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        尖端結(jié)構(gòu)對PS-PVD YSZ涂層沉積的影響*

        2021-04-16 11:17:58李榮久鄧暢光胡永俊鄧子謙邵祉諫
        材料研究與應用 2021年1期
        關(guān)鍵詞:柱狀晶尖端等離子

        李榮久,鄧暢光,胡永俊,毛 杰,鄧子謙, 邵祉諫

        1.廣東工業(yè)大學材料與能源學院,廣東 廣州 510006;2.廣東省科學院新材料研究所,現(xiàn)代材料表面工程技術(shù)國家工程實驗室,廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室,廣東,廣州510650

        等離子噴涂-物理氣相沉積(PS-PVD,Plasma spray-physical vapor deposition)是一種新穎的熱障涂層制備技術(shù),其綜合改善了大氣等離子噴涂(APS, Air plasma spray)的低應變?nèi)菹藜半娮邮?物理氣相沉積(Electron beam-plasma vapor deposition, EB-PVD)的低隔熱效果的缺點,是目前高溫熱障涂層制備技術(shù)重要的研究方向之一[1-4].PS-PVD設(shè)備功率高達180 kW,壓力低至0.5 mbar[5].高的功率和低的工作氣壓可實現(xiàn)粉末的熔融與氣化[6].此外,由于等離子射流長達2 m,這意味著PS-PVD具備良好的工藝調(diào)控空間,因此可根據(jù)實際服役需求,通過調(diào)節(jié)噴涂距離來實現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)/性能涂層的沉積.進入二十一世紀,由于PS-PVD具備獨特的性能和巨大的潛力,國外Oerlikon-Metco,ulich和NASA及國內(nèi)廣東省科學院新材料研究所、北航、西交大等機構(gòu)相繼開展相關(guān)基礎(chǔ)理論、工藝技術(shù)和工程化應用.但不完善的研究體系對PS-PVD進一步工程化應用造成阻礙[7-9].因此,對PS-PVD工藝和沉積機理的進一步探索極為重要.

        PS-PVD在渦輪發(fā)動機燃燒室內(nèi)葉片上的應用具有極大潛力.渦輪是發(fā)動機的關(guān)鍵部位,可將燃氣產(chǎn)生的絕大部分熱能轉(zhuǎn)化為渦輪的機械功.渦輪葉片作為其關(guān)鍵部件,其表面氣流狀況異常復雜,為滿足葉片氣動、性能、控制等要求,一般情況下葉片被設(shè)計成復雜型面結(jié)構(gòu)[10].在服役過程中,渦輪葉片不同區(qū)域的涂層形貌和質(zhì)量受葉片的復雜型面結(jié)構(gòu)的影響,會發(fā)生不同的變化趨勢.Goral[11]證實葉片各個區(qū)域涂層微觀形貌和厚度并不一致,部件的幾何形狀對PS-PVD涂層有顯著影響.Mao[12]系統(tǒng)探究了圓環(huán)基體上不同噴距下的涂層形貌,并結(jié)合模擬技術(shù)提出了PS-PVD涂層沉積規(guī)律.雖然目前已有復雜型面下制備涂層的相關(guān)研究,但在尖端型面上制備涂層的研究被忽略.葉尖作為重要的葉片部位,由于其形狀過于尖銳,在惡劣的服役環(huán)境下更易出現(xiàn)涂層失效問題.因此,探究葉尖附近涂層形貌與性能對加速PS-PVD工程化應用有一定幫助.

        采用先進的PS-PVD技術(shù),在帶有尖端的復雜型面基體上沉積并獲得了YSZ涂層,并對比了YSZ涂層不同位置的微觀形貌、厚度、孔隙率差異,以及運用納米壓痕法獲取了YSZ涂層納米微區(qū)硬度.通過等離子流體場模擬,分析了試樣附近等離子狀態(tài),闡述了等離子流狀態(tài)對YSZ涂層形貌/結(jié)構(gòu)的影響機理.

