汪寧波, 仲兆平, 杜浩然
(東南大學(xué) 能源熱轉(zhuǎn)換及其過程測(cè)控教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 江蘇 南京 210096)
As 在元素周期表中屬于第V 主族,它是具有金屬特性的非金屬元素。砷的常見價(jià)態(tài)為三價(jià)和五價(jià),其中三價(jià)砷的毒性約為五價(jià)砷的50 倍[1]。砷及其化合物具有致癌、毒性大等特點(diǎn)。在我國,燃煤及垃圾焚燒造成的As 排放是我國大氣中As 的主要來源。在燃燒、熱解及氣化過程中,燃煤和城市生活垃圾中的砷在較低的溫度時(shí)大部分會(huì)進(jìn)入氣相。當(dāng)燃煤和垃圾燃燒時(shí),砷的主要存在形式為三價(jià)的氧化物(As2O3和As4O6)。當(dāng)以熱解、氣化手段處理時(shí)[2,3],溫度較低(400~600 ℃)時(shí)砷的主要存在形式為As2、As4及AsH3。因此脫除砷及其污染物就是針對(duì)這些特征污染物采取經(jīng)濟(jì)、高效的處理措施。
As 及其污染物的控制技術(shù)眾多[4]。在燃煤電廠中可分為燃燒前脫砷、燃燒中脫砷及燃燒后脫砷,其中燃燒后脫砷可利用現(xiàn)有設(shè)備和吸附劑脫砷[5]。根據(jù)材料的不同,砷的吸附劑可分為活性炭[6-7]、金屬氧化物及黏土礦物等[8-9]。Wang 等[10-11]考察了多種添加劑,發(fā)現(xiàn)氧化銅與沸石、活性炭等的復(fù)合添加劑在低溫條件及合成氣中能夠較好地去除砷。Lachas 等[12]研究發(fā)現(xiàn)高嶺土和活性炭在低溫時(shí)(450 ℃)都能很好地保留氣態(tài)的砷,而高嶺土因較高的捕集率及較低的浸出率優(yōu)于活性炭。吸附劑的改性及復(fù)合具有比單一吸附劑更加有效、穩(wěn)定的去除效果。高嶺土改性方法有插層、負(fù)載等[13],但其吸附作用的機(jī)理相對(duì)復(fù)雜[14]。趙鵬飛[15]基于密度泛函理論研究活性炭對(duì)Hg0的氧化機(jī)理,通過不同的改性手段可以增加汞的吸附途徑及汞氧化物的穩(wěn)定性。潘紅[16]對(duì)鐵載凹凸棒土吸附氧化砷前后的偏態(tài)密度進(jìn)行分析,鐵砷鹽的曲線左移表明產(chǎn)物原子具有更加穩(wěn)定的狀態(tài)。本研究采用密度泛函理論(DFT)研究高嶺土負(fù)載氧化銅后去除還原態(tài)砷的機(jī)理,為開發(fā)高效脫除砷的固體吸附劑提供理論依據(jù)。
氧化銅、氧化鐵、高嶺土規(guī)格均為分析純,購自阿拉丁上海有限公司。實(shí)驗(yàn)在固定床上進(jìn)行,載氣為N2。
計(jì)算采用Materials Studio 8.0 計(jì)算軟件中的CASTEP 模塊,高嶺土晶體的幾何優(yōu)化的交換關(guān)聯(lián)參數(shù)采用GGA-PBE(Perdew-Burke-Ernzerh of generalized gradient approximation)函數(shù)[17]。平面波截?cái)嗄苓x取460 kJ·mol-1。自洽場(chǎng)的收斂精度設(shè)為Medium,具體參數(shù)為單位原子能量2.0×10-6eV[18]。幾何優(yōu)化后高嶺土原始晶胞具體參數(shù)為:a=0.514 9 nm,b=0.893 4 nm,c=0.738 4 nm,α=91.930°,β=105.042°,γ=89.791°,V=0.327 843 nm3。這些數(shù)值與Fang 等[19]的計(jì)算值以及高嶺土的實(shí)驗(yàn)測(cè)量值[20]接近,它們之間的誤差不超過2%,說明計(jì)算結(jié)果合理[21]。
