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        PyC界面層厚度對(duì)三維針刺C/ZrC-SiC復(fù)合材料力學(xué)性能影響規(guī)律

        2021-05-15 08:32:16楊曉輝李克智白龍騰
        宇航材料工藝 2021年2期
        關(guān)鍵詞:斷裂韌性碳纖維基體

        楊曉輝 李克智 白龍騰 王 毅

        (1 西北工業(yè)大學(xué),西安 710072)

        (2 西安航天動(dòng)力研究所,西安 710010)

        0 引言

        C/SiC 復(fù)合材料因其優(yōu)良的高溫強(qiáng)度保留率、斷裂韌性、良好的化學(xué)惰性、耐燒蝕及較低的熱膨脹等性能,被認(rèn)為空天飛行器熱端部件(如鼻錐、火箭噴管、機(jī)翼前緣等)最有前途的備選材料[1-5]。然而,隨著空天飛行器飛行速度的持續(xù)增加(大于5Ma),要求這些組件在發(fā)射期間、返回或飛行過程中需要承受更高的溫度和更大的機(jī)械振動(dòng)應(yīng)力,部件局部溫度可能超過2 000 ℃,而C/SiC 復(fù)合材料SiC 基體在超過1 700 ℃以上會(huì)發(fā)生主動(dòng)氧化反應(yīng)[6]生成SiO,失去對(duì)碳纖維和基體的保護(hù),導(dǎo)致其無法實(shí)現(xiàn)1 650 ℃以上長時(shí)間服役工作,故有必要不斷提高C/SiC 復(fù)合材料服役使用溫度,同時(shí)兼顧良好的力學(xué)特性。

        目前,有關(guān)提高C/SiC 復(fù)合材料耐溫能力的主要方法有涂層制備[7-9]和基體改性[10-14]兩種。其中,基體改性技術(shù)因超高溫陶瓷分散均勻、良好的工藝性以及簡單易實(shí)現(xiàn),成為提高C/SiC 復(fù)合材料耐溫能力的主要技術(shù)途徑;而在現(xiàn)有常見基體改性材料ZrC、ZrB2、HfC、HfB2幾種陶瓷中,ZrC 陶瓷憑借耐溫高、低成本、抗氧化等優(yōu)勢,引起國內(nèi)外研究學(xué)者廣泛關(guān)注[15-17]。但大多數(shù)改性ZrC 陶瓷均需要Zr 系化合物和C 經(jīng)過高溫碳熱還原反應(yīng)獲得,使得高溫?zé)崽幚頃?huì)促使纖維和基體在界面處發(fā)生強(qiáng)烈的腐蝕反應(yīng),進(jìn)而對(duì)碳纖維造成結(jié)構(gòu)損傷[18],一定程度降低了改性C/SiC 復(fù)合材料力學(xué)性能。因此,十分有必要在保證C/ZrC-SiC 復(fù)合材料耐溫能力的同時(shí),需進(jìn)一步改善C/ZrC-SiC復(fù)合材料力學(xué)性能。

        就改善C/ZrC-SiC 復(fù)合材料力學(xué)性能而言,國內(nèi)外大多數(shù)學(xué)者主要從界面層厚度調(diào)控[19-23]和界面層成分設(shè)計(jì)[24-26]兩方面開展類似復(fù)合材料力學(xué)性能提升研究工作。其中,哈工大張幸紅等人[23]研究了熱解碳對(duì)Cf/ZrB2-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性影響,發(fā)現(xiàn)有界面層復(fù)合材料斷裂韌性從(5.97±0.18)MPa?m1/2提高至(7.66 ± 0.24)MPa?m1/2;西工大李克智等人[24]采用化學(xué)氣相沉積和碳熱還原反應(yīng)在碳纖維表面制備了PyC/SiC/TiC 復(fù)合界面層,發(fā)現(xiàn)制備后復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度達(dá)到(201.45 ± 5.27)MPa,提高41.7%。其中,相比界面層成分設(shè)計(jì),界面層厚度控制工藝實(shí)現(xiàn)性更強(qiáng),對(duì)復(fù)合材料本征力學(xué)性能(尤其常溫性能)影響更為明顯,但上述國內(nèi)外大多數(shù)研究者僅開展了界面層厚度對(duì)復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度或斷裂韌性影響規(guī)律研究,鮮有報(bào)道界面層厚度對(duì)C/ZrCSiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度與韌性指標(biāo)共同影響規(guī)律研究,一定程度阻礙了C/ZrC-SiC 該新型復(fù)合材料在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用及構(gòu)件可靠性評(píng)價(jià)。

