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        基于SF6混合氣體絕緣性能的設(shè)備補(bǔ)氣策略研究

        2021-08-12 06:57:44周倩柯錕張曉星田雙雙胡軍臺(tái)王波
        電力工程技術(shù) 2021年4期
        關(guān)鍵詞:實(shí)驗(yàn)

        周倩, 柯錕, 張曉星, 田雙雙, 胡軍臺(tái), 王波

        (1. 湖北工業(yè)大學(xué)新能源及電網(wǎng)裝備安全監(jiān)測湖北省工程研究中心,湖北 武漢,430068;2. 國網(wǎng)重慶市電力公司,重慶 400015;3. 國網(wǎng)河南省電力公司平頂山供電公司,河南 平頂山 467001)

        0 前言

        SF6氣體絕緣組合電器(gas insulated switch gears,GIS)自1967年首次在德國投運(yùn)以來,便以其可靠性高、維護(hù)量小、占地面積小、配置靈活等優(yōu)點(diǎn)迅速發(fā)展并廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中[1—6]。隨著技術(shù)發(fā)展,氣體絕緣變壓器(gas insulated transformer,GIT)、氣體絕緣線路(gas insulated line,GIL)、氣體絕緣斷路器(gas circuit breaker,GCB)和氣體絕緣開關(guān)柜(cubic type gas insulated switchgears,C-GIS)等SF6絕緣設(shè)備在國內(nèi)外電力系統(tǒng)中被廣泛使用[7—8]。但SF6氣體被公認(rèn)為是一種對(duì)大氣環(huán)境具有較大危害的溫室氣體,其溫室效應(yīng)潛在值是CO2的23 500倍左右,在大氣中的存活壽命約為3 200 a[9—10]。聯(lián)合國氣候變化公約締約方在1997年簽訂的《京都議定書》中,將SF6氣體列為6種限制性使用的溫室氣體之一,要求限制SF6氣體的使用。

        SF6混合氣體絕緣電氣設(shè)備的推廣和使用可以一定程度減少SF6氣體的使用量和排放量。文獻(xiàn)[11]研究得出SF6/N2混合氣體在一定條件下?lián)碛刑娲僑F6的可行性;文獻(xiàn)[12]從氣體放電理論角度分析了不同混合比下SF6/N2混合氣體的絕緣性能;文獻(xiàn)[13—14]的研究結(jié)果表明SF6/N2混合氣體的擊穿電壓隨氣壓的增長呈線性變化;文獻(xiàn)[15—16]對(duì)SF6與空氣、N2O、N2、CO2等的混合氣體在不同電場條件下的絕緣特性進(jìn)行了系統(tǒng)研究,并先后與諸多國內(nèi)電力設(shè)備生產(chǎn)廠家合作研制開發(fā)了SF6混合氣體GIT、GIS以及C-GIS等電力設(shè)備。SF6混合氣體作為絕緣介質(zhì)在實(shí)際電氣設(shè)備中得到了應(yīng)用,全球首條SF6/N2絕緣GIL于21世紀(jì)初期在瑞士投入運(yùn)行[17]。ABB公司在法國境內(nèi)研制并建設(shè)了首條長距離的以SF6/N2作為氣體絕緣介質(zhì)的GIL,取代了該地區(qū)原有的420 kV架空輸電線路[18]。2016年,由中國研制的SF6/N2混合氣體的1 100 kV GIL長期考核試驗(yàn)線段于2016年6月在武漢特高壓交流試驗(yàn)基地開始帶電運(yùn)行,并順利通過了近一年的帶電考核。江蘇帕威爾電氣有限公司、上海天靈開關(guān)廠有限公司開發(fā)的N2X-24 kV充氣柜采用的也是SF6/N2混合氣體,SF6在混合氣體中的比例很少,僅為10%,大大節(jié)省了SF6的使用量[19]。研究發(fā)現(xiàn),SF6體積分?jǐn)?shù)為5%~30%的混合氣體受到更加廣泛的關(guān)注[20]。目前國內(nèi)已經(jīng)有220 kV GIS母線采用30%的SF6/N2混合氣體作為絕緣介質(zhì),但是運(yùn)維的研究處于一個(gè)空白狀態(tài),并未制定相應(yīng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

