王秋芹,葛金龍,韓林松,陳付良,黃曉晨
(蚌埠學(xué)院 安徽省硅基新材料工程實(shí)驗(yàn)室,安徽 蚌埠 233030)
目前,我國(guó)的環(huán)境污染主要來(lái)源于兩個(gè)方面,一是國(guó)民的日常生活產(chǎn)生的各種污染物,二是遍布各地的工廠排放的廢氣、廢水、廢渣等一系列有毒有害物質(zhì)[1],這些污染物通過(guò)直接排放或經(jīng)過(guò)酸雨、生物分解等形式最終流向我們的飲用水源中,嚴(yán)重威脅著人們的身體健康。更重要的是根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示[2],地球上仍然還有11億人缺乏淡水,有一半人口仍生活在缺水區(qū)域。如何解決水資源問(wèn)題,不僅僅要開(kāi)源節(jié)流,污水凈化也是目前解決淡水缺乏的重要方法之一。近年來(lái),光催化劑作為一個(gè)高效、環(huán)保、低成本的降解工業(yè)有機(jī)廢水的技術(shù)得到了科研人員越來(lái)越高的重視。
Bi2O3和ZrO2兩種材料均是一種價(jià)格低廉應(yīng)用廣泛的材料。雖然兩種材料均在高效催化劑領(lǐng)域取得一定的研究與應(yīng)用進(jìn)展,但兩種材料具有禁帶寬度較大、可見(jiàn)光響應(yīng)低、光生載流子復(fù)合率高等缺點(diǎn),這制約了其后續(xù)的快速發(fā)展。馬穎等人[3]通過(guò)Zr摻雜Bi2O3實(shí)現(xiàn)光催化效率的大幅提升,是商業(yè)P25型納米TiO2的41倍。Kumaravel等人[4]通過(guò)構(gòu)建具有更好光吸收的Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料體系,實(shí)現(xiàn)其優(yōu)異的光催化還原Cr性能。但目前對(duì)Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料在光催化降解有機(jī)物方面研究相對(duì)較少。在光催化劑的改性中,通常采用構(gòu)建具有微納米結(jié)構(gòu)的材料體系、離子摻雜[5]、半導(dǎo)體復(fù)合[6]、提高比表面積等方法提高光催化劑的性能,但是多種改性方法組合應(yīng)用的研究相對(duì)較少。
本研究采用簡(jiǎn)單的溶液燃燒法制備Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料,通過(guò)構(gòu)建具有差異性半導(dǎo)體能級(jí)的Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料,提高光生電荷的分離。并通過(guò)結(jié)晶性調(diào)控、離子摻雜進(jìn)行對(duì)Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料改性,在摻雜的同時(shí)考慮粒徑尺寸、比表面積、禁帶寬度和金屬元素的價(jià)態(tài)等因素的綜合影響,實(shí)現(xiàn)Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料光催化性能的大幅提高,為復(fù)合材料在光催化領(lǐng)域的應(yīng)用提供一種多重改性的理論思路。
制備Bi3+與Zr4+的原子比為n(Bi3+): n(Zr4+)=1:1的樣品,稱量好藥品后置于燒杯中,加入檸檬酸[7],與水混合均勻。取一定量混合液轉(zhuǎn)入燒舟,然后將其推入管式爐內(nèi)煅燒,得到樣品。