超晶胞表面模型由單晶胞沿(001)面切出,高嶺土(001)面采用2×1×1 的超晶胞模型。砷及其污染物:As2、As4及AsH3分子的幾何優(yōu)化在1 nm×1 nm×1 nm的立方體空間中進(jìn)行。布里淵區(qū)k點(diǎn)采用Gamma only,與表面吸附模型的k點(diǎn)設(shè)置相同。其他具體幾何優(yōu)化參數(shù)與高嶺土的原始晶胞幾何優(yōu)化參數(shù)保持一致[21]。
高嶺土的原子數(shù)較多,表面復(fù)雜,因此需要考慮砷污染物在(001)面上不同的吸附位點(diǎn)的吸附情況。高嶺土(001)面上的吸附位點(diǎn)可分為3 種類型:空心位(H)、頂點(diǎn)位(T)及橋位(B)。又考慮到高嶺土表面的對(duì)稱性,因此選取16 個(gè)吸附位點(diǎn),如圖1 所示。
圖1 吸附位點(diǎn)示意圖Fig.1 Schematic diagram of adsorption sites
經(jīng)過超晶胞形成的(001)吸附表面,首先要確定高嶺土(001)面上不同的放置位點(diǎn),根據(jù)陳軍等[22]的研究,高嶺土(001)面上的空洞位置具有最小的吸附能,因此氧化銅初始放置在高嶺土表面的空洞點(diǎn)上方??紤]吸附分子的2 種吸附方式:水平吸附和垂直吸附。計(jì)算后高嶺土-氧化銅模型最穩(wěn)定的構(gòu)型結(jié)合能為-139.58 kJ·mol-1,模型結(jié)構(gòu)如圖2 所示。
圖2 高嶺土-氧化銅模型Fig.2 Configuration of CuO/kaolinite
As2、As4及AsH3的分子模型及吸附方式如圖3 所示[23]。
圖3 砷污染物的分子模型及吸附方式Fig.3 Configurations and patterns of arsenic molecular
如圖4 所示為還原氣氛下3 種砷污染物分子以及高嶺土-氧化銅表面的前線軌道示意圖,該計(jì)算采用Materials Studio 8.0 計(jì)算軟件中DMOL3模塊進(jìn)行能量?jī)?yōu)化。As2分子的最高占有分子軌道(HOMO)位于該分子2 個(gè)原子的一側(cè);As4分子的HOMO 則是集中處在As 原子中間;AsH3分子的最高占有分子軌道分布于3 個(gè)氫原子形成的三角面上。高嶺土-氧化銅結(jié)合后形成的最低空分子軌道(LUMO)主要分布于氧原子的上方及銅原子的外側(cè),其次在高嶺土(001)面上的位于氧化銅下方的第二層氧原子上分布。根據(jù)前線軌道理論[24],物質(zhì)在最高占有軌道(HOMO)和最低空分子軌道(LUMO)具有高反應(yīng)活性,通常反應(yīng)發(fā)生在一種反應(yīng)物的HOMO 和另一反應(yīng)物的LUMO 之間。由此可以看出3 種砷污染物分子在高嶺土-氧化銅表面上發(fā)生的反應(yīng),將優(yōu)先與氧原子和銅原子進(jìn)行。依此分為2 個(gè)吸附位點(diǎn),I 點(diǎn)和II 點(diǎn)。
圖4 前線軌道示意圖Fig.4 Frontier orbital of arsenic molecular and CuO/kaolinite
高嶺土-氧化銅吸附還原氣氛下砷污染物的吸附能計(jì)算公式為
