崔江 陳一凡 范士穎 林華 沈勇 王友仁 陳則王

摘要：SiC功率管器件廣泛應(yīng)用在航空領(lǐng)域的電能變換、配電等場(chǎng)合，其健康狀況十分重要。在SiC器件的健康監(jiān)測(cè)應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻的檢測(cè)是一項(xiàng)十分重要的技術(shù)。為了能夠簡(jiǎn)單準(zhǔn)確地得到碳化硅（SiC）MOSFET功率器件的導(dǎo)通電阻，本文提出了一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的SiC MOSFET器件導(dǎo)通電阻估測(cè)方法。本文搭建SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路仿真和物理試驗(yàn)平臺(tái)，并使用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（BP neural networks， BPNN）對(duì)不同溫度、不同柵極電壓以及不同漏極電流下SiC MOSFET器件的導(dǎo)通電阻數(shù)據(jù)進(jìn)行詳細(xì)描述。最后，對(duì)基于BPNN的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)方法進(jìn)行效果驗(yàn)證。結(jié)果表明，該方法具有精度高和泛化能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC MOSFET器件導(dǎo)通電阻的有效估測(cè)。

關(guān)鍵詞：碳化硅功率管；導(dǎo)通電阻；神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)；誤差分析；溫度特性

中圖分類號(hào)：V240.2文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：ADOI：10.19452/j.issn1007-5453.2021.09.012

基金項(xiàng)目：航空科學(xué)基金（201933052001，20183352030），中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目（NS2021021）

隨著航空航天技術(shù)的飛速發(fā)展，高性能、高可靠性、智能化成為未來(lái)飛行器發(fā)展的主要特征[1]。碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶功率半導(dǎo)體器件，具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度、更小的反向恢復(fù)電荷和更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，在工作條件惡劣、性能要求苛刻的應(yīng)用環(huán)境中十分有利，目前已經(jīng)成為航空航天電能變換、配電領(lǐng)域研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)[2-10]。作為一種功率器件，SiC MOSFET器件工作在惡劣、苛刻的環(huán)境中，其電性參數(shù)會(huì)產(chǎn)生退化現(xiàn)象，進(jìn)而影響系統(tǒng)的性能，甚至導(dǎo)致電路故障，造成嚴(yán)重的損失。因此，對(duì)SiC MOSFET器件的健康狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)技術(shù)研究是很有必要的。

1 SiC MOSFET器件健康監(jiān)測(cè)技術(shù)研究現(xiàn)狀

隨著SiC MOSFET器件的退化，其內(nèi)部的電參數(shù)會(huì)發(fā)生變化，比較典型的如導(dǎo)通電阻，其已被證實(shí)與SiC MOSFET老化存在一定的相關(guān)性[11-14]，因此可以通過(guò)監(jiān)測(cè)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)對(duì)器件的可靠性判定。

參考文獻(xiàn)[15]將SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻與擴(kuò)展頻譜時(shí)域反射法（SSTDR）自相關(guān)峰值建立聯(lián)系，通過(guò)觀察SSTDR自相關(guān)峰值幅度確定SiC MOSFET器件導(dǎo)通電阻的變化情況來(lái)判斷器件是否老化，SSTDR硬件較靈敏，測(cè)量誤差低，但成本較高。參考文獻(xiàn)[16]對(duì)多電飛機(jī)和全電飛機(jī)直流固態(tài)功率控制器中的SiC MOSFET設(shè)計(jì)了穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通電壓在線測(cè)量電路，通過(guò)高精度的電流檢測(cè)電阻測(cè)量得到漏源極電流，從而在線獲得SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻，該方法需要搭建額外的檢測(cè)電路，在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)也較復(fù)雜。參考文獻(xiàn)[17]對(duì)空間飛行器驅(qū)動(dòng)器中的SiC MOSFET構(gòu)建了基于半導(dǎo)體物理的導(dǎo)通電阻非線性數(shù)學(xué)模型，比較精確地表征了SiC MOSFET導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化規(guī)律，該方法涉及器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體物理學(xué)機(jī)理，并引入了一些非線性參數(shù)，模型構(gòu)建過(guò)程較為復(fù)雜。參考文獻(xiàn)[18]利用鉗位總線電壓和電流傳感器，通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊快速讀取電流傳感器采集的漏源極電流并計(jì)算轉(zhuǎn)換成導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC MOSFET的退化監(jiān)測(cè)以及健康狀態(tài)評(píng)估，該方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于測(cè)量且成本較低，但存在測(cè)量誤差。

