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        還原氧化石墨烯增強碳化硼陶瓷的制備與表征

        2021-04-17 05:32:02方寧象張善偉林文松
        人工晶體學報 2021年3期
        關鍵詞:復合材料質(zhì)量

        許 森,方寧象,張善偉,張 虹,林文松

        (1.上海工程技術大學材料工程學院,上海 201620;2.浙江立泰復合材料股份有限公司,湖州 313200)

        0 引 言

        碳化硼(B4C)是一種重要的工程材料,具有高硬度(>30 GPa)、高彈性模量(450 GPa)、低密度(2.52 g/cm3)等優(yōu)良性能,是一種很有前途的防彈裝甲材料[1]。然而,由于B4C的彎曲強度不高、斷裂韌性較低(<2.2 MPa·m1/2),綜合性能優(yōu)勢不明顯,尤其是抗多發(fā)彈能力較弱,阻礙了其實際應用的步伐。提高B4C的斷裂韌性和彎曲強度的重點是充分發(fā)揮其高硬度、低密度優(yōu)勢,從而在新一代防護裝甲中獲得一席之地。

        石墨烯及其衍生物,由于其獨特的物理和化學性質(zhì),是對陶瓷復合材料最有吸引力的增強增韌材料之一[2-5]。但是,石墨烯難以在水或者酒精中進行分散,從而無法均勻分布于陶瓷基體中。氧化石墨烯(GO)是石墨烯家族的一員,由于其表面存在大量含氧基團(羥基、羧基和環(huán)氧基),在適當?shù)姆稚┖蛷娏Ψ稚l件下,可以更容易地均勻分散在去離子水中[6]。將GO引入到陶瓷基體內(nèi),在高溫燒結(jié)過程中,GO能被還原為還原型氧化石墨烯(rGO),從而可以實現(xiàn)石墨烯對陶瓷基體的增強和增韌作用。Wang等[7]提出了一種自組裝聚合方法來獲得GO/B4C復合粉體,將GO分散于去離子水中,以丙烯酰胺為單體,在惰性氣氛中,通過添加引發(fā)劑和交聯(lián)劑獲得交聯(lián)聚丙烯酰胺(PAM)網(wǎng)絡,將 B4C粉體被包裹在體系中,丙烯酰胺的酰胺單元再與GO的羥基、羧基和醚基形成氫鍵,從而將GO引入交聯(lián)體系,得到均勻的GO/B4C復合粉體。上述方法對于獲得均勻的復合粉末是有效的,但難以進行工程放大,也無法獲得成形性好的混合粉末。除此之外,也有研究小組采用長時間高能球磨的方法來獲得GO/B4C粉末,但在這些方法中,氧化石墨烯發(fā)生團聚,導致其分布不均勻,長時間的球磨也容易引入雜質(zhì)。

        本研究首先采用強力分散手段,使用超聲發(fā)生器對用去離子水作為溶劑,N-甲基吡咯烷酮(NMP)作為分散劑的氧化石墨烯溶液進行高強度、長時間的超聲震蕩,從而得到穩(wěn)定分散的GO水懸濁液。再將這些GO懸濁液逐步加入到球磨中的B4C漿料中,得到GO/B4C漿料,然后進行離心霧化造粒,得到了分散均勻的、成形性好的GO/B4C,通過熱壓得到rGO/B4C陶瓷。隨后,研究了rGO對復合材料微觀結(jié)構和力學性能的影響。此工藝簡便易行,容易工程放大。

        1 實 驗

        1.1 GO在水中的分散

        GO由常州碳輝新材料有限公司提供;分散劑N-甲基吡咯烷酮(NMP)購自迅途化工(上海)有限公司。

        將質(zhì)量分數(shù)為1.0%的GO與去離子水混合,并加入質(zhì)量分數(shù)0.5%的分散劑,超聲分散和機械攪拌30 min,得到分散均勻穩(wěn)定的GO水懸濁液。超聲發(fā)生器的功率和分布對GO的分散具有很大影響。分散劑則對已經(jīng)分散的GO 懸濁液的長期均勻穩(wěn)定起到?jīng)Q定性的作用。