        1 實驗部分

        1.1 試樣設(shè)計

        設(shè)計了帶有兩個尖端結(jié)構(gòu)(尖端寬2 mm,高寬比≥2∶1)的試樣,圖1為試樣示意圖.在平板上增加兩個小尺寸尖端部位(圖1(b)中黑色部位),以探究尖端結(jié)構(gòu)附近的涂層結(jié)構(gòu)/性能.因邊角處過于尖銳,會導致涂層開裂的傾向增加,因此對邊角部位進行打磨倒角處理.在工件的左側(cè)尖端選取五個區(qū)域進行表征,其中J1和J5及J2和J4是對稱位置.

        圖1 試樣示意圖(a)試樣尺寸;(b)檢測位置;(c)納米壓痕檢測分區(qū)Fig.1 The schematic diagram of sample(a) sample size; (b) detection position; (c) nano-indentation detection partition

        1.2 噴涂工藝參數(shù)

        涂層制備在廣東省科學院新材料研究所的MulticoatTMPS-PVD系統(tǒng)(Oerlikon-Metco,Switzerland)上所完成.首先對316L合金基體進行噴砂處理(噴砂為46號,壓強為0.4 MPa)以增加表面粗糙度,然后使用無水乙醇進行超聲波清洗以去除污漬.粘結(jié)層原始粉末為NiCrAlY(Oerlikon-Metco,Amdry 9624),為避免粘結(jié)層厚度不均對陶瓷層形貌及性能造成差異,采用噴槍傾斜45 °的噴涂方式制備粘結(jié)層.對制備得到的粘結(jié)層基體進行拋光處理,對拋光后的粘結(jié)層進行噴砂處理(噴砂為240號,壓強為0.15 MPa),其余處理與粘結(jié)層制備前處理一致.噴涂前對基體進行900 ℃預熱處理,促進沉積時的擴散現(xiàn)象以提升涂層質(zhì)量及結(jié)合強度[13],陶瓷層原始粉末為YSZ粉末(Oerlikon-Metco,Metco 6700).粘結(jié)層與陶瓷層噴涂參數(shù)列于表1所示.

        1.3 表征手段

        涂層截面形貌,采用掃描電子顯微鏡(FEI, Nano-430)進行觀測.通過Image Pro圖像分析法,獲取涂層孔隙率數(shù)據(jù).對涂層截面進行圖像分析(GIMP v2.8.14),將高對比度背散射電子(BSE)圖像的灰度值閾值設(shè)置為黑白圖像,以確定孔隙率.用于圖像分析的橫截面被剪裁,移除粘結(jié)層和陶瓷層表面最低的區(qū)域,以防止主觀偏見導致的誤差.數(shù)值模擬,采用商用模擬軟件(Ansys)的Fluent組件進行分析.涂層的微區(qū)力學性能采用納米壓痕儀(Anton Paar NHT3)進行表征,羽柱狀涂層截面被劃分為三個區(qū)域:底部致密層(A)、中部快速生長層(B)、頂部菜花頭層(C)(圖1(c)).采用Oliver & Pharr標準進行測試,為使數(shù)據(jù)更接近實際,采用較小的載荷條件(表2),每個區(qū)域隨機選取7個測試點,去掉數(shù)據(jù)最大值與最小值后求平均值以得出最終微區(qū)力學數(shù)據(jù).