為了更方便地獲得SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻，提高方法的通用性，本文嘗試使用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（BP neural networks， BPNN）構(gòu)建SiC MOSFET器件的導(dǎo)通電阻模型。將SiC MOSFET器件視為黑箱，建立用于SiC MOSFET的多輸入-單一輸出黑箱系統(tǒng)，將施加于器件的外部電氣參數(shù)作為輸入，器件的導(dǎo)通電阻作為輸出，通過(guò)比較黑箱系統(tǒng)輸出值與實(shí)際測(cè)量值，實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC MOSFET的健康狀態(tài)評(píng)估。

2基于BPNN的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)

本文采用BPNN的非線性函數(shù)擬合方法、思路對(duì)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻進(jìn)行研究。首先將SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路中得到的樣本數(shù)據(jù)進(jìn)行樣本劃分，即樣本數(shù)據(jù)按照一定比例分為訓(xùn)練樣本和測(cè)試樣本。然后利用訓(xùn)練樣本構(gòu)建BPNN模型，并使之能夠根據(jù)已知條件估測(cè)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻值，利用測(cè)試樣本測(cè)試BPNN模型的擬合性能。最后，對(duì)模型估測(cè)值與實(shí)際測(cè)量值進(jìn)行誤差評(píng)估。上述建立了基于BPNN的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)模型，具體流程如圖1所示。利用基于BPNN的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)模型進(jìn)行健康狀態(tài)評(píng)估，判定SiC MOSFET是否出現(xiàn)異常，具體流程如圖2所示。

3仿真試驗(yàn)

本文以SiC MOSFET器件為研究對(duì)象，在Cadence/ PSpice仿真軟件中搭建SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路仿真模型。改變SiC MOSFET的溫度、柵極電壓和漏極電流，實(shí)現(xiàn)不同工作條件下SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試。

3.1測(cè)試電路仿真模型簡(jiǎn)介

SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路原理圖[19]如圖3所示，其中，Vgs為柵極電壓，Rg為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，R1為測(cè)試電路的負(fù)載，Vdc為直流母線電壓，其為整個(gè)測(cè)試電路供電。為了方便對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的測(cè)量，本文將柵極電壓設(shè)置為高電平，使SiC MOSFET在測(cè)試電路中處于常開通狀態(tài)。SiC MOSFET開通時(shí)，其漏源極之間等效為導(dǎo)通電阻Ron。在Cadence/PSpice仿真軟件中，設(shè)計(jì)SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路的仿真模型，仿真模型中使用C2M008012 0D型號(hào)的SiC MOSFET，此型號(hào)的器件模型從CREE官網(wǎng)下載并導(dǎo)入仿真軟件即可，仿真模型中使用的電阻和電壓源均由仿真軟件自帶器件庫(kù)提供。

3.2數(shù)據(jù)采集和樣本劃分

在SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路仿真模型中，設(shè)置不同柵極電壓、不同直流母線電壓和不同溫度，運(yùn)行仿真電路。此處需要說(shuō)明，本試驗(yàn)通過(guò)改變測(cè)試電路的直流母線電壓值間接改變漏極電流的大小。試驗(yàn)選取的直流母線電壓為2～18V，幅值間隔為2V，選取的柵極電壓為8～18V，幅值間隔為2V，選取的溫度為50～175℃，幅值間隔為25℃，一共9×6×6=324種不同工作條件，即一共有324個(gè)SiC MOSFET導(dǎo)通電阻樣本數(shù)據(jù)。將上述條件下的仿真樣本數(shù)據(jù)按照4：1的比例分為259個(gè)訓(xùn)練樣本和65個(gè)測(cè)試樣本。

3.3算法驗(yàn)證

本試驗(yàn)設(shè)計(jì)了三種BPNN的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，分別為：3-3-1、3-5-1和3-10-1。調(diào)用“newff”和“train”函數(shù)建立和訓(xùn)練BPNN，激活函數(shù)采用“sigmoid”函數(shù)，并選用“purelin”函數(shù)作為輸出傳遞函數(shù)，最小均方誤差設(shè)為“1e-10”。將訓(xùn)練好的BPNN相關(guān)參數(shù)進(jìn)行保存，用于后續(xù)對(duì)此模型進(jìn)行性能驗(yàn)證。

利用測(cè)試樣本測(cè)試BPNN的性能，以試驗(yàn)設(shè)計(jì)的3-5-1結(jié)構(gòu)的BPNN模型為例，具體結(jié)果如圖4所示。圖4中，橫坐標(biāo)為測(cè)試樣本個(gè)數(shù)，縱坐標(biāo)為SiC MOSFET導(dǎo)通電阻值，紅色標(biāo)注為測(cè)試樣本的實(shí)際值，綠色標(biāo)注為測(cè)試樣本的BPNN的估測(cè)值。