        1.2 GO/B4C復合粉體制備

        B4C粉體購自金剛鉆碳化硼有限公司。將制配好的B4C粉末與去離子水以質(zhì)量比1∶1配合,并加入與粉末質(zhì)量相同的碳化硅磨球,在球磨罐中球磨8 h,而后將GO懸濁液泵入球磨罐中,在1 h內(nèi)加入完成,期間球磨罐不停球磨。氧化石墨烯加入完畢,繼續(xù)球磨5 h,得到GO/B4C混合漿料。通過離心霧化得到GO/B4C復合粉體,離心霧化時出入風口溫度分別為95 ℃和185 ℃,混合粉末的含水量的質(zhì)量分數(shù)為1%,粒徑D50為140 μm。

        1.3 真空熱壓致密化

        合成的復合粉末在石墨模具中真空熱壓致密化,試驗的熱壓燒結(jié)溫度在1 850~2 100 ℃之間,壓力固定為30 MPa,燒結(jié)時間為24 h。為了防止粉末直接接觸石墨模具,在粉末與模具內(nèi)壁之間使用0.2 mm厚的石墨紙箔隔開。

        1.4 表 征

        采用排水法測量復合材料的密度(GB/T 25995—2010),并根據(jù)材料成分推算復合材料的理論密度,計算其相對密度。對復合材料樣品進行切割、研磨和拋光,以測試其力學性能和微觀結(jié)構。采用三點彎曲試驗(GB/T 6569—2006)測量復合材料的彎曲強度和彈性模量,試樣尺寸為2 mm×3 mm×18 mm,試驗跨距15 mm,加載速率0.5 mm/min。使用維氏硬度計測量其維氏硬度(GB/T 16534—2009)和斷裂韌性(JIS R 1607—1995),試驗條件為9.8 N的載荷,加載時間為15 s,取5個樣品的平均結(jié)果。

        采用同步熱分析儀(TG-DSC,耐馳STA449F3,德國)研究GO的熱分解行為。通過X射線衍射(XRD,Rigaku Ultima III,日本)和拉曼光譜(Raman,LabRam-HR-Evolution,法國)分析rGO/B4C復合材料的相組成,用掃描電子顯微鏡(SEM,Hitachi3400,日本)觀察復合材料的形貌。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 GO/B4C熱壓過程的相變和致密化

        為了分析GO在高溫真空環(huán)境下的變化,GO在真空中(10 Pa)以10 ℃/min的升溫速率從45 ℃加熱到1 650 ℃。對GO進行了熱重(TG)分析,結(jié)果如圖1所示??梢钥闯?,隨著溫度的上升,GO的質(zhì)量逐步降低,在300 ℃以下,質(zhì)量減少速率較大,這可以歸因于GO層間水分子的蒸發(fā)和氧官能團的分解。在高溫下,GO的熱還原反應本質(zhì)上是一種有機的歧化或分解反應,該反應可表示為GO→rGO+CO2+CO+H2O,而在這個過程中會放出大量的熱[8],因此,此時GO質(zhì)量發(fā)生變化的主要原因是碳骨架的煅燒[9]。隨著溫度的提高,GO的質(zhì)量緩慢下降,超過1 400 ℃以上,質(zhì)量損失接近于停止。這些結(jié)果與王為民等在惰性氣氛中得到的結(jié)果是基本相同的,說明無論是在真空還是在惰性氣氛中,GO都會被熱還原,其本質(zhì)上是GO表面結(jié)構的含氧官能團在高溫下被熱脫除。經(jīng)過高溫處理過程,GO的質(zhì)量損失了52%,該試驗結(jié)果為計算GO/B4C陶瓷在真空熱壓后轉(zhuǎn)化為rGO/B4C的成分計算提供了依據(jù),同時也可以通過混合漿料中GO的加入量計算最終的rGO/B4C復合材料的理論密度(采用混合物規(guī)則計算,B4C為2.52 g/cm3,rGO為2.2 g/cm3,rGO含量為GO加入量的48%)。

