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        覆膜對(duì)日光溫室壟嵌及溝嵌基質(zhì)栽培根區(qū)溫度和甜椒幼苗生長的影響

        2021-07-16 12:08:30李寶石李浩王奇劉文科邵明杰周成波
        山東農(nóng)業(yè)科學(xué) 2021年6期
        關(guān)鍵詞:根區(qū)甜椒日光溫室

        李寶石,李浩,王奇,劉文科,邵明杰,周成波

        (1.中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展研究所/農(nóng)業(yè)農(nóng)村部設(shè)施農(nóng)業(yè)節(jié)能與廢棄物處理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100081;2.河北農(nóng)業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,河北 保定 071001)

        在北方日光溫室蔬菜生產(chǎn)中,起壟覆膜栽培是一種常見的栽培方式,有利于保水保墑、加厚活土層,增強(qiáng)土壤蓄水、保肥和抗旱能力[1]。起壟具有節(jié)水增產(chǎn)等優(yōu)勢(shì),且起壟后增加田間通風(fēng)透光和光輻射面積,有利于提高植株葉片的光合速率[2]。起壟栽培還能夠有效提高作物根區(qū)溫度,有利于作物根系抵御低溫危害,這一特點(diǎn)對(duì)冬季日光溫室蔬菜栽培極為有利[3]。覆蓋地膜則通過改變土壤能量平衡來改變作物小氣候[4,5]。Díaz-Pérez[6]研究表明,覆蓋地膜有利于提高根區(qū)溫度、促進(jìn)花椰菜生長和產(chǎn)量提高。

        近年來,隨著無土栽培技術(shù)的發(fā)展,基質(zhì)栽培研究受到廣泛關(guān)注。然而大部分無土基質(zhì)由于高有機(jī)質(zhì)含量和低堆密度導(dǎo)致較低的表觀熱容量,以及高導(dǎo)熱率等物理特性[7],致使根區(qū)溫度環(huán)境穩(wěn)定性差,不利于抵抗冬季低溫脅迫[8]。Gonzalez-Fuentes等[9]研究表明,根區(qū)溫度波動(dòng)大對(duì)草莓植株生長和葉面積有負(fù)面影響。針對(duì)上述問題,本研究提出一種新型栽培方式——起壟內(nèi)嵌式基質(zhì)栽培(soil-ridged substrate-embedded cultivation,SSC),即將基質(zhì)嵌入到土壟中進(jìn)行栽培[10]。SSC新型栽培方法將土壤栽培與無土栽培結(jié)合,不但可充分發(fā)揮無土栽培的高產(chǎn)高效優(yōu)勢(shì),還可充分利用土壟的蓄熱保溫性能,且不同于傳統(tǒng)的地上筑槽基質(zhì)栽培,操作方便,節(jié)省建材成本。前期試驗(yàn)表明,低溫環(huán)境下SSC栽培能夠有效提高根區(qū)溫度的穩(wěn)定性,增強(qiáng)根區(qū)溫度的緩沖能力,并能提高甜椒產(chǎn)量[11,12]。在此基礎(chǔ)上,本試驗(yàn)以土壟覆膜栽培為對(duì)照,研究壟嵌和溝嵌基質(zhì)栽培覆膜或不覆膜四種栽培方式對(duì)甜椒幼苗生長的影響,比較各栽培方式實(shí)際的生產(chǎn)效果,為新型栽培方式的開發(fā)提供理論依據(jù)。

        1 材料與方法

        1.1 試驗(yàn)材料

        試驗(yàn)在北京市順義區(qū)大孫各莊鎮(zhèn)中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展研究所試驗(yàn)基地的節(jié)能型日光溫室中進(jìn)行。試驗(yàn)地塊面積48 m2,距溫室南端2 m,離西側(cè)山墻4 m。日光溫室采用覆蓋保溫被方式維持夜間溫度,保溫被開閉時(shí)間分別為8:30和16:30。供試作物為甜椒,品種為海豐16號(hào)。采取穴盤育苗,兩葉一心時(shí)(2020年9月23日)定植。

        1.2 試驗(yàn)設(shè)計(jì)

