劉東明,張宇涵
(中國電子科技集團公司第五十八研究所,江蘇 無錫 214000)
集成電路作為推動信息時代發(fā)展和變革的重要引擎,在國民經(jīng)濟建設(shè)、人民日常生活及國防軍工發(fā)展等領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用[1]。目前,我國集成電路產(chǎn)業(yè)整體仍與國際先進水平具有一定差距,且在國際形勢及國內(nèi)需求加劇的雙重背景下,大力提升我國集成電路設(shè)計和制造水平就顯得尤為重要[2]。
隨著摩爾定律[3-4]的持續(xù)演進,芯片的特征尺寸愈加變小,各類芯片的性能與規(guī)模也在不斷變大[5],傳統(tǒng)的單一化低功耗設(shè)計方法已經(jīng)難以滿足超大規(guī)模數(shù)字集成電路的實際需求,故現(xiàn)如今主流的低功耗設(shè)計流程均結(jié)合了多種低功耗設(shè)計方法,諸如多閾值CMOS器件技術(shù)、時鐘門控技術(shù)[6]、多電壓供電及電源關(guān)斷技術(shù)(Multi-Supply Multi-Voltage & Power Shut-Off Technology,MSMV&PSO)等。此外,在描述芯片或IP核的多電壓設(shè)計意圖時,需使用統(tǒng)一功率格式(Unified Power Format,UPF)進行定義。
IP核Bittop屬于專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)范疇[7],并基于SMIC 55nm工藝進行層次化綜合與物理設(shè)計,且其內(nèi)部集成了特定的HASH函數(shù)算法,可被用于處理復(fù)雜的區(qū)塊鏈代碼。
在物理結(jié)構(gòu)方面,IP核Bittop具有兩個物理層次,并于邏輯設(shè)計階段預(yù)先制定了以多例化模式(Multiple Instantiated Mode,MIM)為核心的子模塊集成策略,即對單一子模塊進行多次調(diào)用,來減少冗余設(shè)計和重復(fù)操作,最大化精簡整體的設(shè)計流程。圖1為IP核Bittop的物理結(jié)構(gòu)圖。
圖1 IP核Bittop的物理結(jié)構(gòu)圖
由圖1可知,IP核Bittop的頂層block_top具有四個可關(guān)斷電壓域,且集成了32個同樣的子模塊block_slice,每個子模塊另具有各自獨立的兩個可關(guān)斷電壓域及兩個存儲單元。此外,對IP核Bittop內(nèi)的所有可關(guān)斷電壓域均采用1.0V的低電壓供電,其余部分使用1.2V高電壓供電。
多電壓供電與電源關(guān)斷技術(shù)作為現(xiàn)如今低功耗超大規(guī)模數(shù)字集成電路設(shè)計的常用手段,可有效降低全芯片或IP核的動態(tài)功耗與靜態(tài)功耗。
在Bittop的工程實現(xiàn)方面,需使用UPF文件對其多電壓及電源關(guān)斷策略進行定義。它是一種基于TCL指令編寫而成的腳本文件[8],其可用于物理綜合、布局布線和仿真驗證等階段[9]。UPF文件不僅對電壓域的創(chuàng)建和電源端口的生成等內(nèi)容進行了詳細(xì)的描述,而且在電源開關(guān)單元、保持單元、隔離單元和電壓轉(zhuǎn)換單元的供電、信號端口連接以及物理位置等方面做了細(xì)致的指定[10]。
UPF的編寫方式大致可分為兩種,即層次式和非層次式。層次式適用于物理結(jié)構(gòu)較為簡單,設(shè)計頂層下所集成的獨立層次模塊數(shù)量較少,或頂層沒有可關(guān)斷電壓域的芯片或IP核,其優(yōu)點在于不僅可以簡潔明了地定義完整的多電壓供電及電源關(guān)斷的設(shè)計意圖,避免子模塊與頂層之間的多次UPF嵌套,而且對于采用自上而下式層次化設(shè)計方法的芯片或IP核而言,它可使UPF文件與設(shè)計之間具有更好的兼容性,并在層次化綜合階段,有效地降低違例出現(xiàn)的可能性,增強設(shè)計的容錯率。此外,對于物理結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜、頂層與子模塊均具有可關(guān)斷電壓域、或類似Bittop的采用多例化模式的設(shè)計,適宜采用非層次式UPF編寫方法。這種方式與采用自下而上式層次化策略的設(shè)計之間具有更好的匹配性,便于分別完成頂層與子模塊的獨立設(shè)計。