分析測(cè)試樣本的實(shí)際導(dǎo)通電阻值與BPNN模型輸出值，得出三種不同BP模型下，兩個(gè)導(dǎo)通電阻值的平均絕對(duì)誤差，具體見(jiàn)表1。

4實(shí)際試驗(yàn)

參考前述SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路原理圖，設(shè)計(jì)了硬件試驗(yàn)平臺(tái)。利用試驗(yàn)數(shù)據(jù)構(gòu)建SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的BPNN模型，并將建立的模型用于SiC MOSFET的健康狀態(tài)評(píng)估。

4.1硬件試驗(yàn)平臺(tái)

硬件試驗(yàn)平臺(tái)如圖5所示。其中，①為SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試主電路；②為DF1731SLL5A雙路直流穩(wěn)壓電源；③為SiC MOSFET（型號(hào)：C2M0080120D）；④為220VAC/ 850W微控制器控溫的加熱臺(tái)；⑤為TES 1310 TYPE-K測(cè)溫儀；⑥為Handyscope HS4數(shù)據(jù)采集卡；⑦為上位機(jī)。

DF1731SLL5A直流穩(wěn)壓電源為Vgs和Vdc提供不同幅值的直流電壓，此款電源為雙路輸出電源，可提供0～30V電壓值和0～5A電流值。SiC MOSFET的型號(hào)為C2M0080120D，規(guī)格為31.6A/1200V。本試驗(yàn)使用12位精度的Handyscope HS4型號(hào)數(shù)據(jù)采集卡，其最高采樣率可達(dá)5MHz。加熱臺(tái)用于實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)SiC MOSFET的工作溫度，其具體為220VAC/ 850W規(guī)格微電腦控溫加熱臺(tái)，溫度調(diào)節(jié)范圍為0～300℃。測(cè)量SiC MOSFET溫度所需設(shè)備為TES 1310 TYPE-K型號(hào)測(cè)溫儀，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC MOSFET器件表面溫度實(shí)時(shí)測(cè)量。

4.2樣本選取與劃分

BPNN模型的訓(xùn)練和測(cè)試樣本為SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路硬件試驗(yàn)平臺(tái)中阻性負(fù)載的電壓數(shù)據(jù)。物理試驗(yàn)中選取直流母線電壓為2V、4V和6V，選取柵極電壓為8V、10V、12V、14V、16V和18V，選取溫度為50℃、75℃和100℃，一共3×6×3=54種不同工作條件，即一共有54個(gè)阻性負(fù)載的電壓樣本數(shù)據(jù)。對(duì)上述條件下的試驗(yàn)樣本數(shù)據(jù)進(jìn)行中值濾波處理，選取濾波后的前50000個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，利用式（2）和式（3）計(jì)算SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻并求其均值，得到54個(gè)導(dǎo)通電阻樣本數(shù)據(jù)，用于BPNN的訓(xùn)練和測(cè)試。按照4：1的比例將54個(gè)導(dǎo)通電阻樣本數(shù)據(jù)分為43個(gè)訓(xùn)練樣本和11個(gè)測(cè)試樣本。

對(duì)經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間加速熱循環(huán)處理的SiC MOSFET進(jìn)行健康狀態(tài)評(píng)估。首先利用SiC MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試電路硬件試驗(yàn)平臺(tái)對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行測(cè)試，并保存試驗(yàn)中阻性負(fù)載的電壓樣本數(shù)據(jù)。在同一工作條件下采集5個(gè)樣本，如Vdc= 2V，Vgs= 8V，T = 50℃條件下采集5個(gè)樣本，并對(duì)5個(gè)樣本編號(hào)，共有54種不同工作條件，即采集并保存了54×5=270個(gè)樣本，每個(gè)樣本包含100000VRd個(gè)數(shù)據(jù)。對(duì)樣本數(shù)據(jù)進(jìn)行中值濾波，選取濾波后的前50000個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，利用式（2）和式（3）計(jì)算得到SiC MOSFET導(dǎo)通電阻并求其均值，將270個(gè)導(dǎo)通電阻的樣本數(shù)據(jù)均輸入BPNN模型。最后，比較SiC MOSFET導(dǎo)通電阻實(shí)際測(cè)量值與模型估測(cè)值，判定SiC MOSFET的健康狀態(tài)。

