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        固相濃度電容傳感器特性分析與結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)選

        2021-06-28 08:27:04張西良胡國(guó)強(qiáng)徐云峰
        關(guān)鍵詞:張角極板屏蔽

        張西良,胡國(guó)強(qiáng),徐云峰,2*

        (1. 江蘇大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,江蘇 鎮(zhèn)江 212013;2. 藍(lán)深集團(tuán)股份有限公司, 江蘇 南京 211500)

        在農(nóng)用物料、化工、食品、藥品等工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有大量固相物料需要通過(guò)螺旋不連續(xù)定量加料的方式實(shí)現(xiàn)定量配料或者定量包裝,其中固相物料濃度的檢測(cè)對(duì)定量加料具有十分重要的意義[1-2].目前一般管道內(nèi)固相物料濃度的檢測(cè)方法主要有電學(xué)法、共振法、衰減法等[3].電容法具有非侵入式、響應(yīng)快速、安全可靠的特性,因此選擇電容傳感器進(jìn)行在線測(cè)量[4].

        由于軟場(chǎng)效應(yīng),檢測(cè)靈敏度在電容場(chǎng)內(nèi)各點(diǎn)分布不一致,即物料在空間分布的不同,將導(dǎo)致測(cè)量濃度產(chǎn)生變化[5],使其不能滿足螺旋加料管中固相物料濃度檢測(cè)的實(shí)際生產(chǎn)要求.

        針對(duì)電容傳感器的軟場(chǎng)特性,一些學(xué)者提出螺旋極板電容結(jié)構(gòu),這種螺旋電極所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)電場(chǎng)可以明顯減小電容器的軟場(chǎng)效應(yīng).例如:胡紅利等[6]研制螺旋表面極板電容式濃度測(cè)量系統(tǒng),并將其應(yīng)用于氣力輸粉系統(tǒng);張文景[7]使用有限元法對(duì)螺旋表面極板電容傳感器進(jìn)行仿真;基于該傳感器結(jié)構(gòu),李鵬等[8]完成固相質(zhì)量檢測(cè).螺旋電極結(jié)構(gòu)是為得到一個(gè)盡可能均勻的檢測(cè)場(chǎng),上述研究中大多采用二維有限元仿真方法,忽略了電容傳感器軸向邊緣效應(yīng)等影響.

        文中以螺旋加料輸送管道中固相物料濃度檢測(cè)為研究對(duì)象,針對(duì)螺旋表面極板電容傳感器對(duì)螺旋管中固相物料濃度檢測(cè)受固相分布及流型影響大的問(wèn)題,開展三維仿真正交試驗(yàn),分析靈敏度場(chǎng)影響因素,優(yōu)選結(jié)構(gòu)參數(shù),改善軟場(chǎng)效應(yīng),提高其對(duì)固相物料濃度檢測(cè)的準(zhǔn)確性.

        1 電容傳感器檢測(cè)場(chǎng)均勻性及影響 因素

        1.1 螺旋表面極板電容傳感器結(jié)構(gòu)

        傳感器包括源極板、檢測(cè)極板、保護(hù)極板、輸送管和屏蔽罩,在軸向上全部電極經(jīng)過(guò)180°扭轉(zhuǎn)[9],如圖1所示.其結(jié)構(gòu)參數(shù):屏蔽罩半徑R3、源電極張角θ、保護(hù)電極張角θg、螺旋極板軸向長(zhǎng)度L、屏蔽罩長(zhǎng)度LSC、管壁相對(duì)介電常數(shù)εpipe.假設(shè)管道內(nèi)固相介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為ε.文中用于檢測(cè)小米濃度的傳感器固定參數(shù):管道內(nèi)半徑R1=20 mm,管道外半徑R2=25 mm,管道材料為有機(jī)玻璃,其相對(duì)介電常數(shù)εpipe=3,小米相對(duì)介電常數(shù)ε=3.5,屏蔽罩和電極板的材料為黃銅.

