張芳芳,韓敏,趙娟,凌麗霞,章日光,王寶俊
(1 太原理工大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,山西太原030024; 2 太原理工大學(xué)煤科學(xué)與技術(shù)教育部和山西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,
山西太原030024)
隨著社會(huì)的發(fā)展,人們對(duì)機(jī)動(dòng)車的需求不斷增加,私家車數(shù)量逐年快速遞增,機(jī)動(dòng)車的尾氣污染已成為環(huán)境面臨的重要挑戰(zhàn)[1]。汽車尾氣含有大量CO、NOx、碳?xì)浠衔?、SO2以及粉塵等,有害氣體嚴(yán)重超標(biāo)。其中NO 的毒性強(qiáng),長(zhǎng)期暴露在NO 限定值外的環(huán)境中,容易誘發(fā)各種疾病,嚴(yán)重影響人體的健康。另外,汽車尾氣中的碳?xì)浠衔锱cNOx在太陽(yáng)的作用下,與大氣中的VOC(揮發(fā)性有機(jī)化合物)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)會(huì)造成二次污染,形成以臭氧和過(guò)氧乙酰硝酸酯(PAN)等細(xì)顆粒物為主的煙霧污染物,即光化學(xué)煙霧[2]。此外NOx還容易與氧氣發(fā)生反應(yīng)形成硝酸,造成酸雨,酸雨容易損傷農(nóng)作物、森林、土壤等。除了影響人類身體健康,造成酸雨、光化學(xué)煙霧外,NOx還會(huì)引發(fā)臭氧層空洞、全球氣候變暖等問(wèn)題[3],因此脫除NOx成為重要的環(huán)保課題。氮氧化合物中NO 占95%以上,因此對(duì)NO 的還原顯得至關(guān)重要。
NO 還原的催化劑包括貴金屬[4-5]、金屬氧化物[6-8]和分子篩[9-11]等。貴金屬催化劑,特別是Rh、Pt和Pd,作為三元催化劑,可以還原NO 以及氧化CO和未燃燒的碳?xì)浠衔铮晒Φ匚藦V泛的關(guān)注和研究[12]。Loffreda 等[13]通過(guò)研究Pd、Pt、Rh 三種金屬不同暴露面上NO 的吸附,發(fā)現(xiàn)Rh 的絕大多數(shù)暴露面和Pd的個(gè)別暴露面對(duì)NO的吸附和解離效果較好。與Rh、Pt 催化劑相比,Pd 基催化劑具有良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性、低溫下的高活性。Pd 物質(zhì)能夠在低溫下化學(xué)吸附NO以在冷啟動(dòng)期間減少NOx排放,因此有大量的實(shí)驗(yàn)研究致力于探索Pd 基催化劑上H2選擇性還原NO。與Pd 塊相比,Pd 納米團(tuán)簇具有不同的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),這使其對(duì)催化劑的制備具有極大的吸引力[14]。長(zhǎng)期以來(lái),減少貴金屬的用量,同時(shí)保持催化反應(yīng)活性一直是重要的研究課題[15]。單原子催化(SAC)可以在均相和非均相催化之間架起橋梁,最大限度地利用原子。單原子催化的優(yōu)點(diǎn)是高催化活性、高選擇性和高利用率。在微觀層面上,單個(gè)原子的特征(例如低配位環(huán)境、量子尺寸效應(yīng)和金屬-載體相互作用)使單原子催化具有優(yōu)異的催化活性、選擇性和穩(wěn)定性[16]。將單原子Pd 負(fù)載到不同載體上催化NO 還原已被眾多實(shí)驗(yàn)研究過(guò),Paredis 等[17]對(duì)ZrO2載體負(fù)載Pd 納米顆粒催化劑上H2還原NO 的過(guò)程進(jìn)行了研究,結(jié)果表明這個(gè)催化劑對(duì)N2具有極好的選擇性。Yin 等[18]通過(guò)DFT 方法對(duì)MgO 負(fù)載的單原子Pd 和Pd4簇上CO 還原NO 的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了研究,包括協(xié)同反應(yīng)路徑與逐步反應(yīng)路徑,結(jié)果表明在Pd/MgO 和Pd4/MgO 上逐步反應(yīng)路徑比協(xié)同反應(yīng)路徑容易進(jìn)行。Pd/CeO2(111)上CO還原NO 的DFT 研究顯示單原子Pd的d電子和CeO2氧空缺的相互作用是提高催化性能的關(guān)鍵[19]。