式中:Ea為體系的吸附能,kJ·mol-1;Et為砷污染物吸附在高嶺土-氧化銅表面上的總能量,kJ·mol-1;ECuO/kaolinite為氧化銅與高嶺土結(jié)合后體系總能量,kJ·mol-1;Ead為吸附前砷污染物的總能量,kJ·mol-1;吸附能的大小表示吸附作用的強(qiáng)弱,吸附能越小表示吸附劑對(duì)污染物的吸附作用越強(qiáng)。
如圖5 所示為不同吸附劑對(duì)還原態(tài)砷的吸附量。從圖中可以看出,與單組分添加劑相比,相同條件下高嶺土-氧化銅復(fù)合添加劑具有更高的吸附量,單獨(dú)組分高嶺土、氧化銅的吸附量分別為3.55、3.84 mg·g-1,而復(fù)合后的添加劑的吸附量升高至11.65 mg·g-1,去除效果得到顯著增強(qiáng)。
圖5 不同吸附劑對(duì)還原態(tài)砷的吸附量Fig.5 Adsorption capacities of reduced arsenic by different adsorbents
如表1 所示為As2、As4及AsH3在高嶺土(001)面上不同吸附位點(diǎn)的吸附能計(jì)算結(jié)果。表中Vertical 為單個(gè)砷原子朝下放置,Vertical1為單個(gè)H 原子朝下放置。
表1 3 種分子的吸附能及位點(diǎn)Table 1 Adsorption energies and sites of three molecules kJ·mol-1
3 種分子在高嶺土表面上吸附產(chǎn)生的吸附能皆為正值,吸附能為負(fù)值時(shí)表示吸附劑能夠與吸附質(zhì)產(chǎn)生較強(qiáng)的物理、化學(xué)作用。而吸附能為正值,有以下推測(cè):1) 高嶺土對(duì)于還原氣氛下砷及其污染物不能產(chǎn)生吸附效果或吸附效果較差;2) 高嶺土與此3 種污染物反應(yīng)時(shí)需要外來能量參與,來克服吸附這些物質(zhì)時(shí)存在的能量壁壘。吸附前后位點(diǎn)沒有發(fā)生改變也驗(yàn)證這一推測(cè)。不同的吸附方式會(huì)影響高嶺土(001)面對(duì)這3 種物質(zhì)的吸附效果。
如表2 所示為還原氣氛下3 種砷污染物分子As2、As4及AsH3在高嶺土-氧化銅表面上吸附穩(wěn)定后得出的吸附能。吸附前3 種分子共7 種方式放置在吸附I 點(diǎn)和II 點(diǎn),從表中可以看出,吸附計(jì)算完成后,As2及As4分子在高嶺土-氧化銅面上的幾何最優(yōu)化位置為吸附II 點(diǎn),即靠近銅原子端的位點(diǎn),兩者在該點(diǎn)處吸附能最小,分別為-180.48 和-154.46 kJ·mol-1。AsH3分子的幾何最優(yōu)吸附點(diǎn)則位于吸附I 點(diǎn),即靠近氧原子端的位點(diǎn),吸附能為-130.27 kJ·mol-1。與3.1 中結(jié)論相似,在不同的吸附方式下,As2、As4及AsH3以垂直方式放置時(shí),最終的吸附能較小,說明垂直吸附更加穩(wěn)定。As4體系的4 個(gè)吸附能整體相對(duì)其他體系的吸附能較小,說明高嶺土負(fù)載氧化銅對(duì)As4的吸附效果最好。
表2 3 種分子在高嶺土-氧化銅上的吸附能Table 2 Adsorpti onenergiesof threearsenicmoleculeson CuO/kaolinite kJ·mol-1