        圖1 電容傳感器

        1.2 螺旋表面極板電容傳感器檢測(cè)電場(chǎng)均勻性

        針對(duì)螺旋加料管道結(jié)構(gòu)特點(diǎn),基于仿真軟件構(gòu)建傳感器三維檢測(cè)場(chǎng),設(shè)置各電極的邊界條件,在管道中加入螺旋軸及螺旋葉片,傳感器三維模型如圖2所示.圖3為空管道及螺旋管道電場(chǎng)示意圖.

        圖2 傳感器模型

        圖3 傳感器電場(chǎng)示意圖

        在沒有螺旋軸及螺旋葉片時(shí),管道內(nèi)充滿空氣,螺旋軸及螺旋葉片與空氣的相對(duì)介電常數(shù)接近,由此忽略添加軸和葉片對(duì)檢測(cè)場(chǎng)的影響.截取軸向不同位置的電場(chǎng)如圖4所示,電場(chǎng)在軸向進(jìn)行了疊加,使得管道內(nèi)電勢(shì)分布變得均勻.

        圖4 傳感器電場(chǎng)圖

        1.3 靈敏度場(chǎng)指標(biāo)

        在N個(gè)單元的檢測(cè)空間內(nèi),單元i的靈敏度計(jì)算為

        (1)

        式中:C(i)為單元i分布固相而剩余空間填充氣相時(shí)的電容;Cgas為全部充滿氣相時(shí)的電容值;Csolid為全部充滿固相時(shí)的電容值;μ(i)為修正因子,為管道內(nèi)部總體積與第i個(gè)單元的體積之比.

        靈敏度均勻性誤差Svp為

        (2)

        式中:Sde為各單元靈敏度的標(biāo)準(zhǔn)差;Savg為各單元靈敏度的平均值.

        (3)

        (4)

        均勻性誤差參數(shù)Svp反映檢測(cè)場(chǎng)靈敏度均勻程度,Svp越小,靈敏場(chǎng)分布越均勻[10-13].

        檢測(cè)場(chǎng)整體靈敏度S1越大代表靈敏度越高[14-15],計(jì)算公式為

        (5)

        1.4 螺旋表面極板電容傳感器檢測(cè)場(chǎng)影響因素

        針對(duì)螺旋表面極板電容傳感器檢測(cè)場(chǎng)的特殊性,采用Comsol有限元軟件,進(jìn)一步對(duì)傳感器檢測(cè)場(chǎng)進(jìn)行仿真計(jì)算.將傳感器主要結(jié)構(gòu)參數(shù)如源/檢測(cè)電極張角θ作為影響因素,分析其對(duì)靈敏度場(chǎng)各個(gè)指標(biāo)的影響,得到各個(gè)影響因素的合理數(shù)值范圍,在此基礎(chǔ)之上,對(duì)結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)選.

        1.4.1 源/檢測(cè)電極與靈敏度場(chǎng)的關(guān)系

        靈敏度場(chǎng)中,固相物料濃度由源/檢測(cè)電極間感應(yīng)的電容值反映,首先進(jìn)行源電極張角仿真分析,設(shè)置另外的參數(shù)值不變,圖5為靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與θ的關(guān)系.

        圖5 靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與θ的關(guān)系

        源電極張角變化時(shí),仿真靈敏度場(chǎng)內(nèi)沒有填充固相物料以及填充滿物料時(shí)的輸出電容,見圖5a,傳感器電容值與電場(chǎng)中源電極覆蓋面呈正相關(guān)關(guān)系.在源電極張角增加時(shí),傳感器整體靈敏度將降低,見圖5b.圖5c表明,均勻性誤差值的變化遵循拋物線規(guī)律,在張角為125°時(shí)達(dá)到最小.從各個(gè)指標(biāo)綜合看,選取125°~135°作為源電極張角的變化區(qū)間.