石墨烯是一種由sp2鍵結(jié)合的碳原子以六方晶格排列的平面薄片。由于其獨(dú)特的電子特性,最近在材料科學(xué)和凝聚態(tài)物理領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注[20-21]。石墨烯上碳空位的存在顯著影響石墨烯的理化特性和磁性,納米顆粒負(fù)載于缺陷石墨烯比負(fù)載于完美石墨烯表現(xiàn)出更強(qiáng)的表面反應(yīng)性。Jia等[22]對(duì)單空缺石墨烯負(fù)載Pd 單原子催化劑上的CO氧化反應(yīng)進(jìn)行了研究,證實(shí)了石墨烯負(fù)載的Pd催化劑對(duì)CO 氧化有著高的催化活性。在石墨烯負(fù)載的單原子催化劑上進(jìn)行NO 的還原,之前已經(jīng)有過(guò)很多實(shí)驗(yàn)進(jìn)行論證。在單空缺石墨烯負(fù)載的單原子Si催化劑(Si/SVG)上,NO 經(jīng)過(guò)二聚體構(gòu)型生成產(chǎn)物N2O[23]。Fe/SVG 上也是通過(guò)二聚體路徑將NO 還原為N2O,接著N2O 分解為N2[24]。在Al 和Si 沉積的氧化石墨烯(GO)上進(jìn)行了NO 的還原,研究表明在Al/Si/GO 上NO 的二聚體吸附能大于單個(gè)NO 分子,二聚體路徑易于直接解離路徑,其中Si/GO 的催化活性大于Al/GO[25]。單空缺石墨烯負(fù)載的單原子Ti 催化劑被用于CO2催化加氫制甲酸反應(yīng),表明此催化劑具有高的催化活性[26]。此外石墨烯上含氧官能團(tuán)的存在對(duì)催化劑的催化性能有重要的影響[27-28]。但在實(shí)驗(yàn)中可以通過(guò)熱退火以及化學(xué)還原等方法將氧化石墨烯上的含氧官能團(tuán)還原,得到還原性的石墨烯[29-30],使得表面的π 電子恢復(fù)[31]。Erickson 等[32]用透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)合成的還原氧化石墨烯結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,得到還原石墨烯的微觀結(jié)構(gòu)為不含任何含氧官能團(tuán)的單層石墨烯。
NOx的選擇性催化還原(SCR)是調(diào)節(jié)NOx排放的重要策略之一。在過(guò)去的幾十年中,NO 與H2、CO、NH3和碳?xì)浠衔锏姆磻?yīng)已在實(shí)際應(yīng)用中進(jìn)行了廣泛研究[33-34]。在這些還原劑中,H2-SCR 已經(jīng)引起極大的關(guān)注,因?yàn)镠2易于在廢氣流中產(chǎn)生,并且其燃燒產(chǎn)物H2O 對(duì)環(huán)境無(wú)害[35]。H2還原NO 的產(chǎn)物為N2和H2O,還原產(chǎn)物清潔無(wú)污染,而且H2供給方便、易儲(chǔ)存,對(duì)于移動(dòng)源氮氧化物的消除具有重要意義,被認(rèn)為是最有應(yīng)用潛力的NO 還原劑。另一方面,H2作為一種活潑的還原劑還原NO,可在低溫條件下進(jìn)行,其催化劑多為貴金屬催化劑,這使低溫還原NO成為現(xiàn)實(shí)。
在本工作中,首先對(duì)單空缺石墨烯負(fù)載的Pd單原子催化劑上NO 的活化及相關(guān)中間體的反應(yīng)進(jìn)行了研究,然后探討了產(chǎn)物N2與NH3的生成路徑,闡明了在Pd/SVG 上H2還原NO 的反應(yīng)機(jī)理。最后,得到了Pd/SVG催化劑針對(duì)NO還原的活性與選擇性。
