楊亞飛 姚草根 呂宏軍 李啟軍 崔子振

（航天材料及工藝研究所，北京 100076）

0 引言

W-Ti 合金具有低的電阻系數(shù)、良好的熱穩(wěn)定性能和抗氧化性能等一系列優(yōu)良性能，在集成電路擴(kuò)散阻擋層［1］、CIGS薄膜太陽能電池［2］等方面具有廣泛的應(yīng)用。W-Ti 合金的應(yīng)用形式為薄膜，一般通過磁控濺射，將W-Ti 合金靶材制備成W-Ti 合金薄膜。W-Ti 合金應(yīng)用于集成電路擴(kuò)散阻擋層已有超過40年歷史，同樣應(yīng)用于集成電路擴(kuò)散阻擋層的還有Ta和Ti［3］。集成電路內(nèi)部導(dǎo)電層一般為Cu 和Al，導(dǎo)電層和擴(kuò)散阻擋層一般根據(jù)種類搭配應(yīng)用。Cu 和Ta搭配，應(yīng)用于更高端、制程更小的集成電路領(lǐng)域。Al和Ti或W-Ti合金搭配，應(yīng)用于汽車芯片等更加要求穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域［3］。但是相同的材料純度，W-Ti 合金靶材價(jià)格相較于Ta 靶材和Ti 靶材優(yōu)勢(shì)明顯。除此之外，用W-Ti 合金靶材制備W-Ti-O 薄膜應(yīng)用于氣敏傳感領(lǐng)域［4］和電致變色領(lǐng)域［5］也是未來的研究方向。

關(guān)于W-Ti 合金靶材的制備已有很多研究，大規(guī)模生產(chǎn)主要采用高溫、高壓的真空熱壓技術(shù)［6］和熱等靜壓技術(shù)［7］。近年來，隨著各種新興技術(shù)的發(fā)展，沈丹妮等［8］用SPS（放電等離子燒結(jié)）技術(shù)來進(jìn)行W-Ti合金靶材的制備研究，但是用SPS 技術(shù)制備的W-Ti合金靶材密度很難達(dá)到99%以上。黃志民［9］通過退火熱處理消除W-Ti 合金靶材中的富Ti 相，在1 700℃時(shí)能夠完全消除富Ti 相，但是晶粒卻明顯長大。代衛(wèi)麗等［10］發(fā)現(xiàn)深冷處理對(duì)W-Ti合金中的富Ti相影響不大，但能明顯提高W-Ti 合金的致密度和顯微硬度。本文介紹W-Ti合金靶材的性能指標(biāo)、制備方法和應(yīng)用領(lǐng)域，并提出了W-Ti合金靶材的研究方向。

1 W-Ti合金靶材

1.1 W-Ti合金靶材簡(jiǎn)介

W-Ti合金一般是以薄膜形式應(yīng)用，W-Ti合金靶材是制備W-Ti二元合金薄膜或W-Ti-N、W-Ti-O 等三元薄膜的原料。一般通過磁控濺射技術(shù)，對(duì)W-Ti合金靶材濺射沉積，形成W-Ti 合金薄膜。Ti 的電阻率為42 μΩ·cm，合金中Ti 含量過高將導(dǎo)致其低的電阻特性消失，所以在常用的W-Ti 合金靶材中，Ti 含量通常不會(huì)超過20wt%［11］。典型W-Ti 合金的質(zhì)量比為（W∶Ti）為90∶10［原子比約為70∶30］，W 含量占主體，W-Ti合金的性能接近于W金屬。

由W/Ti二元相圖（圖1）［12］可知，W、Ti在高溫（＞1 230 ℃）時(shí)完全互溶，隨溫度降低，在740 ℃時(shí)，鈦由β-Ti 轉(zhuǎn)變成α-Ti，W-Ti 固溶體發(fā)生偏析轉(zhuǎn)變，分層變?yōu)棣?（富Ti 相）和β2（富W 相）固溶體。當(dāng)前的WTi 合金靶材分為單相結(jié)構(gòu)靶材和多相結(jié)構(gòu)靶材，單相結(jié)構(gòu)靶材的顯微組織全部為W-Ti 固溶體相，但稱為“單相結(jié)構(gòu)靶材”嚴(yán)格來說不準(zhǔn)確，因?yàn)榇嬖讦?和β2兩相，其中β1相含量越少越好；多相結(jié)構(gòu)靶材的顯微組織除了W-Ti 固溶體相，還會(huì)包含純W 相、純Ti相中的一種或兩種。復(fù)雜的相結(jié)構(gòu)可能會(huì)導(dǎo)致濺射不穩(wěn)定，薄膜成分不均勻，所以單相結(jié)構(gòu)靶材的濺射性能更好［6］。

