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        基于PSO模式搜索法的硅基光波導(dǎo)相控陣光束優(yōu)化

        2021-10-28 01:03:14田騏源李明秋
        關(guān)鍵詞:優(yōu)化

        田騏源,李明秋

        (長春理工大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,長春 130022)

        激光掃描是近年來一種新興的信息存儲和數(shù)據(jù)處理技術(shù),在人工智能、無人駕駛、生物醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景[1]。傳統(tǒng)的激光掃描技術(shù)主要以機械式掃描為主,即通過機械運動使光束的光軸軸向發(fā)生改變,從而實現(xiàn)光束偏轉(zhuǎn)。但由于目前的機械設(shè)備體積過大、掃描速度較慢、在掃描過程中還需要克服慣性以及摩擦帶來的影響,限制了機械式掃描技術(shù)的發(fā)展。為了滿足光電子技術(shù)對掃描精度和掃描速度的要求,非機械式,無慣性的光學(xué)相控陣技術(shù)不斷興起[2]。

        其中,硅基光波導(dǎo)相控陣是一種新興的光學(xué)相控陣。該陣列的系統(tǒng)集成度較高,并且采用熱光調(diào)制的方式進(jìn)行掃描,掃描速度快,精度高,在軍用、民用等方面具有巨大的應(yīng)用潛力[3]。

        但由于當(dāng)前加工工藝的限制,一方面使得相控陣相鄰波導(dǎo)光柵之間存在相位誤差,以及熱串?dāng)_等問題[4],另一方面,由于光波波長較短,不能達(dá)到所需的理想要求,即陣元的間距要小于波長一半,所以必定會產(chǎn)生柵瓣與旁瓣[5]。柵瓣與旁瓣的存在會分散主瓣的能量,甚至在掃描角較大時,超過主瓣的能量,在遠(yuǎn)場光強圖的表現(xiàn)為光束不集中,入射光束能量的損耗等。導(dǎo)致掃描角度與掃描精度較低[6]。對于柵瓣與旁瓣的抑制,常用的有相位加權(quán)法[7]、粒子群算法[8-9]、模式搜索法等[10]。為降低主瓣所損失的能量,從陣元的間距入手,提出了一種基于PSO的模式搜索法,通過算法仿真,該算法能夠較好地抑制柵瓣與旁瓣,驗證了該算法的可行性。

        1 硅基光波導(dǎo)相控陣基本原理

        1.1 基本原理

        硅基光波導(dǎo)光學(xué)相控陣的基本機構(gòu)包括耦合單元、分束單元,相位調(diào)制單元以及光柵發(fā)射器。

        如圖1所示,光束從激光器射出后,經(jīng)光柵耦合器耦合到波導(dǎo)內(nèi)部后,通過分束器將一束光分成等功率的M束光,并由M個相位調(diào)制器分別進(jìn)行相位調(diào)制。在硅基光波導(dǎo)相控陣中,相位調(diào)制器采用的方式為熱光調(diào)制,即通過Si的熱光效應(yīng),利用硅波導(dǎo)上方的加熱電極對波導(dǎo)進(jìn)行加熱處理,施加電壓后,電極會產(chǎn)生一定量的熱能,通過熱傳導(dǎo)的方式將熱能傳遞到波導(dǎo)芯層,使得芯層溫度發(fā)生變化,從而使得折射率產(chǎn)生變化,以實現(xiàn)掃描的原理。最后,經(jīng)過調(diào)制的光束經(jīng)過光柵發(fā)射器后,將光束發(fā)射到遠(yuǎn)場。

        圖1 硅基光波導(dǎo)相控陣原理圖

        1.2 硅基光波導(dǎo)相控陣衍射分析

        一維等間距相控陣在光線入射后,通過移相器,使得光束在遠(yuǎn)場發(fā)生偏轉(zhuǎn)。根據(jù)傳遞的熱量不同,遠(yuǎn)場光束的偏轉(zhuǎn)角度也不同。而硅基光波導(dǎo)相控陣根據(jù)光的衍射特性分析,光沿波導(dǎo)層傳輸光線,則輸出光強的光柵衍射方程的形式為:

        施加電壓產(chǎn)生熱能后,熱能使得Si的折射率發(fā)生變化,遠(yuǎn)場光強根據(jù)折射率的不同,導(dǎo)致相位也發(fā)生不同的變化,從而使得遠(yuǎn)場光強發(fā)生不同程度的平移,從而達(dá)到掃描的效果。

        其中,假設(shè)光柵的間距為均勻的,則相鄰陣元間的相位差為定值,則:

        如果光柵間的間距不相等,在光束掃描時,兩個相鄰陣元的相位差不再是恒定值,使得輸出相位面近似為斜面,滿足相位匹配。這樣,在非主瓣的其他衍射方向上,周期性結(jié)構(gòu)被打破,相鄰陣元的相位差不滿足形成邊瓣的條件,從而達(dá)到抑制邊瓣的效果。圖2為均勻間隔的光波導(dǎo)相控陣遠(yuǎn)場光強圖,陣元間距為2 μm。圖3為非均勻間隔的光波導(dǎo)相控陣遠(yuǎn)場光強圖。陣元數(shù)為8,圖3中的陣元間距分別為:2.943 6 μm、2.076 5 μm、2.419 4 μm、1.913 3 μm、5.651 8 μm、1.957 1 μm、2.308 3 μm、1.832 5 μm。波長均為1 μm。

        圖2 均勻間隔的光波導(dǎo)相控陣遠(yuǎn)場光強圖

        圖3 非均勻間隔的光波導(dǎo)相控陣遠(yuǎn)場光強圖

        2 非均勻硅基光波導(dǎo)相控陣間距優(yōu)化

        2.1 基于PSO模式搜索法

        由于硅基光波導(dǎo)相控陣陣元之間間距采用非均勻間隔后,其規(guī)律無跡可尋,且需要從整體來分析仿真遠(yuǎn)場光強分布,所以提出將基于PSO模式搜索算法引入到硅基光波導(dǎo)相控陣的優(yōu)化中?;赑SO模式搜索算法的核心思想是:先用PSO算法在全局范圍內(nèi)搜索,找到一個較優(yōu)參數(shù),再利用模式搜索算法在這個較優(yōu)參數(shù)附近進(jìn)行局部搜索,若搜索結(jié)果沒有達(dá)到精度要求,則進(jìn)行全局搜索,依次循環(huán)直到找到最優(yōu)參數(shù)。

        2.2 陣元間距參數(shù)優(yōu)化

        基于PSO模式搜索算法首先在給定的解空間內(nèi)初始化粒子群,每個粒子有了初始位置與初始速度。然后進(jìn)行粒子的適應(yīng)度評價,其公式為:

        其中,Ti表示正確分類樣本數(shù);Fi表示錯誤分類樣本數(shù)。

        通過迭代尋優(yōu)。在每一次迭代中,每個粒子通過跟蹤兩個“極值”來更新自己在解空間中的空間位置與速度。第一個極值就是單個粒子本身在迭代過程中找到的最優(yōu)解粒子,這個粒子叫做個體極值。另一個極值是種群所有粒子在迭代過程中所找到的最優(yōu)解粒子,這個粒子是全局極值。其迭代公式為:

        其中,ω是慣性權(quán)重,相對大的ω有更多全局搜索能力,相對小的ω會導(dǎo)致快速收斂;c1和c2是學(xué)習(xí)因子是區(qū)間[0,1]上的隨機數(shù);p是粒子的當(dāng)前位置表示參數(shù)c和γ的當(dāng)前值;是粒子的速度,決定下一代的c和γ更新方向和大小。

        隨后,將得到的最優(yōu)解粒子作為模式搜索的初值,進(jìn)行模式搜索算法,給定單位向量,初始步長和加速因子,進(jìn)行探測運動:

        將得到的y作為最優(yōu)解粒子,若得到的最優(yōu)解粒子小于未進(jìn)行軸向搜索的最優(yōu)解粒子,并沿著加速方向進(jìn)行模式移動后,再次進(jìn)行探測移動。直到達(dá)到最大迭代次數(shù)。若得到的最優(yōu)解粒子大于未進(jìn)行軸向搜索的最優(yōu)解粒子,則表明模式移動及此次模式移動之后的探測移動均無效。減小步長后重新進(jìn)行模式搜索,直到滿足要求。