        1.4.2 電極長(zhǎng)度與靈敏度場(chǎng)的關(guān)系

        在傳感器三維空間中,電容值與電極長(zhǎng)度密切相關(guān),三維電場(chǎng)是經(jīng)過(guò)軸向上疊加得到的,同樣需要進(jìn)行電極長(zhǎng)度仿真分析,設(shè)置另外的參數(shù)值不變,圖6為靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與L的關(guān)系.在電極長(zhǎng)度變化時(shí),仿真靈敏度場(chǎng)內(nèi)沒有填充固相物料以及填充滿物料時(shí)的輸出電容如圖6a所示,可以看出,傳感器電容值與電場(chǎng)中電極長(zhǎng)度呈正相關(guān)關(guān)系.在電極長(zhǎng)度增加時(shí),傳感器整體靈敏度也提高,如圖6b所示.由6c可看出,均勻性誤差值的變化同樣遵循拋物線規(guī)律,在長(zhǎng)度為120 mm時(shí)誤差達(dá)到最小.綜合各個(gè)指標(biāo),電極長(zhǎng)度選取較小值,因此選取100~140 mm作為電極長(zhǎng)度的變化區(qū)間.

        圖6 靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與L的關(guān)系

        1.4.3 保護(hù)極板與靈敏度場(chǎng)的關(guān)系

        靈敏度場(chǎng)中管道中心的靈敏度值較小,加入保護(hù)電極的目的是適當(dāng)增加中心區(qū)域靈敏度,改善電場(chǎng)均勻性.因此進(jìn)行保護(hù)電極仿真分析,設(shè)置其他參數(shù)值不變,圖7為靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與θg的關(guān)系.

        在電極張角變化時(shí),仿真靈敏度場(chǎng)內(nèi)沒有填充固相物料以及填充滿物料時(shí)的輸出電容見圖7a,傳感器電容值與電場(chǎng)中電極張角呈負(fù)相關(guān)關(guān)系. 在電極張角增加時(shí),傳感器整體靈敏度同樣將提高,如圖7b所示.圖7c表明,均勻性誤差值的變化同樣遵循拋物線規(guī)律,在張角為20°時(shí)達(dá)到最小.綜合各個(gè)指標(biāo),選取15°~25°作為保護(hù)電極張角的變化區(qū)間.

        圖7 靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與θg的關(guān)系

        1.4.4 屏蔽罩與靈敏度場(chǎng)的關(guān)系

        在實(shí)際復(fù)雜的電磁環(huán)境中,加入屏蔽罩可以盡量降低外界環(huán)境對(duì)固相濃度測(cè)量的影響,因此需要進(jìn)行屏蔽罩仿真分析,設(shè)置其他參數(shù)值不變,研究靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與屏蔽罩半徑R3之間的關(guān)系,圖8為計(jì)算結(jié)果.

        圖8 靈敏度場(chǎng)指標(biāo)與R3的關(guān)系

        在屏蔽罩半徑變化時(shí),仿真靈敏度場(chǎng)內(nèi)沒有填充固相物料以及填充滿物料時(shí)的輸出電容如圖8a所示,傳感器電容值與電場(chǎng)中屏蔽罩半徑呈正相關(guān)關(guān)系.在屏蔽罩半徑增加時(shí),傳感器整體靈敏度將降低,如圖8b所示.圖8c表明,均勻性誤差值的變化同樣遵循拋物線規(guī)律,在半徑為35 mm時(shí)誤差達(dá)到最小.綜合各個(gè)指標(biāo),屏蔽罩半徑選取較小值,因此選取30~40 mm作為屏蔽罩半徑的變化區(qū)間.