        本文采用化學(xué)氣相沉積工藝制備了熱解碳(PyC)界面層,通過控制沉積時(shí)間制備了不同PyC 界面層厚度試樣,系統(tǒng)研究了PyC 界面層厚度對(duì)三維針刺C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的彎曲、斷裂韌性影響規(guī)律,并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行簡要分析。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 原材料

        碳纖維預(yù)制體選擇為宜興飛舟高新技術(shù)有限公司生產(chǎn)的3D 針刺預(yù)制體。碳布:網(wǎng)胎比為75%∶25%,纖維體積分?jǐn)?shù)為45 %,密度為0.42~0.45 g/cm3。聚碳硅烷(PCS):蘇州賽力菲陶纖有限公司,分子量為1 000~1 400 g/mol,軟化點(diǎn)為160~260 ℃,氧含量≯1.10 %,陶瓷產(chǎn)率55 %。聚碳鋯烷(PZC):中科院化學(xué)所,陶瓷產(chǎn)率35%。

        1.2 材料制備

        以甲烷為先驅(qū)體,采用化學(xué)氣相沉積工藝在3D針刺預(yù)制體碳纖維表面制備PyC 界面層,通過控制沉積時(shí)間(5、15、30、50 h),獲得4 組不同厚度PyC 界面層的試樣預(yù)制體,分別標(biāo)記為S5、S15、S30、S50。

        隨后,采用如圖1所示先驅(qū)體浸漬-裂解工藝(PIP)路線完成C/ZrC-SiC 復(fù)合材料制備,并按要求加工出45 mm×7 mm×3.5 mm(長×寬×高)彎曲性能測試試樣和40 mm×3 mm×6 mm(長×寬×高)斷裂韌性測試試樣。此外,為對(duì)比不同PyC 界面層厚度C/ZrC-SiC 復(fù)合材料與C/SiC 復(fù)合材料彎曲力學(xué)性能差異,采用如圖1所示工藝路線同時(shí)制備了C/SiC 復(fù)合材料。

        圖1 C/ZrC-SiC和C/SiC復(fù)合材料制備工藝路線Fig.1 Preparation process route of C/ZrC-SiC and C/SiC composites

        1.3 性能表征

        參照《GB/T 6569—2006 精細(xì)陶瓷彎曲試驗(yàn)方法》進(jìn)行C/ZrC-SiC 復(fù)合材料和C/SiC 復(fù)合材料試樣三點(diǎn)彎曲性能測試,采用《GB/T 23806—2009 精細(xì)陶瓷斷裂韌性試驗(yàn)方法-單邊預(yù)裂紋梁(SENB)法》進(jìn)行C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性測試工作。其中,三點(diǎn)彎曲性能測試跨距為35 mm,加載速率為0.5 mm/min,斷裂韌性測試跨距為24 mm,切口深度為3.0 mm,加載速率為0.05 mm/min。此外,采用掃描電 鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM,JSM-6700F)觀察試樣截面、斷口和微觀形貌。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 微觀結(jié)構(gòu)

        圖2 不同沉積時(shí)間獲得PyC界面層SEM照片F(xiàn)ig.2 SEM images of PyC interface layer fabricated by different deposition time

        圖2為不同沉積時(shí)間PyC界面層涂層SEM 照片,可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)沉積時(shí)間為5 h 時(shí)[圖2(a)],碳纖維表面出現(xiàn)顆粒狀PyC 狀態(tài),符合典型PyC 熔滴沉積機(jī)理[27];而隨著沉積時(shí)間增加至15 h[圖2(b)],碳纖維表面PyC 厚度增加至0.5 μm;隨著沉積時(shí)間增加至30 h[圖2(c)],碳纖維表面PyC 厚度增加至1.5 μm,甚至部分碳纖維之間孔隙被PyC 涂層完全包裹;當(dāng)沉積時(shí)間增加至50 h[圖2(d)],基本上所有碳纖維之間孔隙被PyC 界面層涂層完全包裹,甚至表現(xiàn)出一定程度的熱解碳基體特征。