采用X射線衍射儀(SmartLab SE型)對(duì)樣品物相進(jìn)行分析,采用激光粒度分布儀(BT-2003型)對(duì)樣品粒度進(jìn)行分析,采用紫外分光光度計(jì)(UV-9000S型)對(duì)樣品的光催化性能進(jìn)行分析。
從不同煅燒溫度下制備的Bi2O3/ZrO2粉體XRD 圖譜中可以看出(見(jiàn)圖1),所制備樣品同時(shí)顯示Bi2O3與ZrO2的物相,樣品為Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料。有文獻(xiàn)[8]指出,衍射峰的強(qiáng)度和尖銳程度與樣品的結(jié)晶程度和晶粒尺寸有關(guān),采用溶液燃燒法制備樣品時(shí)煅燒溫度對(duì)產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)影響比較顯著,得到的樣品常顯示晶型不好或呈無(wú)定型結(jié)構(gòu)。對(duì)比圖1中不同溫度的XRD,在600 ℃下制得樣品的結(jié)晶性最好,500 ℃下制得樣品結(jié)晶性最差,這是由于溶液燃燒的反應(yīng)溫度較低,熱處理溫度不足,導(dǎo)致結(jié)晶性較差。但當(dāng)溫度提高到700 ℃時(shí)結(jié)晶性同樣較差,可能是因?yàn)楦邷匮杆偃紵姆磻?yīng)過(guò)于劇烈,導(dǎo)致產(chǎn)生的晶核尺寸太小,短時(shí)間的熱處理不利于結(jié)晶性的提高。
圖1 不同溫度下制備的Bi2O3/ZrO2粉體XRD 圖譜
對(duì)不同溫度下制備的Bi2O3/ZrO2復(fù)合材料進(jìn)行光催化降解甲基橙的性能研究(見(jiàn)圖2)。600 ℃煅燒樣品在紫外光照射4 h后對(duì)甲基橙的降解率高達(dá)70.3%,而500 ℃、700 ℃煅燒條件所制得的樣品同等條件下對(duì)甲基橙的降解率僅為35.3%、68.3%。對(duì)比XRD數(shù)據(jù),600 ℃最優(yōu)結(jié)晶性的樣品表現(xiàn)出最佳的光催化性能,因此在制備Bi2O3/ZrO2復(fù)合半導(dǎo)體時(shí)通過(guò)提高結(jié)晶性,可有效提高其光催化性能。
圖2 不同溫度下制備的Bi2O3/ZrO2粉體 對(duì)甲基橙的降解效率圖
在600 ℃煅燒溫度下,本文嘗試通過(guò)Fe3+、Ce4+的摻雜來(lái)進(jìn)行Bi2O3/ZrO2粉體的改性。所制備的摻雜樣品與未摻雜樣品對(duì)比,衍射峰的位置并沒(méi)有改變,對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)卡片,摻雜樣品仍然只有ZrO2和Bi2O3的晶相。因此Fe3+、Ce4+這兩種離子摻入Bi2O3/ZrO2粉體后并沒(méi)有影響樣品主體的晶型,也沒(méi)有引入雜相,可以認(rèn)為離子取代了Bi3+或Zr4+的位置,進(jìn)入氧化物的晶格,屬于代位式摻雜。
圖3 (a) Fe3+;(b) Ce4+離子摻雜Bi2O3/ZrO2粉體的XRD圖譜
對(duì)不同離子不同濃度摻雜的Bi2O3/ZrO2粉體的光催化性能研究分析,在紫外光照射4h下,粉體摻雜1% Fe3+的樣品對(duì)甲基橙的降解率為75.3%,優(yōu)于未摻雜樣品的光催化降解率70.3%。而隨著Fe3+摻雜量的增加,光催化性能反而下降。對(duì)不同濃度Ce4+的摻雜研究,隨摻雜量增加,在2%時(shí)光催化性能效果最好,最大降解率為85.7%,但隨著Ce4+摻雜量的繼續(xù)增加,光催化效率有所下降,當(dāng)摻雜達(dá)到4%時(shí),光催化效率反而低于未摻雜樣品。
圖4 (a) Fe3+;(b) Ce4+離子摻雜Bi2O3/ZrO2粉體對(duì)甲基橙的降解效率圖