        2 參數(shù)優(yōu)選正交試驗(yàn)

        為提高靈敏度場(chǎng)均勻性,以減小Svp為參數(shù)優(yōu)選結(jié)果,選擇科學(xué)、高效的正交試驗(yàn)法進(jìn)行參數(shù)優(yōu)選[16].由于第一節(jié)按照單因素輪換法已篩選出各因素理想的水平區(qū)間,因此取各水平值設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案如表1所示,表中4個(gè)因素分別為源電極張角θ(A)、電極長(zhǎng)度L(B)、保護(hù)電極張角θg(C)、屏蔽罩半徑R3(D).

        表1 正交試驗(yàn)方案

        按照正交試驗(yàn)原則,設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)正交表,各個(gè)因素水平組合的仿真結(jié)果如表2所示.

        表2 因素組合表和結(jié)果

        對(duì)表2的計(jì)算結(jié)果進(jìn)一步處理,計(jì)算因素水平對(duì)應(yīng)的優(yōu)選目標(biāo)Svp的平均值.圖9為得到的優(yōu)選目標(biāo)Svp與試驗(yàn)因素的變化關(guān)系.關(guān)系圖中顯示源電極張角等影響因素與優(yōu)選目標(biāo)Svp的變化關(guān)系與第一節(jié)中分析得到的拋物線規(guī)律相符,結(jié)果顯示上述3個(gè)因素的水平設(shè)計(jì)是較優(yōu)的.而優(yōu)選目標(biāo)Svp與屏蔽罩半徑的關(guān)系呈正相關(guān)趨勢(shì),由于需要保證R3的選擇合理有效,其值需要在一定范圍之上.在30~40 mm內(nèi),屏蔽罩半徑的試驗(yàn)水平選擇合理,所以綜合而言,所設(shè)計(jì)的正交試驗(yàn)方案可以得到較優(yōu)的因素組合.

        圖9 優(yōu)選目標(biāo)與因素關(guān)系圖

        前面計(jì)算出各因素組合的仿真結(jié)果,完成了正交試驗(yàn)分析的第一步,還需要基于科學(xué)的統(tǒng)計(jì)原理對(duì)計(jì)算結(jié)果做處理,進(jìn)一步基于方差分析法獲得最佳的因素組合.為高效地進(jìn)行方差分析,使用SPSS軟件建立正交試驗(yàn)表,得到方差分析結(jié)果表如表3所示.

        表3 方差分析結(jié)果表

        方差分析綜合考慮因素水平與試驗(yàn)誤差產(chǎn)生的試驗(yàn)結(jié)果變化.上面的方差結(jié)果表中,不存在試驗(yàn)誤差項(xiàng),導(dǎo)致統(tǒng)計(jì)量F和P顯著性列為空白.在方差分析過(guò)程時(shí),當(dāng)不能列出試驗(yàn)項(xiàng),不能進(jìn)行多次重復(fù)試驗(yàn)時(shí),一般將所有因素中對(duì)目標(biāo)結(jié)果影響最小的因素當(dāng)作誤差列[17].方差結(jié)果表中平方和列反映因素對(duì)目標(biāo)結(jié)果的影響作用,D的平方和最小,故將其作為試驗(yàn)誤差,如表4所示,再次進(jìn)行方差分析,得到各因素對(duì)目標(biāo)結(jié)果影響的顯著性大小.

        表4 方差分析結(jié)果

        由表4平方和項(xiàng)數(shù)值表明,源電極張角對(duì)目標(biāo)結(jié)果的影響作用最大,而屏蔽罩對(duì)目標(biāo)結(jié)果的影響最小,得到所有結(jié)構(gòu)參數(shù)在本次試驗(yàn)的主次順序由大到小依次為B>A>C>D.正交試驗(yàn)安排均勻有代表性的因素組合,正交表中目標(biāo)結(jié)果最小的組合可以作為最終的傳感器結(jié)構(gòu)參數(shù)組合.顯然因素組合表中第2組試驗(yàn)計(jì)算得到的均勻性誤差最小,經(jīng)過(guò)正交試驗(yàn)優(yōu)選的最終因素組合為B2A1C2D2.