圖1 W-Ti合金相圖［12］Fig.1 W-Ti binary phase diagram

W-Ti 合金靶材可以制備W-Ti 合金薄膜，具有阻擋擴(kuò)散功能；還能用N2、O2等氣體，同Ar 形成混合氣氛，通入濺射室，發(fā)生反應(yīng)濺射，形成W-Ti-N、WTi-O 等薄膜，W-Ti-N 薄膜能夠增強(qiáng)擴(kuò)散阻擋能力，W-Ti-O薄膜具有氣敏傳感、電致變色的功能。

1.2 W-Ti合金靶材的主要性能指標(biāo)

純度、致密度、顯微組織（包括相結(jié)構(gòu)、富T i相含量、粒徑等）是W-Ti 合金靶材的主要性能指標(biāo)。各領(lǐng)域?qū)Π胁牡奶囟s質(zhì)元素含量都有明確的要求，所以靶材的純度決定了其應(yīng)用領(lǐng)域。致密度直接影響靶材的濺射性能，因?yàn)榘胁闹械奈⒖讜?huì)在濺射時(shí)引起異?；」夥烹?，在薄膜上形成顆粒。顯微組織則會(huì)進(jìn)一步影響濺射性能，如粒徑越小，濺射速率越快等。

1.2.1 純度

純度是W-Ti 合金靶材最基本、最重要的性能指標(biāo)，會(huì)直接決定其應(yīng)用領(lǐng)域。W-Ti 合金靶材的純度取決于原料粉末的純度和靶材制備過程中的雜質(zhì)引入控制。濺射過程中，薄膜中容易產(chǎn)生顆粒，顆粒是W-Ti 合金薄膜的缺陷，在特定情況下，顆粒能夠引起金屬線橋接而導(dǎo)致短路［13］，見圖2。W-Ti 合金靶材的純度越高，雜質(zhì)含量越少，濺射鍍膜后薄膜顆粒越少，薄膜均勻性也越好。W 合金中的雜質(zhì)元素包括H、O、C、N、P、S、Si 等，這些元素的原子半徑較小，在合金中有很強(qiáng)的擴(kuò)散能力，比較容易在晶界、相界等能量較高的位置發(fā)生偏聚，甚至生成脆性相，削弱合金中的界面結(jié)合強(qiáng)度，降低合金的性能［14］。同時(shí)，堿金屬（Na、Li、K）含量對(duì)薄膜的電遷移影響較大。電遷移過程是指高電流密度引起的原子的定向擴(kuò)散過程，電遷移是集成電路中引起器件失效的一個(gè)重要原因，所以必須嚴(yán)格控制合金中堿金屬的含量。Fe、Mo 等金屬雜質(zhì)在W 粉中也比較常見，要嚴(yán)格控制其含量。表1 是超高純鎢粉和普通鎢粉的部分雜質(zhì)含量對(duì)比［15］。

圖2 W-Ti顆粒引起金屬線橋接［13］Fig.2 W-Ti particle causing bridging of metal lines

表1 W粉的化學(xué)成分［15］Tab.1 Chemical composition of W powder

1.2.2 致密度

致密度是W-Ti 合金靶材非常重要的性能指標(biāo)，會(huì)直接影響W-Ti 合金薄膜的性能。致密度低，會(huì)導(dǎo)致濺射時(shí)氬粒子轟擊到靶材中的微孔，發(fā)生弧光放電而使薄膜產(chǎn)生顆粒。C.E.WICKERSHAM 等［16］用10 種不同制備工藝得到的W-Ti 合金靶材進(jìn)行鍍膜實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)致密度最低的靶材，制備的薄膜顆粒最多。致密度低引起的薄膜顆粒增加，要遠(yuǎn)多于雜質(zhì)元素含量高引起的薄膜顆粒增加。靶材致密度越高，濺射鍍膜后產(chǎn)生的薄膜顆粒越少，在VLSI制作工藝過程中，要求每150 mm直徑硅片所能允許的顆粒數(shù)必須小于30個(gè)［1］。高性能靶材一般要求致密度大于99%。