本研究在Materials Studio 8.0 軟件包Dmol3模塊上進(jìn)行。對(duì)原始石墨的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,得到的晶格參數(shù)為a=b=2.466 ?(1 ?=1.0×10-10m),其結(jié)果和實(shí)驗(yàn)值吻合[36]。選取了單層石墨烯,然后在完美石墨烯中去除一個(gè)C 原子形成單空缺石墨烯(SVG),再將一個(gè)Pd 原子吸附在空缺位上,形成Pd/SVG 結(jié)構(gòu)。在實(shí)驗(yàn)上已成功地將Pd 納米顆粒高分散性地負(fù)載在石墨烯上[37],且單空缺石墨烯上負(fù)載的單原子Pd、Si、Ni、Fe等催化劑已被廣泛地用于CO的氧化[23]、CO 偶聯(lián)制草酸二甲酯[38]以及Hg0的吸附[39]等研究中。通過(guò)對(duì)Pd 在超胞分別為p(5×5)、p(6×6)和p(7×7)的SVG 上的形成能進(jìn)行計(jì)算,得出它們的形成能分別為-546.7、-557.5 和-554.1 kJ·mol-1,可見(jiàn)Pd 在p(5×5)的SVG 表面上形成能較小,而在p(6×6)和p(7×7)的SVG 表面上形成能相差不大,且結(jié)構(gòu)很穩(wěn)定,因而本研究選用p(6×6)的Pd/SVG 對(duì)NO 的還原進(jìn)行研究[37]。真空層設(shè)置為15 ?。在計(jì)算過(guò)程中,由于碳材料結(jié)構(gòu)中存在大量的無(wú)定形碳及其他缺陷,使其穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于單晶石墨,與石墨片層六元環(huán)內(nèi)的C C 鍵相比,缺陷及邊界處的C—C 單鍵鍵能較小,易裂解形成高活性懸空鍵,因而將邊緣C 原子固定來(lái)避免石墨烯的懸空效應(yīng)[20]和邊界不飽和效應(yīng)[40]。優(yōu)化后的Pd/SVG 的結(jié)構(gòu)圖見(jiàn)圖1,包括頂視圖(左)和側(cè)視圖(右),紅色的表示固定的C原子。
所有計(jì)算采用廣義梯度近似(general gradient approximation, GGA),泛函形式為PBE(Perdew-Burke-Emerhof)。采用了雙數(shù)值加極化基組(double-numeric basis with polarization functions,DNP),對(duì)所有小分子采用了全電子(all electron)處理,而所有金屬原子采用了有效核電勢(shì)(effective core potential,ECP)[38]。為了實(shí)現(xiàn)快速的電子收斂,熱拖尾(smearing)的參數(shù)設(shè)置為0.005 Ha(1 Ha=2625.5 kJ·mol-1)。受力、能量和位移收斂標(biāo)準(zhǔn)分別是4×10-3Ha/?、2×10-5Ha和5×10-3?。其布里淵區(qū)k點(diǎn)設(shè)置為3×3×1。根據(jù)NO 還原實(shí)驗(yàn)中檢測(cè)到的中間體以及相關(guān)的理論研究[41-42],擬定反應(yīng)過(guò)程中可能發(fā)生的不同路徑,需對(duì)每一步基元反應(yīng)過(guò)程的反應(yīng)物和產(chǎn)物進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化。過(guò)渡態(tài)的搜索采用完全線性同步/二次線性同步(complete LST/QST)方法,先LST優(yōu)化,再通過(guò)共軛梯度最小化和QST的最大化循環(huán)計(jì)算,最后達(dá)到收斂標(biāo)準(zhǔn)。進(jìn)而對(duì)基元反應(yīng)進(jìn)行過(guò)渡態(tài)確認(rèn)(TS confirmation),確保每步基元反應(yīng)的過(guò)渡態(tài)直接連接著此過(guò)程的反應(yīng)物和產(chǎn)物,來(lái)確定每個(gè)中間態(tài)。最后對(duì)過(guò)渡態(tài)進(jìn)行頻率分析,確保其準(zhǔn)確性。吸附能Eads、活化能Ea、反應(yīng)熱Er和形成能Ef的定義如式(1)~式(4):