        以S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料為例,觀察了本實(shí)驗(yàn)制備獲得樣品橫截面,并進(jìn)行了相應(yīng)的EDS 分析,如圖3所示。從結(jié)果來看,S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料在疊層復(fù)合材料中表現(xiàn)出碳布與針狀纖維短切氈交替疊層,符合三維針狀預(yù)制件典型結(jié)構(gòu)[28]。如圖3(b)所示,基體中存在灰色相和亮相,根據(jù)EDS 分析,分別確定為ZrC和SiC[圖3(c)(d)]。與碳布區(qū)域相比,短切纖維氈區(qū)域ZrC-SiC 基體的ZrC 陶瓷(亮相)含量更高,因?yàn)槎糖欣w維網(wǎng)區(qū)具有較多的微裂紋和內(nèi)孔,有利于前驅(qū)體的浸漬過程,說明本試驗(yàn)選擇的工藝路線能夠?qū)崿F(xiàn)C/ZrC-SiC復(fù)合材料的制備。

        為進(jìn)一步對(duì)比,對(duì)4 組C/ZrC-SiC 復(fù)合材料復(fù)合材料碳布區(qū)域進(jìn)行SEM 觀察(圖4),可以看出,其PyC 界面層微觀結(jié)構(gòu)存在較大差異:S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[圖4(a)]碳布區(qū)域的碳纖維基本處于分離狀態(tài),偶爾發(fā)現(xiàn)“纖維結(jié)合”現(xiàn)象,說明PyC 界面層厚度較??;而S15-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[圖4(b)]碳布區(qū)域處于分離狀態(tài)的碳纖維數(shù)量明顯減少,“纖維結(jié)合”現(xiàn)象正在加劇,并出現(xiàn)了“纖維束結(jié)合”現(xiàn)象,說明界面層厚度增加到一定程度后,開始填充纖維束之間孔隙;S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[圖4(c)]碳布區(qū)域表現(xiàn)出比S15-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料更多的“纖維束結(jié)合”現(xiàn)象,說明PyC 界面層填充纖維束之間孔隙數(shù)量不斷增加;S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[圖4(d)],因PyC 界面層填充纖維束之間孔隙尺寸和數(shù)量均得到大幅提升,表現(xiàn)出十分明顯的“纖維束結(jié)合”現(xiàn)象,而上述現(xiàn)象基本符合圖2中碳纖維表面界面層SEM照片。

        圖3 S5-C/ZrC-SiC復(fù)合材微觀結(jié)構(gòu)SEM照片和EDS分析結(jié)果Fig.3 SEM and EDS analysis of microstructure of S5-C/ZrC SiC composites

        圖4 C/ZrC-SiC復(fù)合材料試樣截面背散射電子圖像Fig.4 Backscattered electron images of the polished cross section for C/ZrC-SiC composites

        2.2 彎曲性能

        圖5為不同PyC 界面層厚度復(fù)合材料彎曲力學(xué)性能試驗(yàn)結(jié)果。可以看出,隨著本試驗(yàn)PyC 界面層厚度的增加,C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[圖5(a)]彎曲強(qiáng)度和彎曲模量均表現(xiàn)出先增大而后降低的變化規(guī)律。其中,S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量最小,分別為(78.72±2.15)MPa 和(14.44±1.22)GPa,而S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量最大,分別為(171.11±9.06)MPa 和(17.56±0.51 GPa。分析認(rèn)為這主要是由于S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料PyC 界面厚度較薄,導(dǎo)致碳纖維易發(fā)生腐蝕,造成纖維承載能力下降,而隨著PyC 界面層厚度增加,PyC界面層能有效地防止纖維發(fā)生化學(xué)腐蝕[19],同時(shí)較厚界面能緩解纖維與ZrC-SiC 基體之間的熱膨脹失配,減少基體微裂紋,有助于提高S15-C/ZrC-SiC和S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度。而當(dāng)S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料PyC 界面層厚度繼續(xù)增加時(shí),碳纖維與ZrC-SiC 基體嚙合強(qiáng)度將逐漸降低,導(dǎo)致PyC界面抗滑移性能降低[29],引發(fā)S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷彎曲強(qiáng)度出現(xiàn)下降。

        圖5 不同界面層厚度復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量Fig.5 Flexural strength and modulus of composites with different interface thickness

        對(duì)比C/SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量[圖5(b)],發(fā)現(xiàn)同種界面層厚度C/SiC 復(fù)合材料彎曲力學(xué)性能均明顯高于C/ZrC-SiC 復(fù)合材料,這基本符合相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果。經(jīng)計(jì)算,可得S5-C/ZrC-SiC、S15-C/ZrC-SiC、S30-C/ZrC-SiC、S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量分別比C/SiC 復(fù)合材料下降20.73%和57.98%、30.13%和53.98%、36.10%和51.48 %以及50.26 %和46.66 %,說明隨著PyC 界面層增厚,C/ZrC-SiC復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度降低幅度不斷增大,而C/ZrC-SiC彎曲模量降低幅度卻不斷減小。

