張國英,張安國,孟春雪

(沈陽師范大學 物理科學與技術學院,沈陽 110034)

0 引 言

十幾年來,石墨烯因其優(yōu)異的電學、機械、光學等性質(zhì)而受到廣泛關注,尤其是單層石墨烯電子遷移率極高,因而在微電子領域有著極大的潛力[1]。二硫化鉬(MoS2)是二維層狀過渡金屬硫?qū)倩?TMDCs)中的代表,塊體MoS2為間接帶隙,單層MoS2為直接帶隙,是用來制作光探測器的優(yōu)秀材料[2-5]。單層MoS2具有與石墨烯相似的結(jié)構,且可以晶格適配。由于石墨烯具有高電子遷移率和MoS2的光催化活性位點豐富的特點,MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)復合材料成為研究熱點之一[6-8]。危陽等[9]用第一性原理計算發(fā)現(xiàn),將石墨烯和MoS2制成異質(zhì)結(jié)后帶隙為1 meV;張秀云等[10]用第一性原理計算得到在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)中加入過渡金屬原子可以改變其能帶;張琪瑛[11]發(fā)現(xiàn),對石墨烯表面進行氫化后可以有效地改變石墨烯的能帶結(jié)構,且加入的氫原子越多,帶隙越寬。因此,本文采用第一性原理研究MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及其氫化后的結(jié)構穩(wěn)定性、電子性質(zhì)和光學性質(zhì)。本文通過對各個結(jié)構的結(jié)合能、體系結(jié)構、能帶結(jié)構、電子態(tài)密度及光吸收系數(shù)進行分析,研究結(jié)構穩(wěn)定性、電子性質(zhì)及光學性質(zhì)。

1 計算模型和方法

本文采用的是基于密度泛函理論的第一性原理MS(Material Studio)軟件中的CASTEP完成計算。選擇廣義梯度近似(GGA)中的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)[12],并利用Grimme的DFT-D方法來修正層間的范德瓦爾斯力[13]。在描述離子實與價電子之間的相互作用時,選取的價電子組態(tài)分別為C:2s22p2,S:3s23p4,Mo:4s24p64d55s1,布里淵區(qū)k點網(wǎng)格均選取為2×2×1,平面波截斷能設置為350 eV,對晶胞內(nèi)所有原子進行了完全弛豫,弛豫收斂精度為2.0×10-5eV/atom,原子間的力場收斂精度設置為0.5 eV/nm,最大應力設置為0.1 GPa,最大位移不超過2×10-4nm。

(a)正視圖;(b)頂視圖圖1 層狀MoS2Fig.1 Layered MoS2

采用GGA-PBE方法對六方相MoS2(空間群P63/mmc)的單胞進行幾何結(jié)構優(yōu)化,晶格常數(shù)為a=b=3.17 ?,c=12.32 ?;再對石墨烯的單胞同樣進行幾何結(jié)構優(yōu)化,晶格常數(shù)為a=b=2.46 ?。結(jié)果與實驗值的誤差均小于1%(實驗值:二硫化鉬a=b=3.16 ?,c=12.30 ?;石墨烯a=b=2.46 ?)[14]。MoS2具有層狀堆疊結(jié)構,從中剝離出層狀MoS2,屬于六角密堆結(jié)構,中間一層為Mo原子,上下兩層均為S原子,形成S-Mo-S的三明治結(jié)構(圖1)。為了使層狀MoS2與石墨烯的晶格匹配,制作MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)時采用的模型為3*3周期結(jié)構的層狀MoS2超晶胞和4*4周期結(jié)構的石墨烯超晶胞匹配(圖2(a)),為了避免周期性相互作用,真空層厚度設定為20 ?。再在異質(zhì)結(jié)表面加3個H(圖2(b)),5個H(圖2(c)),8個H(圖2(d)),上下加3個H,5個H,8個H(圖2(e)),上面加8個H下面加5個H(圖2(f))。

(a)MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)頂視圖;(b)MoS2/Gr+3H;(c)MoS2/Gr+5H;(d)MoS2/Gr+8H;(e)MoS2/Gr+8H+8H;(f)MoS2/Gr+8H+5H圖2 各體系結(jié)構圖Fig.2 Diagrams of various architectures