選取三個(gè)典型的樣品,未摻雜Bi2O3/ZrO2粉體以及1% Fe3+、2% Ce4+的樣品進(jìn)行紫外可見(jiàn)吸收分析,并利用截線法[9]計(jì)算出不同樣品的吸收波長(zhǎng)閾值,使用公式Eg=1240/λg計(jì)算出樣品的禁帶寬度,最終結(jié)果如表1所示。由表1可知,Bi2O3/ZrO2粉體摻雜后禁帶寬度都比未摻雜的小,說(shuō)明摻入離子減小了樣品的禁帶寬度,可促進(jìn)光生電子和空穴的分離,提高樣品的光催化性能。Bi2O3/ZrO2粉體摻入其他離子后,根據(jù)XRD分析顯示Fe3+和Ce4+取代了Bi3+或Zr4+的位置,在氧化物中形成了摻雜能級(jí)。
表1 樣品的吸收波長(zhǎng)閾值(λg)及禁帶寬度(Eg)
在紫外光照射下,光生電子由摻雜能級(jí)進(jìn)入導(dǎo)帶,或者光生空穴由價(jià)帶進(jìn)入到摻雜能級(jí),還有Bi2O3與ZrO2半導(dǎo)體能級(jí)之間的差別導(dǎo)致的電荷分離以及本征激發(fā),多種形式使得禁帶寬度減小,光吸收波長(zhǎng)閾值紅移,光生電子——空穴對(duì)更加容易分離。光生空穴將催化劑表面的 OH-氧化為·OH,生成的·OH 進(jìn)一步氧化甲基橙,從而能提高樣品的光催化活性。
對(duì)不同離子不同濃度摻雜Bi2O3/ZrO2粉體的粒度分布及比表面積進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果如表2所示。未摻雜Bi2O3/ZrO2粉體的比表面積為7.06 m2/g,90%的粉體顆粒尺寸小于4.13 μm。當(dāng)Fe3+的摻入量為1%時(shí),90% 樣品的顆粒尺寸小于3.56 μm,摻雜有助于提高比表面積,而比表面積的提高有效增強(qiáng)了光催化效果。當(dāng)Fe3+摻雜量大于1%時(shí),樣品顆粒尺寸明顯增大,比表面積顯著減小,但樣品XRD的半峰寬沒(méi)有明顯變化,認(rèn)為這種差異性是因?yàn)镕e3+的加入促進(jìn)顆粒產(chǎn)生了團(tuán)聚,導(dǎo)致顆粒尺寸增大,團(tuán)聚嚴(yán)重影響樣品的光催化效率。
表2 不同離子摻雜Bi2O3/ZrO2粉體的粒度分布及比表面積
Bi2O3/ZrO2粉體摻入Ce4+后顆粒尺寸明顯減小,Ce4+的摻入量為2%時(shí)樣品的顆粒尺寸最小,比表面積最大,90%的樣品尺寸小于0.87 μm,比表面積為10.02 m2/g。比表面積的大幅提升,會(huì)明顯提高樣品的光催化效率,在2% Ce4+摻雜時(shí)光催化效果最好,最大降解率為85.7%。但在4% Ce4+摻雜時(shí),雖然比表面積相較未摻雜樣品有所提高,但光催化效果反而降低。這歸因于高價(jià)離子摻雜不利于p型半導(dǎo)體的光催化性能。因此可以得出這樣的結(jié)論:對(duì)Bi2O3/ZrO2粉體的摻雜,降低粒徑尺寸,提高比表面積有助于光催化性能的提高,但當(dāng)高價(jià)態(tài)金屬摻雜過(guò)多時(shí),會(huì)引入過(guò)多的剩余電子,反而抑制了光催化性能。
文獻(xiàn)報(bào)道[10], Bi2O3的導(dǎo)帶為3.13 eV,價(jià)帶為0.33 eV,ZrO2的導(dǎo)帶為3.91 eV,價(jià)帶為-1.09 eV。所以ZrO2和Bi2O3如果相接觸會(huì)處于嵌套結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)不利于光生電子——空穴對(duì)的有效分離。但如一些文獻(xiàn)所述[11],β-Bi2O3是一種費(fèi)米能級(jí)接近導(dǎo)帶的n型半導(dǎo)體,ZrO2屬于p型半導(dǎo)體,所以當(dāng)兩者緊密接觸后,可以在交界面形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),如圖5所示。