        圖6為不同界面層厚度復(fù)合材料的載荷-位移曲線??梢姡SPyC界面層厚度增加,C/ZrC-SiC復(fù)合材料和C/SiC 復(fù)合材料在最大載荷下降過程均表現(xiàn)出更為平緩(存在鋸齒狀下降模式),說明隨著PyC 界面層增厚,C/ZrC-SiC 和C/SiC 復(fù)合材料均存在從“脆性”向“假塑性”斷裂模式轉(zhuǎn)變的趨勢。此外,相比于C/SiC 復(fù)合材料,C/ZrC-SiC 復(fù)合材料鋸齒狀下降模式更為明顯,說明其具有更好的“假塑性”斷裂特征。

        圖6 不同界面層厚度復(fù)合材料試樣典型載荷-位移曲線Fig.6 Typical load displacement curves of composite specimens with different interface thickness

        圖7為同界面層厚度C/ZrC-SiC復(fù)合材料彎曲試樣斷口SEM 照片。可見,S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料試樣斷口纖維束拔出數(shù)量較少,且拔出長度較短,說明纖維承載能力較差,主要由于PyC 界面層厚度較小,導(dǎo)致基體與纖維之間的界面結(jié)合較強(qiáng),使得纖維無法有效發(fā)揮承載作用;而S15-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料試樣斷口纖維束拔出數(shù)量仍然較少,但纖維拔出長度得到一定程度增加,這源于PyC 界面層厚度增加,進(jìn)一步弱化了基體與纖維之間的結(jié)合強(qiáng)度;就S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料而言,其斷口纖維束拔出數(shù)量明顯增多,說明基體與界面之間的結(jié)合強(qiáng)度合適,纖維能夠充分發(fā)揮承載作用;隨著PyC 界面層厚度繼續(xù)增加,S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲試樣斷口纖維束拔出數(shù)量和長度均有明顯減小的趨勢,這主要由于PyC界面層過厚,基體與纖維之間結(jié)合強(qiáng)度過小,使得纖維承載能力下降,且因PyC 界面層含量的提高,材料內(nèi)部ZrC-SiC 基體含量勢必下降,進(jìn)一步削弱了材料總體承載能力,最終使得材料強(qiáng)度降低。

        圖7 不同界面層厚度C/ZrC-SiC復(fù)合材料彎曲試樣斷口SEM照片F(xiàn)ig.7 SEM micrographs of the fracture surfaces in the C/ZrC-SiC composites with different interface thickness

        2.3 斷裂韌性

        圖8為4 組C/ZrC-SiC 復(fù)合材料復(fù)合材料斷裂韌性(KIC)測試結(jié)果。結(jié)果表明,隨著PyC 界面層厚度的增加,KIC表現(xiàn)出先增大后減小的變化規(guī)律。

        圖8 不同界面層厚度C/ZrC-SiC復(fù)合材料的斷裂韌性Fig.8 Fracture toughness of C/ZrC-SiC composites with different interface thickness

        其中,S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的KIC最大(22.99±1.71) MPa?m1/2,分別比 S5-C/ZrC-SiC[(9.91±0.94)MPa?m1/2]、S15-C/ZrC-SiC[(11.86±1.55)MPa?m1/2]和S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料[(9.57±1.26)MPa?m1/2]提高約132%、94%和140%。試驗(yàn)表明,本實(shí)驗(yàn)獲得C/ZrC-SiC 復(fù)合材料對(duì)裂紋較為不敏感,不會(huì)發(fā)生災(zāi)難性損傷,但僅采用KIC指標(biāo)表征材料斷裂韌性具有一定局限性。因此,為進(jìn)一步準(zhǔn)確表征斷裂韌性特征,參照文獻(xiàn)[30]計(jì)算了斷裂功(γWOF),主要通過斷裂表面能U和斷裂試樣表面面積A獲得。其中,U可通過積分載荷-時(shí)間曲線最大載荷下降10%所包裹的面積獲得。