圖2為Bittop的版圖布局,針對Bittop的物理特點,采用非層次式UPF編寫方法,對其頂層block_top和子模塊block_slice各自進行UPF定義,并于Bittop的層次化邏輯綜合階段,使用循環(huán)指令for {set i 0} {$i < 32} {incr i} {load_upf-scope blockslice_${i}../blockslice.upf },進行全IP核的UPF結(jié)構(gòu)整合,圖3為Bittop的UPF結(jié)構(gòu)。
圖2 Bittop的版圖布局
圖3 Bittop的UPF結(jié)構(gòu)簡圖
如圖3所示,Bittop的頂層block_top具有四個可關(guān)斷電壓域,其內(nèi)部均定義了供電集、電源開關(guān)單元、保持單元和隔離單元。此外,由于頂層所采用的電壓比電壓域內(nèi)所用電壓高0.2V,故在電壓域外創(chuàng)建了電壓轉(zhuǎn)換單元,以保證電壓域內(nèi)外信號之間的正常通信。
圖4為Bittop的子模塊block_slice的UPF結(jié)構(gòu)簡圖,與頂層block_top類似,子模塊具有兩個可關(guān)斷電壓域,故對其進行同樣的多電壓及電源關(guān)斷定義。此外,在block_top的綜合階段,需使用下列循環(huán)指令,以形成Bittop的全IP核供電結(jié)構(gòu)。
圖4 block_slice的UPF結(jié)構(gòu)簡圖
for {set j 0} {$j < 32} {incr j} {
connect_supply_net VDDL_SW_PI-ports blockslice_${j}/VDDL_SW_PI
connect_supply_net VDDL_SW_SI-ports blockslice_${j}/VDDL_SW_SI
connect_supply_net VSS-ports blockslice_${j}/VSS
connect_supply_net VDDL-ports blockslice_${j}/VDDL
connect_supply_net VDDH-ports blockslice_${j}/VDDH}
Bittop采用多電壓供電的方式對其內(nèi)部不同的單元進行了合理的電壓分配。其中,對存儲器等數(shù)據(jù)處理單元采用高電壓供電,對時序或性能要求較低的部分使用低電壓供電。此外,本設(shè)計結(jié)合了電源關(guān)斷技術(shù),將使能端在一定時間內(nèi)靜止的單元利用可關(guān)斷電壓域進行統(tǒng)一下電,降低了全IP核的靜態(tài)功耗。
在Bittop的低功耗設(shè)計過程中,通過使用功耗分析工具PrimeTime PX進行實驗發(fā)現(xiàn),相較于只使用時鐘門控技術(shù)和多閾值CMOS器件技術(shù)的情況,附加采用多電壓供電及電源關(guān)斷技術(shù),可有效降低Bittop的全功耗。實驗結(jié)果如表1所示。
表1 采用MSMV&PSO技術(shù)前后的功耗結(jié)果對比
由表1可知,在采用多電壓供電及可關(guān)斷電源技術(shù)后,IP核Bittop的功耗減少了5.9682mW,降低比例約為59.74%。
IP核Bittop作為ASIC屬類,內(nèi)嵌HASH函數(shù)集,用于處理復(fù)雜的數(shù)學(xué)挑戰(zhàn),在事先使用時鐘門控技術(shù)和多閾值CMOS器件技術(shù)的基礎(chǔ)上,增加了多電壓供電與電源關(guān)斷技術(shù)來進一步優(yōu)化全IP核的功耗,其中針對Bittop的物理結(jié)構(gòu)特點,采用非層次式方法編寫了全IP核的UPF文件。最終通過使用功耗分析工具PrimeTime PX,實驗證明了利用多電壓供電與電源關(guān)斷技術(shù)可有效降低Bittop的功耗,且較采用此技術(shù)之前,功耗下降約59.74%。