根據(jù)吸附能的大小,初步可以得出3 種分子在高嶺土-氧化銅表面上吸附的最穩(wěn)定模型。如圖6 所示為As2、As4及AsH3分子在高嶺土-氧化銅上的穩(wěn)定構(gòu)型。從圖6 中可以看出在這些穩(wěn)定的的構(gòu)型中砷污染物的分子與負(fù)載在高嶺土上的氧化銅均發(fā)生了結(jié)構(gòu)改變,但沒有發(fā)生分子結(jié)構(gòu)的解離。在As2、As4形成的構(gòu)型中,氧化銅出現(xiàn)了不同程度的翹起,As4的分子結(jié)構(gòu)也發(fā)生了改變。AsH3形成的構(gòu)型中As-H 鍵變長(zhǎng),氧化銅翹起程度較小。3 種穩(wěn)定的構(gòu)型與前線軌道理論的推測(cè)相符合。
圖6 3 種分子吸附在高嶺土-氧化銅表面上的穩(wěn)定構(gòu)型Fig.6 Stable configurations of three arsenic molecules on CuO/kaolinite surface
如表3 所示為As2、As4及AsH33 種分子分別在高嶺土-氧化銅上吸附后,形成的穩(wěn)定構(gòu)型中它們的Mulliken 電荷分析和鍵布分析。表中AP(Arsenic Pollution)為3 種砷污染物。
表3 3 種穩(wěn)定構(gòu)型的Mulliken 電荷分析和鍵布居Table 3 Mulliken charge and bond population of three stable configurations
通過對(duì)吸附前后砷污染物、CuO 及高嶺土的Mulliken 電荷分析,得到吸附劑與吸附質(zhì)在吸附反應(yīng)前后原子的電子得失,進(jìn)而比較三者在反應(yīng)前后的電荷變化。電荷變化根據(jù)式(2)得到[25]
式中:Δq為反應(yīng)前后的電荷變化,C;qa為吸附后凈Mulliken 電荷,C;qb為吸附前凈Mulliken 電荷,C。As2、As4及AsH3在各自體系失去了電子,其值分 別 為 4.48×10-20、 5.92×10-20、4.48×10-20C。其失去的電子分別由吸附劑中的CuO 和高嶺土得到,分別為4.32×10-20、5.76×10-20、4.96×10-20、1.60×10-21C。CuO 得到了較多的電子,表現(xiàn)出較強(qiáng)的氧化作用[26]。體系中AsH3與高嶺土表面均失去電荷,CuO 得到了所有電子??赡芘cAsH3的組成結(jié)構(gòu)和AsH3與氧化銅上形成的鍵不同有關(guān)。
在3 種體系中高嶺土得到或失去的電荷相對(duì)較少,CuO 承擔(dān)了大部分的電荷變化,說明氧化銅是吸附作用的主要活性物質(zhì)。表2 中列出了負(fù)載在高嶺土表面的氧化銅上的活性氧原子分別與3 種還原氣氛下污染物中As 原子及H 原子形成了較強(qiáng)作用的化學(xué)鍵(O37 為氧化銅上O 原子,As1、As2 和H19 分別為不同污染物上的原子)。三者的布居數(shù)較大,分別為0.29、0.31 及0.58。與之對(duì)應(yīng)的O─As 鍵和O─H鍵的鍵長(zhǎng)分別為0.179、0.179、0.099 nm。鍵長(zhǎng)的計(jì)算值與Steckel 等[27-30]的研究結(jié)果接近,說明體系中O 和As 原子可能形成了與As2O3、AsO 及AsO2相同的鍵。
如圖7 所示為As2、As4及AsH3幾何優(yōu)化后形成3 種穩(wěn)定構(gòu)型的差分電荷密度圖,藍(lán)色表示電子的獲得,黃色表示電子的損失,體現(xiàn)出反應(yīng)中電子密度的變化[33]。從圖中可看出,3 種分子中與氧化銅翹起一端上的O 原子靠近的As 原子、H 原子具有明顯的電子的消耗情形。轉(zhuǎn)移的電子均聚積在O 原子上。3 種分子的吸附體系的電荷轉(zhuǎn)移程度相差不大,與此同時(shí),As2和As4體系中高嶺土表面上氧原子周圍也存在一定體積的電荷轉(zhuǎn)移,而AsH3體系中基本上只能看到代表電子消耗的黃色區(qū)域。綜上與3.3 節(jié)中3 種體系的Mulliken 電荷布居分析相符合。