工藝參數(shù)和粉末的原始參數(shù)（如粒度、形貌等）會(huì)直接影響W-Ti合金靶材的致密度，例如高溫、高壓能明顯提高靶材的致密度，不同粒度粉末搭配使用更容易致密化，球形粉末較不規(guī)則形狀粉末更容易致密化。

1.2.3 顯微組織

靶材的顯微組織對(duì)W-Ti 合金靶材的鍍膜性能影響也很大，顯微組織性能包括：相結(jié)構(gòu)、富Ti 相含量、粒徑等。單相靶材的鍍膜性能較多相靶材好，圖3 為多相靶材的微觀結(jié)構(gòu)照片，靶材中存在純Ti相［13］。靶材中富Ti相固溶體越多，濺射鍍膜時(shí)，薄膜顆粒越多。但是在W-Ti 合金靶材領(lǐng)域內(nèi)，還沒有對(duì)富Ti 相含量做出具體的要求和規(guī)范，大多數(shù)只是根據(jù)鍍膜廠家的反饋，靶材制造廠家再進(jìn)行工藝調(diào)整。同時(shí)粒徑也是影響合金性能的重要因素，靶材晶粒尺寸越細(xì)小，濺射速率越快，薄膜性能越好；而且晶粒尺寸相差越小，沉積薄膜的厚度分布越均勻。

圖3 多相W-Ti靶材的微觀結(jié)構(gòu)［13］Fig.3 Microstructure of multiphase W-Ti targets

黃志民［9］研究了退火溫度對(duì)W-10Ti合金靶材組織的影響，發(fā)現(xiàn)隨退火溫度升高，β1（富Ti 相）含量減少，轉(zhuǎn)變成β2（富W相），但是晶粒尺寸增大（圖4）。

圖4 不同退火溫度所得W-10Ti 樣品的金相組織形貌［9］Fig.4 Metallographic morphology of the W-10Ti samples annealed at different temperatures

當(dāng)退火溫度達(dá)到1 700 ℃時(shí)，富Ti 相幾乎完全消失，形成平均晶粒尺寸為7.9 μm的均勻再結(jié)晶組織。在實(shí)際生產(chǎn)中，要嚴(yán)格控制靶材的退火溫度及保溫時(shí)間，避免晶粒過分長大。

此外，在實(shí)際濺射鍍膜時(shí)，靶材尺寸越大，靶材利用率越高，薄膜性能越好。目前常用W-Ti 圓片靶材的尺寸為Φ300 mm左右，但是隨著技術(shù)進(jìn)步，要求W-Ti 合金靶材具有更大的尺寸。圓片形和矩形是目前使用W-Ti 合金靶材最多的形狀，此外還有管狀和近三角形的W-Ti合金靶材。

2 W-Ti合金靶材的用途

W-Ti 合金靶材主要用于集成電路和CIGS 薄膜太陽能電池的擴(kuò)散阻擋層，還在氣敏傳感材料、電致變色材料、薄膜應(yīng)變片等方面有較多研究。

2.1 擴(kuò)散阻擋層

在集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，Si為基體，Al或Cu為導(dǎo)電金屬，如果Al 或Cu 導(dǎo)電金屬與基體直接接觸，會(huì)發(fā)生大規(guī)模擴(kuò)散，形成金屬硅化物，使整個(gè)電路失效，所以必須在互連金屬層和基體層增加一層擴(kuò)散阻擋層材料。含Ti 量為10wt%～30wt%的W-Ti 合金已被成功應(yīng)用于Al、Cu 和Ag 布線技術(shù)，W 的作用是阻擋擴(kuò)散（W 在大多數(shù)金屬中原子擴(kuò)散率較低），而Ti 的作用是阻止晶界擴(kuò)散，同時(shí)改善阻擋層的耐腐蝕性能和粘結(jié)力［17］。目前在集成電路8 英寸Si 晶圓片，110 nm 以上技術(shù)領(lǐng)域，如汽車電子芯片等，主要使用W-Ti 合金擴(kuò)散阻擋層搭配Al 布線［18］，圖5 為W-Ti合金擴(kuò)散阻擋層示意圖［19］。