        圖9(a)為4 組C/ZrC-SiC 復(fù)合材料在斷裂韌性測試過程中典型載荷-時(shí)間曲線??梢园l(fā)現(xiàn),均壓縮至0.6~1.5 mm 范圍內(nèi)出現(xiàn)載荷平臺(tái),分析認(rèn)為主要由于試樣因表面致密性較差,使得材料表面在斷裂韌性測試初期會(huì)發(fā)生材料壓縮變形,進(jìn)而導(dǎo)致試樣載荷作用力保持不變。圖9(b)為計(jì)算得到C/ZrCSiC 復(fù)合材料的γWOF??梢园l(fā)現(xiàn)γWOF變化趨勢與KIC基本一致,即S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料γWOF最高為[(2 884.08±179.58)J/m2],其次是S15-C/ZrC-SiC復(fù)合材料[(2 047.35±172.31)J/m2]和S5-C/ZrC-SiC復(fù)合材料[(1 438.78±107.25)J/m2],S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的最小[(1 097.55±121.11)J/m2]。

        為進(jìn)一步明確4組復(fù)合材料斷裂行為,采用SEM顯微電鏡觀察4 組斷裂韌性試樣的裂紋擴(kuò)展路徑特征(圖10)。

        圖9 不同界面層厚度C/ZrC-SiC復(fù)合材料斷裂性能Fig.9 Fracture behaviors of C/ZrC-SiC composites with different interface thickness

        圖10 C/ZrC-SiC復(fù)合材料斷裂韌性試樣表面裂紋擴(kuò)展形貌Fig.10 Crack propagation path on the surface of C/ZrC-SiC composites after SENB test

        從圖10(a)可以看出,S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性試樣表面存在大量微裂紋,但裂紋基本沿直線方向擴(kuò)展,同時(shí)在缺口底部可檢測到“裂紋分枝”現(xiàn)象[圖10(b)]。隨著PyC 界面層厚度的增加,S15-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性試樣表面裂紋寬度變大[圖10(d)],并出現(xiàn)更明顯的“裂紋偏轉(zhuǎn)”現(xiàn)象[圖10(e)]。而對(duì)于S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料,其表面可清晰地觀察到一些“裂紋分枝”現(xiàn)象[圖10(g)],并可檢測到更嚴(yán)重的“裂紋偏轉(zhuǎn)”[圖10(h)],同時(shí)在缺口底部出現(xiàn)“纖維橋接”現(xiàn)象,有利于提高C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的斷裂性能。然而,隨著PyC 界面厚度不斷增加,S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料裂紋數(shù)量明顯減少,裂紋寬度明顯減小。同時(shí),還觀察到“纖維拔出”現(xiàn)象,但幾乎沒有“纖維橋接”現(xiàn)象。

        此外,還發(fā)現(xiàn)SENB 測試完成后,S5,S15,S30 和S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性試樣上缺口寬度存在顯著差異[圖10(c)(f)(i)(l)],即具有最佳斷裂性能的S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料上缺口寬度最大,接近1.0 mm,大于其他任何試樣。

        3 結(jié)論

        (1)隨著沉積時(shí)間從5 h 增加至50 h,針刺預(yù)制體碳纖維表面PyC 界面層從顆粒狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為厚度不斷增加的熱解碳界面層,同時(shí)C/ZrC-SiC 復(fù)合材料碳布區(qū)域纖維與界面結(jié)合方式存在“纖維分離”到“纖維粘接”乃至“纖維束粘接”的演變。

        (2)隨著PyC界面層厚度的增加,C/ZrC-SiC復(fù)合材料彎曲力學(xué)強(qiáng)度和彎曲模量均表現(xiàn)出先增大而后降低的變化規(guī)律。其中,S5-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量最小,分別為(78.72±2.15)MPa和(14.44±1.22)GPa,而S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度和彎曲模量最大,分別為(171.11±9.06)MPa和(17.56±0.51)GPa。

        (3)隨PyC界面層厚度增加,C/ZrC-SiC 復(fù)合材料斷裂韌性(KIC)和斷裂功(γWOF)均表現(xiàn)出先增大后降低的規(guī)律。其中,S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料KIC和γWO最高,分別為(22.99±1.71)MPa?m1/2和(2 884.08±179.58)J/m2,S50-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料的KIC和γWO最低,分別為(9.57±1.26)MPa?m1/2和(1 097.55±121.11)J/m2。這主要是由于S30-C/ZrC-SiC 復(fù)合材料在斷裂過程中存在較多的“纖維橋連”、“裂紋偏轉(zhuǎn)”和“裂紋分枝”現(xiàn)象,有利于消耗斷裂能,最終提高材料斷裂性能。

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