圖1 Pd/SVG表面的優(yōu)化模型(左圖和右圖分別是頂視圖和側(cè)視圖)Fig.1 The optimized slab models of Pd/SVG surface(the left and right are top and side views)
式中,Etotal表示平衡狀態(tài)時(shí)吸附物吸附于表面體系的總能,Emolecule表示吸附物種的能量,EPd、ESVG和EPd/SVG分別是單原子Pd、SVG 和Pd/SVG 的能量。吸附能是衡量吸附物質(zhì)和催化劑之間相互作用強(qiáng)弱的重要指標(biāo),當(dāng)Eads越負(fù)時(shí),吸附物與催化劑表面的作用越強(qiáng)。ER、ETS和EP則分別表示基元反應(yīng)中反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)和產(chǎn)物的能量。Ea越小,表明反應(yīng)越容易進(jìn)行。Er為正說(shuō)明反應(yīng)吸熱,反之為放熱反應(yīng)。
Pd/SVG 上NO 的活化包括NO 的直接解離、NO加氫形成NOH和HNO,這三步的基元反應(yīng)如下:
反應(yīng)的勢(shì)能圖以及對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、產(chǎn)物、過(guò)渡態(tài)構(gòu)型見(jiàn)圖2。在Pd/SVG 上NO 的吸附能為-100.2 kJ·mol-1,NO 以N 端穩(wěn)定吸附在Pd 原子上,N—O 鍵長(zhǎng)由始態(tài)的1.191 ?,經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS1 的2.456 ? 拉長(zhǎng)到3.609 ?。直接解離形成N 和O 的能壘高達(dá)513.8 kJ·mol-1,可見(jiàn)NO的直接解離很難發(fā)生。同樣地,在其他催化劑上NO 直接解離的能壘也很高。在Si/SVG 上NO 的直接解離能壘為377.2 kJ·mol-1[43],在Au(111)和Pd(211)上的直接解離能壘分別為381.1和288.4 kJ·mol-1[44-45]。NO 在H 輔 助 作 用 下 有 兩 種反應(yīng)方式,當(dāng)H 原子攻擊NO 的O 原子時(shí),經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS2 生成NOH,H—O 鍵長(zhǎng)由3.045 ? 經(jīng)TS2 的1.002 ? 變?yōu)?.975 ?,克服的能壘為129.3 kJ·mol-1,比NO的直接解離能壘低。與NO 在Pd(211)和Pd(111)上加氫生成NOH 的能壘相差不大,分別為131.7 和156.3 kJ·mol-1[45-46]。而H 原子攻擊NO 的N 原子時(shí),N—H鍵長(zhǎng)由2.385 ?經(jīng)TS3的1.707 ?變?yōu)?.048 ?,生成中間體HNO,克服的能壘僅為67.0 kJ·mol-1,這比在Pd6/TiO2、Pt(111)和Pd(110)上NO 加氫生成HNO所需要的能壘低很多。NO 在Pd6/TiO2上加氫生成HNO 需要克服的能壘為103.0 kJ·mol-1[41],在Pt(111)上需要克服的能壘為97.4 kJ·mol-1[42],在Pd(110)上克服的能壘更高,為158.2 kJ·mol-1[47]。比較在Pd/SVG 上NO 活化的三種形式可見(jiàn),NO 加氫形成HNO需要克服的能壘最低,是NO 活化的主要方式,其次是NOH 的生成。比Rh(111)上NO 加氫生成HNO(152.4 kJ·mol-1)和NOH(149.6 kJ·mol-1)的能壘都要低[48]。對(duì)NO 的活化及中間體HNO 和NH2O 的相關(guān)反應(yīng)的過(guò)渡態(tài)進(jìn)行了Mulliken 電荷分析,表1 列出了過(guò)渡態(tài)結(jié)構(gòu)中吸附物種各原子的Mulliken電荷以及整個(gè)吸附物種的電荷。由表1 可知NO 加氫形成HNO 與NOH 過(guò)程中,Pd/SVG 轉(zhuǎn)移到吸附物種的電荷數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于NO 直接解離過(guò)程中轉(zhuǎn)移的電荷數(shù)。