圖5 W-Ti合金擴(kuò)散阻擋層示意圖［19］Fig.5 W-Ti alloy diffusion barrier layer

在濺射過程中，將反應(yīng)氣體N 等加入到惰性氣體Ar 中，與靶材金屬原子發(fā)生反應(yīng)，會(huì)形成W-Ti-N薄膜，極大提高薄膜的有效阻擋能力。A.G.DIRKS等［20］通過W-Ti-N三元合金薄膜的電子衍射圖發(fā)現(xiàn)，在W-Ti-N 三元合金薄膜中出現(xiàn)了TiN 相，可能還有W2N和Ti2N，認(rèn)為正是這些氮化物的形成使三元薄膜的阻隔性能得到了顯著改善。

在柔性薄膜太陽能電池（CIGS）中，在采用非鉻合金鋼作為基板時(shí)，鋼基體中的Fe原子會(huì)擴(kuò)散到CIGS層中，降低電池效率；所以必須在鋼基板和CIGS層中間加一層擴(kuò)散阻擋層，而W-Ti合金薄膜，因?yàn)槠涑錾淖钃鯏U(kuò)散性能，被大量應(yīng)用在CIGS 薄膜太陽能［2］電池中。圖6為CIGS薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6 CIGS薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖Fig.6 CIGS thin film solar cell structure

2.2 其他研究

2.2.1 氣敏傳感材料

W-Ti合金靶材還能在O2和Ar混合氣氛下，反應(yīng)濺射，制備W-Ti-O 薄膜，用作NO2檢測(cè)材料。F.MATTEO 等［4］觀察Ti-WO3的SEM 和TEM 圖像，發(fā)現(xiàn)Ti-WO3的細(xì)晶組織決定了其導(dǎo)電特性，也決定了材料的高靈敏性，而正是Ti原子在WO3中的溶解，阻礙了粗大晶粒形成。同時(shí)，高的比表面積也是W-Ti-O材料能夠做氣體傳感器的重要因素［4］。

V.GUIDI等［21］利用W-Ti合金靶材在O2和Ar混合氣氛（1∶1）下反應(yīng)濺射，制備了W-Ti-O 薄膜，發(fā)現(xiàn)在W-Ti-O 薄膜能不受CO 的影響，但對(duì)NO2高度敏感。同時(shí)研究表明，由W-10Ti合金靶材制備的薄膜性能，相比于W-20Ti合金靶材，敏感性更高［21］。

2.2.2 電致變色材料

WO3具有電致變色效應(yīng)，近年來有很多Ti 摻雜WO3改善電致變色性能的研究。M.A.ARVIZU等［5］用W-Ti合金靶材為原料，制備了W-Ti-O合金薄膜，發(fā)現(xiàn)Ti的加入顯著促進(jìn)了薄膜的非晶態(tài)性質(zhì)，穩(wěn)定了薄膜的電化學(xué)循環(huán)性能和電致變色的動(dòng)態(tài)范圍。W-Ti-O合金薄膜為Ti-WO3結(jié)構(gòu)［5］，如圖7所示。

圖7 W-Ti-O薄膜的SEM顯微照片［5］Fig.7 SEM micrographs of oxide film deposited by sputtering

2.2.3 薄膜應(yīng)變片

W-Ti 合金薄膜還具有應(yīng)用于應(yīng)變片的潛力。陳少波［11］用W-10Ti合金靶材為原料，制備并測(cè)試了W-Ti 薄膜應(yīng)變片，發(fā)現(xiàn)W-Ti 薄膜在基片上的附著力較好，研究了熱處理和沉積時(shí)間對(duì)W-Ti 薄膜應(yīng)變片性能的影響。熱處理后GF（應(yīng)變靈敏系數(shù)）減小，遲滯誤差降低，線性度提高。沉積時(shí)間為7.5 min時(shí)，W-Ti 薄膜應(yīng)變片性能最好，GF 為4.43，TCR（電阻溫度系數(shù)）為4.1×10-5/℃，線性度與遲滯誤差分別為0.68%和1.55%，整體性能優(yōu)于商業(yè)化產(chǎn)品NiCr薄膜應(yīng)變片。