        采用土壟栽培(SR)、起壟內(nèi)嵌基質(zhì)栽培(SSC)、土壤溝嵌基質(zhì)栽培(SE)共三種栽培方式栽培甜椒。SSC的構(gòu)建:首先將特制的鐵絲網(wǎng)槽沿南北方向放置在平整的地面上,將打孔后的塑料薄膜放置在網(wǎng)槽內(nèi),然后將草炭:蛭石:珍珠巖=2:1:1(體積比)的三者均勻混合基質(zhì)倒入網(wǎng)槽內(nèi),之后用土壤沿著鐵絲網(wǎng)槽起壟,最后栽培壟覆膜。SE的構(gòu)建與SSC相似,首先在地平面上挖溝(深度10 cm),然后將鐵絲網(wǎng)槽放置到溝內(nèi),再放置塑料薄膜,再將草炭:蛭石:珍珠巖=2:1:1(體積比)的三者均勻混合基質(zhì)倒入網(wǎng)槽內(nèi),最后覆膜。

        本試驗(yàn)以土壟栽培(SR)為對(duì)照,再設(shè)置4個(gè)處理,其中處理1為起壟內(nèi)嵌基質(zhì)栽培(SSC);處理2為不覆膜起壟內(nèi)嵌基質(zhì)栽培(SSC-WF);處理3為土壤溝嵌基質(zhì)栽培(SE);處理4為不覆膜土壤溝嵌基質(zhì)栽培(SE-WF)。每處理重復(fù)3次。壟長均為3 m,每壟種植甜椒10株。各處理設(shè)施具體尺寸見表1。本試驗(yàn)采用全營養(yǎng)液滴灌施肥,苗期灌水施肥量為每天20 mL。

        表1 覆膜條件下壟嵌與溝嵌基質(zhì)栽培設(shè)施規(guī)格

        1.3 測定方法

        整個(gè)生長季采用美國產(chǎn)CR1000數(shù)據(jù)采集器和T型熱電偶線采集根區(qū)土壤或基質(zhì)的溫度、室內(nèi)外氣溫。根區(qū)測點(diǎn)位于壟中心位置5 cm深處,室內(nèi)外氣溫測點(diǎn)位于試驗(yàn)小區(qū)上方2 m高處。測點(diǎn)置于防輻射罩內(nèi),避免太陽直射。數(shù)據(jù)采集時(shí)間間隔為10 min。選取苗期(10月10—14日、11月10—14日)連續(xù)5 d的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,取連續(xù)5 d平均值作為測定溫度,以減小天氣突變?cè)斐傻恼`差。根據(jù)覆蓋棉被時(shí)間將8:00—16:30定為白天,16:30至次日8:00定為夜間。

        于定植40 d(11月1日)時(shí)采用游標(biāo)卡尺測定甜椒莖粗,用直尺測定株高,用SPAD葉綠素儀測定葉片葉綠素含量。每處理選取5株甜椒測定。

        1.4 數(shù)據(jù)分析

        采用Microsoft Excel 2016和SPSS 25.0進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和作圖。

        2 結(jié)果與分析

        2.1 日光溫室10月和11月室內(nèi)外氣溫變化

        由圖1可知,2020年10、11月室內(nèi)外氣溫變化趨勢(shì)相同,且室內(nèi)氣溫滯后于室外氣溫的變化,說明室內(nèi)氣溫變化受外界氣溫的影響。10月10—14日5個(gè)晝夜中白天室內(nèi)氣溫平均為26.76℃,夜間室內(nèi)氣溫平均為20.86℃,室內(nèi)最高氣溫平均為30.47℃,最低氣溫平均18.87℃;白天室外氣溫平均為18.62℃,夜間室外氣溫平均為12.51℃,室外最高氣溫的平均值為21.73℃,最低氣溫的平均值8.40℃。

        圖1 日光溫室室內(nèi)外氣溫變化

        11月10—14日5個(gè)晝夜室內(nèi)氣溫平均值為20.81℃,室外氣溫平均值為8.00℃。5個(gè)晝夜中白天室內(nèi)氣溫平均為26.10℃,夜間室內(nèi)氣溫平均為17.82℃,室內(nèi)最高氣溫的平均值為32.55℃,最低氣溫平均15.84℃;白天室外氣溫平均為13.52℃,夜間室外氣溫平均為4.87℃,室外最高氣溫的平均值為17.39℃,最低氣溫的平均值-0.59℃。由此說明日光溫室具有一定的增溫作用。