2 結(jié)果及討論

2.1 結(jié)構穩(wěn)定性

為了得到MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)的穩(wěn)定結(jié)構,石墨烯中的C原子固定在MoS2中六邊形的中心位置進行結(jié)構弛豫,得到圖2(a)的穩(wěn)定結(jié)構模型。經(jīng)過弛豫后,異質(zhì)結(jié)的層間距為3.39 ?,比石墨烯的層間距(4.01 ?)更短,說明MoS2與石墨烯為較弱的范德華力相結(jié)合。與復合前的單組份相比,復合后的結(jié)構幾乎沒有變化。MoS2及石墨烯的超晶胞的晶格常數(shù)分別為a1,a2,晶格失配率為a=(a1-a2)/a1。由此得到MoS2/Gr的晶格失配率大約為3.7%,小于5%,可視其為完全共格。

為了進一步討論結(jié)構穩(wěn)定性,計算了其結(jié)合能。MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)體系的所有原子與晶胞均被充分弛豫優(yōu)化,異質(zhì)結(jié)的結(jié)合能與對異質(zhì)結(jié)氫化時的氫原子結(jié)合能分別為

Eb=Et-EGr-EMoS2

其中:Et,EGr,EMoS2分別為異質(zhì)結(jié)體系的總能量、石墨烯和單層MoS2的能量;EH表示1個H原子的能量;n表示加入H原子的個數(shù);Eb為負值,其絕對值越大,表示結(jié)構越穩(wěn)定。

經(jīng)過計算,MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及氫化后的結(jié)合能Eb/eV,MoS2與石墨烯的層間距D/?,C原子與其表面H原子的最小間距LC—H/?、MoS2中的S原子與其表面H原子最小間距LS—H/?如表1所示。由表1可知,在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及其表面進行氫化后的8種結(jié)構的結(jié)合能都為負數(shù),其結(jié)構是穩(wěn)定的。MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)的層間距為3.39 ?,在石墨烯上表面氫化后,層間距會加大10%左右,不同體系的層間距與加入的H原子個數(shù)有關,且加入的H原子越多,層間距越大。在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)的上下表面分別氫化后,體系的層間距會加大,同樣遵循加入的H原子個數(shù)越多,體系的層間距越大的特點。但與只在上表面進行氫化相比,在上下表面同時進行氫化的體系層間距會相應地小一些(D3H

表1 MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及氫化后的結(jié)合能Eb/eV,層間距D/?,C—H間距LC—H/?,S—H間距LS—H/?Table 1 MoS2/Gr heterojunction and its hydrogenated binding energy Eb/eV,interlayer spacing D/?,C-H spacing LC-H/?,S-H spacing LS-H/?

2.2 電子性質(zhì)

為了研究MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及對異質(zhì)結(jié)表面進行氫化后的界面結(jié)構和電子性質(zhì),計算了前面提到的所有結(jié)構的能帶結(jié)構及態(tài)密度。圖3為單層MoS2,石墨烯和MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及氫化后異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構及態(tài)密度?？梢钥闯?單層MoS2顯示出高對稱G點位置的直接帶隙,禁帶寬度為1.648 eV(圖3(a)),實驗結(jié)果為1.8 eV。可以發(fā)現(xiàn)理論計算值略低于實驗值,這是因為密度泛函理論在計算帶隙時普遍存在不可避免的誤差,GGA近似往往會高估晶格常數(shù)并低估帶隙,但這并不影響帶隙結(jié)構及其他方面結(jié)果的分析。石墨烯表現(xiàn)為零帶隙(圖3(c)),價帶頂和導帶底均在K點。當將MoS2與石墨烯制成異質(zhì)結(jié)后,禁帶寬度變成了0.055 eV(圖3(e))。與石墨烯相比,異質(zhì)結(jié)的費米能級發(fā)生了移動,位于石墨烯狄拉克點的下方,費米能級位于MoS2的導帶底附近。并且石墨烯狄拉克點的位置高于單層MoS2價帶底的位置,即存在電勢差。對異質(zhì)結(jié)的石墨烯上表面進行氫化,MoS2/Gr+3H和MoS2/Gr+5H的帶隙均為零(圖3(g)和(i))。MoS2/Gr+8H的禁帶寬度為1.076 eV(圖3(k)),價帶頂和導帶底均處于G點,直接帶隙表現(xiàn)為半導體,與Si的帶隙(1.1 eV)較為相似。在對石墨烯上表面及MoS2下表面進行氫化后,MoS2/Gr+3H+3H和MoS2/Gr+5H+5H表現(xiàn)為零帶隙。MoS2/Gr+8H+8H的禁帶寬度為0.475 eV(圖3(m)),并且出現(xiàn)在高對稱G點位置的直接帶隙,與MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)相比明顯加寬了異質(zhì)結(jié)的帶隙。但是有3個H原子逃逸到晶胞之外,故計算了MoS2/Gr+8H+5H,禁帶寬度為0.220 eV(圖3(s))。由此不難看出,在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)表面進行氫化是可以調(diào)節(jié)體系的帶隙的。為了更好地了解MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及對異質(zhì)結(jié)進行氫化后的層間相互作用的微觀機理,計算了各體系的總電子態(tài)密度(圖3(b),(d),(f),(h),(j),(l),(n),(p))。從態(tài)密度圖中可以得到同樣的結(jié)論。