3 W-Ti合金靶材的制備方法

靶材一般分為熔煉靶材和粉末冶金靶材，由于W 的熔點(diǎn)很高，高達(dá)3 422℃，而且W 和Ti 的蒸氣壓相差過大，用熔煉法難以控制合金成分，所以一般通過粉末冶金法生產(chǎn)W-Ti 合金靶材。市面上的W-Ti合金靶材制備工藝一般是真空熱壓法和熱等靜壓法，但是關(guān)于其他粉末冶金方法，如放電等離子燒結(jié)、惰性氣體熱壓法和真空燒結(jié)法，也有很多的研究［1］。表2為5種W-Ti合金靶材制備技術(shù)的對(duì)比。

表2 5種制備技術(shù)工藝條件對(duì)比Tab.2 Manufacturing conditions for six processes

3.1 真空熱壓技術(shù)（VHP）

熱壓又稱加壓燒結(jié)，是把粉末裝在模腔內(nèi)，在加壓的同時(shí)使粉末加熱到正常燒結(jié)溫度或更低一點(diǎn)，經(jīng)過較短時(shí)間燒結(jié)成致密而均勻的制品。在真空條件下的熱壓為真空熱壓，在惰性氣體條件下的熱壓為惰性氣體熱壓。因?yàn)檎婵諢釅簽閱蜗蚰旱募訅悍绞?，所以真空熱壓W-Ti 合金靶材的顯微組織呈層狀，見圖8［22］。真空熱壓的成本較低，產(chǎn)品質(zhì)量較好，是目前W-Ti合金靶材制備中使用最多的技術(shù)。

J.A.DUNLOP 等［23］通過用TiH2粉末替代部分Ti粉，在1 350～1 550 ℃、13～35 MPa 的真空熱壓條件下，制備了95%～100%相對(duì)密度的W-Ti 合金靶材，利用TiH2脫氫時(shí)對(duì)碳、氧等的吸附作用，使總氣體含量小于0.085wt%，碳含量少于0.01wt%，用其鍍膜產(chǎn)生的粒子較少。近年來隨著真空熱壓技術(shù)在國內(nèi)的推廣，國內(nèi)的廈門虹鷺［22］、江豐電子［6］等公司和哈爾濱工業(yè)大學(xué)［6］、廈門大學(xué)［24］、廈門理工學(xué)院［22］等高校都用真空熱壓技術(shù)制備了W-Ti 合金靶材，開展了W-Ti 合金靶材制備工藝、性能調(diào)控等方面的研究，宋佳［6］發(fā)現(xiàn)真空熱壓W-Ti靶材芯部有未擴(kuò)散的純Ti相，致密度能達(dá)到97%以上。

3.2 熱等靜壓技術(shù)（HIP）

HIP具有常規(guī)粉末冶金技術(shù)沒有的優(yōu)勢(shì)：多向受壓，使各個(gè)方向變形均勻；密度分布均勻；致密度高，顯微孔隙幾乎為零等。高溫和高壓的聯(lián)合作用，能夠強(qiáng)化壓制和燒結(jié)過程，使材料具有很好的晶粒結(jié)構(gòu)和更高的致密度。用HIP 制備的W-Ti 合金靶材的晶粒結(jié)構(gòu)更好，幾乎全部為等軸晶粒，但成本較高，這是相比于真空熱壓W-Ti合金靶材的劣勢(shì)。

C.E.WICKERSHAM 等［16］為了制備不含富Ti相的W-10Ti 靶材，利用HIP 分別在低溫高壓（775 ℃、300 MPa）和高溫低壓（1 000～1 550 ℃、100 MPa）條件下制備了W-10Ti 靶材，發(fā)現(xiàn)用在低溫高壓條件下，靶材也能接近全致密，靶材中W 與Ti幾乎無擴(kuò)散，類似于假合金，不含對(duì)濺射性能有害的富Ti 相（圖9），且這種靶材濺射而成的薄膜顆粒數(shù)目更少。但是壓力超過200 MPa 的HIP 幾乎只用于實(shí)驗(yàn)，還未用于生產(chǎn)，所以目前W-Ti 合金靶材的研究方向是在高溫低壓條件下，使W與Ti充分?jǐn)U散、不含富Ti相。

