張 曼

揚(yáng)州市職業(yè)大學(xué)電子工程學(xué)院，江蘇 揚(yáng)州 225009

0 引言

LED具有光效高、耗能低、壽命長(zhǎng)、顯色性好、響應(yīng)速度快、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，已成為國(guó)際新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)。目前，LED已廣泛用于室內(nèi)外照明、汽車(chē)照明、顯示、背光、指示等領(lǐng)域。LED按功率可分為普通功率型和大功率型，輸入功率＜1 W的LED為普通功率LED，輸入功率≥1 W的LED為大功率LED，不同功率的LED可以應(yīng)用于不同場(chǎng)合。常見(jiàn)的大功率LED封裝結(jié)構(gòu)主要有兩種形式，一種是單芯片封裝大功率LED，另一種是多芯片集成封裝大功率LED[1-2]。

LED產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游、中游和下游，上游包括襯底材料、外延片、芯片設(shè)計(jì)與制造，中游包括芯片的封裝與測(cè)試，下游為L(zhǎng)ED顯示、照明、燈具等產(chǎn)品的應(yīng)用。大功率LED的封裝是產(chǎn)業(yè)鏈中非常重要的一環(huán)，是推進(jìn)半導(dǎo)體照明和顯示走向?qū)嵱没暮诵闹圃旒夹g(shù)。但是目前大功率LED器件的封裝工藝依然存在一些出光不均勻和出光效率較低的問(wèn)題。單芯片封裝工藝由于反光碗和透鏡的制造工藝比較復(fù)雜，成本較高；而集成封裝工藝雖然成本低，具有芯片排布靈活等特點(diǎn)，但芯片的出光效率較低[3]。

為了提高芯片的出光效率（外部量子效率），可以采用兩種方式：一是優(yōu)化襯底和工藝，改進(jìn)材料質(zhì)量，提高散熱性能和內(nèi)量子效率；二是優(yōu)化光學(xué)結(jié)構(gòu)，采用一次光學(xué)設(shè)計(jì)的優(yōu)化方案來(lái)提高LED的出光效率[4]。文章將利用TracePro仿真軟件從反光碗的底部半徑、深度、硅膠的折射率等方面進(jìn)行一次光學(xué)設(shè)計(jì)，探討集成封裝的結(jié)構(gòu)對(duì)LED芯片出光效率的影響。

1 基于TracePro的集成光源模型建立

LED的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要包括芯片、支架（反光碗）、透鏡等結(jié)構(gòu)。LED芯片屬于出光面發(fā)光，具有明顯的指向性，并且出光呈現(xiàn)朗伯型分布；反光碗一般會(huì)涂敷金屬材料，以減少對(duì)光的吸收；透鏡使用的材料一般是PC、亞克力、硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂等，形狀可以是半圓形、平形或拋物面形。

圖1 LED的基本結(jié)構(gòu)示意圖

為了進(jìn)行出光（配光曲線）設(shè)計(jì)，利用仿真軟件（如TracePro、Lighttools等）進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)。LED的光學(xué)設(shè)計(jì)包括一次和二次光學(xué)設(shè)計(jì)，一次光學(xué)設(shè)計(jì)指對(duì)LED的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，以提高出光效率；二次光學(xué)設(shè)計(jì)包括透鏡和反光杯設(shè)計(jì)，是將LED發(fā)出的光進(jìn)行重新分配，以滿足不同場(chǎng)合的需求[5]。一次光學(xué)設(shè)計(jì)是二次光學(xué)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，沒(méi)有較高的出光效率，也無(wú)法達(dá)到光學(xué)設(shè)計(jì)的目的。大功率LED的集成封裝方式包括先將多顆芯片進(jìn)行電氣連接，后直接進(jìn)行二次配光設(shè)計(jì)，也可以先對(duì)單顆芯片進(jìn)行一次配光設(shè)計(jì)，再進(jìn)行二次配光設(shè)計(jì)。

通過(guò)對(duì)單顆芯片進(jìn)行一次配光，研究反光碗的底部半徑、深度、硅膠的折射率對(duì)LED集成封裝的出光效率的影響。文章使用BXCE4545型芯片，為了減少軟件的計(jì)算時(shí)長(zhǎng)，將芯片的尺寸進(jìn)行簡(jiǎn)化，芯片是尺寸為1 mm×1 mm×0.1 mm的方塊，功率為1 W，反光碗初步設(shè)置為底部半徑為1.2 mm、頂部半徑為1.4 mm、深度為0.4 mm的圓錐形，由8顆1 W的芯片以圓形組合排列，結(jié)構(gòu)如圖2所示。