4.3算法驗(yàn)證與結(jié)果分析

物理試驗(yàn)中所用BPNN的結(jié)構(gòu)及其參數(shù)設(shè)置與仿真試驗(yàn)一致。以試驗(yàn)設(shè)計(jì)的3-5-1結(jié)構(gòu)BPNN模型為例，測(cè)試樣本驗(yàn)證BPNN的模型性能，結(jié)果如圖6所示。圖6的橫縱坐標(biāo)含義與圖5一致。分析測(cè)試樣本的實(shí)際導(dǎo)通電阻值與BPNN模型輸出值，兩個(gè)導(dǎo)通電阻的平均絕對(duì)誤差為0.019。

將經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間加速熱循環(huán)處理的SiC MOSFET相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)輸入BPNN模型，然后設(shè)定合理的閾值，對(duì)SiC MOSFET的健康狀態(tài)進(jìn)行評(píng)估。對(duì)同一工作條件的5個(gè)試驗(yàn)樣本進(jìn)行編號(hào)，并記作樣本1～樣本5。以樣本1為例，圖7的橫坐標(biāo)為54種不同工作條件。圖7的左圖橫坐標(biāo)為樣本狀態(tài)數(shù)，縱坐標(biāo)為SiC MOSFET導(dǎo)通電阻值，其中，綠色標(biāo)注為BPNN的輸出導(dǎo)通電阻值，紅色標(biāo)注為實(shí)際的導(dǎo)通電阻值。圖7的右圖橫坐標(biāo)為樣本狀態(tài)數(shù)，縱坐標(biāo)為SiC MOSFET導(dǎo)通電阻預(yù)測(cè)值與實(shí)際值的相對(duì)誤差。

表2～表4給出了本試驗(yàn)設(shè)計(jì)的三種BPNN結(jié)構(gòu)下，不同編號(hào)樣本的相對(duì)誤差分布情況，其中，3-3-1，3-5-1和3-10-1這三種結(jié)構(gòu)的BPNN分別記為模型Ⅰ、模型Ⅱ和模型Ⅲ，同種編號(hào)樣本的總個(gè)數(shù)為54。根據(jù)表1～表3的數(shù)據(jù)可得，同種編號(hào)的樣本中均有一半以上樣本的估測(cè)值與實(shí)際值相對(duì)誤差為10%～ 20%。SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)值與實(shí)際值的相對(duì)誤差大于等于10%，可以認(rèn)為經(jīng)過(guò)一段時(shí)間加速熱循環(huán)的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻增加了10%左右，已經(jīng)有了老化趨勢(shì)，操作人員應(yīng)在使用過(guò)程中需關(guān)注SiC MOSFET的可靠性問(wèn)題。

5結(jié)束語(yǔ)

本文研究了基于BPNN的SiC MOSFET導(dǎo)通電阻估測(cè)方法，其不需要分析SiC MOSFET器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，也不需要得出SiC MOSFET器件的參數(shù)擬合公式。用本文方法，可以評(píng)估不同工作條件下SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻值，然后與實(shí)際測(cè)量的導(dǎo)通電阻值進(jìn)行對(duì)比，實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)。本文所提方法具有誤差小、靈活性好且適用范圍廣的優(yōu)勢(shì)，可供其他器件類研究借鑒。

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Research on On-State Resistance Estimation of SiC Power Transistor Based on Neural Network

Cui Jiang1，Chen Yifan1，F(xiàn)an Shiying1，Lin Hua1，Shen Yong2，Wang Youren1，Chen Zewang1

1. Nanjing University of Aeronautics and Astronautics，Nanjing 211106，China

2. Aeronautical Science and Technology Key Laboratory of Fault Diagnosis and Health Management Technology，AVIC Shanghai Aero Measurement Controlling Research Institute，Shanghai 201601，China

Abstract： SiC power devices are applied widely in the applications of aeronautics， mainly in terms of electrical energy transform and distribution. The health surveillance technology has been a focus in the past time for these devices， whose on-state resistance detection technology is crucial. In order to obtain on-state resistance of silicon carbide（SiC） MOSFET power devices simply and accurately， this paper proposes a neural network based on-state resistance estimation method for SiC MOSFET devices. This paper builds a simulation and physical experiment platform for SiC MOSFET on-resistance test circuit， and uses BP neural network to describe in detail on-stateresistance data of SiC MOSFET devices under different temperatures， different gate voltages and different drain currents. Finally， the effect of SiC MOSFET on-state resistance estimation method based on BP neural network is verified. The results show that this method has the advantages of high accuracy and strong generalization ability， and can realize effective estimation of on-state resistance of SiC MOSFET devices.

Key Words： SiC power transistor； on-state resistance； neural networks； error analysis； temperature characteristic