        基于以上現(xiàn)狀,文中對(duì)SF6/N2混合氣體在氣壓為0.7 MPa、混合比為30%發(fā)生微量變化條件下進(jìn)行工頻交流擊穿特性研究,測量混合氣體不同氣壓、混合比條件下的擊穿電壓值,總結(jié)出混合氣體的擊穿電壓特性,為SF6/N2混合氣體提供運(yùn)維規(guī)程和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)為制定混合氣體的檢測技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)奠定基礎(chǔ)。

        1 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)、方法與過程

        1.1 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

        實(shí)驗(yàn)平臺(tái)示意如圖1所示。

        圖1 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)示意Fig.1 Schematic diagram of the experimental platform

        主要實(shí)驗(yàn)設(shè)備及作用:

        (1) 感應(yīng)調(diào)壓器。輸入電壓為380 V,輸出電壓為0~250 V,額定功率為50 kV·A。

        (2) 無暈試驗(yàn)變壓器??梢詾閷?shí)驗(yàn)提供最高250 kV的工頻試驗(yàn)電壓。

        (3) 保護(hù)電阻。阻值為20 kΩ,保護(hù)試驗(yàn)變壓器在發(fā)生閃絡(luò)時(shí)免遭破壞。

        (4) 電容分壓器。C1/C2=500 pf/1 μf,將幅值較高的實(shí)驗(yàn)電壓轉(zhuǎn)換成可被電壓表直接測量的量程內(nèi)值。

        (5) 氣體絕緣性能測試氣室。安裝電極和充入實(shí)驗(yàn)氣體,使實(shí)驗(yàn)氣體發(fā)生擊穿,進(jìn)而檢測待測氣體絕緣性能。

        實(shí)驗(yàn)采用球球電極模擬實(shí)際設(shè)備中的準(zhǔn)均勻電場,電極的直徑為50 mm,材質(zhì)為銅。將電極物理模型置入放電氣室內(nèi),如圖2所示。實(shí)驗(yàn)時(shí),為排除水分含量對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響,實(shí)驗(yàn)室溫度通過空調(diào)控制在20 ℃左右,濕度通過除濕機(jī)控制在相對(duì)濕度50%左右,所有實(shí)驗(yàn)均在該條件下進(jìn)行,確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有可比性。

        圖2 球球電極在罐體內(nèi)的放置Fig.2 The placement of the ball electrode in the tank

        為了驗(yàn)證球球電極可以模擬GIS設(shè)備內(nèi)的準(zhǔn)均勻場,借助于COMSOL計(jì)算軟件對(duì)其進(jìn)行仿真計(jì)算。電場的均勻程度由電場不均勻系數(shù)f來衡量:

        f=Emax/Eav

        (1)

        Eav=U/d

        (2)

        式中:Eav為平均場強(qiáng);Emax為最大場強(qiáng);U為電極間電壓;d為電極間距,文中在實(shí)驗(yàn)中設(shè)置的電極間距為2 mm。通過COMSOL計(jì)算軟件完成最高場強(qiáng)的計(jì)算,電場分布如圖3所示,得到電場不均勻度為1.02,介于1~1.1之間,屬于均勻電場。

        圖3 球球電極電場分布Fig.3 Electric field distribution of the ball electrode

        1.2 實(shí)驗(yàn)方法與過程

        工頻擊穿實(shí)驗(yàn)對(duì)象為SF6/N2混合氣體,其中SF6純度為99.995%,N2純度為99.999%,兩者的微水含量均小于5 μL/L?;旌蠚怏w壓力取為0.682 0~0.700 0 MPa(絕對(duì)壓力),混合比k取0%,10%,20%,25%,27%,28%,29%,30%,31%,35%,100%,電極間距為2 mm,環(huán)境溫度為室溫(25 ℃),主要探究氣壓、混合比對(duì)SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓的影響。運(yùn)用控制變量法,保持混合比不變,利用排氣閥每次控制降低2 kPa的氣壓,每降低一次氣壓進(jìn)行5次擊穿實(shí)驗(yàn)。

