以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱為“第3代半導(dǎo)體材料”，因具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、大功率及抗輻射器件，可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域，包括射頻通信、雷達(dá)、衛(wèi)星、電源管理、汽車電子、工業(yè)電力電子等。

新冠疫情以來(lái)，智能手機(jī)和電腦市場(chǎng)快速升溫；世界各國(guó)作出的“碳達(dá)峰，碳中和”承諾，讓新能源汽車市場(chǎng)異?；鸨?；同時(shí)，各國(guó)都在如火如荼地加強(qiáng)5G通訊建設(shè)。上述領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體需求量激增的同時(shí)，也為碳化硅、氮化鎵等為代表的第3代半導(dǎo)體應(yīng)用窗口的迅速擴(kuò)張帶來(lái)機(jī)遇。目前，我國(guó)6英寸碳化硅沉底材料已經(jīng)開(kāi)始實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，天科合達(dá)、山東天岳、中電科2所、河北通光晶體等企業(yè)紛紛擴(kuò)產(chǎn)或投資產(chǎn)線。據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，隨著科銳公司8英寸碳化硅襯底材料提前2～3年實(shí)現(xiàn)小批量產(chǎn)，倒逼國(guó)內(nèi)企業(yè)不得不加緊技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)布局。

由于第3代半導(dǎo)體出色的電能高效轉(zhuǎn)換優(yōu)勢(shì)，可以更好地支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道交通、能源互聯(lián)網(wǎng)、光伏、風(fēng)力發(fā)電、直流特高壓輸電和工業(yè)電源等領(lǐng)域，增強(qiáng)可靠性和適用性，降低成本和損耗。就第3代半導(dǎo)體而言，實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的關(guān)鍵，在于實(shí)現(xiàn)其關(guān)鍵材料、核心芯片和模塊的產(chǎn)業(yè)化布局及應(yīng)用；其次是加速實(shí)現(xiàn)第3代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控發(fā)展；再次是通過(guò)政府的政策引導(dǎo)和規(guī)范社會(huì)資本有序進(jìn)入第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，合理進(jìn)行資本配置。

未來(lái)，走出一條符合中國(guó)實(shí)際應(yīng)用需求的第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路，使其為我國(guó)確保實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)插上“天使之翼”，是中國(guó)每一位半導(dǎo)體人毋庸置疑的責(zé)任和義務(wù)。

10.19599/j.issn.1008-892x.2021.05.001