從這三步基元反應(yīng)的能壘可知,NO 直接解離所需要的能壘很高,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于NO 加氫過(guò)程所需要的能壘。表明反應(yīng)過(guò)程中Pd/SVG 向吸附物種轉(zhuǎn)移的電荷越多,過(guò)渡態(tài)結(jié)構(gòu)中催化劑與吸附物種之間的作用更強(qiáng),導(dǎo)致反應(yīng)所需要的活化能越高。
圖2 Pd/SVG上NO的活化勢(shì)能圖和對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)以及產(chǎn)物的構(gòu)型Fig.2 Potential energy diagram of NO activation with corresponding configurations of initial states,transition states and final states
表1 各基元反應(yīng)過(guò)渡態(tài)結(jié)構(gòu)中吸附物種各原子的Mulliken電荷以及整個(gè)吸附物種的電荷Table 1 The Mulliken charge of each atom of the adsorbed species in the transition state structure of each elementary reaction and the charge of the entire adsorbed species
NO 最容易通過(guò)加氫形成HNO,接下來(lái)是HNO基元反應(yīng)如下:
在Pd/SVG 上HNO 直接解離為NH 與O,及HNO加氫生成NHOH 均不易進(jìn)行,能壘分別為348.8 和213.5 kJ·mol-1。當(dāng)H 原 子 攻 擊HNO 的N 原 子 時(shí),N—H 距離由2.453 ? 縮短為1.027 ?,經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS6生成NH2O 克服的能壘僅為41.9 kJ·mol-1,反應(yīng)勢(shì)能圖見(jiàn)圖3(a)。這比Pd6/TiO2上HNO 加氫生成NH2O的能壘低,在Pd6/TiO2上這一步的能壘為91.5 kJ·mol-1[41]。由表1 可知,這三個(gè)基元反應(yīng)中HNO 加氫生成NH2O 轉(zhuǎn)移的電荷最少,反應(yīng)過(guò)程的能壘也最低,最易于發(fā)生。
HNO 加氫易于生成NH2O,NH2O 的基元反應(yīng)如下:
NH2O相關(guān)反應(yīng)的勢(shì)能圖及對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)及產(chǎn)物構(gòu)型見(jiàn)圖3(b)。NH2O可經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS7直接解離為N 與H2O,也可經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS8 解離為NH2與O,需要活化能分別為332.8 和233.4 kJ·mol-1,可見(jiàn)NH2O 的直接解離很難發(fā)生。而在H 的輔助下,當(dāng)H原子進(jìn)攻NH2O的O原子經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS9得到NH2OH,O—H 距離由反應(yīng)物的2.687 ? 逐漸減小為產(chǎn)物的1.060 ?,克服的能壘僅為86.4 kJ·mol-1。由表1可知NH2O 加氫生成NH2OH 過(guò)程中,過(guò)渡態(tài)結(jié)構(gòu)中催化劑轉(zhuǎn)移到吸附物種的電子數(shù)遠(yuǎn)比NH2O 直接分解反應(yīng)轉(zhuǎn)移的電子數(shù)要少,所以NH2O 易于加氫生成NH2OH。