        SF6/N2混合氣體的實(shí)驗(yàn)過程基本步驟為:先后進(jìn)行實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備、充氣、排氣等操作。在實(shí)驗(yàn)中保證混合比不變的條件,從高氣壓至低氣壓依次進(jìn)行工頻擊穿實(shí)驗(yàn)。0.700 0 MPa的實(shí)驗(yàn)完成后,打開放氣閥門,使精密氣壓表示數(shù)顯示的氣壓達(dá)到預(yù)期的實(shí)驗(yàn)氣壓條件下,再進(jìn)行工頻擊穿實(shí)驗(yàn)。待固定混合比條件下完成實(shí)驗(yàn)后,更換混合比,重復(fù)上述操作過程。

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

        2.1 氣壓對(duì)SF6/N2工頻擊穿電壓的影響

        根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,整理數(shù)據(jù),取每次實(shí)驗(yàn)擊穿電壓的平均值,得到SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與氣壓的關(guān)系,如圖4所示。

        圖4 SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與氣壓的關(guān)系Fig.4 Relationship between power frequency break-down voltage and air pressure of SF6/N2 mixed gas

        觀察圖4可知,擊穿電壓與氣壓的變化呈非線性關(guān)系。希爾(Hill)方程常用于非線性的情況,而Hill1是帶偏移量的修正希爾函數(shù),根據(jù)式(3)將工頻擊穿電壓與壓強(qiáng)進(jìn)行擬合。

        (3)

        式中:U為擊穿電壓;P為壓強(qiáng);A,B,m,n為擬合參數(shù)。

        運(yùn)用Hill1對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,R為擬合系數(shù),其值越接近1,說明擬合度越高。由圖4可見,R的值均在0.99以上,說明擬合程度及效果非常好,同時(shí)也表明在維持混合比不變的條件下,通過改變壓強(qiáng)的值,SF6/N2混合氣體的擊穿電壓增長緩慢,體現(xiàn)了SF6濃度越高,SF6/N2混合氣體的非線性程度越大,符合理論效果。擬合方程的主要參數(shù)見表1。

        表1 擬合方程的主要參數(shù)Table 1 Main parameters of the fitting equation

        分子的游離會(huì)產(chǎn)生大量正負(fù)空間電荷,使電場產(chǎn)生畸變,而大量的空間電荷以及畸變的電場會(huì)導(dǎo)致光游離,對(duì)擊穿過程產(chǎn)生影響。均勻電場中氣體的擊穿過程與氣體的相對(duì)密度δ和極間距離d相關(guān),δd值較小時(shí)可以用湯遜理論,δd值較大時(shí)可以用流注理論來解釋電子崩。電子崩在產(chǎn)生大量電子的同時(shí),也會(huì)產(chǎn)生大量的離子,離子在電場力的作用下與電極撞擊,而當(dāng)離子在電極表面發(fā)生自持放電時(shí)就意味著氣隙被擊穿。當(dāng)氣室處在一個(gè)較小氣壓時(shí),氣室內(nèi)各氣體分子密度相對(duì)較小,分子間平均距離較大,電子平均自由行程較大。隨著氣壓逐漸升高,電子平均自由行程逐漸減小,電子碰撞前積累的平均動(dòng)能下降,使電子發(fā)生有效碰撞的幾率降低。隨著氣壓繼續(xù)升高至0.7 MPa,此時(shí)即使氣壓增大,電子平均自由行程減少,其降低電子有效碰撞的作用已十分有限。因此隨著氣壓的增大,擊穿電壓的非線性也越大。

        2.2 混合比對(duì)SF6/N2工頻擊穿電壓的影響

        在保持壓強(qiáng)不變的情況下,變量混合比k也保持相同的增幅,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行詳盡分析,主要針對(duì)混合比k為0.25,0.27,0.28,0.29,0.30,0.31進(jìn)行擬合,得到如圖5所示的SF6/N2混合氣體的工頻擊穿電壓與混合比的關(guān)系。