        表1 涂層噴涂參數(shù)

        2 結(jié)果與討論

        2.1 微觀形貌分析

        圖2為試樣微觀形貌.從圖2(a)樣品整體視圖可以看見,所制得的涂層形態(tài)良好,YSZ涂層為白色,這是由于噴涂過程中采取了補氧措施.由于PS-PVD良好的非視線氣相沉積特性,與射流軸向平行的尖端表面也附著了一定厚度的涂層,工件尖端部位未出現(xiàn)由于應力集中導致涂層開裂的現(xiàn)象.從圖2(b)~圖2(f)工件不同位置微觀形貌圖可清晰看出,五個位置涂層都呈現(xiàn)柱狀晶結(jié)構(gòu).由于基體與射流垂直,J3區(qū)域涂層形貌與基體為平面時沉積的涂層無異,涂層具備良好的柱狀晶形貌且垂直于基體生長,柱與柱之間存在一些未融顆粒;J1與J5區(qū)域的基體與射流軸向平行(噴涂角度為90 °),涂層仍可觀察到柱狀結(jié)構(gòu).但相比于J3區(qū)域涂層,J1和J5區(qū)域涂層單個柱狀晶寬度變大,柱與柱之間的未融粒子數(shù)目增多.在噴涂角度為90 °時,由于基體與射流平行,此時涂層堆積的方式主要依賴氣相沉積,且氣相原子在基體上的擴散效應在射流的沖擊下被大幅放大.因此,單個柱狀晶橫向生長驅(qū)動力上升,最終導致單個柱狀晶的柱寬增大,而未融粒子的存在則是等離子射流內(nèi)粉末氣化不完全的結(jié)果.

        表2 納米壓痕實驗參數(shù)

        圖2 試樣微觀形貌Fig.2 The micromorphology of coating samples(a)噴涂態(tài)涂層整體視圖;(b)~(f)分別對應試樣J1~J5區(qū)域(a) overall view of as-sprayed sample;(b)~(f) corresponding to the regions of sample J1-J5 respectively

        J2和J4位置涂層形貌如圖2(c)和圖2(e)所示,可從圖中清晰地看出,涂層柱狀結(jié)構(gòu)并未因彎角的存在而遭到破壞,仍舊保持良好的羽柱狀晶結(jié)構(gòu).為更直觀地觀察彎角處涂層狀態(tài),本實驗獲取了J4區(qū)域涂層未拋光截面形貌圖(圖3(a)).從圖3(a)可見,彎角處涂層結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)射線狀擴散,柱狀晶生長方向垂直于尖端弧面切線,此時涂層呈“正取向”生長.從圖3(c)和圖3(d)彎角處涂層放大圖可見,J4區(qū)域涂層柱狀晶形貌細節(jié)與J3區(qū)域無差異.表明,小曲率半徑的弧面并未對單個柱狀晶形貌產(chǎn)生明顯影響.

        圖3 樣品尖角處涂層電鏡圖(a)噴涂態(tài);(b)拋光態(tài);(c)區(qū)域1放大圖;(d)區(qū)域2放大圖Fig.3 The SEM images of coatings deposited in sharp corne of the sample(a) as-sprayed;(b) polished;(c) enlarged-image of area 1;(d)enlarged-image of area 2

        2.2 厚度與孔隙率分析

        試樣厚度及孔隙率變化曲線如圖4所示.從圖4可看出,J2區(qū)域涂層相比于J3區(qū)域涂層,厚度較高、孔隙率較低.這是由于在涂層生長過程中,柱狀晶之間會因生長的空間受限而存在“擠壓”競爭效應,尖端邊角的幾何特性會削弱“擠壓”競爭效應,因此其涂層厚度遠高于尖端其他區(qū)域.此外,“擠壓”競爭效應的下降也意味著涂層獲得更良好的生長,因此粒子“塞積”現(xiàn)象減少,涂層整體孔隙率降低.J1與J2區(qū)域雖然孔隙率接近,但涂層厚度差異巨大.這是由于J1區(qū)域涂層(基體平行于射流)在沉積過程中,在重力作用下,基體捕獲氣相原子的難度上升,這使得氣相原子的非均質(zhì)形核現(xiàn)象減少.同時在噴涂后期,柱狀晶會因難以捕獲氣相原子而生長速率減慢,最終導致涂層厚度大幅下降[14].