        2.2 日光溫室五種栽培方式甜椒根區(qū)平均溫度

        由表2可知,10月10—14日連續(xù)5 d白天甜椒根區(qū)平均溫度以SSC處理最高,以SE-WF處理最低,表明SSC處理白天蓄溫能力較強(qiáng),SEWF處理蓄溫能力較弱。夜間時(shí)段,SSC處理也能夠較好地維持根區(qū)溫度,SE-WF處理保溫能力也較差。相比于SR,盡管SSC、SSC-WF、SE處理對(duì)高溫的緩沖能力較弱,但卻能很好地抵御夜間低溫環(huán)境。5個(gè)晝夜中SR、SSC、SSC-WF、SE和SE-WF處理最低溫度平均值分別為24.23、24.65、24.33、24.49℃和23.53℃,其中覆膜的SSC、SE處理均比不覆膜的SSC-WF、SEWF處理的根區(qū)溫度有所提升,SE-WF處理的抗低溫能力較弱,SSC比SE處理抵抗低溫的能力要強(qiáng)。各處理最高溫與最低溫差值的平均值分別為5.31、5.94、5.52、5.30℃和5.64℃,即SSC>SEWF>SSC-WF>SR>SE,說明SSC處理的根區(qū)溫度波動(dòng)較大,SE處理波動(dòng)較小。

        表2 不同處理10月10—14日甜椒根區(qū)平均溫度(℃)

        由表3可知,11月10—14日5 d內(nèi)五種栽培方式甜椒根區(qū)溫度有一定差異。5個(gè)晝夜中SR、SSC、SSC-WF、SE和SE-WF處理夜間根區(qū)溫度平均值分別為22.76、23.32、21.78、22.96℃和21.34℃,即SSC>SE>SR>SSC-WF>SEWF,說明SSC、SE處理夜間保溫能力較強(qiáng),SSCWF、SE-WF處理夜間保溫能力較弱,起壟栽培抵御低溫的能力也較強(qiáng)。各處理5 d的最低溫平均值分別為19.59、21.62、20.68、21.28℃和20.44℃,即SSC>SE>SSC-WF>SE-WF>SR,說明基質(zhì)栽培能夠較好地提高根區(qū)溫度。最高溫與最低溫差值的平均值分別為5.37、5.60、3.23、4.36℃和3.44℃,即SSC>SR>SE>SEWF>SSC-WF,說明SSC處理的根區(qū)溫度波動(dòng)較大,SSC-WF處理波動(dòng)較小。

        表3 不同處理11月10—14日甜椒根區(qū)平均溫度(℃)

        2.3 日光溫室五種栽培方式對(duì)甜椒形態(tài)及生理指標(biāo)的影響

        由表4可知,相比SR,SSC、SSC-WF、SE處理均顯著提高甜椒幼苗株高,分別提高43.91%、43.48%和46.96%,這三種處理之間無顯著差異;SE-WF處理也促進(jìn)幼苗生長,但未達(dá)到顯著水平。相比SR,其它各處理均顯著提高甜椒莖粗,以SSC處理莖粗最高;相比SE-WF,SSC、SSC-WF、SE處理均顯著促進(jìn)莖粗生長,SSC與SSC-WF、SE與SSC-WF處理之間無顯著差異。SSC、SSC-WF處理莖粗顯著高于SE、SE-WF處理,說明壟嵌栽培要比溝嵌栽培更能促進(jìn)甜椒幼苗生長。從各處理SPAD值可以看出,壟嵌和溝嵌基質(zhì)栽培均比土壟栽培更能提高葉片葉綠素含量,尤以SSC處理數(shù)值最高,且顯著高于其它三種栽培方式。

        表4 不同處理11月1日甜椒的株高、莖粗及SPAD值

        由圖2可知,SSC、SSC-WF和SE處理的葉片繁茂,較SR(CK)均能夠提高甜椒幼苗的葉片數(shù)和冠層尺寸。

        圖2 五種栽培方式移栽40 d后的甜椒幼苗冠層

        3 討論與結(jié)論

        本試驗(yàn)結(jié)果表明,日光溫室對(duì)室內(nèi)氣溫具有明顯的提升作用,當(dāng)室外環(huán)境不利于甜椒生長的情況下,室內(nèi)仍然能夠較好地提供甜椒生長所需的環(huán)境溫度,說明日光溫室在秋冬季具有較好的增溫效果。