對(duì)Pd/SVG上生成N2的后續(xù)基元反應(yīng)如下:
在Pd/SVG 上通過(guò)NH2NO 中間體生成N2的路徑見(jiàn)圖4。首先NO 活化生成HNO,HNO 加氫直到生成NH2OH。NH2OH 解離為NH2與OH,N—O 鍵長(zhǎng)由1.436 ? 變?yōu)?.750 ?,NH2與OH 的穩(wěn)定吸附均在Pd上,此基元反應(yīng)經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS10 克服的能壘為82.5 kJ·mol-1。在Pd/SVG 上NH2極易與NO 生成NH2NO,這個(gè)過(guò)程是自發(fā)進(jìn)行的。在Mn3O4(110)和Mn 摻雜的TiO2催化劑上NH3還原NO 的DFT 研究發(fā)現(xiàn),NH3解離生成的NH2與氣態(tài)NO 生成NH2NO 也為自發(fā)反應(yīng)[49-50]。然后NH2NO 通過(guò)氫轉(zhuǎn)移異構(gòu)化形成NHNOH,在這個(gè)過(guò)程中一個(gè)N—H 鍵斷裂,H—O 鍵由反應(yīng)物的2.373 ? 經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS11 的1.371 ? 縮短為0.991 ?,新的H—O 鍵形成,此過(guò)程經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS11,跨越的能壘為144.3 kJ·mol-1。最后NHNOH中的N 上H 轉(zhuǎn)移到O 上,H 與OH 鍵結(jié)合形成H2O。伴隨著H2O 的形成,產(chǎn)物N2形成,這一步的活化能為128.5 kJ·mol-1。同樣地,在單原子Mn摻雜的TiO2催化劑上,NH2與NO 自發(fā)生成的NH2NO 也經(jīng)分子內(nèi)氫轉(zhuǎn)移異構(gòu)化形成NHNOH,然后再解離形成N2和H2O,NH2NO 異構(gòu)化的過(guò)程需要克服的能壘為138.9 kJ·mol-1[50]??梢?jiàn)在Pd/SVG 上經(jīng)NH2NO 中間體生成N2與H2O的路徑與Mn-TiO2上的相似。
圖3 Pd/SVG上NO還原的相關(guān)中間體解離加氫的勢(shì)能圖和對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)以及產(chǎn)物的構(gòu)型Fig.3 Potential energy diagram of related intermediates in the reduction of NO together with corresponding configurations of initial states,transition states and final states
生成NH3的后續(xù)路徑基元反應(yīng)步驟如下:
Pd/SVG 上生成NH3的路徑也為NO 加氫活化生成HNO,然后HNO 加氫生成NH2OH,NH2OH 解離后形成NH2,這些步驟和經(jīng)NH2NO 中間體形成N2的路徑一樣。最后NH2加氫經(jīng)過(guò)渡態(tài)TS13 生成產(chǎn)物NH3,這個(gè)步驟需要克服56.0 kJ·mol-1的能壘。在這個(gè)過(guò)程中,吸附在C上的H轉(zhuǎn)移到NH2的N上,N—H鍵的距離由反應(yīng)物的2.766 ?經(jīng)過(guò)渡態(tài)的1.564 ?到NH3的1.023 ?。表面的OH加氫生成H2O,需要的活化能為96.5 kJ·mol-1。從NO活化到生成NH3的過(guò)程中,決速步驟為NH2O 加氫生成NH2OH,需要的活化能為86.4 kJ·mol-1。
圖4 N2與H2O生成勢(shì)能圖及對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)及產(chǎn)物構(gòu)型Fig.4 Potential energy diagram of correlated reactions of the formation of N2 and H2O together with corresponding configurations of initial states,transition states and final states