圖7 吸附后三體系的差分電荷密度圖Fig.7 Electron density difference of three systems after adsorption
如圖8 所示為As2、As4及AsH3與高嶺土-氧化銅吸附前后各原子的態(tài)密度變化,圖中,PDOS 為單位能量的電子數(shù)偏態(tài)密度。對(duì)于As2構(gòu)成的Kaolinite-CuO-As2體系中,O 原子的s 軌道與As 原子的s、p軌道分別在-18.7、-11.2、-7.9、-3.9、-1.8 eV 處重疊,O 原子的p 軌道與As 原子的s、p 軌道于-18.7、-11.2、-7.9、-6.9、-4.6、-0.6、+2.0、+4.5 eV 發(fā)生共振,O 和As 的p 軌道在-1.6、-3.8 eV 的能量處也發(fā)生了重疊現(xiàn)象。O 原子的p 軌道與As 原子的s、p 軌道在多處重疊地較好,說明成鍵的強(qiáng)度較高[31]。在AsH3吸附形成的表面上,H 和O 的軌道共振僅發(fā)生在2 個(gè)能量處,且相互共振的幅度較小,這可能是氫鍵的作用較弱。
圖8 吸附前后穩(wěn)定構(gòu)型中O 原子、As 原子與H 原子的偏態(tài)密度Fig.8 PDOS results of atoms before and after adsorption on CuO/kaolinite
高嶺土負(fù)載氧化銅吸附As4(Kaolinite-CuO-As4)體系中的O 原子和As 原子的s、p 軌道均互相發(fā)生了共振,在能量為-20 ~5 eV,其重疊的區(qū)域較為密集,局部區(qū)域O 原子的p 軌道與As 原子的s 軌道共振幅度相同。As 原子的p 軌道成鍵在+1.2~ +4.3 eV 處跨度較大,說明As p 的離域性較強(qiáng)[32]。離域性越強(qiáng),成鍵作用越強(qiáng),鍵長(zhǎng)也越短,此與表2 中鍵布分析O-As 鍵的鍵長(zhǎng)結(jié)果一致。從圖中可以看出As2、As4及AsH3與CuO 有較強(qiáng)的成鍵作用。成鍵強(qiáng)度大小為As4>As2>AsH3。比較吸附前后3 種分子中的As、H 以及高嶺土-氧化銅上的O 原子的分波態(tài)密度,可以得出統(tǒng)一的規(guī)律:吸附后成鍵的各原子的偏態(tài)密度(PDOS)整體向更低能量處遷移,表明吸附后原子的狀態(tài)更加穩(wěn)定。各原子的PDOS 跨度變大,離域性增強(qiáng),而AsH3的離域性較小,表明其更難被吸附。
As2、As4及AsH3以垂直方式吸附的吸附能最小。氧化銅主要得到電子,As2、As4及AsH3則失去大部分電子,高嶺土的電荷變化相對(duì)較小。砷及其化合物與氧化銅中的O 原子形成了強(qiáng)度較高的共價(jià)鍵和氫鍵。As2、As4及AsH3的成鍵強(qiáng)度從大到小為As4>As2>AsH3。吸附后體系的差分電荷密度圖直觀地表現(xiàn)了成鍵原子及(001)面上相鄰原子的電荷轉(zhuǎn)移情況,As 原子失去電子被氧化。比較高嶺土單獨(dú)吸附和高嶺土負(fù)載氧化銅后吸附3 種還原態(tài)砷的吸附能,可以看出,負(fù)載形成的復(fù)合添加劑對(duì)于砷的化學(xué)吸附作用得到顯著增強(qiáng)。研究結(jié)果為還原氣氛下砷的吸附劑開發(fā)提供了可靠的依據(jù)。