        圖1 GO在真空下的TG曲線

        原料組成中GO的質(zhì)量分數(shù)為2.5%的復合材料的XRD圖譜如圖2(a)所示??梢钥闯觯薆4C的特征衍射峰(PDF編號35-0798)外,還在26.5°處出現(xiàn)一個與rGO相對應的峰值。為了進一步說明復合材料在真空熱壓中形成了rGO相,對rGO/B4C復合材料的拋光表面進行拉曼光譜分析,如圖2(b)所示。由圖可見,在531 cm-1、805 cm-1、937 cm-1、1 077 cm-1出現(xiàn)B4C的拉曼特征峰[10]。在1 337 cm-1和1 595 cm-1處則出現(xiàn)了歸屬于碳素材料的D和G峰,且D峰的強度顯著高于G峰的強度,證明了復合材料中存在rGO相[11]。

        圖2 rGO/B4C陶瓷(GO質(zhì)量分數(shù)為2.5%)的XRD圖譜和拉曼光譜

        采用排水法測量加入了質(zhì)量分數(shù)為2.5%GO的rGO/B4C復合材料在30 MPa和不同熱壓溫度下燒結(jié)1 h后得到的密度,計算了其相對密度,結(jié)果如圖3所示??梢钥闯?,復合材料在2 000 ℃以下燒結(jié),燒結(jié)致密度很低(<86%);當燒結(jié)溫度達到2 050 ℃以上時,燒結(jié)密度有一個較大提升;當溫度達到2 100 ℃時,材料的致密度達到了99.7%。因此,在后續(xù)試驗中,rGO/B4C復合材料的真空熱壓工藝條件確定為30 MPa、2 100 ℃下燒結(jié)1 h。

        圖3 rGO/B4C陶瓷(加入GO質(zhì)量分數(shù)為2.5%)在30 MPa下燒結(jié)1 h后的密度

        2.2 GO質(zhì)量分數(shù)對rGO/B4C復合材料性能的影響

        改變漿料中的GO質(zhì)量分數(shù)會導致rGO/B4C復合材料的密度發(fā)生一定變化,結(jié)果如表1所示??傮w而言,在2 100 ℃和30 MPa條件下,rGO含量對rGO/B4C復合材料的相對密度影響不大,所有成分的復合材料相對密度都達到了98.8%以上,說明在試驗范圍內(nèi)的GO含量并不會對復合材料的燒結(jié)致密產(chǎn)生太大影響,這可能與燒結(jié)溫度較高、保溫時間較長有關,解決了其他研究報告[12-14]中提出的石墨烯對B4C陶瓷燒結(jié)的阻礙作用。

        表1 rGO/B4C復合材料的密度和相對密度

        圖4(a)給出了不同GO含量的rGO/B4C復合材料的維氏硬度和斷裂韌性值。與純B4C陶瓷相比,rGO/B4C復合材料的維氏硬度隨著GO含量的增加而降低,斷裂韌性隨著GO含量的增加而顯著提高。當漿料中的GO質(zhì)量分數(shù)達到2.5%時,維氏硬度為28.0 GPa,與純B4C相比,有一定程度下降,由于rGO在這些陶瓷復合材料的界面處起到潤滑劑的作用,如前所述,它可以通過誘導晶?;瑒觼碓黾訌秃喜牧系淖冃危瑥亩箯秃喜牧系挠捕仍谝欢ǔ潭壬辖档蚚15]。因此,當GO的層數(shù)減小,rGO/B4C復合材料的維氏硬度就可以保持在較高水平。當GO質(zhì)量分數(shù)1.44%時,斷裂韌性到達5.2 MPa·m1/2,是純B4C陶瓷的236%。當GO質(zhì)量分數(shù)增加到2.4%時,斷裂韌性略有下降,但仍保持在4.8 MPa·m1/2的較高水平。

