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        低氣壓下三維分形電弧放電現(xiàn)象的研究

        2021-02-28 14:22:40帥瀟瀟譚清月張騰翼
        關(guān)鍵詞:方向實(shí)驗(yàn)

        古 亮,王 帥,帥瀟瀟,譚清月,張騰翼,賀 娟

        (1.重慶理工大學(xué) 電氣與電子工程學(xué)院,重慶 400054;2.重慶市能源互聯(lián)網(wǎng)工程技術(shù)研究中心,重慶 400054)

        21世紀(jì)以來,我國對中西部能源的開發(fā)力度逐漸加大,對西電東送工程的依賴也越來越高,通過特高壓輸電將西部能源以電能的形式輸送到全國各地。我國西部地區(qū)海拔普遍偏高,很多地方海拔達(dá)到4 000 m以上,像拉薩市的海拔有3 600 m,而唐古拉山口的海拔則將近5 000 m。隨著海拔的升高,空氣密度逐漸降低,氣體的絕緣性能也會受到影響。如果電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)或操作不當(dāng)則會引發(fā)事故[1-4]。因此,對低氣壓下氣體放電相關(guān)特性的研究非常有必要。

        國內(nèi)外對氣體放電均有一定的研究。1984年,Niemeyer等[5]建立了分形電介質(zhì)擊穿(即NPW)模型,開啟了基于非線性理論的電介質(zhì)放電規(guī)律探索先例。該模型研究的側(cè)重點(diǎn)是放電時(shí)電場強(qiáng)度和隨機(jī)概率對放電通道的影響,場強(qiáng)大的地方成為放電通道發(fā)展點(diǎn)的可能性就大。1999年,Veldhuizen等[6]采用ICCD高速照相機(jī)采集了25 mm空氣間隙下的電暈圖像,并發(fā)現(xiàn)了放電通道軌跡分叉現(xiàn)象以及外施電壓的影響。本世紀(jì)初,H.Z.Ding等[7]在電場因素的基礎(chǔ)上,考慮了放電通道的發(fā)展和機(jī)械應(yīng)力的關(guān)系,提出了一種新模型。該模型認(rèn)為放電通道的發(fā)展主要受上一次電子碰撞及分子內(nèi)能的影響。文獻(xiàn)[8]中的研究表明,通過長間隙放電實(shí)驗(yàn)對2~60 kPa氣壓下交、直流棒-板間隙放電時(shí),隨著氣壓的升高,放電通道曲折和分叉現(xiàn)象明顯。但該文獻(xiàn)是通過在實(shí)驗(yàn)過程中對長間隙放電通道進(jìn)行拍攝,從二維的角度觀察放電通道的外觀上得出的結(jié)論。由于放電是在三維空間進(jìn)行的,從不同方向看其放電通道的形狀是不同的,因此在三維空間對放電通道進(jìn)行分析更能反映其形態(tài)的本質(zhì)。

        本文中重點(diǎn)研究了不均勻電場下電弧放電的特征和氣壓的關(guān)系,由于針-板電極是典型的不均勻電場,具有普遍性。因此,采用針-板電極放電實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)過程中保持實(shí)驗(yàn)環(huán)境的濕度、溫度等條件不變,只改變氣壓。我國青藏高原地區(qū)平均海拔在4 000 m左右,所對應(yīng)的氣壓大約為60~70 kPa,因此每次實(shí)驗(yàn)分別采集標(biāo)準(zhǔn)大氣壓、90 kPa氣壓、80 kPa氣壓和70 kPa氣壓4組數(shù)據(jù),實(shí)驗(yàn)時(shí)通過高清攝像機(jī)采集不同大氣壓下電弧放電時(shí)空間上相互垂直的兩個(gè)方向的圖像,將采集的圖像還原到三維空間直角坐標(biāo)系,根據(jù)分形維數(shù)的盒維數(shù)法計(jì)算出不同大氣壓下電弧放電通道的分形維數(shù),從而得出不同大氣壓下電弧放電通道曲折程度的變化規(guī)律。

        1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及方法

        1.1 實(shí)驗(yàn)裝置

        首先進(jìn)行針-板電極放電實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)裝置包括高壓直流電源、Marx發(fā)生器、低氣壓裝置和放電通道的圖像采集模塊。實(shí)驗(yàn)電路圖如圖1所示。