        3 檢測(cè)場(chǎng)均勻性驗(yàn)證試驗(yàn)

        文中采用仿真計(jì)算法分析電容傳感器的檢測(cè)場(chǎng)特性,在理論上改善了電場(chǎng)均勻性,需要進(jìn)一步開展試驗(yàn),對(duì)仿真結(jié)果做驗(yàn)證.采用與固相相對(duì)介電常數(shù)接近的有機(jī)玻璃棒(R=2 mm)作為填充材料,使用絕緣管道及純銅材料作為電極,制作傳感器.為實(shí)現(xiàn)繩狀流的固相分布以及方便試驗(yàn),特別加工制作半徑與管道內(nèi)徑相同的玻璃圓板,在上面打半徑為2 mm的圓孔共19個(gè),使其在圓板上均勻分布,將圓板沿軸向嵌入管道內(nèi)固定,將玻璃棒插入圓板的孔中.改變玻璃棒的位置,傳感器電容值的變化將反映實(shí)際的靈敏度均勻性.

        為檢測(cè)傳感器實(shí)際電容值,采用高精度的阻抗分析儀IM3570,如圖10所示.開始時(shí)管道內(nèi)不放置玻璃棒,記錄空管電容測(cè)量值.其次在管道內(nèi)添加玻璃棒,每次改變玻璃棒的位置,得到對(duì)應(yīng)位置I的實(shí)際電容值C, 測(cè)量數(shù)據(jù)如表5所示,電容值單位為pF,空管電容值為0.560 87 pF.測(cè)量得到的實(shí)際電容值和仿真電容不一致,主要由于仿真和試驗(yàn)的激勵(lì)電壓頻率設(shè)置不一樣,當(dāng)進(jìn)行有限元分析時(shí),在靜電場(chǎng)中創(chuàng)建傳感器模型,理論電容可看作與電壓頻率無(wú)關(guān).實(shí)際環(huán)境下,阻抗分析儀需要設(shè)定激勵(lì)頻率,導(dǎo)致實(shí)際電容值改變,本次測(cè)量設(shè)置的激勵(lì)電壓為1 V,頻率為100 MHz.

        圖10 電容檢測(cè)系統(tǒng)

        表5 均勻性測(cè)量數(shù)據(jù)

        計(jì)算均勻性誤差參數(shù):靈敏度平均值Savg為1.231 4;靈敏度的標(biāo)準(zhǔn)差Sde為0.066 8,均勻性誤差參數(shù)Svp為5.43%.本次試驗(yàn)的傳感器檢測(cè)場(chǎng)均勻性誤差參數(shù)Svp=5.43%,與仿真計(jì)算得到的數(shù)值基本相符,驗(yàn)證了仿真分析的有效性,經(jīng)過(guò)參數(shù)優(yōu)選得到的檢測(cè)場(chǎng)均勻性較好.

        4 結(jié) 論

        對(duì)螺旋表面極板電容傳感器進(jìn)行理論分析和試驗(yàn)驗(yàn)證,得到如下結(jié)論:

        1) 源極板張角θ在125°~145°內(nèi),隨著θ增大,傳感器電容值變大,S1減小,Svp先減小后增大;極板軸向長(zhǎng)度L在100~180 mm內(nèi),隨著L增大,傳感器電容值變大,S1增大,Svp先減小后增大; 保護(hù)極板張角θg在15°~35°內(nèi),隨著θg增大,傳感器電容值變小,S1增大,Svp先減小后增大;屏蔽罩半徑R3在30~45 mm內(nèi),隨著R3增大,傳感器電容值變大,S1減小,Svp先減小后增大.

        2)θ為125°,L為120 mm,θg為20°,R3為35 mm時(shí),電容傳感器具有均勻的靈敏度場(chǎng)分布,其檢測(cè)場(chǎng)均勻性誤差參數(shù)Svp為5.43%.

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