        在評估旁瓣優(yōu)化程度時,引入峰值旁瓣電平(PSLL)的大小作為評判遠(yuǎn)場光強分布的優(yōu)劣標(biāo)準(zhǔn)。PSLL越小,代表優(yōu)化程度越好。即:

        式中,Imain為主瓣光強;Iside為旁瓣光強。

        3 仿真結(jié)果與分析

        將PSO模式搜索法應(yīng)用到一維硅基光波導(dǎo)相控陣的仿真中,相控陣參數(shù)如下:其中陣元數(shù)N=8,波長為λ=1 μm,芯層厚度a=0.6 μm。算法參數(shù)如下:其中學(xué)習(xí)因子c=1.2,用來調(diào)節(jié)最大步長。慣性權(quán)重ω=0.8,用來調(diào)節(jié)搜索能力。個體數(shù)為90。算法優(yōu)化后的相控陣相鄰陣元的最優(yōu)間隔結(jié)果為2.824 5 μm、2.982 2 μm、2.721 3 μm、2.950 4 μm、2.993 4 μm、2.937 0 μm、2.853 8 μm、2.609 5 μm??梢詽M足工藝精度的要求。在優(yōu)化算法中,優(yōu)化后不偏轉(zhuǎn)的遠(yuǎn)場光強圖中PSLL=0.039 26。與未進(jìn)行算法優(yōu)化的相控陣遠(yuǎn)場光強圖相比,PSLL下降了0.559 35,抑制率為93.4%。且該算法相比于粒子群算法的優(yōu)化速度快、效率高。圖4為經(jīng)過優(yōu)化后不偏轉(zhuǎn)的遠(yuǎn)場光強圖。

        圖4 優(yōu)化后不偏轉(zhuǎn)的遠(yuǎn)場光強圖

        圖5為經(jīng)過優(yōu)化后掃描角度為15°的遠(yuǎn)場光強圖。從遠(yuǎn)場光強圖中可以看到,PSLL=0.070 39,與不偏轉(zhuǎn)的遠(yuǎn)場光強圖相比,PSLL提升了0.031 13。但對比圖2和圖3可以看到對于峰值旁瓣電平具有明顯的抑制效果。并且將模式搜索法與粒子群算法結(jié)合后,能夠較好的優(yōu)化容易陷入局部最優(yōu)值的缺點。

        圖5 優(yōu)化后掃描15°的遠(yuǎn)場光強圖

        如表1所示,基于PSO模式搜索法搜索最優(yōu)解的迭代時間為2.65 min,而粒子群算法的仿真時間為3.18 min,運算時間提升16%。模式搜索法運算時間為3.45 min,運算時間提升23%。迭代次數(shù)雖然相比于單個算法優(yōu)化并沒有十分明顯,但從結(jié)合算法的角度,迭代次數(shù)相比于兩種算法簡單相加,還是具有較大提升。綜上所述,該算法對于遠(yuǎn)場光強的旁瓣抑制具有良好的效果,且運算效率較高。

        表1 各算法運算時間與迭代次數(shù)對比

        4 結(jié)論

        隨著激光雷達(dá)技術(shù)近幾年來的發(fā)展,硅基光波導(dǎo)相控陣的使用在近幾年也越發(fā)廣泛,但由于加工工藝的限制,必定會產(chǎn)生邊瓣來分散主瓣能量,從而導(dǎo)致相控陣性能降低。如果從加工工藝方面提高相控陣衍射性能,性價比較低并且加工難度較大。所以,在分析硅基光波導(dǎo)相控陣原理的基礎(chǔ)上,提出了一種基于PSO模式的搜索算法,并對其進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果表明:采用該算法能夠有效抑制旁瓣,使PSLL降低到較低的水平。使得衍射效率提高。并且運算時間和迭代次數(shù)都能夠有效減少。該方法是一種優(yōu)化率較高的算法,在硅基光波導(dǎo)相控陣光束優(yōu)化方向上具有良好的應(yīng)用前景。

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