲時(shí)間增加(t=40 μs和60 μs),Eu2+(4f65d1-4f7躍遷)和Eu3+(5D0-7F0,1,2躍遷)的發(fā)射同時(shí)出現(xiàn),并且Eu3+離子的發(fā)射逐漸增強(qiáng);在t=80 μs時(shí),Eu3+的發(fā)射占主導(dǎo)地位。Eu2+和Eu3+在Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu材料中的衰減曲線以及時(shí)間分辨光譜共同證明了Eu2+與Eu3+離子間存在能量傳遞,前者可以將部分能量傳遞給后者,與光譜結(jié)果一致??傊袑?shí)驗(yàn)事實(shí)證明,在Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu材料中通過(guò)組分調(diào)控實(shí)現(xiàn)了Eu2+和Eu3+共存。

        圖3 Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料中Eu2+的衰減曲線(λex=325 nm,λem=525 nm)(a)與Eu3+的衰減曲線(λex=320 nm,λem=620 nm)(b);(c)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.15)樣品的時(shí)間分辨發(fā)射光譜。Fig.3 Decay curves of Eu2+(λex=325 nm,λem=525 nm)(a),Eu3+(λex=320 nm,λem=620 nm)(b)in Sr1.95+xLi1-xSi1-x-AlxO4F∶0.05Eu(0≤x≤0.25).(c)Time-resolved PL spectra of Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.15).

        3.3 熱穩(wěn)定性分析

        熱穩(wěn)定性是發(fā)光材料的一個(gè)重要衡量參數(shù)[25]。圖4(a)給出了Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)樣品從25~300 ℃的溫度依賴(lài)性發(fā)射光譜。由于交叉弛豫機(jī)制和熱電離機(jī)制引起的熱猝滅,相對(duì)于25 ℃時(shí),150 ℃下Eu2+的發(fā)光強(qiáng)度下降至28%,Eu3+的發(fā)射強(qiáng)度下降至48%(圖4(b)),表明Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)樣品中Eu2+的發(fā)光強(qiáng)度比Eu3+離子受溫度的影響更大。圖4(c)是該樣品的CIE坐標(biāo)圖,當(dāng)溫度從25 ℃升高至300 ℃時(shí),樣品的CIE坐標(biāo)從(0.364,0.483)處的綠光發(fā)射轉(zhuǎn)移到(0.450,0.365)處的紅光發(fā)射,可以明顯地觀察到顏色變化。因此,可以將Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)的發(fā)光顏色作為測(cè)溫探針信號(hào),靈敏地測(cè)量發(fā)光材料周?chē)臏囟茸兓1嚷市蜔晒鈧鞲衅骺梢愿鶕?jù)兩個(gè)不同發(fā)射峰的熒光強(qiáng)度比(R)的變化來(lái)檢測(cè)溫度變化,R(I620/I530)與溫度的關(guān)系可以描述如下[26-28]:

        圖4 (a)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)樣品的溫度依賴(lài)性發(fā)射光譜;(b)相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的變化曲線;(c)25~300 ℃下Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)發(fā)光材料的CIE坐標(biāo)圖;(d)該樣品的R(I620/I530)在不同溫度下的擬合結(jié)果;(e)不同溫度下的絕對(duì)靈敏度值Sa和相對(duì)靈敏度值Sr。Fig.4 (a)Temperature-dependent PL spectra.(b)Emission intensity line chart.CIE coordinate diagram(c)and R(I620/I530)(d)at different temperatures of Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10).(e)Sa and Sr at different temperatures.

        Aexp(-B/T)+C,

        (2)

        I0是0 K時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度,kB為玻爾茲曼常數(shù),T為絕對(duì)溫度,E為熱猝滅活化能,A、B、C是相關(guān)的常數(shù)。絕對(duì)溫度靈敏度Sa和相對(duì)溫度靈敏度Sr可以進(jìn)一步推導(dǎo),并由下式表示:

        (3)

        (4)

        如圖4(d)所示,R和溫度之間的關(guān)系可以表示為R=114.02exp(-1760/T)+0.956,且函數(shù)的擬合曲線隨著溫度的升高而單調(diào)下降。Sa和Sr的擬合結(jié)果如圖4(e)所示,且分別在573 K和373 K時(shí)達(dá)到最大值2.83%·K-1和0.66%·K-1。需要說(shuō)明的是盡管該材料的顏色變化明顯,計(jì)算得到的相對(duì)靈敏度Sr比已報(bào)道的其他材料要低,比如La2MgTiO6∶Er3+(1.107%·K-1)[29]、Ca2Al2Si1-xO7∶Eu(2.46%·K-1)[30]、二元材料Y2O3∶Ho3+/Mg2TiO4∶Mn4+probe(4.6%·℃-1)[31]。

        為了闡明Eu2+/3+離子的能級(jí)躍遷情況和熱猝滅行為差異,圖5(a)、(b)分別給出了Eu2+與Eu3+離子的能級(jí)位型坐標(biāo)示意圖。圖中拋物線G、E分別代表基態(tài)和激發(fā)態(tài)能級(jí)。點(diǎn)O是拋物線G與E的交點(diǎn)。對(duì)于Eu2+離子而言(圖5(a)),在紫外光激發(fā)下,電子吸收能量從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)(途徑Ⅰ),常溫下,發(fā)光中心會(huì)由最低激發(fā)態(tài)經(jīng)輻射躍遷回基態(tài)(途徑Ⅱ);當(dāng)溫度升高時(shí),位于激發(fā)態(tài)能級(jí)的發(fā)光中心在聲子輔助的熱活化作用下躍遷至O點(diǎn),經(jīng)途徑Ⅲ以非輻射躍遷形式返回基態(tài),引起發(fā)光熱猝滅。相較于Eu2+離子,Eu3+離子的斯托克位移為0,即圖5(b)所示的基態(tài)G與激發(fā)態(tài)E的拋物線不交叉,因此很難發(fā)生通過(guò)拋物線交叉而產(chǎn)生的發(fā)光猝滅。因此,Eu3+離子有更好的發(fā)光熱穩(wěn)定性,造成了Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶Eu材料的光譜、發(fā)光顏色對(duì)溫度的敏感性。

        圖5 (a)Eu2+與(b)Eu3+離子的能級(jí)位型坐標(biāo)示意圖Fig.5 Schematic diagram of configuration coordinates for Eu2+(a)and Eu3+(b)

        4 結(jié) 論

        本文利用Al3+和Sr2+取代Si4+和Li+的晶體位點(diǎn)工程方法,實(shí)現(xiàn)了高溫固相法制備的單相Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶Eu(0≤x≤0.25)發(fā)光材料中混合價(jià)態(tài)Eu2+和Eu3+的共存。Al3+-Sr2+對(duì)Si4+-Li+的取代壓縮了Sr2+位點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了Eu2+和Eu3+的價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)移,獲得了Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F(0≤x≤0.25)體系從綠光到紅光的發(fā)光調(diào)諧。25~300 ℃范圍內(nèi),對(duì)Sr1.95+xLi1-xSi1-xAlxO4F∶0.05Eu(x=0.10)發(fā)光材料熱穩(wěn)定性能的研究表明Eu2+和Eu3+對(duì)溫度的感應(yīng)程度不同,計(jì)算得出溫度傳感的絕對(duì)靈敏度與相對(duì)靈敏度可分別達(dá)到2.83%·K-1和0.66%·K-1,進(jìn)一步證實(shí)了所制備發(fā)光材料在溫度傳感方面的應(yīng)用潛力。

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