        J4與J5區(qū)域涂層相比于J3區(qū)域涂層,其涂層厚度下降、孔隙率明顯上升,這是因等離子射流狀態(tài)的改變所引起的.J4和J5區(qū)域涂層由于另一側(cè)尖端的存在而導致處于半封閉結(jié)構(gòu)內(nèi)部,當?shù)入x子射流進入半封閉結(jié)構(gòu)時,存在不同方向等離子體的“卷流”、“沖擊”現(xiàn)象,等離子射流的熵值(混亂程度)會陡然上升.在混亂的等離子流體場內(nèi),J4與J5區(qū)域涂層的生長會受到更多來自下方與右側(cè)等離子體裹挾的未融粒子、液滴的沖擊,這一方面會導致涂層生長遭受抑制而使得涂層厚度下降,另一方面會使更多的未融粒子塞積在涂層內(nèi)部而造成涂層孔隙率的上升.因此,雖然J4與J2處于對稱位置,但涂層的孔隙率與厚度差異明顯.

        圖4 試樣厚度及孔隙率變化曲線(a)厚度曲線(b)孔隙率曲線Fig.4 Variation curves of the thickness and porosity for the samples (a) the curve of thickness; (b) the curve of porosity

        2.3 流體場模擬分析

        通過等離子流體場模擬,分析了試樣附近等離子狀態(tài),了解等離子射流在工件附近流體速率和速度矢量的變化.設(shè)置進口溫度為3000 K,進口速度為1500 m/s,前期實驗中空氣被設(shè)為實驗氣體.圖5為試樣附近流體速度場.從圖5可看出,在射流碰撞基體時,射流速度先下降,隨后沿著試樣兩側(cè)上升,此時在基體的后方區(qū)域形成較大的低速度場并產(chǎn)生回流現(xiàn)象.圖5(b)為放大的試樣附近速度場,從圖5(b)可看出,非半封閉區(qū)域內(nèi)等離子體流動速度高于半封閉區(qū)域,尤其在尖端結(jié)構(gòu)的尖角區(qū)域.等離子體流動速度低,意味著單位時間內(nèi)更少的氣相原子材料會流經(jīng)基體并被吸附,這會導致涂層沉積速率下降,厚度降低.因此,等離子體流速最高的尖角區(qū)域獲得更高的厚度,流速低的J4和J5區(qū)域厚度最低.

        圖5 試樣附近流體模擬結(jié)果(a)整體圖;(b)試樣附近速度場;(c)等離子體速度矢量Fig.5 The simulation results (a) overal graph; (b) the velocity field near the sample;(c) plasma velocity vector

        圖5(c)為等離子體速度矢量放大圖,箭頭的方向?qū)噶康姆较颍畯膱D5可以發(fā)現(xiàn),等離子體的速度矢量,在等離子體接觸基體時會產(chǎn)生各個方向的改變,而基體的幾何形狀是決定矢量方向轉(zhuǎn)變的重要因素.當基體為平板時,等離子體速度矢量方向只會產(chǎn)生單方向的偏移;而在單個尖端附近(J1區(qū)域)時,等離子體速度矢量會朝向單側(cè)尖端結(jié)構(gòu)在不同方向偏移;在雙尖端組成的半封閉型面內(nèi),速度矢量方向的偏移方向改為朝向雙側(cè)尖端結(jié)構(gòu)偏移.偏移方向的增多意味著等離子體流體場的熵值進一步上升,這會導致未融顆粒的“塞積”現(xiàn)象的增強.因此,半封閉型面內(nèi)涂層孔隙率會大幅增大.