        隨著GO的加入,復合材料的彎曲強度先增加而后下降。當GO的質(zhì)量分數(shù)從0%增加到1.5%時,rGO/B4C復合材料的彎曲強度達到最大值535 MPa,比B4C提高了72.6%;繼續(xù)提高GO含量,復合材料的彎曲強度開始下降,如圖4(b)所示。在復合材料中的rGO含量較低時,適量的rGO是有利于復合材料致密化的,這從表1的結(jié)果可以看出來,此外,rGO較高的強度也提高了復合材料的強度值。當rGO質(zhì)量分數(shù)達到1.20%時,rGO在較多的B4C晶粒界面之間形成弱界面,阻礙了陶瓷燒結(jié)致密,降低這些復合材料的相對密度和彎曲強度,如表1的結(jié)果所示,而且,過多的弱界面也是可能導致其彎曲強度下降的因素。

        圖4 不同GO含量的rGO/B4C復合材料的力學性能

        2.3 rGO增韌B4C復合材料的機理分析

        圖5(a)、(b)、(c)分別為純B4C以及GO添加量分別為0.5%和1.5%質(zhì)量分數(shù)時的rGO/B4C復合材料(rGO質(zhì)量分數(shù)分別為0.24%和0.72%)斷裂表面的SEM照片??梢钥闯?,燒結(jié)樣品中較為致密,未發(fā)現(xiàn)較大的氣孔或者缺陷存在,可以清晰地觀察到rGO均勻地分散在B4C陶瓷基體中,并以層片狀形式鑲嵌在碳化硼晶粒之間。隨著rGO含量的變化,復合材料的斷口形貌發(fā)生了變化。結(jié)果表明,純B4C陶瓷的斷裂方式為穿晶斷裂,當rGO質(zhì)量分數(shù)為0.72%時,復合材料的斷口形貌發(fā)生了很大的變化,rGO的存在阻止了晶界裂紋的擴展,從圖5(c)的局部放大圖5(d)中可以看出,rGO使得裂紋產(chǎn)生了偏轉(zhuǎn),此種行為使得材料斷裂時需要消耗更多的能量,起到了增強材料強度和斷裂韌性的效果。

        在熱壓燒結(jié)過程中,偏柔性的石墨烯在外加壓力的作用下產(chǎn)生褶皺并與基體緊緊的貼合在一起。與一維的晶須、纖維增韌機理相似,在裂紋擴展過程時也會出現(xiàn)石墨烯被拔出的現(xiàn)象,這從圖5(d)也可以看出,斷口中存在著一些長條狀孔洞,孔洞的尺寸與石墨烯的尺寸類似,由此可以判斷材料在斷裂過程中出現(xiàn)了石墨烯的拔出行為。拔出石墨烯片層需要消耗能量,是提高復合材料斷裂韌性的另一個因素。

        圖5 不同GO含量的rGO/B4C復合材料的斷口形貌

        3 結(jié) 論

        采用球磨混合、霧化造粒制備GO/B4C復合粉體,在2 100 ℃和30 MPa下保溫1 h制備得到rGO/B4C復合材料。少量的GO作為燒結(jié)助劑使rGO/B4C復合材料致密化,但是,GO含量超過一定水平會降低復合材料的密度,這是由于rGO與B4C之間形成了弱界面阻礙了陶瓷的燒結(jié)致密,從而抑制了復合材料彎曲強度的進一步提高。在粉末漿料中加入1.5%質(zhì)量分數(shù)的GO(陶瓷中的rGO質(zhì)量分數(shù)為0.72%),復合材料的彎曲強度和斷裂韌性分別為535 MPa和5.2 MPa·m1/2,是純B4C陶瓷的172.6%和236%。復合材料中rGO均勻分布于B4C晶粒間的界面處,石墨烯拔出、裂紋偏轉(zhuǎn)是rGO增強增韌B4C的主要原因。

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