圖2 8 W LED集成光源模型示意圖

2 模擬仿真分析

2.1 大功率LED排列方式

在TracePro中建立反光碗模型的初始尺寸，即頂部半徑為1.4 mm、底部半徑為1.2 mm、深度為0.4 mm，內(nèi)部涂敷鋁層，反射比為0.83。常見(jiàn)金屬反射比如表1所示。LED芯片尺寸為1.0 mm×1.0 mm×0.1 mm，放置在反光碗底部中央，然后將8顆1 W大功率LED分別以半徑為10 mm、11 mm、12 mm、14 mm的圓形進(jìn)行排列，并進(jìn)行光線追跡，分析輻照度結(jié)果和配光曲線，結(jié)果如表2所示。從表2可以看出，8顆大功率LED芯片以圓形進(jìn)行排列時(shí)，圓形半徑尺寸的變化對(duì)出光情況影響較小，可以根據(jù)法向最大光強(qiáng)值選定圓形半徑尺寸。

表1 常見(jiàn)金屬反射比

表2 不同圓形半徑排列的仿真結(jié)果

2.2 反光碗尺寸的影響

根據(jù)上述結(jié)果，選定LED圓形排列的半徑為10 mm，分別討論底部半徑（張角）、深度對(duì)LED芯片出光的影響，反光碗模型如圖3所示。反光碗的初始尺寸為頂部半徑1.4 mm、深度0.4 mm，底部半徑分別為1.2 mm、1.0 mm、0.9 mm、0.8 mm，進(jìn)行建模仿真分析。4種底部半徑的反光碗的配光仿真結(jié)果如圖4、表3所示。從出光效率、最大光強(qiáng)等綜合結(jié)果可以看出，隨著底部半徑的減小，出光效率會(huì)有所增加，這是因?yàn)閺埥窃酱?，反光碗?nèi)壁的反射次數(shù)會(huì)減少，而且法向方向的最大光強(qiáng)會(huì)先增大后減小。經(jīng)綜合比較，底部半徑為1.0 mm時(shí)，出光效果最佳。

表3 不同反光碗底部半徑的出光仿真結(jié)果

圖3 反光碗模型輪廓圖

圖4 不同反光碗底部半徑的配光曲線

選定底部半徑為1.0 mm，分別以1.0 mm、0.8 mm、0.6 mm、0.4 mm為深度進(jìn)行反光碗建模仿真，配光曲線結(jié)果如圖5所示，出光結(jié)果如表4所示。可以看出，隨著深度的不斷減小(相當(dāng)于反光碗張角不斷增大)，出光效率有所增加，但是最大光強(qiáng)會(huì)先增大后減小。

表4 不同反光碗深度的出光仿真結(jié)果

圖5 不同反光碗深度的配光曲線

2.3 硅膠折射率的影響

集成封裝時(shí)需要使用環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠等材料將芯片包封起來(lái)，以免芯片電極在空氣中氧化。綜合比較硅膠與環(huán)氧樹(shù)脂的耐紫外線、壽命、透光率等性質(zhì)后，選用硅膠作為包封材料。根據(jù)上述建模仿真結(jié)果，選用底部半徑為1.0 mm、深度為0.6 mm的反光碗，硅膠的透光率為98%。為了降低硅膠透鏡形狀對(duì)出光的影響，將硅膠進(jìn)行反光碗平面填充，分別設(shè)置硅膠的折射率為1.44、1.58、1.60，研究不同折射率的硅膠對(duì)芯片出光的影響。建模仿真結(jié)果如圖6、表5所示。從仿真結(jié)果可以看出，硅膠的折射率越大，出光效率越小。

表5 不同硅膠折射率的出光仿真結(jié)果

圖6 不同硅膠折射率的配光曲線

3 結(jié)論

文章分別以反光碗底部尺寸、深度、硅膠折射率為變量，研究LED的封裝結(jié)構(gòu)對(duì)芯片出光效率和法向最大光強(qiáng)的影響。通過(guò)一次配光建模仿真設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn)，反光碗底部半徑越小、深度越深，出光效率越高，法向最大光強(qiáng)先增大后減??；硅膠折射率越小，出光效率越高，法向最大光強(qiáng)越大。最終得到最優(yōu)的仿真設(shè)計(jì)，即反光碗底部半徑為1.0 mm、深度為0.6 mm、硅膠折射率為1.44時(shí)，出光效率最高，為76.5%，法向最大光強(qiáng)為2 130 cd。文章的研究規(guī)律對(duì)LED的封裝工藝具有實(shí)際意義。