        2.4 納米力學性能分析

        樣品不同區(qū)域的納米壓痕Fn-Pd曲線如圖6所示.從圖6可以看出,J2區(qū)域涂層壓痕深度相較于其他位置最為集中,這說明在J2位置,涂層的微區(qū)硬度自下而上變化較?。煌诒∧ぜ夹g(shù),YSZ涂層厚度較高,若在軸向方向上涂層硬度梯度較大,那么可能會影響涂層在高溫下的服役性能,因此均勻的微區(qū)硬度分布可被視作涂層具有良好的力學性能.J1和J5區(qū)域涂層壓痕深度有較大的波動,結(jié)合形貌分析可知,此波動是由涂層結(jié)構(gòu)變化導致,涂層中未融顆粒的存在亦有較大影響.此外,納米壓痕技術(shù)被應用于YSZ涂層時,數(shù)據(jù)的分散性相當大.由于柱狀晶并非只有一級柱狀晶,還有二級、三級柱狀晶[15],二級柱狀晶主要集中于一級柱狀晶邊緣區(qū)域,因此單個柱狀晶的橫向硬度會有一定差異,這會使得一級柱狀晶軸線附近硬度大于邊緣區(qū)域,最終導致納米壓痕數(shù)據(jù)產(chǎn)生較大波動.除此之外,未融粒子的存在也同樣對硬度有著較大影響.

        圖6 樣品Fn-Pd曲線(a)~(e)分別對應試樣J1~J5區(qū)域Fn-Pd曲線;(f)試樣不同區(qū)域微區(qū)硬度柱狀圖Fig.6 The Fn-Pd curves of samples(a)~(e) corresponding to the Fn-Pd curves of the regions of sample J1-J5;(f) the histogram of hardness in different area

        從圖6(f)樣品不同區(qū)域的微區(qū)硬度可以看出,噴涂角度為90 °的J1和J5區(qū)域的平均硬度遠低于其他區(qū)域,正常的氣-液混合沉積獲得的涂層(J2~J4)硬度較高,該現(xiàn)象與上述涂層微觀形貌和孔隙率分析一致.此外,正常的氣-液混合沉積獲得的涂層頂部的平均硬度最高,底部最低,自底部到頂部呈現(xiàn)上升趨勢.PS-PVD涂層沉積時,由于較大的沉積速率,涂層在短時間內(nèi)的快速堆疊,從而會導致噴涂結(jié)束后涂層內(nèi)部存在難以消除的應力.在PVD的沉積模式下,除了涂層的本征應力之外,涂層內(nèi)部還會存在因熱失配導致的殘余熱應力,該應力主要源自于基體對涂層的拉應力[16].研究表明[17],拉應力大小與硬度成反比.PS-PVD涂層頂部遠離基體,因此頂部區(qū)域拉應力小于底部區(qū)域,頂部硬度高于底部.

        3 結(jié) 論

        采用PS-PVD技術(shù)在帶有尖端結(jié)構(gòu)的工件上成功制備得到了良好的YSZ涂層,并通過對涂層微觀形貌、孔隙率以及納米壓痕數(shù)據(jù)的分析,以及結(jié)合數(shù)值模擬實驗得出結(jié)論.

        (1)尖端部位各區(qū)域涂層呈現(xiàn)羽柱狀形貌.在涂層生長過程中,柱狀晶之間會因生長的空間受限而存在“擠壓”競爭效應,尖端邊角的幾何特性會削弱“擠壓”競爭效應,因此其涂層厚度遠高于尖端其他區(qū)域.

        (2)基體附近的等離子射流狀態(tài)變化,對YSZ涂層的形貌及性能會產(chǎn)生重要影響.半封閉結(jié)構(gòu)會提升等離子射流的混亂狀態(tài),相應的“卷流”與“沖擊”現(xiàn)象增強,導致涂層厚度降低、孔隙率上升.

        (3)YSZ涂層硬度與其結(jié)構(gòu)及內(nèi)部殘余應力相關(guān).由于涂層的快速堆積,其內(nèi)部會產(chǎn)生部分殘余拉應力.不同區(qū)域的拉應力差異會引起涂層微區(qū)硬度變化,最終導致涂層硬度由頂部至底部呈現(xiàn)逐漸下降趨勢.

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