        圖5 SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比k的關(guān)系Fig.5 Relationship between power frequency breakdown voltage and mixing ratio k of SF6/N2 mixed gas

        根據(jù)式(4),將工頻擊穿電壓與混合比進(jìn)行擬合。

        (4)

        式中:Vmax,M,N為擬合參數(shù)。其主要參數(shù)如表2所示。

        表2 擬合方程的主要參數(shù)Table 2 Main parameters of the fitting equation

        由圖5可見,0.682 0~0.700 0 MPa的SF6/N2混合氣體的擊穿電壓均隨混合比k的增大而非線性增大。其次,同一氣壓值下,提高氣壓能顯著改善SF6/N2混合氣體絕緣性能。理論上,隨著混合比的增加,非線性逐漸增大。

        上述規(guī)律可以用流注理論的分子電離過程來解釋。由于N2的電離能約為15.5 eV,而SF6的電離能約為15.6 eV,所以在SF6/N2混合氣中,N2相較于SF6更加容易發(fā)生電離。電離出的電子被SF6分子俘獲(SF6的電子親和能僅約為3.4 eV),形成離子半徑較大的負(fù)離子團(tuán),導(dǎo)致氣體中自由電子濃度減小并抑制了流注的發(fā)展,使擊穿電壓較純N2有明顯提高。但隨著混合比增大(SF6含量相對(duì)增大、N2含量相對(duì)減小),SF6絕緣性能的非線性影響更加明顯,SF6/N2混合氣體擊穿電壓的增長趨勢(shì)隨之變緩。

        2.3 混合比和壓強(qiáng)對(duì)SF6/N2工頻擊穿電壓的影響

        為研究混合比和壓強(qiáng)2個(gè)變量因素同時(shí)對(duì)SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓的影響,構(gòu)建式(5)所示的擬合函數(shù),將工頻擊穿電壓與混合比以及壓強(qiáng)進(jìn)行擬合。

        F(k,P)=a+bsin(hπkP)+ce-(wP)2

        (5)

        式中:P為壓強(qiáng);a,b,c,h,w為擬合系數(shù)。

        以混合氣體的總氣壓值P以及混合比k作為變量,對(duì)其與擊穿電壓的進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合,最后得到SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比及壓強(qiáng)的關(guān)系,如圖6所示。其中,擬合參數(shù)R=0.983 1。

        圖6 SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比及壓強(qiáng)的關(guān)系Fig.6 Relationship between power frequency breakdown voltage and mixing ratio andpressure of SF6/N2 mixed gas

        曲線回歸是建立不同變量間相關(guān)關(guān)系的非線性數(shù)學(xué)模型數(shù)量關(guān)系式的統(tǒng)計(jì)方法。為了進(jìn)一步提高擊穿電壓U對(duì)雙變量壓強(qiáng)P和混合比k的擬合度,擬采用曲線回歸對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行非線性二次回歸平滑曲線擬合,得到SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比及壓強(qiáng)的關(guān)系,如圖7所示。其中,R=0.999 7。采用二次回歸函數(shù)可以使SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比及壓強(qiáng)的擬合效果更好。

        圖7 優(yōu)化后SF6/N2混合氣體工頻擊穿電壓與混合比及壓強(qiáng)的關(guān)系Fig.7 Relationship between power frequency break-down voltage and mixing ratio and pressure ofSF6/N2 mixed gas after optimization

        由圖7可以看出,隨著壓強(qiáng)和混合比的提高,擊穿電壓均非線性程度越來越大,與圖4和圖5結(jié)果一致,且與擬合結(jié)果吻合。

        3 SF6混合氣體絕緣設(shè)備補(bǔ)氣策略

        SF6氣體和N2氣體的絕緣強(qiáng)度不同,氣體的分子量不同,如若運(yùn)行過程中,氣體的體積比發(fā)生變化,會(huì)導(dǎo)致絕緣強(qiáng)度發(fā)生變化。

        根據(jù)國內(nèi)外的文獻(xiàn)資料及研究成果總結(jié)得出,以純SF6氣體作為絕緣介質(zhì)的間隙工頻擊穿電壓的經(jīng)驗(yàn)公式[21]為:

        (6)

        其中,P為氣體絕對(duì)壓力。工程中純SF6氣體絕緣GIS母線的充氣壓力[12]一般為0.5 MPa,并且文中的實(shí)驗(yàn)電極距離d為0.2 cm,將以上2個(gè)數(shù)據(jù)帶入式(6)可得以純SF6氣體作為絕緣介質(zhì)的間隙工頻擊穿電壓。

        DL/T 596—1996《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》及GB 50150—2006《電氣裝置安裝工程電氣設(shè)備交接試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》條文[22—23]中指出,SF6組合電器設(shè)備年漏氣率不大于1.0%,控制在0.5%方才合格。通過式(6)按照最大泄漏量計(jì)算,得出純SF6氣體作為絕緣介質(zhì)應(yīng)用在GIS母線中應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)氣的臨界擊穿電壓,由臨界擊穿電壓與原始擊穿電壓的比值,最終發(fā)現(xiàn)泄漏后純SF6氣體GIS母線的絕緣性能只能達(dá)到之前的98%。

        以此為標(biāo)準(zhǔn),當(dāng)SF6混合氣體絕緣強(qiáng)度下降2%,絕緣性能只能達(dá)到初始的98%時(shí),則須對(duì)SF6混合氣體設(shè)備進(jìn)行維護(hù)。絕緣性能通過擊穿電壓值來衡量,因此只需將實(shí)驗(yàn)中測量所獲得的擊穿電壓乘以98%,得到一個(gè)臨界擊穿電壓,而這個(gè)臨界電壓分別對(duì)應(yīng)混合比和氣壓值,最后繪制的絕緣性能臨界狀態(tài)如圖8所示。

        圖8 絕緣性能臨界狀態(tài)Fig.8 Critical state of insulation performance

        文中的研究以220 kV GIS母線為例,氣室內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)壓強(qiáng)P0為0.700 0 MPa,SF6混合比k0為30%。當(dāng)現(xiàn)場檢測設(shè)備內(nèi)的氣壓值P和混合比k數(shù)值處于圖8中陰影部分時(shí),則須對(duì)設(shè)備進(jìn)行補(bǔ)氣操作,以防設(shè)備絕緣性能下降導(dǎo)致電力事故發(fā)生。具體補(bǔ)氣方法如下。

        (1) 計(jì)算補(bǔ)氣的總壓強(qiáng):

        Pi=P0-P

        (7)

        式中:P0為原配氣壓強(qiáng);Pi為補(bǔ)氣壓強(qiáng)。

        (2) 根據(jù)道爾頓分壓定律計(jì)算需要補(bǔ)充的SF6分壓:

        Pi(SF6)=P0k0-Pk

        (8)

        (3) 確定需要補(bǔ)充的N2的分壓:

        Pi(N2)=Pi-Pi(SF2)=P0(1-k0)-P(1-k)

        (9)

        根據(jù)計(jì)算所得的SF6和N2分壓采用專用的充氣裝置對(duì)設(shè)備進(jìn)行補(bǔ)氣。

        4 結(jié)論

        (1) 在標(biāo)準(zhǔn)氣壓值不變的情況下,混合氣體的擊穿電壓隨著混合比的減少而降低。由此說明,保證設(shè)備內(nèi)混合氣體的氣壓值不變,增大混合比是提高其絕緣性能的有效措施。

        (2) 在保證混合比不變的條件下,混合氣體的擊穿電壓隨著氣壓值的增大而增大,其非線性程度也越來越大,因此同一混合比條件下,提高氣壓能顯著改善SF6/N2混合氣體的絕緣性能。

        (3) 當(dāng)引入雙變量,即混合比和壓強(qiáng)2種因素同時(shí)作用時(shí),擊穿電壓呈現(xiàn)出隨著壓強(qiáng)和混合比的提高,非線性程度增大的特點(diǎn)。同時(shí)確定了絕緣臨界值,為后續(xù)研究SF6/N2混合氣體絕緣設(shè)備的運(yùn)維規(guī)程和制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)提供一定的技術(shù)支持和參考。

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