圖9 不含富Ti相的W-10Ti靶材［7］Fig.9 W-10Ti target without Ti-rich phase

3.3 放電等離子燒結(jié)技術(shù)（SPS）

SPS是近年來發(fā)展起來的一種強(qiáng)化燒結(jié)技術(shù)，在加壓的同時(shí)通入等離子脈沖電流，降低了燒結(jié)溫度，能使粉末快速致密化。沈丹妮等［8］采用SPS 技術(shù)，用球磨30 h 的W-Ti 機(jī)械合金化粉末，在1 100 ℃、20 MPa、保溫5 min 的條件下，制備了含β1（Ti，W）和β2（Ti，W）兩相的Ti 在15at%～30at%的W-Ti 合金，當(dāng)Ti 為25at%時(shí)，樣品致密度達(dá)到（98.5±0.1）%。代衛(wèi)麗等［25］選用了W和Ti的普通混合粉末和機(jī)械合金化粉末，在1 400 ℃、30 MPa、保溫10 min 的SPS 條件下進(jìn)行了對(duì)比試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)較普通機(jī)械混合粉末，用機(jī)械合金化粉末制備的W-Ti 合金中條狀的富Ti 相更為細(xì)小且含量更少，但是合金的致密度卻更低，僅為96.8%，這是因?yàn)闄C(jī)械合金化粉末呈片狀，由于“拱橋效應(yīng)”，合金化粉末的堆積密度較小，導(dǎo)致合金致密度較低；又用W 和TiH2的機(jī)械混合粉末為原料，制備出的W-10Ti 合金達(dá)到了100%的相對(duì)密度，因?yàn)橄噍^于Ti 粉，TiH2粉更細(xì)，分布更加均勻，和W 粉相互填充，堆積密度較高，同時(shí)TiH2脫氫后生成了活性較高的Ti原子，有利于元素之間的相互擴(kuò)散。

由于SPS 技術(shù)的短時(shí)、快速燒結(jié)的特性，用SPS技術(shù)制備的W-Ti 合金靶材一般難以達(dá)到極高的致密度（＞99%）。用SPS技術(shù)制備W-Ti合金靶材仍處于研究階段，還未能用于大規(guī)模生產(chǎn)。

3.4 其他技術(shù)

除此之外，還有一些用惰性氣體熱壓法和真空燒結(jié)法制備W-Ti 合金靶材的研究，L.O.Chi-Fung等［26］在1 300～1 650 ℃的惰性氣體熱壓條件下制備了單相W-10Ti 合金靶材。王贊海等［27］控制溫度在1 250～1 450 ℃之間，壓力在20 MPa 左右，保溫時(shí)間在30 min左右可制備相對(duì)密度為95%～98%的W-Ti合金靶材。惰性氣體熱壓技術(shù)也為單相模壓的加壓方式，所以其顯微組織一般也呈層狀。C.E.WICKERSHAM 等［16］發(fā)現(xiàn)用無壓燒結(jié)技術(shù)制備的WTi合金相對(duì)密度很低，僅有不到80%的相對(duì)密度，在濺射鍍膜時(shí)污染粒子較多。W-Ti 合金在無壓燒結(jié)時(shí)難以達(dá)到很高的致密度。

4 結(jié)語

W-Ti 合金靶材能夠制備多種功能薄膜，在集成電路、CIGS薄膜太陽能電池、氣敏傳感等多個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用和研究。我國近年來加快了對(duì)W-Ti 合金靶材的研究與應(yīng)用，真空熱壓和熱等靜壓是W-Ti 合金靶材的主要制備技術(shù)，也有一些新興技術(shù)（如SPS 技術(shù)）用于W-Ti合金靶材的制備研究。

基于以上分析，筆者認(rèn)為W-Ti 合金靶材的發(fā)展趨勢(shì)有以下幾個(gè)方向：

（1）提高生產(chǎn)超高純（＞5N）粉末和靶材的能力，建造潔凈車間；

（2）提高靶材致密度（＞99%），對(duì)于SPS 等新興技術(shù)尤為重要；

（3）降低合金中富Ti相含量，同時(shí)使富Ti相分布均勻，爭(zhēng)取做到無富Ti相；

（4）增大W-Ti合金靶材的尺寸，減少開裂現(xiàn)象；

（5）降低W-Ti合金靶材生產(chǎn)成本。