        本試驗(yàn)結(jié)果表明,SSC、SE處理相比于未覆膜的SSC-WF、SE-WF處理均能夠有效提高根區(qū)溫度,且對(duì)于最低溫的提高作用大于最高溫,這與朱秋穎等[13]的研究結(jié)果一致,說明覆膜具有明顯的增溫作用。地膜覆蓋后隔絕土壤或基質(zhì)與外界環(huán)境的水分交換,抑制潛熱和顯熱交換,削弱膜下長波反輻射,使夜間溫度下降減緩,進(jìn)而提高根區(qū)溫度[14]。與SR相比,SSC、SE處理對(duì)于高溫的抵御能力較弱,但是抗低溫的能力較強(qiáng)。其主要原因?yàn)椋夯|(zhì)的組成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差[15],溫度變化受外界氣溫影響較大,外界氣溫較高時(shí)基質(zhì)溫度上升較快,而良好的結(jié)構(gòu)特性使土壤對(duì)氣溫變化具有較好的緩沖性能,因此土壤溫度變化滯后于外界氣溫變化[16];而在夜間低溫階段,由于基質(zhì)在白天能夠蓄積更多的熱量,又由于覆蓋地膜,使基質(zhì)內(nèi)熱量與外界交換減弱,進(jìn)而能提高夜間的根區(qū)溫度。

        有研究表明,起壟能夠有效提高作物根區(qū)環(huán)境溫度[3]。本研究結(jié)果表明,無論是否覆膜,壟嵌基質(zhì)栽培的根區(qū)溫度均比土壤溝嵌基質(zhì)栽培有所提升,尤其是在白天蓄熱階段。導(dǎo)致這一現(xiàn)象的原因可能是因?yàn)榘滋煸鰷仉A段,起壟栽培能增加其受熱面積[13],對(duì)根區(qū)接受太陽輻射有利。然而溝嵌基質(zhì)栽培的根區(qū)溫度穩(wěn)定性較好,雖然白天升溫較為遲緩,但夜間也能夠減緩熱量的散失,進(jìn)而維持了一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的根區(qū)環(huán)境。

        劉景霞等[17]研究表明,基質(zhì)栽培因其根區(qū)特性及水肥特點(diǎn)相對(duì)于土壤栽培能夠促進(jìn)作物的生長發(fā)育。本試驗(yàn)結(jié)果表明,相比于土壟栽培,壟嵌與溝嵌基質(zhì)栽培均顯著促進(jìn)甜椒幼苗生長。在水肥條件一致的前提下導(dǎo)致這種差異的原因可能是受根區(qū)溫度的影響,也可能是由于壟嵌與溝嵌基質(zhì)栽培底部封閉而使養(yǎng)分更為集中,而土壟栽培沒法將養(yǎng)分截留在根區(qū),營養(yǎng)液中的養(yǎng)分會(huì)向更深土層淋溶,導(dǎo)致根區(qū)養(yǎng)分不足而弱化了生殖生長。唐永金等[18]研究表明,壟栽會(huì)影響甘薯的生長發(fā)育。本研究中,壟嵌基質(zhì)栽培對(duì)甜椒幼苗生長的促進(jìn)作用要優(yōu)于溝嵌基質(zhì)栽培,盡管兩者的株高無顯著差異,但莖粗和SPAD值指標(biāo)優(yōu)于溝嵌基質(zhì)栽培。出現(xiàn)這一結(jié)果的原因可能是起壟栽培具有改善田間小氣候,進(jìn)而促進(jìn)作物生長的作用[19-21]。

        綜上所述,覆膜條件下壟嵌與溝嵌基質(zhì)栽培根區(qū)溫度均比不覆膜處理有所提升,且壟嵌基質(zhì)栽培的根區(qū)環(huán)境要優(yōu)于溝嵌基質(zhì)栽培,盡管其根區(qū)穩(wěn)定性相對(duì)較弱,但對(duì)于甜椒幼苗的生長影響不大。就甜椒幼苗生長指標(biāo)而言,以起壟內(nèi)嵌基質(zhì)栽培的幼苗生長最優(yōu),故其在日光溫室的生產(chǎn)中具有更好的應(yīng)用前景。

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