對(duì)于N2與NH3的生成,從NO 活化到中間體NH2的形成,經(jīng)歷了相同的過(guò)程:NO 活化生成HNO,HNO 繼續(xù)加氫生成NH2O 和NH2OH,NH2OH 解離為NH2與OH。然后NH2經(jīng)過(guò)不同的路徑導(dǎo)致不同產(chǎn)物的形成:當(dāng)NH2與NO 結(jié)合生成NH2NO 時(shí),產(chǎn)物為N2;當(dāng)NH2加氫時(shí)產(chǎn)物為NH3,路徑如圖6 所示。生成N2的決速步為NH2NO 分子內(nèi)氫轉(zhuǎn)移生成NHNOH,所需要的活化能為144.3 kJ·mol-1。NH3生成的決速步為NH2O 加氫生成NH2OH,對(duì)應(yīng)的能壘為86.4 kJ·mol-1。比較生成這兩個(gè)產(chǎn)物的決速步驟的能壘可見(jiàn),催化劑Pd/SVG 上NH3的形成更容易。因此,Pd/SVG 上H2還原NO 的產(chǎn)物中NH3的選擇性較高。
采用密度泛函理論(DFT)方法對(duì)Pd/SVG 上H2還原NO 的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了研究,考察了NO 的不同活化方式及可能產(chǎn)物的形成過(guò)程,得到以下結(jié)論:
圖5 NH3生成的勢(shì)能圖及對(duì)應(yīng)的反應(yīng)物、過(guò)渡態(tài)、產(chǎn)物的構(gòu)型Fig.5 Potential energy diagram of correlated reactions of the formation of NH3 together with corresponding configurations of initial states,transition states and final states
圖6 N2與NH3生成的最優(yōu)路徑圖及每一步基元反應(yīng)的能壘(kJ·mol-1)和對(duì)應(yīng)過(guò)渡態(tài)的虛頻(cm-1)Fig.6 The formation pathways of N2 and NH3and the energy barrier(kJ·mol-1)for each elementary step and virtual frequency corresponding to the transition state(cm-1)
(1)在H2還原NO 的過(guò)程中,物種的穩(wěn)定吸附位點(diǎn)主要在Pd 原子、Pd 與C 相連的橋位(B)以及與Pd相鄰的C位,且反應(yīng)也發(fā)生在這些位點(diǎn)。
(2)在Pd/SVG 上對(duì)NO 加氫形成HNO、NOH 和直接解離形成N 和O 的過(guò)程進(jìn)行比較發(fā)現(xiàn),NO活化的主要方式為NO 加氫形成HNO,僅需要克服67.0 kJ·mol-1的能壘,可見(jiàn)Pd/SVG對(duì)NO的活化能力強(qiáng)。
(3)闡明了Pd/SVG 上H2還原NO 的反應(yīng)機(jī)理,生成N2的最優(yōu)路徑為NO 活化生成HNO,HNO 通過(guò)加氫、解離、結(jié)合、異構(gòu)化過(guò)程經(jīng)中間體NH2O、NH2OH、NH2、NH2NO 和NHNOH,最后經(jīng)NHNOH 解離生成N2與H2O。NH3生成和N2的生成經(jīng)過(guò)同樣的中間體HNO、NH2O、NH2OH 和NH2,最后NH2加氫形成NH3。
(4)對(duì)生成N2和NH3的決速步驟能壘進(jìn)行比較,生成N2的決速步驟為NH2NO 分子內(nèi)氫轉(zhuǎn)移生成NHNOH,所需要的活化能為144.3 kJ·mol-1;生成NH3的決速步驟為NH2O 加氫生成NH2OH,能壘為86.4 kJ·mol-1??梢?jiàn)Pd/SVG 上H2還原NO 過(guò)程中產(chǎn)物NH3的形成更容易。