        實(shí)驗(yàn)使用的電源為輸入電壓220 V交流、輸出電壓為0~250 V連續(xù)可調(diào)交流電壓的帶自耦調(diào)壓器和過流保護(hù)裝置的電源箱Us,Marx發(fā)生器由13個(gè)3 000 pF的多級儲能電容器C、20個(gè)阻值為1.5 MΩ的隔離電阻r和間隙G構(gòu)成,輸出沖擊電壓為90 kV。低氣壓裝置包括PLA材質(zhì)的邊長為15 cm的絕緣立方形低氣壓容器,容器上端中心為高壓脈沖進(jìn)線,為針電極,下端面中心的出線將板電極接地。針電極尖端等效半徑為0.1 mm,板電極為直徑50 mm,厚0.8 mm的純銅,針-板電極間的距離為60 mm。低壓容器兩相鄰側(cè)面相互垂直,并開窗,用石英玻璃密封,以便于放電通道的圖像采集。低壓容器側(cè)面靠下開孔連接真空泵、真空表和閥門。實(shí)驗(yàn)時(shí),通過閥門調(diào)節(jié)低壓容器內(nèi)部氣壓。

        圖1 實(shí)驗(yàn)電路圖

        放電通道的圖像采集模塊包括反光鏡和高清攝像儀。反光鏡與針電極和板電極中心的連線平行。試驗(yàn)前調(diào)節(jié)光路,使兩電極及連線上的光線分別垂直透射出石英玻璃窗,再經(jīng)反光鏡同時(shí)到達(dá)高清攝像儀,并被采集和存儲于同一張數(shù)字圖片的左右兩側(cè)。兩反光鏡之間的夾角為130°,各光路總光程為500mm,以忽略放電通道彎曲造成的對焦不準(zhǔn)所產(chǎn)生的誤差。攝像機(jī)鏡頭前加濾光鏡,濾除紅外光等干擾。攝像機(jī)采用20 000(p·s-1),分辨率為1 024×1 024的高清攝像機(jī)。實(shí)驗(yàn)時(shí),分別將高壓硅堆正接和反接來改變高壓脈沖的極性,各氣壓等級下的放電實(shí)驗(yàn)各進(jìn)行80組。

        1.2 實(shí)驗(yàn)方法

        由電源箱提供220 V交流電,通過油浸式升壓變壓器將電壓升高到50 kV,經(jīng)高壓硅堆整流后通過Marx發(fā)生器的電容并聯(lián)充電再串聯(lián)放電,產(chǎn)生90 kV的沖擊電壓。每組實(shí)驗(yàn)結(jié)束后由真空泵對真空室抽氣來改變實(shí)驗(yàn)環(huán)境的氣壓。

        采集圖像時(shí),通過CCD高清攝像機(jī)拍攝兩個(gè)反光鏡中相互垂直方向的放電通道,提取放電通道在這2個(gè)方向的二維圖像,定量研究了電弧放電通道的圖像面積隨時(shí)間的變化規(guī)律,再經(jīng)Matlab軟件將其還原到三維空間直角坐標(biāo)系,通過分形維數(shù)的方法求出放電通道的盒維數(shù),盒維數(shù)越大說明其放電通道越曲折。

        2 三維分形數(shù)據(jù)處理

        對實(shí)驗(yàn)過程中采集到的放電圖像進(jìn)行圖像處理的具體流程如圖2所示。

        圖2 數(shù)據(jù)處理流程框圖

        2.1 放電通道的提取

        在實(shí)驗(yàn)中拍攝到電弧放電通道的高速錄像通過KMplayer軟件剪輯成幀序列,將采集到的數(shù)字圖片左右兩側(cè)的放電通道圖像以針電極的針尖為基礎(chǔ),分別分解為X方向和Y方向2個(gè)圖片。并對其進(jìn)行固定閾值濾波和二值化處理,以減少光的散射對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響。處理結(jié)果如圖3所示。

        圖3 典型氣壓下尖-板電極脈沖放電光分布

        2.2 三維坐標(biāo)的還原

        三維坐標(biāo)還原選擇提取精度最高的Hessian矩陣法。首先,計(jì)算出Hessian矩陣特征值及特征向量,得到放電通道的法線方向,然后通過泰勒展開式得到法線方向的亞像素所在位置。任取放電通道圖像上一點(diǎn)I(x,y),Hessian矩陣可表示為:

        式中Ixx表示通道沿x方向的二階偏導(dǎo)數(shù),Ixy和Iyy同理。

        g(x,y)是能夠突出通道灰度分布特征的高斯卷積模板。

        通過放電通道基準(zhǔn)點(diǎn)(x0,y0)的Hessian矩陣特征向量(nx,ny)得出其二階方向?qū)?shù)絕對值最大的方向,并將其設(shè)為法線方向,與切線方向互成90°。由于放電通道的灰度值沿法線方向呈現(xiàn)高斯分布,灰度值越大,越接近通道中心軸的位置。則通道中心的亞像素坐標(biāo)為:

        其中

        若(tnx,tny)∈[-0.5,0.5]×[-0.5,0.5],即一階導(dǎo)數(shù)為零的點(diǎn)位于當(dāng)前像素內(nèi),且(nx,ny)方向的二階導(dǎo)數(shù)大于指定值,則點(diǎn)(x0,y0)為該通道橫截面的中心點(diǎn),(px,py)為亞像素坐標(biāo)。

        通過Steger算法得到互相垂直的X方向和Y方向放電通道中心軸的坐標(biāo)后,利用Matlab建立立體坐標(biāo)系,并結(jié)合Z軸組建出放電通道的三維空間坐標(biāo)。以70 kPa氣壓為例,其中一組放電通道中心軸立體形態(tài)如圖4所示。

        圖4 典型的放電光通道中心軸立體形態(tài)示意圖

        再通過盒維數(shù)法計(jì)算出圖4中放電通道的分形維數(shù),根據(jù)公式

        其計(jì)算結(jié)果如圖5所示。

        圖5 測量尺度與盒子數(shù)量關(guān)系

        根據(jù)圖5中擬合直線的斜率得出:該大氣壓下電弧放電通道的分形維數(shù)是D=1.067 5。

        2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

        為得到電弧放電通道曲折程度與氣壓等級的關(guān)系,實(shí)驗(yàn)過程中共選取標(biāo)準(zhǔn)大氣壓、90 kPa大氣壓、80 kPa大氣壓和70 kPa大氣壓4個(gè)氣壓等級,分別統(tǒng)計(jì)各組氣壓的正負(fù)脈沖極性下電弧放電通道的分形維數(shù)平均值,得到電弧放電通道中心軸的分形維數(shù)和氣壓的關(guān)系如圖6所示。

        由圖6可以看出:在其他條件不變的情況下,隨著氣壓的升高,放電通道的分形維數(shù)呈現(xiàn)上升的趨勢,即氣壓越高,電弧的放電通道越曲折,且正極性和負(fù)極性無明顯區(qū)別。

        圖6 電弧分形維數(shù)與氣壓等級的關(guān)系

        產(chǎn)生這種現(xiàn)象是因?yàn)樵诘蜌鈮合驴諝饷芏认”。崮芰Σ?,空氣間隙受冷卻程度差,會對空氣間隙電弧特性產(chǎn)生影響。電子和氣體分子發(fā)生碰撞時(shí),由于氣體分子的質(zhì)量遠(yuǎn)大于電子的質(zhì)量[9-11],因此氣體分子相對于電子是靜止的狀態(tài)。隨著氣壓的升高,在流注形成的過程中,電子和氣體分子的碰撞導(dǎo)致電子崩和放電通道的方向發(fā)生改變[12],因此放電通道出現(xiàn)曲折的現(xiàn)象。下面從氣體放電過程中帶電粒子和中性粒子碰撞電離的機(jī)理出發(fā)對實(shí)驗(yàn)結(jié)論進(jìn)行論述。

        若氣體分子間平均距離為d,氣體分子密度為n,其他分子均處于靜止?fàn)顟B(tài),某分子以平均速率珔u相對其他分子運(yùn)動(dòng),則單位時(shí)間內(nèi)的平均碰撞次數(shù)為

        考慮到其他分子的運(yùn)動(dòng),則

        由式(10)(11)可知,單位時(shí)間內(nèi)分子平均碰撞次數(shù)為

        平均自由程為

        式中:K為玻爾茲曼常數(shù);p為大氣壓強(qiáng);T為溫度。由式(15)可知:當(dāng)溫度T一定時(shí),平均自由程和氣壓成反比。

        3 結(jié)論

        1)在其他條件不變的情況下,隨著氣壓的升高,電弧放電通道的分形維數(shù)呈上升的趨勢,即氣壓越高,電弧的放電通道越曲折。

        2)正負(fù)極性的改變對放電通道的分形維數(shù)無明顯影響。

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