(a),(b)MoS2;(c),(d)石墨烯;(e),(f)MoS2/Gr異質(zhì)結(jié);(g),(h)MoS2/Gr+3H;(i),(j)MoS2/Gr+5H;(k),(l)MoS2/Gr+8H;(m),(n)MoS2/Gr+8H+8H;(o),(p)MoS2/Gr+8H+5H圖3 不同結(jié)構的能帶結(jié)構和態(tài)密度圖Fig.3 Band structure and density of states diagrams of different structures

2.3 光學性質(zhì)

材料的基本光學性質(zhì)有折射率、消光系數(shù)、反射率和吸收系數(shù),只需要知道這4種基本光學常數(shù)就可以描述和表征材料的所有光學性質(zhì),并且這4個光學常數(shù)都可以由介電常數(shù)ε(ω)表示[15]。ε(ω)=ε1(ω)+iε2(ω),其中ω為吸收光的頻率,介電常數(shù)的實部與虛部均可通過密度泛函理論計算得出。介電常數(shù)的虛部對應于電子躍遷的幾率和強度。為了討論MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及在其表面進行氫化后的各體系的光學性質(zhì),對各個體系光學躍遷特性變化進行研究。通過計算其介電常數(shù),得出它們的光吸收譜。通過光吸收譜可以清晰地看出各體系光吸收系數(shù)與光子波長之間的關系,其光吸收系數(shù)的公式如下:

計算發(fā)現(xiàn),MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)及其在表面氫化后的結(jié)構的光吸收峰均出現(xiàn)在220 nm左右,且在200～280 nm的光吸收率明顯高于其他區(qū)域,為紫外光區(qū)。在只對上表面進行氫化的幾種結(jié)構體系中,220 nm的光吸收率隨著附氫的數(shù)量的增加而增加,具體表現(xiàn)為α(8H)>α(5H)>α(3H)。在可見光區(qū)(380～780 nm),氫化程度越高,吸收率越高,具體表現(xiàn)為α(8H)>α(5H)>α(3H)>MoS2/Gr,α(8H+8H)>α(8H+5H)>α(5H+5H)>α(3H+3H)。

3 結(jié) 論

本文基于第一性原理計算的密度泛函理論,研究了氫化對MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)的調(diào)控機制。分析了在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)石墨烯上表面和MoS2下表面添加不同個數(shù)的氫原子的結(jié)構穩(wěn)定性、能帶結(jié)構、總態(tài)密度及光學性質(zhì)。結(jié)果表明在MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)表面進行氫化后的結(jié)構都是穩(wěn)定的。MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)本身的帶隙較小,在對其石墨烯上表面或在石墨烯上表面與MoS2下表面分別氫化后,異質(zhì)結(jié)的能帶會被打開,且加入的氫原子越多,帶隙越大。尤其是在石墨烯上表面加入8個氫原子后能帶變成了1.076 eV,表現(xiàn)為半導體。可見對MoS2/Gr異質(zhì)結(jié)體系進行氫化可以改變異質(zhì)結(jié)的帶隙。這對類石墨烯材料的能帶調(diào)控提供了積極意義。將二硫化鉬與石墨烯制成異質(zhì)結(jié)后,光吸收峰出現(xiàn)在220 nm的紫外光區(qū)。在對異質(zhì)結(jié)表面進行氫化后,光吸收峰的位置并未發(fā)生變化,但在可見光區(qū)的光吸收率增加了,且加入的氫原子越多,在可見光區(qū)的光吸收率越高。這對二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料在利用可見光方面提供了可能,并為其在光電方面的應用提供了積極意義。