圖5 Bi2O3/ZrO2粉體催化降解示意圖
當(dāng)Bi2O3與ZrO2吸收光能后,產(chǎn)生光生電子——空穴對(duì),由于異質(zhì)結(jié)的形成,且ZrO2的導(dǎo)帶邊緣底部比Bi2O3的高,光生電子很容易從ZrO2的導(dǎo)帶快速轉(zhuǎn)移到Bi2O3的導(dǎo)帶,直到兩個(gè)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)達(dá)到平衡,最終結(jié)果是在Bi2O3與ZrO2的異質(zhì)結(jié)上建立電場(chǎng)。在光照條件下,Bi2O3與ZrO2都被激發(fā)產(chǎn)生電子——空穴對(duì),受界面電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),電子被轉(zhuǎn)移到新的導(dǎo)帶上,空穴被轉(zhuǎn)移到新的價(jià)帶上[12]。因此,在Bi2O3與ZrO2異質(zhì)結(jié)的界面上成功實(shí)現(xiàn)的光生電子——空穴對(duì)的有效分離,從而提高異質(zhì)結(jié)的光催化性能。這個(gè)推斷可以通過(guò)復(fù)合半導(dǎo)體的禁帶寬度為3.2 eV,處于Bi2O3與ZrO2的禁帶寬度值中間來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證。
光催化劑的活性受結(jié)晶程度、晶相、比表面積、禁帶寬度等的影響。過(guò)渡族金屬元素?fù)诫s可以在半導(dǎo)體中引入摻雜能級(jí),既能夠拓寬對(duì)光譜的響應(yīng)范圍,又能夠減少光生電子——空穴的復(fù)合,增強(qiáng)半導(dǎo)體的光催化性能。Fe3+作為過(guò)渡族金屬元素之一,自然界中易獲取,其離子半徑與Zr4+接近,更容易摻入Bi2O3/ZrO2內(nèi),提高光催化性能。稀土離子具有特殊的電子結(jié)構(gòu),容易釋放被捕獲的電子,有效提高光催化活性。在稀土元素中,Ce具有的獨(dú)特的4f電子構(gòu)型,可形成Ce3+/Ce4+氧化——還原偶對(duì),促進(jìn)氧空穴的形成及體相氧循環(huán)[13],提高催化劑的光催化活性。當(dāng)Bi2O3/ZrO2中摻入1%的Fe3+或2%的Ce4+時(shí),比表面積增大,甲基橙分子可以有效的吸附在復(fù)合半導(dǎo)體表面,快速的與光生載流子發(fā)生反應(yīng);禁帶寬度減小,樣品更容易被激發(fā),產(chǎn)生更多的光生載流子[14],這些都表明樣品的光催化性能得到了提高。
采用簡(jiǎn)單的溶液燃燒法制備Bi2O3/ZrO2復(fù)合半導(dǎo)體,通過(guò)研究不同的煅燒溫度,得出在600 ℃保溫20 min的條件下所得到的Bi2O3/ZrO2復(fù)合物結(jié)晶性最好,有助于光催化效率的提高,在紫外光照射4 h后光催化效率可以達(dá)到70.3%。
通過(guò)摻雜不同量的Fe3+、Ce4+來(lái)進(jìn)行Bi2O3/ZrO2粉體的改性,通過(guò)光催化性能的分析討論,可以得到如下結(jié)論:在進(jìn)行摻雜時(shí),提高比表面積,調(diào)控材料禁帶寬度發(fā)生紅移,有助于光催化性能的提高。但在摻雜的同時(shí)需考慮摻雜金屬的價(jià)態(tài)與主體材料的半導(dǎo)體性質(zhì)。對(duì)于Bi2O3/ZrO2粉體而言,摻雜過(guò)多高價(jià)態(tài)金屬時(shí),即使提高比表面積,調(diào)控材料禁帶寬度發(fā)生紅移,但由于摻雜材料本身的電子——空穴復(fù)合,也不利于光催化性能的提高。