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        大功率帶狀線三分支電橋設(shè)計

        2021-04-24 11:06:10李寧
        關(guān)鍵詞:通帶隔離度直通

        李寧

        (西安電子工程研究所,陜西 西安710100)

        1 概述

        3dB 電橋是一種特殊的耦合器,有兩個輸出端,其耦合輸出和直通輸出信號相等,為輸入端信號一半,即3dB。兩端口存在90°相位差,故又稱3dB 正交耦合器。3dB 電橋可用于微波電調(diào)衰減器、平衡混頻器、檢波器及調(diào)制器等微波元件的設(shè)計和系統(tǒng)中,也可以作為功分器使用。本文中電橋的設(shè)計指標(biāo):通帶1.2~1.45GHz,功分比為1:1,通帶內(nèi)三個端口的駐波比要求1.2 以下,通帶內(nèi)直通口和耦合口隔離度要求25dB 以上,通帶內(nèi)直通口和耦合口插損要求在3.4dB 以下,通帶內(nèi)直通口和耦合口相位差要求90°±3°。

        2 設(shè)計原理

        2.1 電路結(jié)構(gòu)選擇

        電橋、傳輸線變壓器、Wilkinson 功率合成器都可以實現(xiàn)功率合成[1]。電橋依據(jù)結(jié)構(gòu)上的區(qū)別有分支線電橋、環(huán)形電橋等[2]。盡管兩分支電橋結(jié)構(gòu)簡單、加工方便,但由于單頻點四分之一波長分支線的原因,兩分支電橋帶寬一般很窄,很難滿足頻帶指標(biāo)。環(huán)形電橋雖然比兩分支電橋有較優(yōu)的頻帶特性但其缺點是兩個平分臂不靠在一起,而被隔離臂所分開,具體應(yīng)用中,兩個臂都要接上微波固體器件,往往需要把兩臂連接一起來得到平衡輸出,或者加一個公用偏壓源。此時用環(huán)形電橋,結(jié)構(gòu)上就比較困難。克服以上缺點的一個方法是使用多分支線電橋,理論分析表明,即使增加的節(jié)數(shù)不多,電橋的各指標(biāo)也可有較大的改善,工作頻段有較大的展寬。另外考慮到分支越多電路所占的面積越大,同時也加大了設(shè)計和加工的難度,本文選擇三分支電橋作為實現(xiàn)方式。

        2.2 三分支電橋簡述

        三分支電橋通過平行傳輸線中間的三根分支線進行能量耦合。分支線的線長為中心頻率對應(yīng)波長的四分之一,分支線的間隔也為中心頻率對應(yīng)波長的四分之一。結(jié)構(gòu)形式如圖1 所示。假設(shè)能量從1 口進入,2 口會有直通能量輸出,3 口會有耦合能量輸出,4 口在理想狀態(tài)下為隔離態(tài),沒有能量輸出。若2、3 口輸出功率都是1 口輸入功率的二分之一,則為3dB 電橋。

        2.3 理論分析

        按照奇偶模法對三分支電橋進行分析,把三分支電橋分成五各單元,級聯(lián)5 個單元的矩陣,得出電橋總的奇、偶模矩陣,通過理想的方向性條件、耦合度條件,可以計算出各分支線導(dǎo)納應(yīng)滿足的條件,當(dāng)外部分支線的導(dǎo)納比內(nèi)部較小時,可以有效拓展帶寬如圖1。

        圖1 三分支電橋

        3 電路設(shè)計與仿真優(yōu)化

        運用ADS 軟件提供的S_Params 控件[3]對三分支電橋的散射參量進行優(yōu)化仿真。同時考慮到電橋在低頻段尺寸大的問題,在電橋原理圖設(shè)計階段,將部分分支線進行彎折設(shè)計,在不影響性能的前提下,減小三分支電橋的版圖面積。為方便三分支電橋在實際中的運用,將2、3 端口間距拉大,方便實際運用中連接其他射頻器件。電橋原理圖如圖2 所示。

        圖2 三分支電橋原理圖

        在S_Params 控件中設(shè)置好微波介質(zhì)參數(shù)、結(jié)構(gòu)參數(shù)以及需要優(yōu)化的變量參數(shù),主要優(yōu)化變量為三分支線的寬度與長度參數(shù)。經(jīng)多次迭代,得到滿足要求的參數(shù)變量。主要變量值見表1,仿真結(jié)果見圖3~圖5。

        表1 主要優(yōu)化參數(shù)

        圖3 2、3 端口插入損耗(dB)

        圖4 1、2、3 端口回波損耗(dB)

        圖5 2、3 端口隔離度(dB)

        4 PCB 版圖

        根據(jù)ADS 自帶的layout 控件得到初步PCB 版圖,運用protel 對各分支進行精準(zhǔn)刻畫,同時為壓縮實物的大小,對帶狀線進行彎折設(shè)計,帶狀線周圍通過大面積地孔減少外界干擾。繪制的印制板如圖6 所示。

        圖6 電橋印制板圖

        5 實測結(jié)果

        運用相對介電常數(shù)2.2、厚度60mil 的微波復(fù)合介質(zhì)基片加工三分支電橋?qū)嵨?。使用Agilent 的N5244A 矢網(wǎng)測試三分支電橋的主要性能指標(biāo),結(jié)果如圖7~圖9。

        圖7 2、3 端口插入損耗(dB)

        圖8 1、2、3 端口駐波

        圖9 2、3 端口隔離度(dB)

        實測指標(biāo)總結(jié)如下:頻帶覆蓋1.2~1.45GHz,頻帶內(nèi)1、2、3端口的駐波在1.1 以下,2、3 端口的隔離度在27dB 以上,2、3 端口的插入損耗在3.34dB 以下,2、3 端口的相位差在85°~93°,相位差略超指標(biāo)要求。

        6 結(jié)論

        本文介紹了三分支電橋的理論分析和設(shè)計實現(xiàn)過程,通過ADS 軟件進行設(shè)計和優(yōu)化可以使微波電路的設(shè)計能做到快速滿足性能指標(biāo)。從測試結(jié)果可以看出各項指標(biāo)的實測結(jié)果與設(shè)計仿真結(jié)果有著較好的吻合,除兩輸出端口相位差略超指標(biāo)要求,其他各項性能指標(biāo)良好。

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